如何在Keil下燒寫STM32的外部Flash(M29W128)

1、如何在Keil下燒寫STM32的外部Flash (M29W128 )(東南大學(xué)自動化學(xué)院，？ ? ? ? ? , 20111220 )準備燒寫算法IXKe訂單片機開發(fā)平臺是根據(jù)預(yù)先設(shè)定好的F lash燒寫算法將用戶程序燒到單片 機的Flash內(nèi)部的，那么由于這個算法是固定的，我么往往不關(guān)心，所以我們對 其原理不是很r解，實際上，我們都知道耍將程序燒進去，需要在程選項中選 擇對應(yīng)的單片機型號，如下圖所示。Options for Target STM32F10x 512vDevice | Target Output | Listing | User | C O+ | Asm | Lirker De

2、bug | utilitiesCortexM Target Driver SetupRAM faAlaocthmDebug | Tiv<p Flash DownloadProcrammmg AlgaithmDttaiptbnI n“；“G” A J JQDoinlomd rurction-LORD Erase Full Chip & Prngrcm Erase Sectors 7 VeiifyDo not Erase RfttandRimSat |(h20000000 Size: SS00Add Flash Programming AlgorithmDesertionJeice

3、lypeDevce Size | 八NUCIxx 4kB Rash DataOn-chip Flash4kNUC1xx4k8 Hash LUUnship 卜 lash4kRC28Fb4UJ3x Dual FlashExt. Flash 32 btlbMS29JL032H BOT FlashExt. Fldi 16-bi4MG29JL032H TOP FishExt. Flaoh 16 bt4MSTM32M29W1280F FhchExt. Flach 16 bt1GMSTM22F18 XL&n"y Fl砒hOxhip Fh«hIMSTM32F10k Med-ders

4、itv FlashOn-ohip Flash128k1STM32F10k Low-density Fla;hOn-chip Flash16kSTM32F1 Ok Hghnsity FlashOn-chip Flash512kSTM32F1 Ok Correctvity Lin.On-chip Flash256ksrMJZHUx MAP64SH Ha .txt.Fla$hSPItSMM29DW1280F FlashExt. Flash 16-bt16MSTM32F10k Hash OptionsOn-diip Flesh16TMFMSOrW” 12OkD FlhOn Jiip Fhsh12

5、87;.TMFM33OFYx25Gk8 FlachOn<hip Flash25Q.STM32FlCxNCCancel這個過程就是準備Flash的燒寫算法，選中了某個單片機型號，就確定了其 使用的Flash特征(16bits? , sectorsize等)，那么這些算法藏在什么地方呢。這止E 算法就藏在keil安裝的根冃錄下：XKeilARMlash冃下，該冃錄下有很多的文 件夾，每個文件夾里有對應(yīng)的工程，每個工程都是某種型號單片機的Flash燒寫 算法，他們具體的內(nèi)容不同，但是具有統(tǒng)一的接口，以便被keil調(diào)用?，F(xiàn)在我們耍燒寫STM32的外部Nor Flash,所以我們耍新建一個算法，先

6、將其 中的一個STM32的文件夾拷肌 這樣町以出接修改算法，而其他的設(shè)置不變?？?貝完畢后，修改文件夾名字以便區(qū)別，然后打開工程，修改程序。1)修改FlasliDev.C文件stmet FlashDevice const FlasliDevice =FLASH_DRJTRS,/ Driver Version, do not modify!"STM32M29W1280F Flash",/ Device NameEXT16BIT,/ Device Type0x64000000,/ Device Start Address0x01000000,/ Device Size ill

7、Bytes (16MB)1024,/ Prograniniing Page Size0,/ Reserved、must be 0OxFF,/ Initial Content of Erased Memoiy100,/ Program Page Timeout 100 mSec3000,/ Erase Sector Timeout 3000 mSec0x20000. 0x000000,/ Sector Size 128kB (128 Sectors)SECTOR_END；農(nóng)中彩色不是是需耍根據(jù)試劑情況修改的，本例中Nor Flash在STM32F103的 地址映射中，其首地址是0x6400000

8、0,且Nor Flash為16位模式，大小位16M (字 節(jié))，Sector大小是128k«該算法將其命令為STM32M29W1280F Flash,以后在工 程選項中選擇它即可。2)修改FlashPrg.C文件在keil的Flash目錄下，有其它的16bit Flash燒寫算法例了，建議接將其 拷貝過來，大同小異，這電需要你對Flash的擦除，編程很熟悉，修改對應(yīng)的命 令字即可，如果不熟悉，可以下載數(shù)據(jù)手冊，按照數(shù)據(jù)手冊上的命令字進行修改, 這里需耍注意兩點。Nor Flash是16位還是8位模式，一定要搞淸楚，尤其是在發(fā)送命令和寫數(shù)據(jù) 時。Nor Flash是掛在FSMC總線上的

9、，該算法耍有FSMC總線的初始化，且在初始 化函數(shù)里。即int Init (unsigned long adr, unsigned long elk, unsigned long fnc)base_adr 二 adr;FSMC_NOR_Init0;return (0);3)編譯工程由丁該工程是從別的地方拷貝過來的，需耍修改輸出文件名，將其命名為 STM32F10X128. FLM,如下圖。編譯工程后,會將該文件拷貝到Flash目錄下,這 樣一個新的Flash燒寫算法誕生了。Options for Target STM32F10x 5121Device Target | Output | Lis

10、ting User | C/C+ | Asm | Linker | Debug | Utilities |Hun User Progami Betore lompilation of a C/C*-+hie 廠 Run tt1:r Runtt2:廠 DOS16r DO515廠 R 4H tt1 ：廠 Runtt2:廠 DOS16r DOS16Run User Prgam* fter Buld/Febuid7 Run tt1:ndexe/C 8pySM32F1C<512曲 $TM32F1O>N3R12£FLM廠 RunttZ：P Dccp When Complete廠 Sb

11、rtDctuggng廠 DO516廠 DO516Defaults準備燒寫數(shù)據(jù)最好將要燒'與的數(shù)據(jù)單獨放在一個c文件里，不放也沒關(guān)系，只是n己要很淸楚哪 些文件的數(shù)據(jù)需要燒到Nor Flash里。例如，本例的將數(shù)據(jù)放在WEB.C中，編譯后數(shù)據(jù)放 在web. o里。燒寫數(shù)據(jù)1）選擇燒寫算法如上圖，燒寫算法共兩種一部分將程序燒到片內(nèi)Flash, 一部分將數(shù)據(jù)燒到片外Flasho2）指定燒寫內(nèi)容Options for Target RT Thread STM32f區(qū)Device Target Outpir | Listing User | C/C+ | Asm Linker | Debug U

12、tilitiesR/0 E ase |0<08000000R/W Ea$e |0<20000000dijabfe Warrings:I U$e Memoy Layout from I arget Dialog 廠 MaK© RW Sectiont Positiofdndependent 廠 Ma<e RO Sectons Position Independent 廠 Don't Search Stan card Libraries V R :>oNJaiT Condtionc AtErrcrtScatterFilepobfxruFfcad-5ln32.

13、5ctEdit.MisccortrolsLinker -epu Cortex-M2 * o -librarji_lip=microlib -bict" :birthcad-?tm22 ct1'入contro -autoat -sunmarystden -irro $ummary$ize$ -map -xref -cdlgreph -syrrbokstring£OK m:elDefaultsHelp如上圖，選擇使用Scatter文件。點擊Edit.做如下修改,增加彩色部分,即將web. c文件燒到外部FlashoLR_IROM1 0x08000000 0x00080000; load region size_regionER_IR0Ml 0x08000000 0x00080000; load address = execution address*. o (RESET, +First)*(InRootS$Sections).ANY (+R0)RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000; RW data.ANY (+RW +ZI)LR_IR0M2 0x61000000 0x000