材料科學基礎-試題庫2

1、一、單項選擇，請在題中空格處填寫正確答案。1. 圖中 段位錯線為刃型位錯，且額外半排原子面處于垂直于紙面朝上的位置。DCB CBC BAD ADA.晶界B.亞晶界C.空位D.位錯3.方法不能獲得過飽和點缺陷。A高溫淬火B(yǎng) 冷變形C輻照D退火4.不屬于面缺陷。A相界面B 位錯C堆垛層錯D 亞晶界5.不屬于點缺陷。A空位B孿晶界C置換原子D間隙原子6.屬于線缺陷。A堆垛層錯B孿晶界C位錯D間隙原子實際晶體強度遠遠低于理論強度的原因，是由于實際晶體中存在大量的2.7.利用觀察位錯有一定的局限性，它只能觀察在表面露頭的位錯，而在晶體內部的位錯則無法顯示。A 綴飾法C蝕坑B透射電鏡D場離子顯微鏡觀測方法

2、8.圖中晶面上有一位錯環(huán),其柏氏矢量b垂直于滑移面，該位錯環(huán)在切應力作用下的運動特征為。A在位錯環(huán)平面上攀移B在位錯環(huán)平面上滑移C沿通過位錯環(huán)的圓柱面滑移D 不能確定9. 如圖所示垂直于紙面的位錯，位錯正向朝紙面外，在圖示切應力作用下向左運動。其柏氏矢量方向朝A 上10. 由派-納力的公式可知， 。A 滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈直線上升C 滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈指數(shù)下降B滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)下降D滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)上升二、判斷正誤，正確在括號內打，錯誤在括號內打X。（每題1分，共10分）1. 任何一條位錯線，不論其形狀如何，位錯線各點的柏氏矢量都相同。V2. 晶體中非

3、密排面的表面能最低，故晶體力求以非密排面作為晶體的外表面。X3. 共格界面的界面能最低。V4. 共格界面的應變能最低。X。5. 肖脫基空位是晶體中的原子遷移到晶體點陣的間隙位置，在原位置形成的空位。X。弗蘭克空位是晶體中的原子離開平衡位置，遷移到表面或其它界面而在原位置形成的空位。X。點缺陷的平衡濃度與化學反應速率一樣，隨溫度升高呈指數(shù)關系增加。V點缺陷可以造成金屬物理性能與力學性能的變化，最明顯的是引起電阻的增加。V滑移是上、下兩部分晶體作整體性的剛性移動實現(xiàn)的。x空位的數(shù)量取決于材料的溫度，其平衡濃度隨溫度升高呈直線關系上升。X。位錯線的方向t與柏氏矢量b平行，為刃型位錯。 X。位錯線的方

4、向t與柏氏矢量b垂直，為螺型位錯。 X。不論是刃型位錯或螺型位錯，位錯線的運動方向總是與位錯線垂直的。V形成柯氏氣團。X。在位錯應力場作用下，溶質原于與螺型位錯能發(fā)生強烈的交互作用,一根不分岔的位錯線，無論其形狀如何變化，它只有一個恒定的柏氏矢量。V位錯線不能終止在晶體內部，只能終止在表面或界面，或與其它位錯線連成結點。V使刃型位錯運動的切應力方向與位錯線垂直；V使螺型位錯運動的切應力方向與螺型位錯垂直；X。不論是刃或螺型位錯，使位錯滑移的切應力方向和柏氏矢量b都是一致的；V滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈指數(shù)上升。金屬和合金的密排方向就是滑移方向。V滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)下降。滑移面應為原子的面密度大，面間距大的密排面。所以說，滑移最容易沿著晶體中最密晶面上的最密晶向進行。V刃型位錯和螺型位錯均能發(fā)生攀移運動。X。蝕坑觀察位錯只適合于位錯密度很高的晶體。X。表面的曲率越小，則表面能越大。X。大角度晶界的遷移速率較小角度晶界小。X。奧氏體不銹鋼的層錯能小，層錯出現(xiàn)的幾率大，可以看到大量的層錯。V鋁的層錯能小，層錯出現(xiàn)的幾率大，可以看到大量的層錯。X。6.7.8.9.10.11.12.13.14