固體物理基礎(chǔ)6磁性和超導(dǎo)電性教材

1、浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云第六章固體的磁性Magnesium of Solid超導(dǎo)電性Superconductivity浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云指南針 司馬遷史記描述黃帝作戰(zhàn)用1086年 宋朝沈括夢(mèng)溪筆談指南針的制造方法等1119年 宋朝朱或萍洲可談磁石羅盤用于航海 記載最早著作De Magnete W.Gibert18世紀(jì) 奧斯特電流產(chǎn)生磁場(chǎng)19世紀(jì) 法拉弟效應(yīng)在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)導(dǎo)體產(chǎn)生電流 安培定律 電磁學(xué)基礎(chǔ) 電動(dòng)機(jī)、發(fā)電機(jī)等開創(chuàng)現(xiàn)代電氣工業(yè)磁性材料及磁性的研究歷史浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云1907年 P.Weiss的磁疇和分

2、子場(chǎng)假說1919年 巴克豪森效應(yīng)1928年 海森堡模型，用量子力學(xué)解釋分子場(chǎng)起源1931年 Bitter在顯微鏡下直接觀察到磁疇1933年 加藤與武井發(fā)現(xiàn)含Co的永磁鐵氧體1935年 荷蘭Snoek發(fā)明軟磁鐵氧體1935年 Landau和Lifshitz考慮退磁場(chǎng), 理論上預(yù)言了磁疇結(jié)構(gòu)1946年 Bioembergen發(fā)現(xiàn)NMR效應(yīng)1948年 Neel建立亞鐵磁理論1957年 RKKY相互作用的建立1958年 Mssbauer效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)1965年 Mader和Nowick制備了CoP鐵磁非晶態(tài)合金1970年 SmCo5稀土永磁材料的發(fā)現(xiàn)1984年 NdFeB稀土永磁材料的發(fā)現(xiàn)Sagawa(佐

3、川)1986年 高溫超導(dǎo)體，Bednortz-muller1988年 巨磁電阻GMR的發(fā)現(xiàn), M.N.Baibich1994年 CMR龐磁電阻的發(fā)現(xiàn)，Jin等LaCaMnO31995年 隧道磁電阻TMR的發(fā)現(xiàn),T.Miyazaki浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云原子的磁性角動(dòng)量：P磁化強(qiáng)度矢量：M為磁旋比PM在外加磁場(chǎng)H下HMMdtd浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云 自旋電子學(xué)研究背景自旋電子學(xué)研究背景 巨磁阻效應(yīng)巨磁阻效應(yīng)(GMR) 標(biāo)志自旋

4、電子標(biāo)志自旋電子學(xué)的出現(xiàn)；第一代自旋器件：巨學(xué)的出現(xiàn)；第一代自旋器件：巨磁阻讀頭磁阻讀頭 第二代自旋器件（半導(dǎo)體自旋器第二代自旋器件（半導(dǎo)體自旋器件）：件）：使自旋極化的自旋源；將使自旋極化的自旋源；將自旋注入到傳統(tǒng)半導(dǎo)體中自旋注入到傳統(tǒng)半導(dǎo)體中 稀磁半導(dǎo)體稀磁半導(dǎo)體：磁極子的局域磁矩：磁極子的局域磁矩與電子（空穴）的自旋相互作用；與電子（空穴）的自旋相互作用；與傳統(tǒng)半導(dǎo)體兼容，是良好的自與傳統(tǒng)半導(dǎo)體兼容，是良好的自旋源旋源 處理信息處理信息 信息存儲(chǔ)、處理同時(shí)進(jìn)行信息存儲(chǔ)、處理同時(shí)進(jìn)行 稀磁半導(dǎo)體稀磁半導(dǎo)體 存儲(chǔ)信息存儲(chǔ)信息 磁性材料磁性材料 半導(dǎo)體半導(dǎo)體 電子的電荷電子的電荷現(xiàn)代信息技術(shù)現(xiàn)

5、代信息技術(shù) 電子的自旋電子的自旋第二代自旋器件第二代自旋器件 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云 上世紀(jì)的60 年代,光學(xué)和電學(xué)特性,居里溫度(TC)在約為2 K InMnAs(PRL, 1992 ) 和GaMnAs (APL, 1996 ) TC75 K GaMnAs 的TC已經(jīng)達(dá)到170 K (Nat. Mater., 2005) Zener模型理論預(yù)測(cè)2000 Science ;隨后,首次實(shí)現(xiàn)室溫磁性室溫磁性(Co: TiO2, Science, 2001; Co:ZnO, APL, 2001) 對(duì)過渡金屬對(duì)過渡金屬M(fèi)n,Co,Fe,Ni, Cr,V等等摻雜摻雜 ZnO, TiO2,

6、SnO2, GaN, GaP等體系等體系展開研究展開研究, ,實(shí)現(xiàn)室溫磁性實(shí)現(xiàn)室溫磁性 發(fā)現(xiàn)許多奇特低溫磁光性質(zhì)和磁傳輸,如巨Zeeman 效應(yīng),巨Faraday 旋轉(zhuǎn),反常Hall效應(yīng),負(fù)GMR 等sp-d 交換相互作交換相互作用模型解釋用模型解釋DMS的磁性的磁性DMS的研究概況的研究概況 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云磁性材料應(yīng)用舉例之一磁記錄浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云磁性材料應(yīng)用舉例之一磁記錄浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云磁性材料應(yīng)用舉例之一磁記錄浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云超導(dǎo)電性的發(fā)現(xiàn)及超導(dǎo)體的基本性質(zhì)浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云B=M+HB=

7、0M= H浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云0tB浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云超導(dǎo)電性研究歷史浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云超導(dǎo)體的實(shí)驗(yàn)研究一、超導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)研究 19101950：Bragg方程和Laue方程已經(jīng)廣泛應(yīng)用， XRD晶體結(jié)構(gòu)研究極為普遍， XRD衍射結(jié)果表明超導(dǎo)態(tài)與正常態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)完全相同 超導(dǎo)態(tài)是熱力學(xué)上的穩(wěn)定狀態(tài)NS轉(zhuǎn)變不是由晶體結(jié)構(gòu)（原子排列）變化而引起的相變轉(zhuǎn)變浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云高溫超導(dǎo)體簡(jiǎn)介高溫氧化物超導(dǎo)體(Tc77K)臨界溫度Tc 達(dá)到液氮溫度（77K）以上的超導(dǎo)材料稱為高溫超導(dǎo)材料1986年IB

8、M蘇黎世實(shí)驗(yàn)室La-Ba-Cu-O 30K美、中、日科學(xué)家La-Ba-Cu-OSr-Ba-Cu-O 57K1987年休斯敦大學(xué)，朱經(jīng)武中科院，趙忠賢Y-Ba-Cu-O 98K至今已發(fā)現(xiàn)至今已發(fā)現(xiàn)70余種高溫超導(dǎo)材料浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云高溫氧化物超導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 具有層狀鈣鈦礦型結(jié)構(gòu) 晶格結(jié)構(gòu)中存在Cu-O 層面高溫超導(dǎo)體的導(dǎo)電平面 氧含量和分布對(duì)性能有重要影響浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云高溫氧化物超導(dǎo)體的反常特性（1） 電阻率的溫度特性：線性關(guān)系（2） 霍爾系數(shù)的溫度特性：隨溫度上升而單調(diào)下降（3） 光電導(dǎo)的反常特性（4） 超導(dǎo)能隙的各向異性（5） 電子電子關(guān)聯(lián)性（6

9、） 臨界磁場(chǎng)高，相干長度卻很短反常特性無法用低溫超導(dǎo)理論(BCS 理論)來解釋，對(duì)超導(dǎo)理論的研究提出了新課題和新研究方向浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云設(shè)備：研缽+ 電爐工藝：混勻原材料 燒結(jié)研磨成形燒結(jié)再研磨成形燒結(jié)優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單、實(shí)用、易于控制或改變合成條件產(chǎn)品,如優(yōu)質(zhì)大塊樣品， 高質(zhì)量粉料高溫超導(dǎo)材料的制備高溫超導(dǎo)薄膜在基片上鍍膜膜厚100 nm涂布法 機(jī)械熱加工法濺射法 分子外延法照射法 蒸汽淀積法混合法 脈沖準(zhǔn)分子激光法蒸發(fā)法 化學(xué)汽相沉積法浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云超導(dǎo)電性的應(yīng)用舉例浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 黃靖云高溫超導(dǎo)實(shí)用化誘人前景電力能源方面：輸電電纜、發(fā)電機(jī)、電動(dòng)機(jī)、變壓器 超導(dǎo)化超導(dǎo)儲(chǔ)能系統(tǒng) 大型電機(jī)設(shè)備形狀與性能的革命能源工業(yè)： 超導(dǎo)貯能調(diào)節(jié)電網(wǎng)負(fù)荷 超導(dǎo)磁體約束的等離子體和可能產(chǎn)生的核聚變電子學(xué)方面： 超導(dǎo)計(jì)算機(jī)研究：