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.LED產(chǎn)業(yè)流程1.LED的結(jié)構(gòu)LED背光源的架構(gòu)圖2.LED制造流程LED的制作流程包括上游的單晶片襯底制作、外延晶片生長(zhǎng)，中游的芯片、電極制作、切割和測(cè)試分選，以及下游的產(chǎn)品封裝。國(guó)際和國(guó)內(nèi)MOVCD設(shè)備基本是全進(jìn)口的，主要廠商為美國(guó)VEECO公司和德國(guó)AIXTRON公司兩家。上游外延工藝在外延爐（Metal Organic Chemical Vapour Deposition，簡(jiǎn)稱MOCVD）高溫高壓無(wú)氧環(huán)境下，有機(jī)金屬（MO源）和氫化物分解成原子有序地淀積在晶片的表面，成為外延層（Epitaxy）。上游外延制造附加值最高。中游芯片工藝中游廠商根據(jù)LED元件結(jié)構(gòu)的需要，先進(jìn)行金屬蒸鍍，然后在外延晶片上光罩蝕刻及熱處理而制作LED兩端的金屬電極，接著將襯底磨薄、拋光后切割為細(xì)小的LED芯片，由于襯底較脆且機(jī)械加工性差，芯片切割過(guò)程的成品率為中游制作階段的重點(diǎn)。中游的最后一步是測(cè)試分選。下游封裝工藝下游是把從中游來(lái)的芯片粘貼并焊接導(dǎo)線架，經(jīng)由測(cè)試、封膠，然后封裝成各種不同的產(chǎn)品。*;

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