化學(xué)選修三重點(diǎn)強(qiáng)化教案

1、.1V1重點(diǎn)強(qiáng)化教案本節(jié)內(nèi)容選修三重難點(diǎn)精析重點(diǎn)難點(diǎn)1.分子中心原子的雜化類(lèi)型及分子的立體構(gòu)型2.分類(lèi)比較晶體的熔沸點(diǎn)3.常見(jiàn)的晶體模型的考察4.晶胞的相關(guān)構(gòu)造考察與計(jì)算配位數(shù)、密度、相關(guān)的計(jì)算等教學(xué)內(nèi)容一、 根底回憶【難點(diǎn)一 分子中心原子的雜化類(lèi)型及分子的立體構(gòu)型】1.價(jià)層電子對(duì)互斥理論電子對(duì)數(shù)成鍵對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)電子對(duì)立體構(gòu)型VSEPR分子立體構(gòu)型實(shí)例鍵角220直線型330三角形21440正四面體形31221價(jià)層電子對(duì)互斥理論說(shuō)明的是價(jià)層電子對(duì)的立體構(gòu)型也可以叫VSEPR模型，而分子的立體構(gòu)型是指成鍵電子對(duì)的立體構(gòu)型，不包括孤電子對(duì)。2孤電子對(duì)數(shù)的計(jì)算公式： a-xb/2 2.常見(jiàn)物質(zhì)的雜化

2、類(lèi)型和立體模型化學(xué)式孤電子對(duì)數(shù)鍵電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型名稱(chēng)分子或離子的立體模型名稱(chēng)中心原子的雜化類(lèi)型CO2ClO-HCN乙炔 / / / /H2OH2SSO2BF3SO3CO32-NO3-HCHONH3NCl3H3O+SO32-ClO3-CH4NH4+其實(shí),任何一門(mén)學(xué)科都離不開(kāi)死記硬背,關(guān)鍵是記憶有技巧,“死記之后會(huì)“活用。不記住那些根底知識(shí),怎么會(huì)向高層次進(jìn)軍?尤其是語(yǔ)文學(xué)科涉獵的范圍很廣,要真正進(jìn)步學(xué)生的寫(xiě)作程度,單靠分析文章的寫(xiě)作技巧是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,必須從根底知識(shí)抓起,每天擠一點(diǎn)時(shí)間讓學(xué)生“死記名篇佳句、名言警句,以及豐富的詞語(yǔ)、新穎的材料等。這樣,就會(huì)在有限的時(shí)間、空間里給學(xué)

3、生的腦海里注入無(wú)限的內(nèi)容。日積月累,積少成多,從而收到水滴石穿,繩鋸木斷的成效。SO42-PO43-金剛石/石墨/CH2=CH2/C6H6/CH3COOH/*等電子體原子構(gòu)造相似，如CO2是直線形分子，CNS- 、NO2+、N3-與CO2是等電子體，所以分子構(gòu)造均為直線形，中心原子均采用sp雜化。【難點(diǎn)二 分類(lèi)比較晶體的熔沸點(diǎn)】晶體類(lèi)型物質(zhì)類(lèi)別及舉例晶體的熔、沸點(diǎn)比較及舉例分子晶體所有的非金屬氫化物如水、硫化氫、部分非金屬單質(zhì)如鹵素X2、部分非金屬氧化物如CO2、SO2、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)的有機(jī)物有機(jī)鹽除外（1） 分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體，熔沸點(diǎn)異常地高試比較

4、H2O、H2S、H2Se和H2Te的熔沸點(diǎn)上下并說(shuō)明原因 語(yǔ)文課本中的文章都是精選的比較優(yōu)秀的文章,還有不少名家名篇。假如有選擇循序漸進(jìn)地讓學(xué)生背誦一些優(yōu)秀篇目、精彩段落,對(duì)進(jìn)步學(xué)生的程度會(huì)大有裨益。如今,不少語(yǔ)文老師在分析課文時(shí),把文章解體的支離破碎,總在文章的技巧方面下功夫。結(jié)果老師費(fèi)力,學(xué)生頭疼。分析完之后,學(xué)生收效甚微,沒(méi)過(guò)幾天便忘的一干二凈。造成這種事倍功半的為難場(chǎng)面的關(guān)鍵就是對(duì)文章讀的不熟。常言道“書(shū)讀百遍,其義自見(jiàn),假如有目的、有方案地引導(dǎo)學(xué)生反復(fù)閱讀課文,或細(xì)讀、默讀、跳讀,或聽(tīng)讀、范讀、輪讀、分角色朗讀,學(xué)生便可以在讀中自然領(lǐng)悟文章的思想內(nèi)容和寫(xiě)作技巧,可以在讀中自然加強(qiáng)語(yǔ)感

5、,增強(qiáng)語(yǔ)言的感受力。久而久之,這種思想內(nèi)容、寫(xiě)作技巧和語(yǔ)感就會(huì)自然浸透到學(xué)生的語(yǔ)言意識(shí)之中,就會(huì)在寫(xiě)作中自覺(jué)不自覺(jué)地加以運(yùn)用、創(chuàng)造和開(kāi)展。 （2）（3） 要練說(shuō)，得練聽(tīng)。聽(tīng)是說(shuō)的前提，聽(tīng)得準(zhǔn)確，才有條件正確模擬，才能不斷地掌握高一級(jí)程度的語(yǔ)言。我在教學(xué)中，注意聽(tīng)說(shuō)結(jié)合，訓(xùn)練幼兒聽(tīng)的才能，課堂上，我特別重視老師的語(yǔ)言，我對(duì)幼兒說(shuō)話，注意聲音清楚，上下起伏，抑揚(yáng)有致，富有吸引力，這樣能引起幼兒的注意。當(dāng)我發(fā)現(xiàn)有的幼兒不專(zhuān)心聽(tīng)別人發(fā)言時(shí)，就隨時(shí)表?yè)P(yáng)那些靜聽(tīng)的幼兒，或是讓他重復(fù)別人說(shuō)過(guò)的內(nèi)容，抓住教育時(shí)機(jī)，要求他們專(zhuān)心聽(tīng)，用心記。平時(shí)我還通過(guò)各種興趣活動(dòng)，培養(yǎng)幼兒邊聽(tīng)邊記，邊聽(tīng)邊想，邊聽(tīng)邊說(shuō)的才能，如

6、聽(tīng)詞對(duì)詞，聽(tīng)詞句說(shuō)意思，聽(tīng)句子辯正誤，聽(tīng)故事講述故事，聽(tīng)謎語(yǔ)猜謎底，聽(tīng)智力故事，動(dòng)腦筋，出主意，聽(tīng)兒歌上句，接兒歌下句等，這樣幼兒學(xué)得生動(dòng)活潑，輕松愉快，既訓(xùn)練了聽(tīng)的才能，強(qiáng)化了記憶，又開(kāi)展了思維，為說(shuō)打下了根底。組成和構(gòu)造相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，試比較SnH4、CH4、SiH4和GeH4的熔沸點(diǎn) （4） 組成和構(gòu)造不相似的物質(zhì)相對(duì)分子質(zhì)量接近，分子的極性越大，其熔沸點(diǎn)越 。如： 4同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔沸點(diǎn)的順序?yàn)椋亨忛g對(duì)位化合物原子晶體部分非金屬單質(zhì)如金剛石、硅、晶體硼，部分非金屬化合物如SiC、SiO2由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子的半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，晶體的

7、熔沸點(diǎn)越高。試比較金剛石、碳化硅、硅和石英的熔沸點(diǎn)上下 離子晶體金屬氧化物如NaCl、強(qiáng)堿、絕大部分鹽一般來(lái)說(shuō)，陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，其離子晶體的熔沸點(diǎn)就越高。試比較MgCl、NaCl、MgO和CsCl的熔沸點(diǎn)上下 金屬晶體金屬單質(zhì)與合金如Na、Al、Fe、青銅一般來(lái)說(shuō)，金屬半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔沸點(diǎn)也就越高，如第A族的金屬熔沸點(diǎn)上下為： 【難點(diǎn)三 常見(jiàn)的晶體模型的考察】強(qiáng)化記憶！1. 原子晶體金剛石與二氧化硅 (1) 金剛石晶體中，每個(gè)C與另外 個(gè)C形成共價(jià)鍵，C-C之間的夾角是 ，最小的環(huán)是 元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價(jià)鍵有

8、mol。（2） SiO2晶體中，每個(gè)Si與 個(gè)O成鍵，每個(gè)O與 個(gè)Si成鍵，最小的環(huán)是 元環(huán)，在“硅氧四面體中，處于中心的是 Si原子。*試比較金剛石和石墨的熔沸點(diǎn)上下？2. 離子晶體 1NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na+同時(shí)吸引 個(gè)Cl-，每個(gè)Cl-同時(shí)吸引 個(gè)Na+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Na+和 個(gè)Cl-；與Na+等距且最近的Na+有 個(gè)，與Cl-等距且最近的Cl-有 個(gè)。2CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cs+同時(shí)吸引 個(gè)Cl-，每個(gè)Cl-同時(shí)吸引 個(gè)Cs+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Cs+和 個(gè)Cl-；與Cs+等距且最近的Cs+有 個(gè)，與Cl-等距且最近的Cl-有 個(gè)。3CaF2型：在晶

9、體中，每個(gè)Ca+同時(shí)吸引 個(gè)F-，配位數(shù)為 ，每個(gè)F-同時(shí)吸引 個(gè)Ca+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Ca+和 個(gè)F-；與Ca+等距且最近的Ca+有 個(gè)，與F-等距且最近的F-有 個(gè)。3.金屬晶體簡(jiǎn)單立方堆積-Po：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。體心立方堆積-K型Na、K、Fe：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。六方最密堆積-Mg型Mg、Zn、Ti：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。面心立方堆積-Cu型Cu、Ag、Au：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。二、 典例分析【例題一 高考選修三基此題型】鈣鈦礦晶胞構(gòu)造如以下圖所示1該晶體構(gòu)造中氧、鈦、

10、鈣的離子個(gè)數(shù)比是 ，化學(xué)式可表示為 2在該物質(zhì)的晶體構(gòu)造中，每個(gè)鈦離子周?chē)c它最接近且間隔 相等的鈦離子、鈣離子各有 、 個(gè)3假設(shè)鈣、鈦、氧三元素的相對(duì)原子質(zhì)量分別為a，b，c，晶體構(gòu)造圖中正方體邊長(zhǎng)鈦原子之間的間隔 為dnm1nm=10-9m，那么該晶體的密度為 g/cm3阿伏加德羅常數(shù)用NA表示【提升訓(xùn)練】氮化硼B(yǎng)N是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過(guò)一系列反響可以得到BF3和BN，如以下圖所示請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1由B2O3制備BN的化學(xué)方程式是 2基態(tài)B原子的電子排布式為 ；B和N相比，電負(fù)性較大的是 ，BN中B元素的化合價(jià)為 3在BF3分子中，F(xiàn)-B-F的鍵角是 ， B原子

11、的雜化軌道類(lèi)型為 ，BF3和過(guò)量NaF作用可生成NaBF4，BF- 4的立體構(gòu)型為 4在與石墨構(gòu)造相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為 ，層間作用力為 （5） 六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其構(gòu)造與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長(zhǎng)為361.5 pm，立方氮化硼的一個(gè)晶胞中含有 個(gè)氮原子、 個(gè)硼原子，立方氮化硼的密度是 gcm-3只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA，上圖為金剛石晶胞【例題二 考察常見(jiàn)晶體的根本知識(shí)點(diǎn)】2019全國(guó)卷37化學(xué)選修3:物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中。答復(fù)以下問(wèn)題:1處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子

12、核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描繪。在基態(tài)14C原子中,核外存在對(duì)自旋相反的電子。2碳在形成化合物時(shí),其鍵型以共價(jià)鍵為主,原因是 。3CS2分子中,共價(jià)鍵的類(lèi)型有,C原子的雜化軌道類(lèi)型是,寫(xiě)出兩個(gè)與CS2具有一樣空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。4CO能與金屬Fe形成FeCO5,該化合物的熔點(diǎn)為253 K,沸點(diǎn)為376 K,其固體屬于晶體。5碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體構(gòu)造如下圖:在石墨烯晶體中,每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),每個(gè)六元環(huán)占有個(gè)C原子。在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),六元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面?！纠}三 陌生晶胞與元素推斷】

13、 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的價(jià)電子層中未成對(duì)電子均只有1個(gè)，平且A-和B+的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價(jià)電子層中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2答復(fù)以下問(wèn)題：1D2+的價(jià)層電子排布圖為 2四種元素中第一電離最小的是 ，電負(fù)性最大的是 填元素符號(hào)3A、B和D三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如下圖該化合物的化學(xué)式為 ；D的配位數(shù)為 列式計(jì)算該晶體的密度 gcm-34A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學(xué)鍵的類(lèi)型有 ；該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離子，該離子的化學(xué)式為 ，配位體是 【變式訓(xùn)練】1某晶體的部分構(gòu)造為正三棱柱，這種

14、晶體中A、B、C三種微粒數(shù)目之比為 A.394 B.142 C.294 D.3842前些年報(bào)道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如下圖是該化合物的晶體構(gòu)造單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。那么該化合物的化學(xué)式可表示為 A.MgB B.MgB2 C.Mg2B D.Mg3B2【例題四】有關(guān)晶胞的計(jì)算題專(zhuān)練*【原子坐標(biāo)參數(shù)類(lèi)考題】1.晶胞有兩個(gè)根本要素：原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，以下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為0,0,0；B為，0，；C為，0。那么D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)。晶胞參數(shù)，描繪晶胞的大小和形狀

15、，Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為_(kāi)gcm-3列出計(jì)算式即可。；?！揪О芏阮?lèi)】1.M是第四周期元素，最外層只有1個(gè)電子，次外層的所有原子軌道均充滿電子。元素Y的負(fù)一價(jià)離子的最外層電子數(shù)與次外層的一樣，M與Y形成的一種化合物的立方晶胞如下圖。該化合物的化學(xué)式為_(kāi)，晶胞參數(shù)a=0.542 nm，此晶體的密度為_(kāi)gcm3。寫(xiě)出計(jì)算式，不要求計(jì)算結(jié)果。阿伏加德羅常數(shù)為NACuCl 2.A、B為前三周期原子序數(shù)依次增大的兩種元素,A2-和B+具有一樣的電子構(gòu)型。A和B可以形成化合物F,其晶胞構(gòu)造如下圖,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學(xué)式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計(jì)算晶體F

16、的密度gcm-3 ?！窘獯稹扛鶕?jù)晶胞構(gòu)造可知氧原子的個(gè)數(shù)=8+6=4,Na全部在晶胞中,共計(jì)是8個(gè),那么F的化學(xué)式為Na2O。以頂點(diǎn)氧原子為中心,與氧原子間隔 最近的鈉原子的個(gè)數(shù)是8個(gè),即晶胞中A原子的配位數(shù)為8。晶體F的密度=2.27 gcm-3。3.ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體構(gòu)造如以下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為 gcm-3列式并計(jì)算，a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的間隔 為 pm列式表示【與長(zhǎng)度相關(guān)的晶胞計(jì)算題】1.某鎳白銅合金的立方晶胞構(gòu)造如下圖。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_(kāi)。假設(shè)合金的密度為dg/cm3，晶胞參

17、數(shù)a=_nm3:12. MgO 具有 NaCl 型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X 射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得 MgO 的晶胞參數(shù)為 a=0.420nm，那么 rO 2- 為_(kāi)nm。MnO 也屬于 NaCl 型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為 a =0.448 nm，那么 rMn 2+ 為_(kāi)nm。0.148 0.0763.晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方構(gòu)造，邊長(zhǎng)為，晶胞中、分別處于頂角、體心、面心位置，如下圖，與間的最短間隔 為_(kāi)，與緊鄰的個(gè)數(shù)為_(kāi)?！窘馕觥?最近的K和O是晶胞中頂點(diǎn)的K和面心的O，其間隔 為邊長(zhǎng)的/2倍。故。從晶胞中可以看出，在一個(gè)晶胞中與頂點(diǎn)K緊鄰的O為含有該

18、頂點(diǎn)的三個(gè)面面心的O，即為個(gè)。由于一個(gè)頂點(diǎn)的K被八個(gè)晶胞共用，故與一個(gè)K緊鄰的O有：個(gè)。4.MgO具有NaCl型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，那么rO2為 nm。MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為a=0.448nm，那么rMn2+為 nm。只用列出計(jì)算式【解析】因?yàn)镺2是面心立方最密堆積方式，面對(duì)角線是O2半徑的4倍，即4r=a，解得r=/4 0.420nm；MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，根據(jù)晶胞的構(gòu)造，Mn2+構(gòu)成的是體心立方堆積，體對(duì)角線是Mn2+半徑的4倍，面上相鄰的兩個(gè)Mn2+間隔 是此晶胞的一半，因此有/4 /

19、2 0.448nm。【答案】/4 0.420 /4 /2 0.448【百分率相關(guān)計(jì)算】1.GaAs的熔點(diǎn)為1238，密度為gcm-3，其晶胞構(gòu)造如下圖。該晶體的類(lèi)型為_(kāi),Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)。原子晶體；共價(jià)鍵；。三、 針對(duì)練習(xí)課后作業(yè)1.在以下有關(guān)晶體的表達(dá)中錯(cuò)誤的選項(xiàng)是 A.分子晶體中，一定存在極性共價(jià)鍵B.原子晶體中，只存在共價(jià)鍵C.金屬晶體的熔沸點(diǎn)差異很大D.稀有氣體的原子能形成分子晶體2.以下有關(guān)晶

20、體構(gòu)造的表達(dá)中，不正確的選項(xiàng)是 A.冰晶體中，每個(gè)水分子與周?chē)罱?個(gè)水分子通過(guò)氫鍵相吸引，并形成四面體B.干冰晶體中，每個(gè)晶胞平均含有8個(gè)氧原子C.金剛石晶體中，碳原子與C-C鍵之比為12D.二氧化硅晶體中，最小環(huán)是由6個(gè)硅原子組成的六元環(huán)3.以下有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的選項(xiàng)是 A.熔點(diǎn)：NaFMgF2AlF3B.晶格能：NaFNaClNaBrC.陰離子的配位數(shù)：CsClNaClCaF2D.硬度：MgOCaOBaO4.有關(guān)物質(zhì)的構(gòu)造和組成如下圖，以下說(shuō)法中不正確的選項(xiàng)是 A.在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FEC.在CO2 晶體

21、中，一個(gè)CO2 分子周?chē)?2個(gè)CO2 分子緊鄰D.在碘晶體中，碘分子的排列有兩種不同的方向5.以下圖為CaF2、H3BO3層狀構(gòu)造，層內(nèi)的H3BO3分子通過(guò)氫鍵結(jié)合、金屬銅三種晶體的構(gòu)造示意圖，請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題： 1圖所示的CaF2晶體中與Ca2+最近且等間隔 的F-數(shù)為 ，圖中未標(biāo)號(hào)的銅原子形成晶體后周?chē)罹o鄰的銅原子數(shù)為 2圖所示的物質(zhì)構(gòu)造中最外能層已達(dá)8電子構(gòu)造的原子是 ，H3BO3晶體中B原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)比為 3金屬銅具有很好的延展性、導(dǎo)電性、傳熱性，對(duì)此現(xiàn)象最簡(jiǎn)單的解釋是用 理論4三種晶體中熔點(diǎn)最低的是 填化學(xué)式，其晶體受熱熔化時(shí)，抑制的微粒之間的互相作用為 5兩個(gè)間隔 最近的C

22、a2+核間間隔 為a10-8cm，結(jié)合CaF2晶體的晶胞示意圖，CaF2晶體的密度為 列出表達(dá)式，MCaF2= 78 gmol-16.VIA族的氧、硫、硒Se、碲Te等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和消費(fèi)中有許多重要用處。請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀構(gòu)造如以下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 2O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?3Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 4H2Se的酸性比H2S 填“強(qiáng)或“弱。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO2- 3離子的立體構(gòu)型為 5H2SeO3的K1和K2分別為2.710-3和2.51

23、0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.210-2，請(qǐng)根據(jù)構(gòu)造與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)篐2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因 H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因 （6） ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體構(gòu)造如以下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為 gcm-3列式并計(jì)算，a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的間隔 為 pm列式表示7.2019新課標(biāo)三卷37化學(xué)選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分砷化鎵GaAs是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等。答復(fù)以下問(wèn)題：1寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。2

24、根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。填“大于或“小于3AsCl3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)，其中As的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)。4GaF3的熔點(diǎn)高于1000，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9，其原因是_。5GaAs的熔點(diǎn)為1238，密度為gcm-3，其晶胞構(gòu)造如下圖。該晶體的類(lèi)型為_(kāi),Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1 和MAs gmol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)?！靖呖颊骖}檢測(cè)】定時(shí)完成+自我評(píng)分1.2019全國(guó)卷化學(xué)選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分研究發(fā)現(xiàn)，在CO2

25、低壓合成甲醇反響CO2+3H2=CH3OH+H2O中，Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景。答復(fù)以下問(wèn)題：1Co基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是_。2CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為_(kāi)和_。3在CO2低壓合成甲醇反響所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開(kāi)，原因是_。4硝酸錳是制備上述反響催化劑的原料，MnNO32中的化學(xué)鍵除了鍵外，還存在_。5MgO具有NaCl型構(gòu)造如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm，那么rO2

26、-為_(kāi)nm。MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為a =0.448 nm，那么rMn2+為_(kāi)nm?！敬鸢浮?1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2 O Mn2sp sp33H2OCH3OHCO2H2H2O與CH3OH均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多；CO2與H2均為非極性分子，CO2分子量較大、范德華力較大4離子鍵和鍵或鍵 50.148 0.0762.2019全國(guó)卷化學(xué)選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)15分鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。答復(fù)以下問(wèn)題：1元素K的焰色反響呈紫紅色，其中紫色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為_(kāi)nm填標(biāo)號(hào)。A404.4B553.5 C589.2D670.8 E766.52基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是_，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_(kāi)。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型一樣，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是_。3X射線衍射測(cè)定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在離子。離子的幾何構(gòu)型為_(kāi)，中心原子的雜化形式為_(kāi)。4KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方構(gòu)造，邊長(zhǎng)為a=0.446 nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如下圖。K與O間的最短間隔 為_(kāi)nm，與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為_(kāi)。5在KIO3晶胞構(gòu)造的另一種表示中，I處于各頂角位置，那么K