mpu6050中文數(shù)據(jù)手冊(cè) STM32F103CDE_DS_中文數(shù)據(jù)手冊(cè)_V5

1、mpu6050中文數(shù)據(jù)手冊(cè) STM32F103CDE_DS_中文數(shù)據(jù)手冊(cè)_V5 導(dǎo)讀：就愛(ài)閱讀網(wǎng)友為您分享以下“STM32F103CDE_DS_中文數(shù)據(jù)手冊(cè)_V5”的資訊，希望對(duì)您有所幫助，感謝您對(duì)92to 的支持!STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 5 5.1 電氣特性 測(cè)試條件 除非特別說(shuō)明，所有電壓的都以VSS為基準(zhǔn)。 5.1.1 最小和最大數(shù)值 除非特別說(shuō)明，在生產(chǎn)線上通過(guò)對(duì)100%的產(chǎn)品在環(huán)境溫度TA=25°C和TA=TAmax下執(zhí)行的測(cè)試(TAmax與選定的溫度范圍匹配)，所有最小和最大值將在最壞的環(huán)境溫度、供電電壓和時(shí)鐘頻

2、率條件下得到保證。 在每個(gè)表格下方的注解中說(shuō)明為通過(guò)綜合評(píng)估、設(shè)計(jì)模擬和/或工藝特性得到的數(shù)據(jù)，不會(huì)在生產(chǎn)線上進(jìn)行測(cè)試；在綜合評(píng)估的基礎(chǔ)上，最小和最大數(shù)值是通過(guò)樣本測(cè)試后，取其平均值再加減三倍的標(biāo)準(zhǔn)分布(平均±3)得到。 5.1.2 典型數(shù)值 除非特別說(shuō)明，典型數(shù)據(jù)是基于TA=25°C和VDD=3.3V(2V VDD 3.3V電壓范圍)。這些數(shù)據(jù)僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)而未經(jīng)測(cè)試。 典型的ADC精度數(shù)值是通過(guò)對(duì)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的批次采樣，在所有溫度范圍下測(cè)試得到，95%產(chǎn)品的誤差小于等于給出的數(shù)值(平均±2)。 5.1.3 典型曲線 除非特別說(shuō)明，典型曲線僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)而未經(jīng)測(cè)試。

3、 5.1.4 負(fù)載電容 測(cè)量引腳參數(shù)時(shí)的負(fù)載條件示于圖10中。 圖10 引腳的負(fù)載條件 5.1.5 引腳輸入電壓 引腳上輸入電壓的測(cè)量方式示于圖11中。 圖11 引腳輸入電壓 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 29/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 5.1.6 供電方案 圖12 供電方案 注：上圖中的4.7F電容必須連接到VDD3。 5.1.7 電流消耗測(cè)量 圖13 電流消耗測(cè)量方案 5.2 絕對(duì)最大額定值 加在器件上的載荷如果超過(guò)絕對(duì)最大額定值列表(表

4、7、表8、表9)中給出的值，可能會(huì)導(dǎo)致器件永久性地?fù)p壞。這里只是給出能承受的最大載荷，并不意味在此條件下器件的功能性操作無(wú)誤。器件長(zhǎng)期工作在最大值條件下會(huì)影響器件的可靠性。 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 30/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 表7 電壓特性 符 號(hào) VDD - VSS VIN | VDDx | | VSSx - VSS | VESD(HBM) 描 述 外部主供電電壓(包含VDDA和VDD)(1) 在5V容忍的引腳上的輸入電壓(2)

5、在其它引腳上的輸入電壓(2) 不同供電引腳之間的電壓差 不同接地引腳之間的電壓差 ESD靜電放電電壓(人體模型) 最小值 最大值 單 位 -0.3 4.0 V V-0.3 5.5 SSVSS-0.3 VDD + 0.3 50 mV 50 參見(jiàn)第5.3.12節(jié) 1所有的電源(VDD, VDDA)和地(VSS, VSSA)引腳必須始終連接到外部允許范圍內(nèi)的供電系統(tǒng)上。 2 IINJ(PIN)絕對(duì)不可以超過(guò)它的極限(見(jiàn)表8)，即保證VIN不超過(guò)其最大值。如果不能保證VIN不超過(guò)其最大值，也要保 證在外部限制IINJ(PIN)不超過(guò)其最大值。當(dāng)VIN>VINmax時(shí)，有一個(gè)正向注入電流；當(dāng)VIN

6、表8 電流特性 符號(hào) IVDD IVSS IIO 描述 最大值(1) 單位 經(jīng)過(guò)VDD/VDDA電源線的總電流(供應(yīng)電流) (1) 150 任意I/O和控制引腳上的輸出灌電流 25 經(jīng)過(guò)VSS地線的總電流(流出電流) (1) 150 任意I/O和控制引腳上的輸出電流 -25 mA NRST引腳的注入電流 +/-5 HSE的OSC_IN引腳和LSE的OSC_IN引腳的注入電流 +/-5 所有I/O和控制引腳上的總注入電流(4) +/-25 IINJ(PIN) (2) (3) IINJ(PIN)(2) (4)其他引腳的注入電流 +/-5 1. 所有的電源(VDD，VDDA)和地(VSS，VSSA)

7、引腳必須始終連接到外部允許范圍內(nèi)的供電系統(tǒng)上。 2. IINJ(PIN)絕對(duì)不可以超過(guò)它的極限，即保證VIN不超過(guò)其最大值。如果不能保證VIN不超過(guò)其最大值，也要保證在外部限制IINJ(PIN)不超過(guò)其最大值。當(dāng)VIN>VDD時(shí)，有一個(gè)正向注入電流；當(dāng)VIN4. 當(dāng)幾個(gè)I/O口同時(shí)有注入電流時(shí)，IINJ(PIN)的最大值為正向注入電流與反向注入電流的即時(shí)絕對(duì)值之和。該結(jié)果基于在器件4個(gè)I/O端口上IINJ(PIN)最大值的特性。 表9 溫度特性 符號(hào) TSTG TJ 描述 儲(chǔ)存溫度范圍 數(shù)值 -60 + 150 單位 最大結(jié)溫度 150 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)

8、手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 31/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 5.3 工作條件 表10 通用工作條件 符號(hào) fHCLK fPCLK1 fPCLK2 VDD VDDA(1) VBAT 參數(shù) 內(nèi)部AHB時(shí)鐘頻率 內(nèi)部APB1時(shí)鐘頻率 內(nèi)部APB2時(shí)鐘頻率 標(biāo)準(zhǔn)工作電壓 條件 最小值 最大值 單 位 0 72 MHz 0 36 0 72 2 3.6 V 5.3.1 通用工作條件 模擬部分工作電壓(未使用ADC) 2 3.6 必須與VDD(2)相同 V 模擬部分工作電壓(使用ADC) 2.4 3.6

9、 備份部分工作電壓 功率耗散 1.8 3.6 V LQFP144 666 LQFP100 434 mW LQFP64 444 LFBGA100 500 LFBGA144 500 環(huán)境溫度(溫度標(biāo)號(hào)6) 最大功率消耗 (4)低功率消耗 PD 溫度標(biāo)號(hào)6：TA=85 溫度標(biāo)號(hào)7(3)：TA=105 -40 85 -40 105 -40 105 -40 125 -40 105 -40 125 TA 環(huán)境溫度(溫度標(biāo)號(hào)7) 最大功率消耗 (4)低功率消耗 TJ 1. 2. 3. 4. 結(jié)溫度范圍 溫度標(biāo)號(hào)6 溫度標(biāo)號(hào)7 當(dāng)使用ADC時(shí)，參見(jiàn)表58。 建議使用相同的電源為VDD和VDDA供電，在上電和正

10、常操作期間，VDD和VDDA之間最多允許有300mV的差別。 如果TA較低，只要TJ不超過(guò)TJmax(參見(jiàn)第6.2節(jié))，則允許更高的PD數(shù)值。 在較低的功率耗散的狀態(tài)下，只要TJ不超過(guò)TJmax(參見(jiàn)第6.2節(jié))，TA可以擴(kuò)展到這個(gè)范圍。 5.3.2 上電和掉電時(shí)的工作條件 下表中給出的參數(shù)是依據(jù)表10列出的環(huán)境溫度下測(cè)試得出。 表11 上電和掉電時(shí)的工作條件 符號(hào) tVDD VDD上升速率 VDD下降速率 參數(shù) 條件 最小值 0 20 最大值 單 位 s/V 5.3.3 內(nèi)嵌復(fù)位和電源控制模塊特性 下表中給出的參數(shù)是依據(jù)表10列出的環(huán)境溫度下和VDD供電電壓下測(cè)試得出。 表12 內(nèi)嵌復(fù)位和電

11、源控制模塊特性 符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單 位PLS2:0=000 (上升沿) 2.1 2.18 2.26 V PLS2:0=000 (下降沿) 2 2.08 2.16 V VPVD 可編程的電壓檢測(cè)器的電平選擇 PLS2:0=001 (上升沿) 2.19 2.28 2.37 V PLS2:0=001 (下降沿) 2.09 2.18 2.27 V PLS2:0=010 (上升沿) 2.28 2.38 2.48 V PLS2:0=010 (下降沿) 2.18 2.28 2.38 V 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)

12、誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 32/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) PLS2:0=011 (上升沿) 2.38 2.48 2.58 V PLS2:0=011 (下降沿) 2.28 2.38 2.48 V PLS2:0=100 (上升沿) 2.47 2.58 2.69 V PLS2:0=100 (下降沿) 2.37 2.48 2.59 V VPVD 可編程的電壓檢測(cè)器的電平選擇 PLS2:0=101 (上升沿) 2.57 2.68 2.79 V PLS2:0=101 (下降沿) 2.47 2.58 2.69 V PLS2:0=110 (上升沿)

13、 2.66 2.78 2.9 V PLS2:0=110 (下降沿) 2.56 2.68 2.8 V PLS2:0=111 (上升沿) 2.76 2.88 3 V PLS2:0=111 (下降沿) 2.66 2.78 2.9 V VPVDhyst(2) PVD遲滯 VPOR/PDR 上電/掉電復(fù)位閥值 100 mV 下降沿 1.8(1) 1.88 1.96 V 上升沿 1.84 1.92 2.0 V 40 mV 1 2.5 4.5 ms VPDRhyst(2) PDR遲滯 TRSTTEMPO(2) 復(fù)位持續(xù)時(shí)間 1. 產(chǎn)品的特性由設(shè)計(jì)保證至最小的數(shù)值VPOR/PDR。 2. 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)

14、中測(cè)試。 5.3.4 內(nèi)置的參照電壓 下表中給出的參數(shù)是依據(jù)表10列出的環(huán)境溫度下和VDD供電電壓下測(cè)試得出。 表13 內(nèi)置的參照電壓 符號(hào) VREFINT TS_vrefint(!) 參數(shù) 內(nèi)置參照電壓 條件 最小值 典型值 最大值 單 位-40 s 當(dāng)讀出內(nèi)部參照電壓PLS2:0=001 (上升沿) 時(shí)，ADC的采樣時(shí)間 1. 最短的采樣時(shí)間是通過(guò)應(yīng)用中的多次循環(huán)得到。 2. 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測(cè)試。 5.3.5 供電電流特性 電流消耗是多種參數(shù)和因素的綜合指標(biāo)，這些參數(shù)和因素包括工作電壓、環(huán)境溫度、I/O引腳的負(fù)載、產(chǎn)品的軟件配置、工作頻率、I/O腳的翻轉(zhuǎn)速率、程序在存儲(chǔ)器中的位置以

15、及執(zhí)行的代碼等。 電流消耗的測(cè)量方法說(shuō)明，詳見(jiàn)圖13。 本節(jié)中給出的所有運(yùn)行模式下的電流消耗測(cè)量值，都是在執(zhí)行一套精簡(jiǎn)的代碼，能夠得到Dhrystone 2.1代碼等效的結(jié)果。 最大電流消耗 微控制器處于下列條件： 所有的I/O引腳都處于輸入模式，并連接到一個(gè)靜態(tài)電平上VDD或VSS(無(wú)負(fù)載)。 所有的外設(shè)都處于關(guān)閉狀態(tài)，除非特別說(shuō)明。 閃存存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)間調(diào)整到fHCLK的頻率(024MHz時(shí)為0個(gè)等待周期，2448MHz時(shí)為1個(gè)等待周期，超過(guò)48MHz時(shí)為2個(gè)等待周期)。 指令預(yù)取功能開(kāi)啟(提示：這個(gè)參數(shù)必須在設(shè)置時(shí)鐘和總線分頻之前設(shè)置)。 當(dāng)開(kāi)啟外設(shè)時(shí)：fPCLK1 = fHCLK/2，

16、fPCLK2 = fHCLK。 表14、表15和表16中給出的參數(shù)，是依據(jù)表10列出的環(huán)境溫度下和VDD供電電壓下測(cè)試得出。 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 33/87 數(shù)據(jù)手冊(cè) STM32F103xC STM32F103xD STM32F103xE 增強(qiáng)型，32位基于ARM核心的帶512K字節(jié)閃存的微控制器 USB、CAN、11個(gè)定時(shí)器、3個(gè)ADC 、13個(gè)通信接口 功能 內(nèi)核：ARM 32位的Cortex?-M3 CPU ? 最高72MHz工作頻率，在存儲(chǔ)器的0等待周期訪問(wèn)時(shí)可達(dá)1.25DMips/MH

17、z(Dhrystone 2.1) ? 單周期乘法和硬件除法 存儲(chǔ)器 ? 從256K至512K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器 ? 高達(dá)64K字節(jié)的SRAM ? 帶4個(gè)片選的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器。支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲(chǔ)器 ? 并行LCD接口，兼容8080/6800模式 時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理 ? 2.03.6伏供電和I/O引腳 ? 上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD) ? 416MHz晶體振蕩器 ? 內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的8MHz的RC振蕩器 ? 內(nèi)嵌帶校準(zhǔn)的40kHz的RC振蕩器 ? 帶校準(zhǔn)功能的32kHz RTC振蕩器 低功耗 ? 睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式 ? V

18、BAT為RTC和后備寄存器供電 3個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，1s轉(zhuǎn)換時(shí)間(多達(dá)21個(gè)輸入通道) ? 轉(zhuǎn)換范圍：0至3.6V ? 三倍采樣和保持功能 ? 溫度傳感器 2通道12位D/A轉(zhuǎn)換器 DMA：12通道DMA控制器 ? 支持的外設(shè)：定時(shí)器、ADC、DAC、SDIO、I2S、SPI、I2C和USART 調(diào)試模式 ? 串行單線調(diào)試(SWD)和JTAG接口 ? Cortex-M3內(nèi)嵌跟蹤模塊(ETM) 多達(dá)112個(gè)快速I/O端口 ? 51/80/112個(gè)多功能雙向的I/O口，所有I/O口可以映像到16個(gè)外部中斷；幾乎所有端口均可容忍5V信號(hào) 多達(dá)11個(gè)定時(shí)器 ? 多達(dá)4個(gè)16位定時(shí)器，每個(gè)定時(shí)器有多達(dá)

19、4個(gè)用于輸入捕獲/輸出比較/PWM或脈沖計(jì)數(shù)的通道和增量編碼器輸入 ? 2個(gè)16位帶死區(qū)控制和緊急剎車，用于電機(jī)控制的PWM高級(jí)控制定時(shí)器 ? 2個(gè)看門狗定時(shí)器(獨(dú)立的和窗口型的) ? 系統(tǒng)時(shí)間定時(shí)器：24位自減型計(jì)數(shù)器 ? 2個(gè)16位基本定時(shí)器用于驅(qū)動(dòng)DAC 多達(dá)13個(gè)通信接口 ? 多達(dá)2個(gè)I2C接口(支持SMBus/PMBus) ? 多達(dá)5個(gè)USART接口(支持ISO7816，LIN，IrDA接口和調(diào)制解調(diào)控制) ? 多達(dá)3個(gè)SPI接口(18M位/秒)，2個(gè)可復(fù)用為I2S接口 ? CAN接口(2.0B 主動(dòng)) ? USB 2.0全速接口 ? SDIO接口 CRC計(jì)算單元，96位的芯片唯一代

20、碼 ECOPACK?封裝 表1 器件列表 參 考 STM32F103xCSTM32F103xDSTM32F103xE 基本型號(hào) STM32F103RC、STM32F103VC、STM32F103ZC STM32F103RD、STM32F103VD、STM32F103ZD STM32F103RE、STM32F103ZE、 STM32F103VE 本文檔英文原文下載地址： :/ st /stonline/products/literature/ds/14611.pdf 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 1/87

21、STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 目錄 1 2 介紹.4 規(guī)格說(shuō)明.5 2.1 2.2 2.3 器件一覽.5 系列之間的全兼容性.6 概述.6 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.3.8 2.3.9 ARM?的Cortex?-M3核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM.6 內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器.6 CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))計(jì)算單元.7 內(nèi)置SRAM.7 FSMC(可配置的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器).7 LCD并行接口.7 嵌套的向量式中斷控制器(NVIC).7 外部中斷/事件控制器(EXTI).7 時(shí)鐘和啟動(dòng).7 2.3.

22、10 自舉模式.8 2.3.11 供電方案.8 2.3.12 供電監(jiān)控器.8 2.3.13 電壓調(diào)壓器.8 2.3.14 低功耗模式.8 2.3.15 DMA.9 2.3.16 RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)和后備寄存器.9 2.3.17 定時(shí)器和看門狗.9 2.3.18 I2C總線.10 2.3.19 通用同步/異步收發(fā)器(USART).10 2.3.20 串行外設(shè)接口(SPI).10 2.3.21 I2S(芯片互聯(lián)音頻)接口.11 2.3.22 SDIO.11 2.3.23 控制器區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(CAN).11 2.3.24 通用串行總線(USB).11 2.3.25 通用輸入輸出接口(GPIO).11 2

23、.3.26 ADC(模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器).11 2.3.27 DAC(數(shù)字至模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換器).11 2.3.28 溫度傳感器.12 2.3.29 串行單線JTAG調(diào)試口(SWJ-DP).12 2.3.30 內(nèi)嵌跟蹤模塊(ETM).12 3 4 5 引腳定義.15 存儲(chǔ)器映像.28 電氣特性.29 5.1 測(cè)試條件.29 5.1.1 最小和最大數(shù)值.29 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 2/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 5.1.2 5.1.3 5.1.

24、4 5.1.5 5.1.6 5.1.7 5.2 5.3 典型數(shù)值.29 典型曲線.29 負(fù)載電容.29 引腳輸入電壓.29 供電方案.30 電流消耗測(cè)量.30 絕對(duì)最大額定值.30 工作條件.32 5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4 5.3.5 5.3.6 5.3.7 5.3.8 5.3.9 通用工作條件.32 上電和掉電時(shí)的工作條件.32 內(nèi)嵌復(fù)位和電源控制模塊特性.32 內(nèi)置的參照電壓.33 供電電流特性.33 外部時(shí)鐘源特性.40 內(nèi)部時(shí)鐘源特性.44 PLL特性.45 存儲(chǔ)器特性.45 5.3.10 FSMC特性.45 5.3.11 EMC特性.60 5.3.12 絕對(duì)最大

25、值(電氣敏感性).61 5.3.13 I/O端口特性.62 5.3.14 NRST引腳特性.64 5.3.15 TIM定時(shí)器特性.65 5.3.16 通信接口.65 5.3.17 CAN(控制器局域網(wǎng)絡(luò))接口.71 5.3.18 12位ADC特性.72 5.3.19 DAC電氣參數(shù).75 5.3.20 溫度傳感器特性.76 6 封裝特性.77 6.1 6.2 封裝機(jī)械數(shù)據(jù).77 熱特性.83 6.2.1 6.2.2 7 8 參考文檔.84 選擇產(chǎn)品的溫度范圍.84 訂貨代碼.86 版本歷史.87 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤

26、，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 3/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 1 介紹 本文給出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE大容量增強(qiáng)型產(chǎn)品的訂購(gòu)信息和器件的機(jī)械特性。有關(guān)完整的STM32F103xx系列的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考第2.2節(jié)。 大容量STM32F103xx數(shù)據(jù)手冊(cè)，必須結(jié)合STM32F10xxx參考手冊(cè)一起閱讀。 有關(guān)內(nèi)部閃存存儲(chǔ)器的編程、擦除和保護(hù)等信息，請(qǐng)參考STM32F10xxx閃存編程參考手冊(cè)。 參考手冊(cè)和閃存編程參考手冊(cè)均可在ST網(wǎng)站下載： st /mcu 有關(guān)Cortex?-M3核心的相關(guān)信息

27、，請(qǐng)參考Cortex-M3技術(shù)參考手冊(cè)，可以在ARM公司的網(wǎng)站下載： :/infocenter.arm /help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/。 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 4/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 2 規(guī)格說(shuō)明 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增強(qiáng)型系列使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內(nèi)核，工作頻率為72MHz，內(nèi)置高速

28、存儲(chǔ)器(高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM)，豐富的增強(qiáng)I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號(hào)的器件都包含3個(gè)12位的ADC、4個(gè)通用16位定時(shí)器和2個(gè)PWM定時(shí)器，還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口：多達(dá)2個(gè)I2C接口、3個(gè)SPI接口、2個(gè)I2S接口、1個(gè)SDIO接口、5個(gè)USART接口、一個(gè)USB接口和一個(gè)CAN接口。 STM32F103xx大容量增強(qiáng)型系列工作于-40°C至+105°C的溫度范圍，供電電壓2.0V至3.6V，一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。 STM32F103xx大容量增強(qiáng)型系列產(chǎn)品提供包括從64腳至144腳的6種不同封裝形式；根據(jù)不

29、同的封裝形式，器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。 這些豐富的外設(shè)配置，使得STM32F103xx大容量增強(qiáng)型系列微控制器適合于多種應(yīng)用場(chǎng)合： 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用控制 醫(yī)療和手持設(shè)備 PC游戲外設(shè)和GPS平臺(tái) 工業(yè)應(yīng)用：可編程控制器(PLC)、變頻器、打印機(jī)和掃描儀 警報(bào)系統(tǒng)、視頻對(duì)講、和暖氣通風(fēng)空調(diào)系統(tǒng)等 圖1給出了該產(chǎn)品系列的框圖。 2.1 器件一覽 表2 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE器件功能和配置 外設(shè) 閃存(K字節(jié)) STM32F103Rx STM32F103Vx STM32F103Zx 256 384 512 25

30、6 384 512 256 384 512 有(1) 4個(gè)(TIM2、TIM3、TIM4、TIM5) 2個(gè)(TIM1、TIM8) 2個(gè)(TIM6、TIM7) 3個(gè)(SPI1、SPI2、SPI3)，其中SPI2和SPI3可作為I2S通信 SRAM(K字節(jié)) 48 64 48 64 48 64 FSMC(靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器) 通用 定時(shí)器 高級(jí)控制 基本 SPI(I2S)(2) 無(wú) 有 I2C 2個(gè)(I2C1、I2C2) 通信 接口 USART/UART 5個(gè)(USART1、USART2、USART3、UART4、UART5) USB 1個(gè)(USB 2.0全速) CAN 1個(gè)(2.0B 主動(dòng)) SD

31、IO 1個(gè) GPIO端口 51 12位ADC模塊(通道數(shù)) 3(16) 80 3(16) 112 3(21) 12位DAC轉(zhuǎn)換器(通道數(shù)) 2(2) CPU頻率 72MHz 工作電壓 2.03.6V 工作溫度 環(huán)境溫度：-40+85/-40+105(見(jiàn)表10) 結(jié)溫度：-40+125(見(jiàn)表10) 封裝形式 LQFP64，WLCSP64 LQFP100，BGA100 LQFP144，BGA144 1對(duì)于LQFP100和BGA100封裝，只有FSMC的Bank1和Bank2可以使用。Bank1只能使用NE1片選支持多路復(fù)用NOR/PSRAM存儲(chǔ)器，Bank2只能使用NCE2片選支持一個(gè)16位或8位的NAND閃存存儲(chǔ)器。因?yàn)闆](méi)有端口G，不能使用FSMC的中斷功能。 2SPI2和SPI3接口能夠靈活地在SPI模式和I2S音頻模式間切換。 參照2009年3月 STM32F103xCDE數(shù)據(jù)手冊(cè) 英文第5版 （本譯文僅供參考，如有翻譯錯(cuò)誤，請(qǐng)以英文原稿為準(zhǔn)） 5/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE數(shù)據(jù)手冊(cè) 2 規(guī)格說(shuō)明 STM32F103xC