自然基金項(xiàng)目申報(bào)輔導(dǎo)報(bào)告學(xué)習(xí)

1、School of Electronic Science & Engineering， SEU孫偉鋒孫偉鋒東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院報(bào)告目錄報(bào)告目錄1、對自然基金的認(rèn)識2、申請書的撰寫3、一點(diǎn)體會 School of Electronic Science & Engineering， SEU1. 對自然基金的認(rèn)識對自然基金的認(rèn)識School of Electronic Science & Engineering， SEU（1）自然基金是基礎(chǔ)問題研究，不是工程技術(shù)開發(fā) 可以是學(xué)科發(fā)展的理論基礎(chǔ)問題 可以從工程技術(shù)問題中凝練應(yīng)用基礎(chǔ)問題（2）自然基

2、金的核心是創(chuàng)新 可以來源于對別人工作的理解和深化 可以來源于自己研究工作的深化 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（1）標(biāo)題： 和論文的題目一樣，要能反映出申請書的核心內(nèi)容例例1 1：功率：功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件熱載流子退化機(jī)理及壽命模型研究器件熱載流子退化機(jī)理及壽命模型研究例例2 2：基于橫向高壓器件縱向化概念的新型器件結(jié)構(gòu)和模型：基于橫向高壓器件縱向化概念的新型器件結(jié)構(gòu)和模型研究研究2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science &

3、amp; Engineering， SEU（2）摘要： 研究對象的價值、存在的問題，創(chuàng)新研究內(nèi)容、預(yù)期科學(xué)價值【一般可以在正文完成以后撰寫】 例：例：功率功率SOI-LIGBT器件具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻及全介質(zhì)隔離等優(yōu)點(diǎn)，器件具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻及全介質(zhì)隔離等優(yōu)點(diǎn)，將在將在More than Moore的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向上發(fā)揮重要作用。的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向上發(fā)揮重要作用。近年來，功率近年來，功率SOI-LIGBT器件的電學(xué)性能已大幅提升，但以熱載流子效應(yīng)為代表的可靠性問題器件的電學(xué)性能已大幅提升，但以熱載流子效應(yīng)為代表的可靠性問題卻更加嚴(yán)重。由于卻更加嚴(yán)重。由于SOI-LIGBT器

4、件存在相互影響的電子和空穴兩種導(dǎo)電載流子，器件存在相互影響的電子和空穴兩種導(dǎo)電載流子，故其熱載流子退化效應(yīng)復(fù)雜，內(nèi)在機(jī)理不明確，器件壽命模型缺失。故其熱載流子退化效應(yīng)復(fù)雜，內(nèi)在機(jī)理不明確，器件壽命模型缺失。本項(xiàng)目將在課本項(xiàng)目將在課題組前期對靜態(tài)應(yīng)力下題組前期對靜態(tài)應(yīng)力下SOI-LIGBT器件熱載流子退化機(jī)理的研究基礎(chǔ)上，深入研器件熱載流子退化機(jī)理的研究基礎(chǔ)上，深入研究不同器件結(jié)構(gòu)參數(shù)、不同動態(tài)應(yīng)力、關(guān)態(tài)陽極灌電流應(yīng)力及環(huán)境溫度等因素對功究不同器件結(jié)構(gòu)參數(shù)、不同動態(tài)應(yīng)力、關(guān)態(tài)陽極灌電流應(yīng)力及環(huán)境溫度等因素對功率率SOI-LIGBT器件熱載流子退化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理；在此基礎(chǔ)上，建立一器件熱載

5、流子退化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理；在此基礎(chǔ)上，建立一套完整的功率套完整的功率SOI-LIGBT器件熱載流子退化的壽命模型，預(yù)測其工作壽命。器件熱載流子退化的壽命模型，預(yù)測其工作壽命。本項(xiàng)本項(xiàng)目的研究將為研制新型的長壽命功率目的研究將為研制新型的長壽命功率SOI-LIGBT器件及相關(guān)功率集成電路奠定理器件及相關(guān)功率集成電路奠定理論基礎(chǔ)。論基礎(chǔ)。2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（3）項(xiàng)目的立項(xiàng)依據(jù)：【邏輯性很重要】 第一步：明確研究對象是什么？有什么應(yīng)用？ 第二步：明確存在的科學(xué)問題是什么？ 例：例：

6、近十年來，新型功率近十年來，新型功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件不斷涌現(xiàn)，其開關(guān)器件不斷涌現(xiàn)，其開關(guān)特性、功率密度及擊穿能力已大幅提升，特性、功率密度及擊穿能力已大幅提升，然而，由于然而，由于SOI-SOI-LIGBTLIGBT器件通常工作在高電壓、大電流環(huán)境下，以熱載流子效器件通常工作在高電壓、大電流環(huán)境下，以熱載流子效應(yīng)為代表的器件可靠性問題卻日益嚴(yán)峻。由熱載流子效應(yīng)造應(yīng)為代表的器件可靠性問題卻日益嚴(yán)峻。由熱載流子效應(yīng)造成的器件過早失效已成為制約成的器件過早失效已成為制約SOI-LIGBTSOI-LIGBT進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。2. 申請書的撰寫申請書的撰寫Sch

7、ool of Electronic Science & Engineering， SEU（3）項(xiàng)目的立項(xiàng)依據(jù)：【邏輯性很重要】 第三步：對于存在的問題，國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀綜述，綜述要有針對性，要緊扣你要研究的問題，不能是簡單的羅列現(xiàn)狀，要有敘有議，自己相關(guān)前期工作可以論述。一般可以分1，2，3，條理清楚、針對性強(qiáng) 第四步：綜上所述，這部分總結(jié)很重要，和摘要類似，可以詳細(xì)一些，包括研究對象、存在的問題、現(xiàn)在的研究現(xiàn)狀、研究內(nèi)容、技術(shù)方案及關(guān)鍵問題、預(yù)期成效和科學(xué)意義【體現(xiàn)重要性、必要性和創(chuàng)新性】 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science &am

8、p; Engineering， SEU（3）項(xiàng)目的立項(xiàng)依據(jù)：【邏輯性很重要】 第五步：參考文獻(xiàn)很重要，要引用最新的文獻(xiàn)，這樣才能確保研究的問題具有新穎性，和國際研究同步。國內(nèi)外文獻(xiàn)都需要，尤其是國內(nèi)相關(guān)研究做的不錯的研究團(tuán)隊(duì)的相關(guān)論文（可能就是評審人） 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（4）研究目標(biāo)： 直接、明確、精煉、體現(xiàn)學(xué)術(shù)性 例：例：揭示功率揭示功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件在不同結(jié)構(gòu)參數(shù)、電學(xué)應(yīng)力及環(huán)器件在不同結(jié)構(gòu)參數(shù)、電學(xué)應(yīng)力及環(huán)境溫度下的熱載流子退化機(jī)理；并在此基礎(chǔ)上建

9、立一套完整境溫度下的熱載流子退化機(jī)理；并在此基礎(chǔ)上建立一套完整的功率的功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件的熱載流子退化壽命模型，預(yù)測器件的熱載流子退化壽命模型，預(yù)測SOI-SOI-LIGBTLIGBT器件的工作壽命，為研制新型長壽命功率器件的工作壽命，為研制新型長壽命功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器器件及相關(guān)功率集成電路奠定理論基礎(chǔ)。件及相關(guān)功率集成電路奠定理論基礎(chǔ)。 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（5）研究內(nèi)容： 按照一定條理和思路逐條寫清楚，可以分1，2，3.，不能空而

10、泛，要有實(shí)質(zhì)性內(nèi)容。讓人覺得很實(shí)在，有內(nèi)涵、有深度例：例：(1). (1). 研究不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對功率研究不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件熱載流子退器件熱載流子退化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理，如不同溝道長度、不同多晶硅場化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理，如不同溝道長度、不同多晶硅場板長度、不同漂移區(qū)長度及有無陽極緩沖層等。板長度、不同漂移區(qū)長度及有無陽極緩沖層等。 (2). (2). 研究不同動態(tài)應(yīng)力條件對功率研究不同動態(tài)應(yīng)力條件對功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件熱載流器件熱載流子退化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理，如：不同的脈沖頻率、不同子退化的影響并揭示其內(nèi)在機(jī)理，如：不同

11、的脈沖頻率、不同的脈沖上升的脈沖上升/ /下降沿、不同的脈沖占空比及不同脈沖幅度等。下降沿、不同的脈沖占空比及不同脈沖幅度等。 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（6）關(guān)鍵問題： 針對研究內(nèi)容，提出關(guān)鍵問題，避免不是關(guān)鍵問題的問題?？梢赃m當(dāng)評論例：例：(1)(1) 本課題將采用高分辨率透射電子顯微鏡（本課題將采用高分辨率透射電子顯微鏡（TEMTEM）來進(jìn)）來進(jìn)一步直觀觀測一步直觀觀測SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件器件Si-SiO2Si-SiO2界面特性各種變化。因此，界面特性各種變化。因

12、此，需要解決超薄功率需要解決超薄功率SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件的實(shí)驗(yàn)樣品制備問題。器件的實(shí)驗(yàn)樣品制備問題。 (2)(2)揭示揭示SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件中由于空穴電流的引入而產(chǎn)生的熱器件中由于空穴電流的引入而產(chǎn)生的熱載流子退化機(jī)理。在載流子退化機(jī)理。在SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件中，由于存在空穴電流，器件中，由于存在空穴電流，因此其熱載流子退化機(jī)理與因此其熱載流子退化機(jī)理與LDMOSLDMOS不同，尤其需要重點(diǎn)研究空不同，尤其需要重點(diǎn)研究空穴在埋氧化層表面的注入機(jī)理及其對器件電學(xué)參數(shù)退化的影響。穴在埋氧化層表面的注入機(jī)理及其對器件電學(xué)參數(shù)退化的影響。

13、2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（7）技術(shù)路線和實(shí)驗(yàn)方案： 實(shí)現(xiàn)研究內(nèi)容，按照研究的先后邏輯關(guān)系，把每一個步驟寫清楚，如果是一般通用的技術(shù)路線，可以簡述。有特點(diǎn)的技術(shù)路線和實(shí)驗(yàn)方案要詳細(xì)說明，體現(xiàn)技術(shù)路線的新穎性和獨(dú)特性。一般可以有圖表，幫助評審人理解（8）可行性分析： 方案可行性、隊(duì)伍和基礎(chǔ)可行性、設(shè)備條件可行性、合作可行性. 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（9）創(chuàng)新點(diǎn)：（項(xiàng)目的核心） 科學(xué)、

14、嚴(yán)謹(jǐn)、客觀地給出項(xiàng)目的創(chuàng)新點(diǎn)（新的理論、新的機(jī)理、新的器件結(jié)構(gòu)、新的技術(shù)方法等），不要夸大 可以給創(chuàng)新點(diǎn)一定的描述，有理有據(jù) 避免與研究內(nèi)容、關(guān)鍵問題大面積重復(fù)，可以以不同的角度來敘述 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（9）創(chuàng)新點(diǎn)：（項(xiàng)目的核心）例：例： (1). (1). 揭示電子和空穴兩種載流子同時作用下的揭示電子和空穴兩種載流子同時作用下的SOI-SOI-LIGBTLIGBT器件的退化機(jī)理器件的退化機(jī)理。由于。由于SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件中同時有電子和空器件中同時有電子和空

15、穴兩種載流子存在，因此器件的退化機(jī)理不同于僅有一種載流穴兩種載流子存在，因此器件的退化機(jī)理不同于僅有一種載流子的子的DMOSDMOS器件，本課題將首次研究兩種載流子相互影響下的器器件，本課題將首次研究兩種載流子相互影響下的器件退化機(jī)理；件退化機(jī)理； (2). (2). 揭示不同動態(tài)應(yīng)力條件下揭示不同動態(tài)應(yīng)力條件下SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件的熱載流器件的熱載流子退化機(jī)理子退化機(jī)理。目前，大部分關(guān)于功率器件熱載流子退化機(jī)理的。目前，大部分關(guān)于功率器件熱載流子退化機(jī)理的研究都是基于靜態(tài)應(yīng)力條件進(jìn)行的，而實(shí)際上，功率研究都是基于靜態(tài)應(yīng)力條件進(jìn)行的，而實(shí)際上，功率SOI-SOI-LIGBT

16、LIGBT器件是工作在各種動態(tài)應(yīng)力條件下的，本課題將對動態(tài)器件是工作在各種動態(tài)應(yīng)力條件下的，本課題將對動態(tài)應(yīng)力條件下應(yīng)力條件下SOI-LIGBTSOI-LIGBT器件熱載流子退化機(jī)理進(jìn)行探索；器件熱載流子退化機(jī)理進(jìn)行探索； 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（10）年度研究計(jì)劃及預(yù)期研究結(jié)果： 按照年度要求撰寫，每一年度可以寫34條研究內(nèi)容，體現(xiàn)工作進(jìn)展 預(yù)期成果要和創(chuàng)新點(diǎn)匹配，體現(xiàn)學(xué)術(shù)水平。不要前面說創(chuàng)新如何好，結(jié)果后面只有幾篇一般的論文。預(yù)期成果可以包括人才培養(yǎng)的內(nèi)容 2. 申請書的撰寫申請書

17、的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（11）研究基礎(chǔ)與工作條件： 把自己和項(xiàng)目成員相關(guān)的研究成果總結(jié)、提煉出來，但不是指所在單位研究集體的工作，如果有直接相關(guān)的高水平的成果更好，撰寫時可以配上一些成果圖片，給評審人直觀的感受 軟硬件條件 已承擔(dān)的項(xiàng)目可以少寫或者不寫，如果已經(jīng)完成過自然基金，可以說明與本項(xiàng)目的關(guān)系，最好是基礎(chǔ)性關(guān)系 2. 申請書的撰寫申請書的撰寫School of Electronic Science & Engineering， SEU（12）申請人簡歷：（近35年的成果） 基本學(xué)習(xí)、工作情況 獲

18、獎 論文：高水平論文、相關(guān)的論文。不一定很多，有些不重要的論文放了，反而降低了水平。如果論文他引比較多，可以給出他引次數(shù) 相關(guān)的專利 兩個教師、幾個學(xué)各就夠了School of Electronic Science & Engineering， SEU（1）申請代碼很重要： 你希望給什么人去評審？避免同一實(shí)驗(yàn)室的競爭（2）文字編排很重要： 重要的、需要突出的，可以用黑體或者彩體強(qiáng)調(diào)，整體圖文并茂，字體大小適中，賞心悅目3. 一點(diǎn)心得一點(diǎn)心得School of Electronic Science & Engineering， SEU（3）反復(fù)推敲很重要： 不同心情、不同狀態(tài)下，反復(fù)閱讀推敲、修改申請書，邏輯性強(qiáng)，有實(shí)質(zhì)性內(nèi)容，要避免深度不夠面來湊（4）去除低級錯誤很