(華北電力大學(xué)版)電力電子技術(shù)課后習(xí)習(xí)題答案

1、電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo) * 的習(xí)題是課本上沒(méi)有的，作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一* 試說(shuō)明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答：當(dāng)PN結(jié)通過(guò)正向大電流時(shí)，大量空穴被注入基區(qū)（通常是N型材料），基區(qū)的空穴濃度（少子）大幅度增加，這些載流子來(lái)不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性，基區(qū)的多子（電子）濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著，在大注入的條件下原始基片的電阻率實(shí)際上大大地下降了，也就是電導(dǎo)率大大增加了。這種現(xiàn)象被稱(chēng)為基區(qū)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使半導(dǎo)體器件的通態(tài)壓降降低，通態(tài)損耗下降；但是會(huì)帶來(lái)反向恢復(fù)問(wèn)題，使關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)，相應(yīng)也增加了開(kāi)關(guān)損耗。1. 晶閘管正常導(dǎo)通的條件是什么，導(dǎo)通后

2、流過(guò)的電流由什么決定晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷的條件是什么，如何實(shí)現(xiàn)答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓（UAK>0），并在門(mén)極施加觸發(fā)電流（UGK>0）。2. 有時(shí)晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后，觸發(fā)脈沖結(jié)束后它又關(guān)斷了，是何原因？答：這是由于晶閘管的陽(yáng)極電流IA沒(méi)有達(dá)到晶閘管的擎住電流（IL）就去掉了觸發(fā)脈沖，這種情況下，晶閘管將自動(dòng)返回阻斷狀態(tài)。在具體電路中，由于陽(yáng)極電流上升到擎住電流需要一定的時(shí)間（主要由外電路結(jié)構(gòu)決定），所以門(mén)極觸發(fā)信號(hào)需要保證一定的寬度。* 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使其陽(yáng)極電流IA大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最

3、小電流，即維持電流IH。 要使晶閘管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，可利用外加反向電壓或由外電路作用使流過(guò)晶閘管的電流降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。3. 圖1-30中的陰影部分表示流過(guò)晶閘管的電流波形，其最大值均為Im，試計(jì)算各波形的電流平均值、有效值。如不考慮安全裕量，額定電流100A的晶閘管，流過(guò)上述電流波形時(shí)，允許流過(guò)的電流平均值Id各位多少？21圖1-30 習(xí)題1-4附圖解：（a） 額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為157A，則；平均值Ida為：（b）額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為157A，則；平均值Idb為：（c）額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為

4、157A，則；平均值Idc為：（d）額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為157A，則；平均值Idd為：（e）額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為157A，則：平均值Ide為：（f）額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的電流有效值為157A，則：平均值Ide為： * 在圖1-31所示電路中，若使用一次脈沖觸發(fā)，試問(wèn)為保證晶閘管充分導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖寬度至少要多寬？圖中，E=50V；L=0.5H；R=0.5; IL=50mA（擎住電流）。 圖1-31習(xí)題1-5附圖 圖1-32習(xí)題1-9附圖解：晶閘管可靠導(dǎo)通的條件是：必須保證當(dāng)陽(yáng)極電流上升到大于擎住電流之后才能撤掉觸發(fā)脈沖。當(dāng)晶閘管導(dǎo)通

5、時(shí)有下式成立：解之得：可靠導(dǎo)通條件為：解得：即 也即觸發(fā)脈沖寬度至少要500s4. 為什么晶閘管不能用門(mén)極負(fù)脈沖信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流，而GTO卻可以？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益1和2，由普通晶閘管得分析可得，121是器件臨界導(dǎo)通的條件。12>1兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通；12<1不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO能關(guān)斷，而普通晶閘管不能是因?yàn)镚TO在結(jié)構(gòu)和工藝上有以下幾點(diǎn)不同：A 多元集成結(jié)構(gòu)使每個(gè)GTO元的陰極面積很小，門(mén)極和陰極的距離縮短，從而使從門(mén)極抽出較大的電流成為可能。B GTO導(dǎo)通時(shí)12更接近1，晶

6、閘管12>1.15，而GTO則為121.05，飽和程度不深，在門(mén)極控制下易于退出飽和。C GTO在設(shè)計(jì)時(shí)，2較大，晶體管V2控制靈敏，而1很小，這樣晶體管V1的集電極電流不大，易于從門(mén)極將電流抽出，從而使GTO關(guān)斷。* GTO與GTR同為電流控制器件，前者的觸發(fā)信號(hào)與后者的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有哪些異同？答：二者都是電流型驅(qū)動(dòng)型器件，其開(kāi)通和關(guān)斷都要求有相應(yīng)的觸發(fā)脈沖，要求其觸發(fā)電流脈沖的上升沿陡且實(shí)行強(qiáng)觸發(fā)。GTR要求在導(dǎo)通期間一直提供門(mén)極觸發(fā)電流信號(hào)，而GTO當(dāng)器件導(dǎo)通后可以去掉門(mén)極觸發(fā)電流信號(hào)；GTO的電流增益（尤其是關(guān)斷電流增益很?。┬∮贕TR，無(wú)論是開(kāi)通還是關(guān)斷都要求觸發(fā)電流有足夠的幅值和

7、陡度，其對(duì)觸發(fā)電流信號(hào)（尤其是關(guān)斷門(mén)極負(fù)脈沖電流信號(hào)）的要求比GTR高。5. 試比較GTR、GTO、MOSFET、IGBT之間的差異和各自的優(yōu)缺點(diǎn)及主要應(yīng)用領(lǐng)域。答：見(jiàn)下表器件優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域GTR耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低開(kāi)關(guān)速度低，電流驅(qū)動(dòng)型需要驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在2次擊穿問(wèn)題UPS、空調(diào)等中小功率中頻場(chǎng)合GTO電壓、電流容量很大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率很大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低高壓直流輸電、高壓靜止無(wú)功補(bǔ)償、高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力機(jī)車(chē)地鐵等高壓大功率場(chǎng)合。MOSFE

8、T開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，工作頻率高，門(mén)極輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有2次擊穿問(wèn)題電流容量小，耐壓低，通態(tài)損耗較大，一般適合于高頻小功率場(chǎng)合開(kāi)關(guān)電源、日用電氣、民用軍用高頻電子產(chǎn)品IGBT開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，通態(tài)壓降低，電壓、電流容量較高。門(mén)極輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)速度不及電力MOSFET，電壓、電流容量不及GTO。電機(jī)調(diào)速，逆變器、變頻器等中等功率、中等頻率的場(chǎng)合，已取代GTR。是目前應(yīng)用最廣泛的電力電子器件。* 請(qǐng)將VDMOS（或IGBT）管柵極電流波形畫(huà)于圖1-32中，并說(shuō)明電流峰值和柵極電阻有何關(guān)系以及柵極電阻的作用。答： VDMO

9、SFET和IGBT都是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，由于存在門(mén)極電容，其門(mén)極電流的波形類(lèi)似于通過(guò)門(mén)極電阻向門(mén)極電容的充電過(guò)程，其峰值電流為IpUGE/RG。柵極電阻的大小對(duì)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性有很大的影響：RG增加，則開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、開(kāi)通損耗關(guān)斷損耗增加；和位移電流減??；觸發(fā)電路振蕩抑止能力強(qiáng)，反之則作用相反。因此在損耗容許的條件下，RG可選大些以保證器件的安全，具體選擇要根據(jù)實(shí)際電路選。典型的應(yīng)用參數(shù)為：UGE15V，UGE(510)V，RG1050歐* 全控型器件的緩沖吸收電路的主要作用是什么？試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。答：緩沖電路的主要作用是抑止器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中出現(xiàn)的過(guò)高的、和過(guò)電壓

10、，減小器件的開(kāi)關(guān)損耗保證器件工作在安全范圍之內(nèi)。RCD緩沖電路中主要是為了防止器件關(guān)斷過(guò)程中的過(guò)電壓。器件關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流經(jīng)二極管D向吸收電容C充電，使器件兩端的電壓由0緩慢上升，減緩，一方面可以抑止過(guò)電壓，一方面可以減小關(guān)斷損耗；開(kāi)通時(shí)，吸收電容的能量經(jīng)電阻R向器件放電，為下次關(guān)斷做好準(zhǔn)備，電阻R的作用是限制放電電流的大小、抑止緩沖電路的振蕩。* 限制功率MOSFET應(yīng)用的主要原因是什么實(shí)際使用時(shí)如何提高M(jìn)OSFET的功率容量答：限制功率MOSFET應(yīng)用的主要原因是其電壓、電流容量難以做大。因?yàn)镸OSFET是單極性器件，所以通態(tài)損耗較大，其通態(tài)電阻為。高壓大電流時(shí)，其通態(tài)電阻（對(duì)應(yīng)損耗）達(dá)到

11、令人難以接受的程度（目前的市場(chǎng)水平最大為1200V/36A）。實(shí)際使用時(shí)由于MOSFET具有正的溫度系數(shù)，可以方便地采用多管串并聯(lián)的方法來(lái)提高其功率容量。習(xí)題二1*具有續(xù)流二極管的單相半波可控整流電路，帶阻感性負(fù)載，電阻為5，電感為0.2H，電源電壓的有效值為220V，直流平均電流為10A，試計(jì)算晶閘管和續(xù)流二極管的電流有效值，并指出晶閘管的電壓定額（考慮電壓2-3倍裕度）。解：本題困難，可不作為習(xí)題要求。電路上圖所示。設(shè)觸發(fā)角為，則在期間晶閘管導(dǎo)通，其直流輸出電壓Ud如圖（b）所示；在0和2期間，續(xù)流二極管導(dǎo)通，直流輸出電壓為0，則直流平均電壓為帶入已知參數(shù)可得，即。設(shè)晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的電流

12、值為I0，晶閘管關(guān)斷、二極管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的電流值為I1，則在晶閘管導(dǎo)通期間的回路方程為：由（1）可得方程的通解為 （4）帶入式（2）的初值條件，解得將上式帶入（4）并將已知參數(shù)帶入可得將式（3）的條件帶入得 （5）當(dāng)二極管導(dǎo)通時(shí)，電流表達(dá)式為在t=2/2處，i=I0，可得I1和I0之間的關(guān)系 （6）由（5）、（6）可解得則得電流的完全表達(dá)式如下 （7）按照（7）用解析方法求解晶閘管和二極管的電流有效值非常復(fù)雜，為簡(jiǎn)化計(jì)算，用I1和I0之間的直線段來(lái)代替實(shí)際的曲線方程（由于L較大，這種代替不會(huì)帶來(lái)很大誤差）。則晶閘管和二極管的電流有效值分別為從圖（g）可以看出，晶閘管承受的反壓為電源電壓峰值，即，

13、考慮3倍安全余量可選耐壓1000V的晶閘管。2單相橋式全控整流電路接電阻性負(fù)載，要求輸出電壓在0100V連續(xù)可調(diào)，輸出電壓平均值為30 V時(shí)，負(fù)載電流平均值達(dá)到20A。系統(tǒng)采用220V的交流電壓通過(guò)降壓變壓器供電，且晶閘管的最小控制角min30°，（設(shè)降壓變壓器為理想變壓器）。試求： （1）變壓器二次側(cè)電流有效值I2； （2）考慮安全裕量，選擇晶閘管電壓、電流定額； （3）作出60°時(shí)，ud、id和變壓器二次側(cè)i2的波形。解：由題意可知負(fù)載電阻歐，單相全控整流的直流輸出電壓為直流輸出最大為100V，且此時(shí)的最小控制角為min30°，帶入上式可求得（1） min30

14、°時(shí)，（2）晶閘管的電流有效值和承受電壓峰值分別為 考慮3倍余量，選器件耐壓為168×3500V；電流為(55.3/1.57)×3100A（3） 3試作出圖2-7所示的單相橋式半控整流電路帶大電感負(fù)載，在30°時(shí)的ud、id、iVT1、iVD4的波形。并計(jì)算此時(shí)輸出電壓和電流的平均值。解：輸出電壓和電流的平均值分別為：4單相橋式全控整流電路，U2100V，負(fù)載中R2 ，L值極大，反電動(dòng)勢(shì)E60V，當(dāng)30°時(shí)，試求： （1）作出ud、id和i2的波形； （2）求整流輸出電壓平均值Ud、電流Id，以及變壓器二次側(cè)電流有效值I2。解：整流輸出電壓平均

15、值Ud、電流Id，以及變壓器二次側(cè)電流有效值I2分別為： 在5. 某一大電感負(fù)載采用單相半控橋式整流接有續(xù)流二極管的電路，負(fù)載電阻R=4，電源電壓U2=220V，=/3，求：(1) 輸出直流平均電壓和輸出直流平均電流；(2) 流過(guò)晶閘管（整流二極管）的電流有效值；(3) 流過(guò)續(xù)流二極管的電流有效值。解：（1）電路波形圖見(jiàn)第3題（2）（3）6 三相半波可控整流電路的共陰極接法和共陽(yáng)極接法，a、b兩相的自然換相點(diǎn)是同一點(diǎn)嗎如果不是，它們?cè)谙辔簧喜疃嗌俣仍囎鞒龉碴?yáng)極接法的三相半波可控的整流電路在30°時(shí)的ud、iVT1、uVT1的波形。解：a、b兩相的自然換相點(diǎn)不是同一點(diǎn)，它們?cè)谙辔簧喜疃?/p>

16、少180度，見(jiàn)下圖。共陽(yáng)極接法的三相半波可控的整流電路在30°時(shí)的ud、iVT1、uVT1的波形如下圖7. 三相半波可控整流電路帶大電感性負(fù)載，/3，R=2，U2=220V，試計(jì)算負(fù)載電流Id，并按裕量系數(shù)2確定晶閘管的額定電流和電壓。解：按裕量系數(shù)2確定晶閘管的電流定額為：；電壓定額為：* 三相半波共陰極接法的整流電路中，如果c相的觸發(fā)脈沖消失，試?yán)L出在電阻性負(fù)載和大電感性負(fù)載下整流的輸出電壓Ud（300）。解：電阻負(fù)載時(shí)波形如下圖：大電感負(fù)載時(shí)的波形為： * 三相橋式全控整流電路中，如果c相上橋臂晶閘管（第5號(hào)管）的觸發(fā)脈沖消失，試?yán)L出在電阻性負(fù)載和大電感性負(fù)載下整流的輸出電壓U

17、d（600）。解：電阻負(fù)載時(shí)波形如下圖：解釋?zhuān)寒?dāng)3、4號(hào)晶閘管導(dǎo)通（直流輸出為Uba）完即將切換到4、5號(hào)晶閘管導(dǎo)通時(shí)，由于5號(hào)晶閘管觸發(fā)丟失，且由于是電阻負(fù)載，在本該4、5導(dǎo)通的區(qū)間內(nèi)由于Uba為負(fù)值，所以3號(hào)管被加反壓關(guān)斷，整流輸出為0。在隨后本該5、6管導(dǎo)通區(qū)間，由于5號(hào)管丟失脈沖，回路也沒(méi)法導(dǎo)通，輸出還是0。隨著6、1的再次導(dǎo)通，進(jìn)入下一個(gè)循環(huán)。電感負(fù)載時(shí)波形如下圖：解釋?zhuān)寒?dāng)3、4號(hào)晶閘管導(dǎo)通（直流輸出為Uba）完即將切換到4、5號(hào)晶閘管導(dǎo)通時(shí)，由于5號(hào)晶閘管觸發(fā)丟失，沒(méi)法給3號(hào)管提供反壓使之關(guān)斷，且由于是電感負(fù)載，所以3號(hào)管將會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。這時(shí)實(shí)際導(dǎo)通的管子還是3、4兩個(gè)晶閘管，即整流

18、輸出仍為Uba。在隨后本該5、6管導(dǎo)通區(qū)間，4號(hào)管被導(dǎo)通的6號(hào)管關(guān)斷，直流電流通過(guò)3、6兩管形成的短路回路續(xù)流，直流輸出是0。隨著6、1的再次導(dǎo)通，進(jìn)入下一個(gè)循環(huán)。8三相橋式全控整流電路，U2100V，帶阻感性負(fù)載，R5 ，L值極大，當(dāng)60°，試求： （1）作出ud、id和iVT1的波形； （2）計(jì)算整流輸出電壓平均值Ud、電流Id，以及流過(guò)晶閘管電流的平均值IdVT和有效值IVT； （3）求電源側(cè)的功率因數(shù)； （4）估算晶閘管的電壓電流定額。解：（1） （2） （3）由功率因數(shù)的定義知： （4）按2倍余量估算，晶閘管的電壓定額為：；晶閘管的電流定額為：9三相橋式不控整流電路帶阻感性

19、負(fù)載，R5 ，L，U2220V，XB=0.3 ，求Ud、Id、IVD、I2和的值，并作出ud、iVD1和i2的波形。解：三相橋式不控整流電路相當(dāng)于三相橋式全控整流電路在觸發(fā)角為0時(shí)的情況，則 解上述2個(gè)方程可得： 二極管的電流平均值為： 變壓器二次側(cè)電流有效值為： 由 可得 ud、iVD1和i2的波形的波形如下：10請(qǐng)說(shuō)明整流電路工作在有源逆變時(shí)所必須具備的條件。答：(1) 外部條件直流側(cè)應(yīng)有能提供逆變能量的直流電動(dòng)勢(shì)，極性與晶閘管導(dǎo)通方向一致，其值大于變流器直流側(cè)的平均電壓。(2) 內(nèi)部條件變流器直流側(cè)輸出直流平均電壓必須為負(fù)值，即>/2，Ud<0。以上兩條件必須同時(shí)滿(mǎn)足，才能實(shí)

20、現(xiàn)有源逆變。11什么是逆變失敗如何防止逆變失敗答：但當(dāng)變流器工作于逆變工況時(shí)，一旦由于觸發(fā)脈沖丟失、突發(fā)電源缺相或斷相等原因造成換流失敗，將使輸出電壓Ud進(jìn)入正半周，與EM順向連接，由于回路電阻很小，造成很大的短路電流，這種情況叫逆變失敗或逆變顛覆。為了保證逆變電路的正常工作，必須1）選用可靠的觸發(fā)器，2）正確選擇晶閘管的參數(shù)，3）采取必要的措施，減小電路中du/dt和di/dt的影響，以免發(fā)生誤導(dǎo)通，4）保證交流電源的質(zhì)量，5）逆變角的角度有一最小限制，留出充足的換向余量角。12. 三相全控橋變流器，已知L足夠大、R=1.2、U2=200V、EM= -300V，電動(dòng)機(jī)負(fù)載處于發(fā)電制動(dòng)狀態(tài)，制

21、動(dòng)過(guò)程中的負(fù)載電流66A，此變流器能否實(shí)現(xiàn)有源逆變？求此時(shí)的逆變角。解：電動(dòng)機(jī)處于發(fā)電制動(dòng)狀態(tài)可以提供逆變能量，滿(mǎn)足有源逆變的外部條件，可以實(shí)現(xiàn)有源逆變。 三相全控橋變流器處于有源逆變時(shí)有 （1）而 ，即 解（1）式可得： 13三相全控橋變流器，帶反電動(dòng)勢(shì)阻感負(fù)載， R1 ，L，U2220V，LB=1mH，當(dāng)EM400V，60°時(shí)求Ud、Id和的值，此時(shí)送回電網(wǎng)的有功功率是多少？解： 帶入已知參數(shù)解上2式，可得 ；由換流重疊角公式可得：即 送回電網(wǎng)的有功功率為：14三相橋式全控整流電路，其整流輸出電壓中含有哪些次數(shù)的諧波其中最大的是哪一次變壓器二次電流中含有哪些次數(shù)的諧波其中主要的是

22、哪幾次對(duì)于m相全控整流電路呢？答：三相橋式全控整流電路，其整流輸出電壓中含有6k（k=1、2、3）次的諧波，其中最大的是6次諧波。變壓器二次電流中含有6k±1（k=1、2、3）次的諧波，其中主要的是哪5、7次。對(duì)于m相全控整流電路，其整流輸出電壓中含有2mk（k=1、2、3）次的諧波，其中最大的是2m次諧波。變壓器二次電流中含有2mk±1（k=1、2、3）次的諧波，其中主要的是哪2mk±1次。15試計(jì)算第4題中i2的3、5、7次諧波分量的有效值I23、I25、I27，并計(jì)算此時(shí)該電路的輸入功率因數(shù)。解：由第4題的解答可知：Id9A，則 基波有效值 輸入功率因數(shù) 1

23、6試計(jì)算第8題中的i2的5、7次諧波分量的有效值I25、I27。解：由第8題的解答可知：Id23.4A，則17. 三相晶閘管整流器接至10.5kV交流系統(tǒng)。已知10kV母線的短路容量為150MVA，整流器直流側(cè)電流Id400A，觸發(fā)延遲角15°，不計(jì)重疊角，試求：(1) 相移功率因數(shù)cos1、整流器的功率因數(shù)；(2) 整流測(cè)直流電壓Ud；(3) 有功功率、無(wú)功功率和交流側(cè)基波電流有效值；(4) 截止到23次的各諧波電流的大小、總諧波畸變率。解：（1） （2）（3）基波電流有效值 總電流有效值 有功功率 無(wú)功功率 （4） 總諧波畸變率 18晶閘管整流電路的功率因數(shù)是怎么定義的它與那些因素有關(guān)答：晶閘管整流電路的功率因數(shù)由畸變因子和位移因子構(gòu)成，表達(dá)式為功率因數(shù)主要由整流觸發(fā)角和整流電路的電路結(jié)構(gòu)決定。19. 綜述抑制相控整流電路網(wǎng)側(cè)電流諧波的措施。答：抑制網(wǎng)側(cè)電流諧波的措施主要有：1選擇合適的輸入電壓（可采用輸入變壓器），