元器件型號命名方式

1、元器件型號命名方式一、固定電阻器、固定電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、固定電阻器型號命名、規(guī)格參固定電阻器型號命名、規(guī)格參 數(shù)標志方法數(shù)標志方法固定電阻器型號命名方法固定電阻器型號命名方法 第四部分：序號序號 第三部分：特征特征 第二部分：材料材料 第一部分：主稱主稱固定電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法固定電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法 第四部分：允許偏差允許偏差 第三部分：標稱阻值標稱阻值 第二部分：額定功率額定功率 第一部分：電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例R J 7 1 第四部分：序號序號 第三部分：特征特征（精密） 第二部分：材料材料（金屬膜） 第一部分：主稱主稱（電阻器

2、） 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例 RJ710.1255101% 第四部分：允許偏差允許偏差（1%） 第三部分：標稱阻值標稱阻值（510） 第二部分：額定功率額定功率（1/8W） 第一部分：元件型號元件型號（精密金屬膜） 固定電容器型號命名方法固定電容器型號命名方法 第四部分：序號序號 第三部分：特征特征 第二部分：材料材料 第一部分：主稱主稱固定電容器規(guī)格參數(shù)標志方法固定電容器規(guī)格參數(shù)標志方法 第四部分：允許偏差允許偏差 第三部分：標稱容值標稱容值 第二部分：額定耐壓額定耐壓 第一部分：元件型號元件型號2、固定電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法固定電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法電容器型號命

3、名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例C D 1 1 第四部分：序號序號 第三部分：特征特征（箔式） 第二部分：材料材料（鋁電解） 第一部分：主稱主稱（電容器） 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例CD11-16V-100F-20 第四部分：允許偏差允許偏差(20%） 第三部分：標稱容值標稱容值（100F） 第二部分：額定耐壓額定耐壓（16V） 第一部分：元件型號元件型號（CD11）二、貼片電阻器、貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、貼片電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)貼片電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法標志方法貼片電阻器型號命名方法貼片電阻器型號命名方法 第七部分：包裝方式 第六部分：允許

4、偏差允許偏差 第五部分：標稱阻值標稱阻值 第四部分：溫度系數(shù) 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸 第二部分：額定功率額定功率 第一部分：主稱貼片電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法貼片電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法 第五部分：允許偏差允許偏差 第四部分：標稱阻值標稱阻值 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸 第二部分：額定功率額定功率 第一部分：元件主稱元件主稱貼片電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例R S-05 K 1002 F TR S-05 K 1002 F T 第七部分：包裝方式（T：編帶） 第六部分：允許偏差允許偏差（F1%） 第五部分：標稱阻值標稱阻值（1002：10K） 第四部分：溫度系數(shù)（K：

5、100ppm/） 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸（05：0805） 第二部分： 額定功率額定功率（S：1/8W） 第一部分：器件主稱（R：電阻器） 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例R S-0805-5.1K-R S-0805-5.1K-1%1% 第五部分：允許偏差允許偏差（1%） 第四部分：標稱阻值標稱阻值（5.1K） 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸（0805） 第二部分：額定功率額定功率（S系列） 第一部分：元件主稱元件主稱（R：電阻器）2、貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法貼片電容器型號命名方法貼片電容器型號命名方法 第九部分：包裝方式 第八部分：個別規(guī)格 第

6、七部分：允許偏差允許偏差 第六部分：標稱容值標稱容值 第五部分： 額定電壓額定電壓 第四部分： 材質 第三部分：厚度 第二部分：封裝尺寸封裝尺寸 第一部分：產品型號產品型號 貼片電容器規(guī)格參數(shù)標志方法貼片電容器規(guī)格參數(shù)標志方法 第五部分：允許偏差允許偏差 第四部分：標稱容值標稱容值 第三部分：額定耐壓額定耐壓 第二部分：封裝尺寸封裝尺寸 第一部分：元件型號元件型號貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例GRM 18 8 R7 1C 225 K E15 D 第九部分：包裝方式（D：紙編帶） 第八部分：個別規(guī)格（E15） 第七部分：允許偏差允許偏差（K：10%） 第六部分：

7、 標稱容值標稱容值（2.2F F） 第五部分：額定電壓額定電壓（1C：16V） 第四部分：材質（R7：X7R） 第三部分：厚度（8：0.8mm) 第二部分： 封裝尺寸封裝尺寸（18：0603） 第一部分：產品型號產品型號(GRM:普通陶瓷)規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例CC41-1210-50V-22F-F-20 第五部分：允許偏差允許偏差（20%） 第四部分：標稱容值標稱容值（22F F） 第三部分：額定耐壓額定耐壓（50V） 第二部分：封裝尺寸封裝尺寸（1210） 第一部分：元件型號元件型號(CC41)三、固定小型電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法固定電感器型號命名方法固定電感器型號命名方

8、法固定小型電感器型號命名方法由下列四部分組成： 第四部分：序號序號 第三部分：形式形式 第二部分：特征特征 第一部分：主稱主稱固定電感器規(guī)格參數(shù)標志方法固定電感器規(guī)格參數(shù)標志方法固定小型電感器規(guī)格參數(shù)標志方法由下列四部分組成： 第四部分：允許偏差允許偏差 第三部分：標稱電感標稱電感 第二部分：額定電流額定電流 第一部分：元件型號元件型號固定小型電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例L G X 1 第四部分：序號序號 第三部分：形式形式（小型） 第二部分：特征特征（高頻） 第一部分：主稱主稱（電感器）規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例LGX1A10H5% 第四部分：允許偏差允

9、許偏差（5%） 第三部分：標稱電感標稱電感（10H） 第二部分：額定電流（額定電流（50mA) 第三部分：元件型號元件型號（高頻小型電感）四、小型貼片電感器型號命名、規(guī)格貼片電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法參數(shù)標志方法貼片電感器型號命名方法貼片電感器型號命名方法 第十部分：包裝 第九部分：電極 第八部分：特征 第七部分：允許偏差允許偏差 第六部分：標稱電感標稱電感 第五部分：類型 第四部分：應用特性 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸 第二部分：結構形式結構形式 第一部分：產品型號產品型號貼片電感器規(guī)格參數(shù)標志方法貼片電感器規(guī)格參數(shù)標志方法 第五部分：允許偏差允許偏差 第四部分：標稱電感標稱電感 第三

10、部分：額定電流額定電流 第二部分：器件封裝器件封裝 第一部分：元件型號元件型號小型貼片電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例LQ H 32 M N 331 K 2 LQ H 32 M N 331 K 2 3 3 L L 第十部分：包裝（L：編帶） 第九部分：電極（3：無鉛焊劑） 第八部分：特征（2：標準型） 第七部分：允許偏差允許偏差（K：10%) 第六部分：標稱電感標稱電感（331：330H） 第五部分：類型（N：標準型） 第四部分：應用特性（M：薄膜型） 第三部分：封裝尺寸封裝尺寸（32：1210） 第二部分：結構形式結構形式（H：繞線型，鐵氧體芯） 第一部分：產品型

11、號產品型號（LQ) 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例 LQ-1210-65mA-330 LQ-1210-65mA-330H-10% 第五部分：允許偏差允許偏差（10%） 第四部分：標稱電感標稱電感(330 H) 第三部分：額定電流額定電流（65mA) 第二部分：器件封裝器件封裝（1210） 第一部分：元件型號元件型號（LQ）五、半導體分立器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、半導體分立器件型號命名、規(guī)半導體分立器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法格參數(shù)標志方法半導體分立器件型號命名方法半導體分立器件型號命名方法 第五部分：規(guī)格號規(guī)格號 第四部分：序號序號 第三部分：器件類別器件類別 第二部分：材料極性材

12、料極性 第一部分：電極數(shù)目電極數(shù)目 半導體分立器件規(guī)格參數(shù)標志方法半導體分立器件規(guī)格參數(shù)標志方法 第四部分：附加參附加參數(shù)數(shù) 第三部分：規(guī)格參規(guī)格參數(shù)數(shù) 第二部分：封裝形式封裝形式 第一部分：元器件型號元器件型號 半導體分立器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例3 A D 50 C 第五部分：規(guī)格號規(guī)格號（C） 第四部分：序號序號（50） 第三部分：器件類別器件類別（D：低頻大功率 ） 第二部分：材料極性材料極性（A：PNP型、鍺材料 ） 第一部分：電極數(shù)目電極數(shù)目（3：三極管）規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例1N4732A-1N4732A-（ DO-41DO-41）-4.

13、7V-1W-4.7V-1W 第四部分：附加參數(shù)附加參數(shù)（功率） 第三部分：器件參數(shù)器件參數(shù)（穩(wěn)壓值） 第二部分：器件封裝器件封裝（DO-41) 第一部分：器件型號器件型號(1N4732A） 第四部分：附加參數(shù)附加參數(shù)（功率）（功率） 第三部分：規(guī)格參數(shù)規(guī)格參數(shù)（穩(wěn)壓值）（穩(wěn)壓值） 第二部分：器件封裝器件封裝（1206） 第一部分：器件型號器件型號（1N4698） 型號命名示例型號命名示例CS 2 BCS 2 B 第五部分：規(guī)格號（規(guī)格號（B B） 第四部分：序號（序號（2 2） 第三部分：器件類別器件類別（場效應晶體管）（場效應晶體管） 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例1N4698-1206-

14、11V-1/2W1N4698-1206-11V-1/2W 第四部分：附加參數(shù)附加參數(shù)(1/2W)(1/2W) 第三部分：規(guī)格參數(shù)規(guī)格參數(shù)(11V)(11V) 第二部分：封裝尺寸封裝尺寸（12061206） 第一部分：器件型號器件型號（1N4698)1N4698)六、半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、半導體集成電路型號命名、規(guī)格半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法參數(shù)標志方法半導體集成電路型號命名方法半導體集成電路型號命名方法 第五部分：器件封裝器件封裝 第四部分：溫度范圍溫度范圍 第三部分：品種代號品種代號 第四部分：器件類型器件類型 第五部分：符合國家標準符合國家標準半導體分立

15、器件規(guī)格參數(shù)標志方法半導體分立器件規(guī)格參數(shù)標志方法 第二部分：器件封裝器件封裝 第一部分：器件型號器件型號半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例C F 741 C T 第五部分：器件封裝器件封裝（T：金屬圓形） 第四部分：溫度范圍溫度范圍（C：770） 第三部分：品種代號品種代號（741） 第二部分：器件類型器件類型（F：線性放大器） 第一部分：符合國家標準符合國家標準（C）規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例ADC0809（DIP-28） 第二部分：器件封裝器件封裝（DIP-28） 第一部分：器件型號器件型號（ADC0809） 七、變壓器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1

16、、中頻型號命名、規(guī)格參數(shù)標志中頻型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法方法中頻變壓器型號命名方法中頻變壓器型號命名方法 第一部分：級數(shù)級數(shù) 第二部分：尺寸尺寸 第三部分：主稱主稱 中頻變壓器規(guī)格參數(shù)標志方法中頻變壓器規(guī)格參數(shù)標志方法 第二部分：器件封裝器件封裝 第一部分：器件型號器件型號中頻變壓器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例型號命名示例TTF3 1 第三部分：級數(shù)級數(shù)（第一級） 第二部分：尺寸尺寸（121216 ） 第一部分：主稱主稱（磁性瓷心式調幅用 中頻變壓器） 規(guī)格參數(shù)標志示例規(guī)格參數(shù)標志示例TTF31（121216） 第二部分：器件封裝器件封裝 第一部分：器件型號器件型號（DB-60-2）2、低頻型號命名、規(guī)格參數(shù)標志低頻型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法方法低頻變壓器型號命名方