關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第1頁
關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第2頁
關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第3頁
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文檔簡介

1、關(guān)于CMOS：mos管在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管被叫做mos管。 MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。從結(jié)構(gòu)上說，MOS管可以分為增強型(E型)和耗盡型（D型），它們的區(qū)別在于當Vgs為0時，增強型（E型）不存在導(dǎo)電溝道，耗盡型（D型）存在導(dǎo)電溝道，原因是E型的導(dǎo)通電壓（閾值電壓）Vth0，D型的VthVds,Vgs-VthVds時，S端開啟，D端不開啟，MOS管工作在飽和區(qū)；當Vgs-VthVds時，S和D都開啟，MOS管工作在線

2、性區(qū)。當VgsVth時，NMOS截止。對PMOS來說，正好相反。 在MOS三明治型結(jié)構(gòu)上外加電壓： 在MOS三明治結(jié)構(gòu)上，金屬電極相對于P型半導(dǎo)體的情況下，外加正電壓，對N型半導(dǎo)體外加負電壓，就會形成與PN結(jié)合面相同的現(xiàn)象，也就是最初在氧化膜下會產(chǎn)生空乏層（depletion layer） 反轉(zhuǎn)層（reversion layer）： 針對氧化膜下為P型半導(dǎo)體的情況，如果再提高電壓，就會累積電子，若是N型半導(dǎo)體則會累計空穴，我們稱此層為“反轉(zhuǎn)層”。 MOS型場效應(yīng)管就是利用這個層，作為一個切換開關(guān)。這是因為改變外加電壓，就可使此電路產(chǎn)生切換的轉(zhuǎn)換（開關(guān)）功用。關(guān)于D觸發(fā)器：不小心看到的單片機學(xué)習(xí)網(wǎng)：關(guān)于D的壓降：LED和其它二極管一樣，都是非線性元件。當加上一定的正向電流時，呈現(xiàn)相對穩(wěn)定的正向電壓，隨電流變化不明顯。稱為正向壓降。LED反向不導(dǎo)電，只有微弱的漏電流。LED的正向電壓和材料及

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