MATLAB在電力電子中的應(yīng)用

1、目錄緒論.2第1章 MATLAB簡介.3 1.1 MATLAB電力工具箱簡介.3 1.2 MATLAB集成環(huán)境.3 1.3 SIMLINK 仿真基礎(chǔ).4第二章 基于MATLAB的晶閘管單相交流調(diào)壓電路仿真.4 2.1 電壓電流分析.4 2.2 諧波分析.6第3章 單相交流調(diào)壓電路參數(shù)設(shè)置.7 3.1 單相交流調(diào)壓電路介紹.7 3.2 單相交流調(diào)壓電流電路仿真模型建立.8 3.3 模型仿真參數(shù)設(shè)置.8第4章 單相交流電路仿真.12 4.1 當(dāng)=30°時(shí)模型的仿真.12 4.2 當(dāng)=60°時(shí)模型的仿真.14 4.3 當(dāng)=90°時(shí)模型的仿真.16 4.4 當(dāng)=120&#

2、176;時(shí)模型的仿真.17 4.5 當(dāng)=150°時(shí)模型的仿真.19 4.6 仿真結(jié)果分析.20第五章 MATLAB在電力系統(tǒng)中應(yīng)用學(xué).20參考文獻(xiàn).21緒論摘要：MATLAB是由美國的Clever Moler博士于1980年開發(fā)的，初衷是為解決“線性代數(shù)”課程的矩陣運(yùn)算問題。后來又被MathWorks公司商業(yè)化，用于算法開發(fā)、數(shù)據(jù)分析及數(shù)值計(jì)算等，主要包括MATLAB和Simulink兩部分。 MATLAB是Matrix Laboratory 的簡稱，發(fā)展迅速。目前，MATLAB 已經(jīng)成為國際上最流行的科學(xué)與工程計(jì)算的軟件工具，現(xiàn)在的 MATLAB 已經(jīng)不僅僅是一個(gè)“矩陣實(shí)驗(yàn)室”了，

3、它已經(jīng)成為了一種具有廣泛應(yīng)用前景的全新的計(jì)算機(jī)高級(jí)編程語言，有人稱它為“第四代”計(jì)算機(jī)語言，它在國內(nèi)外高校和研究部門正扮演著重要的角色。 MATLAB作為一種高效的科學(xué)及工程計(jì)算語言，它可以將計(jì)算過程、可視化以及編程等功能集于一體，為我們方便地服務(wù)。迄今為止，MATLAB已經(jīng)廣泛應(yīng)用在數(shù)學(xué)分析、計(jì)算、自動(dòng)控制、系統(tǒng)仿真、數(shù)字信號(hào)處理、圖像處理、數(shù)理統(tǒng)計(jì)、通信工程、金融 系統(tǒng)和電力系統(tǒng)分析等領(lǐng)域，而且越來越受到使用者的喜愛，為我們的工作創(chuàng)造了很大的便利。第一章 MATLAB簡介1.1 MATLAB電力工具箱簡介 MATLAB在電力系統(tǒng)建模和仿真的過程主要由電力系統(tǒng)仿真模塊（SimPowerSys

4、tem Blockset簡稱為PSB模塊）來完成。PSB模塊主要包括電源模塊庫（Electrical Source）、 電器元件庫（ Elements）、電機(jī)模塊庫（ Machines）、電力電子模塊庫（Power Electronics）、 測量模塊庫（Measurements）、相量元素模塊（Phasor Elements）等。這些總的模塊又各 自包括很多對(duì)應(yīng)的元器件，我們將這些元器件拖拽到“模型編輯窗口”之后，通過我們構(gòu) 建的模型進(jìn)行連線，做完準(zhǔn)備工作后我們就可以進(jìn)行整個(gè)系統(tǒng)的仿真。 電力電子技術(shù)綜合了電子電路、電機(jī)拖動(dòng)、計(jì)算機(jī)控制等多學(xué)科知識(shí)，是一門實(shí)踐性和應(yīng)用形很強(qiáng)的課程。由于電力電

5、子器件自身的開關(guān)非線性，給電力電子電路的分析帶來了一定的復(fù)雜性和困難，一般常用波形分析的方法來研究。仿真技術(shù)為電力電子電路的分析提供了嶄新的方法。 我們?cè)陔娏﹄娮蛹夹g(shù)課程的教學(xué)中引入了仿真，對(duì)于加深學(xué)生對(duì)這門課程的理解起到了良好的作用。掌握了仿真的方法，學(xué)生的想法可以通過仿真來驗(yàn)證，對(duì)培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力很有意義，并且可以調(diào)動(dòng)學(xué)生的積極性。實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)是本課程的重要組成部分，學(xué)校的實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)條件畢竟是有限的，也受到學(xué)時(shí)的限制。而仿真實(shí)訓(xùn)不受時(shí)間、空間和物質(zhì)條件的限制，學(xué)生可以在課外自行上機(jī)。仿真在促進(jìn)教學(xué)改革、加強(qiáng)學(xué)生能力培養(yǎng)方面起到了積極的推動(dòng)作用。1.2 MATLAB集成環(huán)境 安裝完MATLAB之

6、后，一般有兩種方法可以啟動(dòng)它，可以單擊開始程序MATLAB MATLAB 7.10.0，也可以直接雙擊桌面上的MATLAB圖標(biāo)。下面是進(jìn)入后的MATLAB界面, 即MATLAB命令窗口。注意,首次進(jìn)入時(shí),MATLAB可能打開了多個(gè)窗口,這是關(guān)閉其它窗口后退出MATLAB，然后重新進(jìn)入MATLAB的顯示畫面。如下圖1.1所示，即為MATLAB集成環(huán)境的界面。圖1.1 MATLAB集成環(huán)境1.3 SIMLINK 仿真基礎(chǔ) SIMLINK 是MATLAB軟件的擴(kuò)展，它是實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)系統(tǒng) 建模和仿真的一個(gè)軟件包，它與MATLAB語言的主要區(qū)別在于，其與用戶交互接口是基于Windows的模型化圖形輸入，其結(jié)

7、果是使得用戶可以把更多的精力投入到系統(tǒng)模型的構(gòu)建，而非語言的編程上。 所謂模型化圖形輸入是指SIMULINK提供了一些按功能分類的基本的系統(tǒng)模塊，用戶只需要知道這些模塊的輸入輸出及模塊的功能，而不必考察模塊內(nèi)部是如何實(shí)現(xiàn)的，通過對(duì)這些基本模塊的調(diào)用，再將它們連接起來就可以構(gòu)成所需要的系統(tǒng)模型（以.mdl文件進(jìn)行存取），進(jìn)而進(jìn)行仿真與分析。 我們?cè)?SIMLINK中建立仿真模型，然后對(duì)模型中的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，點(diǎn)擊simulation中的Configuration Parameters，對(duì)其進(jìn)行仿真參數(shù)的設(shè)置。參數(shù)設(shè)置界面如下圖1.2所示。圖1.2 仿真參數(shù)的設(shè)置第二章 基于MATLAB的晶閘管單相

8、交流調(diào)壓電路仿真2.1 電壓電流分析 帶阻感負(fù)載的單項(xiàng)調(diào)壓電路的阻抗角=arctan(wL/R).如果用導(dǎo)線把晶體管完全短接,穩(wěn)態(tài)時(shí)負(fù)載電路應(yīng)是正弦波,其相位滯后于電源電壓u1的角度為。在用晶體管控制時(shí)由于只能 通過觸發(fā)延遲角推遲晶體管的導(dǎo)通，所以晶體管的觸發(fā)脈沖應(yīng)在電流過零之后,而無法使其超前。把=0時(shí)刻仍定在電壓過零時(shí)刻，顯然，阻感負(fù)載下的異響范圍為。 由晶閘管組成的交流電壓控制電路，以方便地調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值，結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉。圖2.1示出RL負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路及其電壓電流波形，該電路用2套觸發(fā)裝置觸 圖2.1RL負(fù)載單相交流調(diào)壓電路及其電壓電流波形2個(gè)晶閘管，負(fù)載阻抗=arct

9、an(wL/R).)。當(dāng)移相角>剛io既不連續(xù)，義非正弦。當(dāng)“=”時(shí)，負(fù)載電流成為完全的正弦波。當(dāng)“<”時(shí)，分2種情況：晶閘管門極用窄脈沖觸發(fā)，若先觸發(fā)vTl且“<，則vL導(dǎo)通角>"，如果觸發(fā)脈沖的寬度<+一(+a)= -”，則當(dāng)vTl的電流下降到零時(shí)，vT2的門極脈沖已經(jīng)消失而無法導(dǎo)通，這樣輸出電流將如同半波整流，變成直流。晶閘管門極用寬脈沖或脈沖列觸發(fā)：則經(jīng)過一段時(shí)間的過渡過程后，電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，也即使電路工作在“=”時(shí)的狀態(tài)。負(fù)載電壓有效值：晶閘管電流有效值負(fù)載電流有效值為。2.2諧波分析電流只含3、5、7···等次

10、諧波，陋次數(shù)的增加，諧波含量減少；和電阻負(fù)載時(shí)相比，阻感負(fù)載時(shí)的諧波電流含鼉少一些；“角相同時(shí)，隨的增大，諧波含量有所減少。=O時(shí)諧渡變化曲線見圖2.2。圖表 1 =0時(shí)諧波變化曲線第三章 單相交流調(diào)壓電路仿真模型建立及參數(shù)設(shè)置3.1 單相交流調(diào)壓電路介紹 對(duì)單相交流電的電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。用在電熱控制、交流電動(dòng)機(jī)速度控制、燈光控制和交流穩(wěn)壓器等場合。與自耦變壓器調(diào)壓方法相比，交流調(diào)壓電路控制方便，調(diào)節(jié)速度快，裝置的重量輕、體積小，有色金屬消耗也少。 交流調(diào)壓電路的一般結(jié)構(gòu)如圖3.1（a）所示。按一定的規(guī)律控制交流開關(guān)S1的通斷，即可控制輸出的負(fù)載電壓u0。按單相交流調(diào)壓電路的控制方式有周波控

11、制調(diào)壓、相位控制調(diào)壓和斬波控制調(diào)壓。采用前兩種控制方式的單相交流調(diào)壓電路如圖1b所示。圖1c所示。是斬波控制的單相交流調(diào)壓電路，圖中的雙向開關(guān)S2是續(xù)流開關(guān)。 周波控制調(diào)壓適用于負(fù)載熱時(shí)間常數(shù)較大的電熱控制系統(tǒng)。控制圖2.3(b)所示。中晶閘管導(dǎo)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間之比，使交流開關(guān)在某幾個(gè)周波連續(xù)導(dǎo)通，某幾個(gè)周波連續(xù)關(guān)斷，如此反復(fù)循環(huán)地運(yùn)行，其輸出電壓的波形如圖2所示。改變導(dǎo)通的周波數(shù)和控制周期的周波數(shù)之比即可改變輸出電壓。為了提高輸出電壓的分辨率，必須增加控制周期的周波數(shù)。為了減少對(duì)周圍通信設(shè)備的干擾，晶閘管在電源電壓過零時(shí)開始導(dǎo)通。在負(fù)載容量很大時(shí)，開關(guān)的通斷將引起對(duì)電網(wǎng)的沖擊，產(chǎn)生由控制周期

12、決定的分?jǐn)?shù)次諧波，這些分?jǐn)?shù)次諧波引起電網(wǎng)電壓閃變。這是其缺陷。 利用控制觸發(fā)滯后角的方法,控制輸出電壓。晶閘管承受正向電壓開始到觸發(fā)點(diǎn)之間的電角度稱為觸發(fā)滯后角。在有效移相范圍內(nèi)改變觸發(fā)滯后角，即能改變輸出電壓。有效移相范圍隨負(fù)載功率因數(shù)不同而不同，電阻性負(fù)載最大,純感性負(fù)載最小。圖3是阻性負(fù)載時(shí)相控方式的交流調(diào)壓電路的輸出電壓波形。相控交流調(diào)壓電路輸出電壓包含較多的諧波分量，當(dāng)負(fù)載是電動(dòng)機(jī)時(shí)，會(huì)使電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生脈動(dòng)轉(zhuǎn)矩和附加諧波損耗。另外它還會(huì)引起電源電壓畸變。為減少對(duì)電源和負(fù)載的諧波影響，可在電源側(cè)和負(fù)載側(cè)分別加濾波網(wǎng)絡(luò)。 使開關(guān)在一個(gè)電源周期中多次通斷，將輸入電壓切成幾個(gè)小段，用改變小段的寬

13、度或開關(guān)通斷的周期來調(diào)節(jié)輸出電壓。斬控調(diào)壓電路輸出電壓的質(zhì)量較高,對(duì)電源的影響也較小。圖4是斬波控制的交流調(diào)壓電路的輸出電壓波形。在斬波控制的交流調(diào)壓電路中，為了在感性負(fù)載下提供續(xù)流通路，除了串聯(lián)的雙向開關(guān)S1外，還須與負(fù)載并聯(lián)一只雙向開關(guān)S2。當(dāng)開關(guān) S1導(dǎo)通，S2關(guān)斷時(shí)，輸出電壓等于輸入電壓；開關(guān)S1關(guān)斷，S2導(dǎo)通時(shí),輸出電壓為零?？刂崎_關(guān)導(dǎo)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間之比即能控制交流調(diào)壓器的輸出電壓。開關(guān) S1、S2動(dòng)作的頻率稱斬波頻率。斬波頻率越高,輸出電壓中的諧波電壓頻率越高,濾波較容易。當(dāng)斬波頻率不是輸入電源頻率的整數(shù)倍時(shí)，輸出電壓中會(huì)產(chǎn)生分?jǐn)?shù)次諧波。當(dāng)斬波頻率較低時(shí)，分?jǐn)?shù)次諧波較大，對(duì)負(fù)載產(chǎn)

14、生惡劣的影響。將斬波信號(hào)與電源電壓鎖相，可消除分?jǐn)?shù)次諧波。斬波控制的交流調(diào)壓電路的功率開關(guān)元件必須采用功率晶體管或其他自關(guān)斷元件，所以成本較高。 圖3.1 單相交流調(diào)壓電路3.2 單相交流調(diào)壓電路仿真模型建立用simulink的建模如圖3.2所示，品閘管模塊并聯(lián)r阻容緩沖電路(具體參數(shù)為): R=1, L=0.002 , 計(jì)算的 =32度. R1=0.001, lon=0, Vf=0.8, Io=0, Rs=10. Cs=4e-6, 電源電壓：交流圖3.2 單相交流調(diào)壓模型 如上圖3.2所示即為單相交流調(diào)壓電流，在該調(diào)壓電路的模型中，我們用到的模塊有交流電壓源（AC Voltage Sourc

15、e）、脈沖信號(hào)發(fā)生器（PulseGenerator）、晶閘管（Thyristor）、電流測量模塊（Current Measurement）、電壓測量模塊（Voltage Measurement）、示波器（Scope）等。3.3 模型仿真參數(shù)設(shè)置3.1.1 交流電壓源參數(shù)設(shè)置 電壓源，即理想電壓源，是從實(shí)際電源抽象出來的一種模型，在其兩端總能保持一定的電壓而不論流過的電流為多少。電壓源具有兩個(gè)基本的性質(zhì)：第一，它的端電壓定值U或是一定的時(shí)間函數(shù)U(t)與流過的電流無關(guān)。第二，電壓源自身電壓是確定的，而流過它的電流是任意的。 電壓源是一個(gè)理想元件,因?yàn)樗転橥怆娐诽峁┮欢ǖ哪芰?所以又叫有源元件。

16、 本次仿真的交流電壓源是有效值100V,峰值為141V，相位角為0度，頻率為50Hz。交流電壓源的參數(shù)設(shè)置如下圖3.3所示。 圖3.3 交流電壓源的參數(shù)設(shè)置3.3.2 脈沖信號(hào)發(fā)生器參數(shù)設(shè)置脈沖信號(hào)發(fā)生器是信號(hào)發(fā)生器的一種。信號(hào)發(fā)生器按信號(hào)源有很多種分類方法，其中一種方法可分為混和信號(hào)源和邏輯信號(hào)源兩種。其中混和信號(hào)源主要輸出模擬波形；邏輯信號(hào)源輸出數(shù)字碼形?；旌托盘?hào)源又可分為函數(shù)信號(hào)發(fā)生器和任意波形/函數(shù)發(fā)生器，其中函數(shù)信號(hào)發(fā)生器輸出標(biāo)準(zhǔn)波形，如正弦波、方波等，任意波/函數(shù)發(fā)生器輸出用戶自定義的任意波形；邏輯信號(hào)發(fā)生器又可分為脈沖信號(hào)發(fā)生器和碼型發(fā)生器，其中脈沖信號(hào)發(fā)生器驅(qū)動(dòng)較小個(gè)數(shù)的的方波

17、或脈沖波輸出，碼型發(fā)生器生成許多通道的數(shù)字碼型。如泰克生產(chǎn)的AFG3000系列就包括函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、任意波形/函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、脈沖信號(hào)發(fā)生器的功能。另外，信號(hào)源還可以按照輸出信號(hào)的類型分類，如射頻信號(hào)發(fā)生器、掃描信號(hào)發(fā)生器、頻率合成器、噪聲信號(hào)發(fā)生器、脈沖信號(hào)發(fā)生器等等。信號(hào)源也可以按照使用頻段分類，不同頻段的信號(hào)源對(duì)應(yīng)不同應(yīng)用領(lǐng)域。脈沖信號(hào)發(fā)生器參數(shù)設(shè)置如下圖3.4所示。圖3.4 脈沖信號(hào)發(fā)生器參數(shù)設(shè)置3.3.3 晶閘管參數(shù)設(shè)置 晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其

18、商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。 晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導(dǎo)晶閘管（RCT）、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“

19、V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字“SCR”表示）。 當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。晶閘管參數(shù)設(shè)置如下圖3.5所示。圖3.5 晶閘管參數(shù)設(shè)置3.3.4 電流測量模塊參數(shù)設(shè)置 MATLAB中的電流測量模塊用來對(duì)仿真電路中的電流進(jìn)行測量，其參數(shù)設(shè)置如下圖3.6所示。3.3.5 電壓測量模塊參數(shù)設(shè)置 MATLAB中的電壓測量模塊用來對(duì)仿真電路中的電流進(jìn)行測量，其參數(shù)

20、設(shè)置如下圖3.7所示。 第四章 單相交流電路仿真 觸發(fā)角的不同對(duì)模型的仿真結(jié)果有一定的影響，改變a值就可以看到不同的仿真結(jié)果。 4.1 當(dāng)=30°時(shí)模型的仿真 當(dāng)=30時(shí)，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置是不同的，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置分別如下圖4.1和圖4.2所示。圖4.1 =30時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置圖4.2 =30°時(shí)Pulse Generato1 參數(shù)設(shè)置 參數(shù)設(shè)置完成后，我們就可以進(jìn)行模擬的仿真。仿真結(jié)果如下圖4.3所示。圖4.3 =30時(shí)仿真結(jié)果如上圖4.3所示為=30°時(shí)，u1，uG1，ug2，io，uo，uvt波形。由圖可知，當(dāng)

21、<=時(shí)，由于指數(shù)分量衰減到零后VT1和VT2的導(dǎo)通時(shí)間趨近于的一個(gè)分量為正弦穩(wěn)態(tài)分量,另一個(gè)為指數(shù)衰減分量。4.2 當(dāng)=60°時(shí)模型的仿真 當(dāng)=60°時(shí)，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置也是不同的，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置分別如下圖4.4和圖4.5所示。圖4.4 =60°時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置圖4.5=60°時(shí)Pulse Generato1 參數(shù)設(shè)置參數(shù)設(shè)置完成后，我們就可以進(jìn)行模擬的仿真。仿真結(jié)果如下圖4.6所示。圖4.6 =60°時(shí)仿真結(jié)果如上圖4.6所示為=60°時(shí)，u1，uG1，ug2，io，uo，uv

22、t波形。4.3 當(dāng)=90°時(shí)模型的仿真當(dāng)=90°時(shí)，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置也是不同的，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置分別如下圖4.7和圖4.8所示。圖4.7 =90°時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置圖4.8 =90°時(shí)Pulse Generato1 參數(shù)設(shè)置參數(shù)設(shè)置完成后，我們就可以進(jìn)行模擬的仿真。仿真結(jié)果如下圖4.9所示。圖4.9 =90°時(shí)仿真結(jié)果如上圖4.9所示為=90°時(shí)，u1，uG1，ug2，io，uo，uvt波形。4.4 當(dāng)=120°時(shí)模型的仿真 當(dāng)=120°時(shí)，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置

23、也是不同的，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置分別如下圖4.10和圖4.11所示。圖4.10 =120°時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置圖4.11 =120°時(shí)Pulse Generato1 參數(shù)設(shè)置參數(shù)設(shè)置完成后，我們就可以進(jìn)行模擬的仿真。仿真結(jié)果如下圖4.12所示。圖4.12 =120°時(shí)仿真結(jié)果如上圖4.12所示為=120°時(shí)，u1，uG1，ug2，io，uo，uvt波形。4.5當(dāng)=150°時(shí)模型的仿真當(dāng)=150°時(shí)，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置也是不同的，兩個(gè)信號(hào)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置分別如下圖4.13和圖4.14所示。圖4.13 =150°時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置圖4.13 =150°時(shí)Pulse Generato 參數(shù)設(shè)置參數(shù)設(shè)置完成后，我們就可以進(jìn)行模擬的仿真。仿真結(jié)果如下圖4.15所示。圖4.1