ICT經(jīng)驗(yàn)手冊(cè)范本

1、GENRAD經(jīng)驗(yàn)手冊(cè)本手冊(cè)之撰寫(xiě),是以GENRADVER4.2之操作接口作說(shuō)明,往后若其版本更新,致操作接口更改,則其相關(guān)操作動(dòng)作亦可能不同,但只要徹底了解各操作動(dòng)做之意義,則在新接口或其它機(jī)種之操作接口,當(dāng)可找到相對(duì)應(yīng)之操作,這應(yīng)不是問(wèn)題.這其中之一個(gè)重點(diǎn)，就是外在之接口及信息是會(huì)變動(dòng),但原理是不會(huì)變的,只要能掌握住原理,基礎(chǔ),就能無(wú)懼于外在之變動(dòng),而輕松適應(yīng)新的環(huán)境.希望本手冊(cè)能帶給讀者一些幫助,則已達(dá)到本手冊(cè)撰寫(xiě)之目的.本手冊(cè)共分以下四大項(xiàng)目:一.程序發(fā)展準(zhǔn)備二.程試發(fā)展三.程序及治具Debug四.程序,治具及測(cè)試機(jī)臺(tái)之維護(hù)一.程序發(fā)展準(zhǔn)備1分析電路圖此項(xiàng)目為開(kāi)始GO一個(gè)Project時(shí)

2、相當(dāng)重要之一個(gè)工作,但常為大家所忽略,因?yàn)榇斯ぷ鞑蛔龌蜃龅貌淮_實(shí),將無(wú)法掌握測(cè)試程序及治具制作之完整性,也關(guān)系到后面程序發(fā)展及Debug時(shí)之速度,此分析電路之能力,則須平日對(duì)電子電路知識(shí),不斷努力充實(shí),此部份能力越強(qiáng),測(cè)試則越能達(dá)到預(yù)期目標(biāo).以下將敘述分析電路圖時(shí)之重點(diǎn):1) 系統(tǒng)之POWER電路此部份極為重要,務(wù)必了解其電源產(chǎn)生方式,因此關(guān)系到治具制作之規(guī)格及數(shù)字測(cè)試時(shí)要件,如模糊不清,將造成做數(shù)字測(cè)試時(shí)之不確定性，如某些IC無(wú)法動(dòng)作，是否會(huì)破壞IC等.以下為檢視POWER電路時(shí),應(yīng)注意及了解之部份:a) 找出電路圖上所有用到之VCC.b) 找出使系統(tǒng)動(dòng)作之源頭電壓(即POWER/B之輸出電

3、壓)，板子上其它電壓即是由這些源頭電壓經(jīng)過(guò)電感或晶體管控制而產(chǎn)生的.c) 經(jīng)由上面找出源頭電壓后，此則為當(dāng)作程序及治具之電壓規(guī)格.d) 由于測(cè)試機(jī)臺(tái)只提供源頭電壓至待測(cè)板，因此須經(jīng)由電路控制才能產(chǎn)生之電壓，則在測(cè)試IC時(shí)用到這些電壓時(shí)須特別注意，要先控制這些電壓出來(lái)，才可測(cè)試所以必須了解各VCC間之關(guān)聯(lián).2) 了解整體電路之方塊圖，并盡可能去了解各BLOCK之功能:此有助于測(cè)試之應(yīng)用及將來(lái)DEBUG時(shí)，做最佳之參數(shù)調(diào)整.此部份能了解多少算多少,盡目前之能力即可,因這不是說(shuō)懂就懂,而是須時(shí)間之培養(yǎng)，加上我們大部份都不是RD出身，目前又無(wú)此環(huán)境，自然此部份會(huì)較弱,但仍應(yīng)努力,以求測(cè)試能力之提升.3

4、）是否有目前測(cè)試Library沒(méi)有之組件:有能力測(cè)試之組件，大都已加入Library中了，但有時(shí)新機(jī)種中新增了一些組件，則必須將其記錄下來(lái)，事后評(píng)估是否有能力測(cè)試.若沒(méi)去注意這些組件，將來(lái)之測(cè)試程試將會(huì)漏失這些組件之測(cè)試.2.研讀ICdatasheet并撰寫(xiě)Library若有新的組件加入而Library中沒(méi)有，則必須盡量發(fā)展Library去測(cè)試.故必須先取得該組件之datasheet（可從網(wǎng)絡(luò)上，或RD獲得）,之后根據(jù)此datasheet去撰寫(xiě)Library（如何撰寫(xiě)Library,不在本手冊(cè)圍，請(qǐng)自行看MANUAL練習(xí)，此部份亦為學(xué)習(xí)ICT之重點(diǎn)）.如果因難度較高，暫時(shí)無(wú)法寫(xiě)出，可日后再研究

5、或看廠商那有無(wú)現(xiàn)成之Library,但不管如何，親自撰寫(xiě)Library是提升自己實(shí)力之好方法,盡量不要靠廠商，若不得以須廠商之協(xié)助，亦要去了解才能完全掌握測(cè)試.3訂定治具制作規(guī)格治具規(guī)格應(yīng)有下列幾項(xiàng):1）POWER2）待測(cè)板擺放方向3）用OPENXPRESS測(cè)試之待測(cè)IC及CONNECTOR4）其他之特殊植針及應(yīng)用4與治具廠商洽談將先前擬妥之規(guī)格表帶去與廠商洽談,一般來(lái)說(shuō),若無(wú)特殊規(guī)格,加上先前已先準(zhǔn)備好規(guī)格表,故洽談之速度會(huì)很快二.程序發(fā)展1處理CKTF訂e1）從廠商獲得CKTF訂e程序發(fā)展之第一步為獲得CKT,此File為廠商分析我們所給予之CADFile后所產(chǎn)生出來(lái)之檔案，而此檔案須做進(jìn)

6、一步之處理，才可得到一完整之檔案（為能提前一點(diǎn)時(shí)間交貨,我們準(zhǔn)許廠商對(duì)此File不須做任何修正，如Value,Type,etc,只要格式正確，組件不漏失即可，而其大部份之修正則由自行發(fā)展之軟件執(zhí)行之，如下所述:2）利用自動(dòng)修正程序自動(dòng)修改原始CKTF訂e自動(dòng)修正程序ict.exe介紹如下：a）目的：為減少各Project重復(fù)性人工處理，繁復(fù)性之人工編輯動(dòng)作，減低錯(cuò)誤并增快程序發(fā)展速度，特發(fā)展此程序，適用于Genrad及泰瑞達(dá)格式b）使用：執(zhí)行后,會(huì)要求輸入三個(gè)檔及一個(gè)輸出文件（若不輸入路徑,則路徑會(huì)default此程序所在之路徑）.第一個(gè)輸入檔（必要）：為待處理之CKT檔，即前述廠商給予之檔案

7、.第二個(gè)輸入檔（必要）：BOM文件，程序主要根據(jù)此文件之信息去Modify先前之CKT檔，故此檔案非常重要，一定要正確且最新版.第三個(gè)輸入檔（Option）：為零件位置信息文件，描述各組件相對(duì)于待測(cè)板某點(diǎn)之坐標(biāo)，此程序可將其附加在CKT里，測(cè)試程序產(chǎn)生出來(lái)時(shí)，會(huì)包括此位置信息在所有組件中，以做為尋找零件位置之另一種選擇.輸出檔：經(jīng)此程序處理后，產(chǎn)生出之目的CKT檔c）功能：cT：自動(dòng)填入各組件之Value,Type等.c-2：自動(dòng)判斷0J或J之組件并修改之.c-3：檢察有無(wú)漏失之組件.c4：整理同Type組件在同一段，并加批注.c-5：其他請(qǐng)自行比較修正前后之差異.d）注意事項(xiàng)：此程序處理完畢

8、后，會(huì)產(chǎn)生一Log檔，里面敘述處理完畢后所應(yīng)注意之事項(xiàng)，由于無(wú)法得到完全之BOM格式，故每遇到一新定義時(shí)，可能Log文件所述之事項(xiàng)會(huì)有誤，如有些C（電容）定義為R,則可能記錄此電容漏失,諸如此情況為極少數(shù),若有發(fā)生,照Log檔所述,再人工Check那些組件即可，不用花多少時(shí)間.3）人工最后修正a）修改及Check上述log檔所述之容b）check非標(biāo)準(zhǔn)Type之組件之名稱是否與Library中名稱一致，如一3支腳之二極管，名稱為RB425D,因標(biāo)準(zhǔn)二極管為2支腳，故標(biāo)準(zhǔn)Library無(wú)此組件，所以必須發(fā)展一Library給此組件，并將其命名為RB425D.其它如晶體管，IC等亦是如此.以下將說(shuō)

9、明如何修改及check:b-1）進(jìn)入genrad軟件中之LIBRARYPAGE中,選LIST將ACL及DTL之目錄顯示出來(lái)，以作為判斷該組件有無(wú)library及名稱為何.b-2）比對(duì)CKT中之組件（通常為排阻，二極管，晶體管，IC等，當(dāng)然還有其它，應(yīng)說(shuō)只要是自行定義之名稱，都適用）與上述目錄之組件名稱.b-3）如發(fā)現(xiàn)CKT中有名稱與Library不一樣（可能差一，兩個(gè)字），則修改CKT中之名稱，或在Library中再定義一alias與CKT中名稱一樣亦可，若根本無(wú)此組件之Library,則如屬digital測(cè)試方法方面，則將其名稱改為C0NNXXX，其中XXX為該組件之PIN數(shù)，但此CONNX

10、XX在DTL中亦必須有定義，改為CONNXXX是讓NailAssignment時(shí)能先把各PIN之Nail散開(kāi)來(lái)，以預(yù)留日后測(cè)試之準(zhǔn)備.若屬Analog測(cè)試方法方面，則保留原名稱，因analog測(cè)試方法無(wú)nailassign之限制.b-4）以上CKT之名稱，Type已大部份matchLibrary之名稱，做多了，大概就知道那些須修正，那些不須修正了.c）將CONNECTOR之Type修改為UKXXX,其中XXX為PIN數(shù)，經(jīng)過(guò)自動(dòng)修正程序產(chǎn)生出之CKT文件，有將此信息填入，但因BOM中顯示此PIN數(shù)之格式及位置有些不定，故會(huì)有一些有問(wèn)題，加上一些CONNECTOR在其各PIN之NODENAMEL

11、IST中，最后常會(huì)加2pinGND,使其pin數(shù)不一致，而這些PIN數(shù)不一致會(huì)導(dǎo)至后面程序產(chǎn)生程序時(shí)有error產(chǎn)生，故須在這里就要check并解決，否則到后面還是須修正.d）四支PIN之單電感須將其后兩PIN（通常為GND）去掉，雙電感則須將其拆為2電感表示，或另外定義Library.e）100奧姆以下電阻，用6線測(cè)試，須加SIXR參數(shù).f）從電路圖中找出極性電容，并將CKT中相關(guān)電容之TypeC改為CP1.g）刪除一些無(wú)關(guān)緊要且定義不全之Type.4）用Filter.exe做電容并聯(lián)處理CKT中之電容很多都是并聯(lián)電容，若不事先加以處理，則在程序產(chǎn)生后須花更多時(shí)間處理,以避免重復(fù)測(cè)試.Gen

12、rad提供一軟件filter.exe專為處理此問(wèn)題，執(zhí)行此程序后，選1,之后輸入欲處理之CKT，如無(wú)問(wèn)題則產(chǎn)生一新CKT（原檔名.fil）及一記錄各并聯(lián)電容信息文件ATX.fil.P.S.輸入之CKT中Value區(qū)段之Keyword要為"VALUE；",不可加入其它字，否則程序會(huì)無(wú)法處理.若此程序正常處理，則有一符號(hào)"|"會(huì)不停轉(zhuǎn)動(dòng)，結(jié)束后自動(dòng)跳出，若"|"靜止不動(dòng)，則表不正常.5）結(jié)論:經(jīng)過(guò)上述之CKT修正后，相信已得到一完整漂亮（說(shuō)的技術(shù)一點(diǎn)就是在自己控制之下）之CKT了,程序發(fā)展花最多時(shí)間,也是最緊迫時(shí)候（因關(guān)系到給治具廠繞線檔

13、之時(shí)間）已過(guò)去了，往后之程序產(chǎn)生就簡(jiǎn)單多了.P.S.以上CKT修正，若有覺(jué)得須再修改地方，可于nailassign后,尚未以Target模式再產(chǎn)生CKT時(shí),再修改亦可，因此時(shí)產(chǎn)生之測(cè)試程序才是真正需要的.2程序產(chǎn)生步驟此部份為Genrad軟件之程序產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)程序，在此只做概要敘述，詳細(xì)請(qǐng)參閱GR228XTestProgramGenerationManual.1）進(jìn)入ATGPAGEa）首先設(shè)定CircuitprepareYES,IDDprepareYES,CrossreferenceYES,ACLusrYACL=（填入路徑及文件名），DTLusrYDTL=（填入路徑及文件名），其余選No.b）按R

14、UN后，會(huì)開(kāi)始第一階段之程序產(chǎn)生步驟，如有問(wèn)題，則參閱產(chǎn)生之.err檔，當(dāng)中會(huì)指出CKT錯(cuò)誤之地方，修改完畢后重新RUN,一直到無(wú)error為止.c）進(jìn)入POWERPAGE，依據(jù)之前（第一部份，程序發(fā)展準(zhǔn)備）分析之POWER規(guī)格輸入，會(huì)得到一ATX檔及.fwi檔（此檔為POWER繞線檔,給廠商之繞線檔之一）.d）將欲加入各BURST之Digitalstatement,加在ATX檔中，如Digital測(cè)試時(shí)最好將系統(tǒng)之ClockDisable,此時(shí)可將此disable敘述加入.e）選Analogtestgen.YES,Digitaltestgen.YES,MergetestprogramsYES

15、，Test_Xpresstestgen.YES，NailstateTEMPORARY,ATLusrYATL=（填入路徑及文件名），DTLusrYDTL=（填入路徑及文件名），ContacttestYES,ATOusrYATX=，其余選No.f）按RUN后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間會(huì)產(chǎn)生出.tpx文件，此時(shí)測(cè)試程序雛型已出來(lái)了.2）進(jìn)入NAILASSIGNMENTPAGE此PAGE會(huì)要求輸入.DPI檔（此檔為產(chǎn)生OPENXPRESS繞線檔.DPR之依據(jù)），請(qǐng)自行建立此檔，OPENXPRESS般都是用OFM/B,如用兩片，則DPI容最少須輸入兩個(gè)，如U5191;U3633;如用一片，則只須輸入一個(gè)待測(cè)組件，如

16、U5191;其中U519,U36各為待測(cè)組件之一，1則代表第一片OFM/B之啟始CHANNEL,33則代表第二片OFM/B之啟始，這樣才能讓NAILASSIGNMENT軟件知到須用到幾片OFM/B，而產(chǎn)生出相對(duì)應(yīng)之.DPR檔.其它就無(wú)特殊之處，依一般設(shè)定各項(xiàng)參數(shù)后，按RUN,如無(wú)error則會(huì)產(chǎn)生一些繞線信息，其中廠商制作治具須要之檔案為.nar及.dpr檔.至此已告一段落，須給廠商制作治具之檔案有三:.fwi.nar.dpr將上述檔案給廠商后，廠商就可制作治具，在等待廠商交治具給我們這段期間，不是我們就沒(méi)事做了，請(qǐng)看以下敘述.3）再進(jìn)入ATGPAGENailassign后，原.tpx會(huì)被修改

17、成為.tpg，這已經(jīng)可說(shuō)是測(cè)試程序了，不過(guò)還是要再跑一次完整ATG,因Nailassign后產(chǎn)生之.tpg雖nailnumber已改為nailassign后之nail,但其批注之nailnumber則未改，且格式亦較不整齊，故須再RUN一次，此時(shí)則將上述合起來(lái)一起做，不一樣地方為Nailstate須選TARGET.如此產(chǎn)生出之.tpg才是真正之測(cè)試程序，但此程序還是須經(jīng)過(guò)如下之修正.3修正產(chǎn)生出來(lái)之tpg測(cè)試程序由于Genrad程序產(chǎn)生軟件，目前并不是很成熟（以后新版應(yīng)會(huì)改進(jìn),果真如此，此部份工作就可減輕了），故產(chǎn)生出之程序在很多地方須人工修正，加上一些須人工加入之測(cè)試項(xiàng)目或一些程序產(chǎn)生雖正確

18、，但為配合目前此MODEL之應(yīng)用而須做之修正，須修改之地方很多，若此時(shí)不做,而留到Debug時(shí)再做，則須花更多時(shí)間解決，影響上線測(cè)試時(shí)間，故一個(gè)觀念是，能在OFF-LINE時(shí)分析并處理之動(dòng)作，一定要先做，不要留到Debug時(shí)做,此部份通常亦須花較多時(shí)間處理，但時(shí)間絕對(duì)足夠，因治具制作這段期間皆可利用（約1014天），做得越徹底,Debug時(shí)花的時(shí)間越短，通常只要治具沒(méi)什么問(wèn)題，一天程序Debug應(yīng)可完成，否則就是0FF-LINE時(shí)做得不夠.以下將敘述該修改并注意之地方:1）刪除一些空白過(guò)多之部份及一些無(wú)關(guān)緊要之批注（如在電容測(cè)試Statement上常有"/*THISFORMATTES

19、TWILLEXECUTEWITHOUTNEEDING*TOHAVETHEBRANCHSTATEMENTSREMOVED*/"）,使程序架構(gòu)看起來(lái)較整齊,不會(huì)太亂.2）修改R,C之測(cè)試所給之Stim電壓:通常是200mv,但產(chǎn)生出來(lái)之程序有一些為IV,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)必須將其改回200mv測(cè)試才會(huì)穩(wěn)定.3）CheckR,C之DLY,RDLY參數(shù)：常會(huì)有一些此參數(shù)高達(dá)500M,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，這些大部份都必須修改,建議為若看到10M以上之參數(shù)，一律改為1M,等上線Debug時(shí)再依實(shí)際狀況調(diào)整參數(shù)值，以降低測(cè)試時(shí)間.4）將Guard全部拿掉：等上線Debug時(shí)再依實(shí)際狀況加Guarding.P.S.觀念

20、：可不加Guard而能通過(guò)測(cè)試，則盡量不須加Guard.5）修改電容測(cè)試TYPE:電容值1U（不含）以下，用CPType測(cè)試，1U（含）以上用CSType測(cè)試，產(chǎn)生出來(lái)之程序很多都不是如此，要更正.6）Check極性電容測(cè)試端點(diǎn)：正端應(yīng)在CHA,負(fù)端在CHB7）Check極性電容之BIAS參數(shù)：其測(cè)試Statement應(yīng)有BIAS=300M之參數(shù)，如無(wú)或BIAS=-300M,則須更正之，另外不是極性電容之Statement若有BIAS=300M之參數(shù)，則須去掉.8）刪除1U（不含）以下之電容放電程序：程序產(chǎn)生時(shí)，只要是0.1U以上之電容均會(huì)產(chǎn)生放電程序，以M/B來(lái)說(shuō)將高達(dá)100個(gè)左右，以執(zhí)行測(cè)

21、試時(shí)前后各執(zhí)行放電程序一次，時(shí)間約8秒，這是無(wú)法接受的,因此必須精減,其做法如下:a）打開(kāi).rpt文件，里面記載各組件產(chǎn)生測(cè)試程序之?dāng)⑹?，其中一開(kāi)始就敘述著產(chǎn)生放電測(cè)試之電容信息.b）將Value值在1U（不含）以下之電容之Nailnumber記錄下來(lái).c）search.tpg檔案之"SU_",使其到放電程序之開(kāi)頭.d）依序search之前記錄下來(lái)之nailnumber,并將該放電statement區(qū)段刪掉.e）完成.9）插入并聯(lián)電容信息：將先前filter產(chǎn)生出之ATX.fil插入至.tpg電容區(qū)段之最上方,以利日后查詢并聯(lián)電容信息.10）插入testab訂ity信息：用

22、report.exe處理廠商給之testability,產(chǎn)生出一新檔，對(duì)照CKT檔找出相對(duì)應(yīng)Nodename之Nailnumber（測(cè)試程序之number）,并將此Nailnumber置換原其之number（FabMaster或其它所編之number）.11）將上述檔案插入至.tpg之最上方，以便日后查詢.12）DisableNOTP之組件:根據(jù)上述之testability檔案，預(yù)先disable不能測(cè)試之組件及去掉NOTP及UNUSE之nailnumberCONTACT測(cè)試.13）分析間接并聯(lián)電容:用GRDBG進(jìn)入模擬之測(cè)試MODE,執(zhí)行每一電容測(cè)試時(shí)，用NA或SUR觀察該電容有無(wú)透過(guò)電感或

23、小電阻成并聯(lián)狀態(tài),若有則記錄下來(lái).完畢后,將各組之并聯(lián)電容選一個(gè)較大值測(cè)試，其余則Disable,并將上述之并聯(lián)信息加入ATX.fil之最后.此部份須花較多時(shí)間及人力，須有耐心，不做或不確實(shí)，上線Debug時(shí)還是要做且debug時(shí)間會(huì)加長(zhǎng).14）人工加入敘述:加入一些無(wú)Library但用人工加入較方便之測(cè)試敘述，如量測(cè)輸出電壓（如DCtoDC之IC）等.15）經(jīng)驗(yàn)修正:根據(jù)自己經(jīng)驗(yàn)，對(duì)產(chǎn)生之Digital測(cè)試做一些修正.16）其它：以上為列舉一些可在OFF-LINE時(shí)修正之一些項(xiàng)目，可能無(wú)法包括全部，除了上面項(xiàng)目之外，隨各人經(jīng)驗(yàn)不同，應(yīng)會(huì)再增加或減少，可視情況修正之.17）進(jìn)入模擬測(cè)試MODE

24、:以上之一些動(dòng)作，須進(jìn)入測(cè)試O.S.之TEST或DEBUGMODE中，但因?yàn)镺FF-LINE，無(wú)法實(shí)際進(jìn)入,但其有提供一模擬ON-LINE環(huán)境，其進(jìn)入步驟如下：*輸入GRDBG* Simulator選YES,CLIENT_1=空白，CLIENT_6=%gr228dir%exertssim*按RUN即可進(jìn)入模擬MODE18）退出模擬測(cè)試MODE:* 回到DIAGNOSTICPAGE*輸入NOGRDBG后，按enter即退出模擬測(cè)試MODE以上一，二項(xiàng)為OFF-LINE分析處理之階段，做得好，往后Debug及維護(hù)就輕松，反之則反，依我的看法，此兩階段占一Project之80%完成度.程序及治具De

25、bug做完OFF-LINE之工作后，等到治具到來(lái)，就可開(kāi)始實(shí)際驗(yàn)證程序之正確性及最后修正之工作，此時(shí)亦可驗(yàn)證當(dāng)治具沒(méi)問(wèn)題時(shí)，如OFF-LINE之工作做得好，其實(shí)程序只須做少許修正（較花時(shí)間為在小電容值之調(diào)整）.以下將敘述一些debug之順序及可能遭遇到之一些狀況.1.debug順序：debug通常是依程序測(cè)試之順序，contact->short>analog組件一>power一>digital組件來(lái)進(jìn)行，但OPENXPRESS根據(jù)個(gè)人習(xí)慣是放至最后才DEBUG.1）contact及short:此兩部份是用來(lái)確定治具繞線及針點(diǎn)之正確性，唯有先確定治具是沒(méi)問(wèn)題的，程序之de

26、bug才有意義，通常此兩部份須花較長(zhǎng)時(shí)間.此部份完成后通常已解決大部份之治具問(wèn)題.2）analog:包括R,RS,L，C,D,Q（通常放在digital測(cè)試）等，此部份為debug程序,偶爾會(huì)發(fā)現(xiàn)治具繞線問(wèn)題.3）power:此部份為確定power繞線及電壓之正確性，要確定無(wú)問(wèn)題,digital測(cè)試才能安全無(wú)慮.4）digital:包括IC,Q等，此部份為debug程序，偶爾會(huì)發(fā)現(xiàn)治具繞線問(wèn)題.5）0PENXPRESS:檢查繞線及LEARN值.2.debug技巧及經(jīng)驗(yàn)1）contact:a）出現(xiàn)contact之點(diǎn),如其連接之組件為connector,電容，此些點(diǎn)不適用contact測(cè)試，可從c

27、ontact之SNSlist中將這些點(diǎn)去除.b）有些點(diǎn)雖接至IC之有效pin,但仍可能有contact發(fā)生，此時(shí)先確定針點(diǎn)正確后，先記錄下來(lái)，若后面之該ICPASS,則表此點(diǎn)無(wú)問(wèn)題，可從contact之SNSlist中將這些點(diǎn)去除.c）較嚴(yán)僅之contact點(diǎn)確認(rèn)方法為，從組件腳接線出來(lái)findpin,或若可直接touch到組件腳亦可（此治具須為單面且上蓋開(kāi)放的）c）其余處理方式可參閱四.程序及治具維護(hù)中有關(guān)contact之部份.2）short:參閱四.程序及治具維護(hù)中有關(guān)short之部份.3）電阻R：測(cè)不準(zhǔn)或測(cè)不穩(wěn)時(shí)，可采如下方法：a）swapCHA，CHB.b）用NA或SUR查看CHB之n

28、ail所連接之零件，如有接至75奧姆以上之電阻，電容，二極管等，可GUARD其另一端，通常為電阻優(yōu)先,其次電容，二極管很少做此動(dòng)作，只要其中一個(gè)成立即可，不須全都GUARD，但有時(shí)須同時(shí)GUARD幾點(diǎn)，但占少數(shù)，須視狀況而定.如所連接之組件為低電阻值或電感，則不能直接GUARD，須繼續(xù)連串找下去，直到無(wú)組件可GUARD或如上述可GUARD之組件Node.c）若其兩端點(diǎn)有連接電容，可試著調(diào)整DLY或RDLY參數(shù)，先delay將電容充電后，再測(cè)試會(huì)得到較準(zhǔn)確之測(cè)試值.注意增加delay之時(shí)間,能越小越好，以能通過(guò)測(cè)試之最小delaytime為主，以免增加太多測(cè)試時(shí)間.d）若須要可調(diào)整HI,L0W值

29、以配合實(shí)際測(cè)試值（可以電表為主）.e）查看是否無(wú)測(cè)點(diǎn)，有可能OFF-LINE時(shí)沒(méi)有將其disable.f）都無(wú)效，查看針點(diǎn)編號(hào)是否正確,及此零件是否正確mount在待測(cè)板上.4）電容C:測(cè)不準(zhǔn)或測(cè)不穩(wěn)時(shí)，可采如下方法a）加GUARD，原則同電阻.b）查看是否為并聯(lián)電容，因可能在OFF-LINE時(shí)，沒(méi)注意到.c）通常P值之小電容,都須視其實(shí)際測(cè)到之值調(diào)整HI,LOW值.d）調(diào)F（頻率）參數(shù)，通常P級(jí)用10K,N級(jí)用1K,口級(jí)用100,可視情況調(diào)整之.e）查看是否無(wú)測(cè)點(diǎn)，有可能OFF-LINE時(shí)沒(méi)有將其disable.f）都無(wú)效，查看針點(diǎn)編號(hào)是否正確,及此零件是否正確mount在待測(cè)板上.5）二極

30、管:a）如測(cè)到值為2.045V,則可能為CHA,CHB相反，互換nailnumber看看.b）如測(cè)到值太低或太高，調(diào)整其HI,LOW值c）查看是否無(wú)測(cè)點(diǎn)，有可能OFF-LINE時(shí)沒(méi)有將其disable.d）都無(wú)效，查看針點(diǎn)編號(hào)是否正確,及此零件是否正確mount在待測(cè)板上.二極管Debug較單純，通常只有上述狀況.6）power:若fail,參照以下可能情況：a）通常powersense線不在INTERFACE處連接，而在POWERISLAND處連接，因如此可避免高電流時(shí)漏失過(guò)多電壓，導(dǎo)致fail,可check此部份是否連接正確.b）對(duì)照.fwi檔，檢視power接線是否正確.c）檢視欲量測(cè)之

31、power點(diǎn)是否正確繞至正確之nail.7）digital：a）常用語(yǔ)法：*LVLA（B）（naillist）：設(shè)定在digital測(cè)試時(shí)會(huì)用到之nail,如測(cè)試statement中有用到此naillist中沒(méi)有之nail,執(zhí)行translate時(shí)會(huì)有error發(fā)生.* VIHA(B):設(shè)定輸入測(cè)試之HI電壓值，如VIHA=5,即設(shè)定輸入電壓為5V.* VILA(B):設(shè)定輸入測(cè)試之LOW電壓值，如VILA=0.1,即設(shè)定輸入電壓為0.1V.* VOHA(B):設(shè)定輸出電壓之HILEVEL,如V0HA=2.4,表若sense到之電壓=2.4V,則視為HI.* VOLA(B):設(shè)定輸出電壓之LO

32、WLEVEL，如V0LA=0.8，表示若量測(cè)到之電壓=0.8V,則視為L(zhǎng)OW.* IC:INPUTCONNECT,欲DRIVE某點(diǎn)電壓時(shí)，須先執(zhí)行此STATEMENT,使系統(tǒng)DRIVE電路與治具接觸之INTERFACE該點(diǎn)連接起來(lái).* ID:DRIVE電壓完畢后，須執(zhí)行此STATEMENT，以切斷系統(tǒng)DRIVE電路與治具接觸之該點(diǎn)INTERFACE.* IH:設(shè)定機(jī)臺(tái)DRIVE之HI電壓值為VIHA(B)之設(shè)定.* IL:設(shè)定機(jī)臺(tái)DRIVE之LOW電壓值為VILA(B)之設(shè)定.* OH:若sense到之HI電壓值超過(guò)VOHA(B)之設(shè)定，則PASS，否則FAIL.* OL:若sense到之LO

33、W電壓值低于VOLA(B)之設(shè)定，則PASS,否則FAIL.* OI:sense完畢后，須執(zhí)行此statement,以切斷系統(tǒng)SENSE電路與治具接觸之該點(diǎn)INTERFACE.* $PU:系統(tǒng)會(huì)從該點(diǎn)加一PULLHIGH之2.2K電阻至VIHA(B)之設(shè)定電壓.* $PD:系統(tǒng)會(huì)從該點(diǎn)加一PULLLOW之3.3K電阻至VILA(B)之設(shè)定電壓.* $PN:切斷PU或PD之連接.* FLOOP二COUNT.ENDFLOOP:用在FASTSECTION,用來(lái)DELAY時(shí)間用.* LOOP=COUNT.ENDLOOP:用在耳甲ASTSECTION,用來(lái)DELAY時(shí)間用.以上為DEBUG時(shí)，常用到之S

34、TATEMENT,其他較少用到，但若在寫(xiě)LIBRARY時(shí)就會(huì)用到其他，請(qǐng)參考TESTLANGUAGEMANUAL.b) 常用指令：* UNT:于debugmode時(shí)，若測(cè)到digitalICfail時(shí)，會(huì)show出圖形，而此指令可將其切至文字statement中，此時(shí)若再按enter,可使其再回至圖形中.* DISPLAY:圖形或文字?jǐn)⑹龆际且訬AILNUMBER表示該NODE，但有時(shí)須以NODENAME表示較清楚，則可以此指令來(lái)切換.* ADD:插入一STATEMENT于現(xiàn)有STATEMENT中，例如欲插入一空敘述于第8行上,則須輸入8ADD;,其中"8"表欲插于第8行上

35、，"ADD"為指令，而"；"表空STATEMENT.* REM:回復(fù)到原先未改之狀態(tài).*上面所述一些常用STATEMENT，亦可用來(lái)當(dāng)指令修改用.*凡欲修改任何STATEMENT,都須加入該STATEMENT之行號(hào).*于DEBUGMODE中，輸入BE(GIN)LABEL可用來(lái)設(shè)定測(cè)試到此LABEL時(shí)，根據(jù)設(shè)定ALL或FAIL時(shí)停下來(lái).輸入DEB(UG)F(AIL)或A(LL),可設(shè)定如上所述之情況.*于DEBUGMODE中，輸入TEST可切換至TESTMODE中，而于TESTMODE中，輸入DEBUG可切換至TESTMODE中.c)遇到FAIL時(shí)，可能之

36、原因：*先確定針點(diǎn)無(wú)問(wèn)題(包括偏移，卡針,是否為DIP腳，有無(wú)FLUX等).* CHECK相關(guān)之點(diǎn)，有無(wú)測(cè)試點(diǎn).*周圍相連之IC有無(wú)DISABLE.*通常須DISABLE待測(cè)板之頻率產(chǎn)生IC.*控制該IC動(dòng)作與否之PIN是否處于讓IC能動(dòng)作之狀態(tài)，通常有這些PIN之IC,在測(cè)試敘述中,都要加以控制,因這一片可能PASS,但下一片不一定PASS,故此點(diǎn)若不注意，日后將會(huì)測(cè)試不穩(wěn).*有時(shí)因無(wú)法完全DISABLE周圍IC,有時(shí)待測(cè)IC輸出之電壓位準(zhǔn)會(huì)受些微影響，此時(shí)可下VOHA,VOLA指令敘述調(diào)整其SENSEHI,LOW準(zhǔn)位，以配合實(shí)際輸出電壓，但不可調(diào)整太過(guò)，通常以1.6V為界線.*有時(shí)DRIV

37、E之電壓，無(wú)法使IC動(dòng)作，此時(shí)可輸入VIHA,VILA指令敘述調(diào)整之，而受影響之NAIL只限于此BURST中.*若輸出PIN有接一100K以上之電阻至VCC,則OS此點(diǎn)時(shí)，因其亦有阻抗（大小不知，應(yīng)為數(shù)百K左右），會(huì)形成分壓效應(yīng)，而使其SENSE電壓減低而FAIL,此時(shí)可于此點(diǎn)加一敘述，$PU（該點(diǎn)NUMBER）而解決此問(wèn)題（WHY，原理自己想想），PU為加一PULLHIGH電阻2.2K至VIHA設(shè)定之電壓.*若輸出PIN有連接電容，則SENSE此點(diǎn)時(shí)，須加LOOP以DELAY一段時(shí)間后再SENSE，否則經(jīng)常會(huì)FAIL，若有此情況，可試著用此方法解決.*通常在測(cè)試用來(lái)做SWITCH電壓之晶體管

38、時(shí)，因輸出PIN通常接較大之電容，加LOOP有時(shí)無(wú)法解決，此時(shí)須再加入$PD（該點(diǎn)NUMBER）以解決問(wèn)題.*有時(shí)在DRIVE時(shí)，因此點(diǎn)有接至電容,造成電壓上升緩慢,此時(shí)須在一些尚無(wú)法上升到該準(zhǔn)位之STATEMENT前加$符號(hào)，表示忽略此錯(cuò)誤，使得測(cè)試可以通過(guò).*遇到?jīng)]測(cè)試點(diǎn)之狀況，有時(shí)可配合其它IC一起測(cè)試或利用其它測(cè)點(diǎn)，須看實(shí)際情況分析決定.*遇到上面方法都無(wú)法解決之問(wèn)題，先將其DISABLE，待有空時(shí)再分析,這些將是提升自己實(shí)力之好機(jī)會(huì),記得一定要再回頭解決.以上已盡量將個(gè)人對(duì)DIGITAL經(jīng)驗(yàn)敘述如上，或有漏失及未盡詳細(xì)之處，則有靠自己努力發(fā)掘.DIGITAL測(cè)試不是語(yǔ)法操作熟就可以，

39、最主要還是要有線路分析之能力，而此部份就不是此手冊(cè)所能提供的，而是要靠個(gè)人平時(shí)之努力，了解越多，就能將DIGITAL之測(cè)試發(fā)展的越好，實(shí)力之差別，就在于此，語(yǔ)法及操作，反而是其次了.8）OPENXPRESS:a）之前于nailassignment時(shí)，曾于.dpi檔中填入一,兩個(gè)待測(cè)組件，而產(chǎn)生之.dpr中亦會(huì)包含此組件，當(dāng)初是為了產(chǎn)生.dpr繞線檔而隨便給予其channel,現(xiàn)在則須視治具制作時(shí)指定之channel,填入.dpr檔中.以0FM/B來(lái)說(shuō)，一片共32組，每組2線，正端為訊號(hào)線，負(fù)端為地線.第一組正端編號(hào)為1，第二組編號(hào)為3，以此類推，在.dpr中J3Position中須填入的就是該

40、待測(cè)組件之正端編號(hào).b）進(jìn)入debugmode后，輸入POD，進(jìn)入PODEBUG中，再輸入LOCPRO,用探棒接觸每一待測(cè)組件之正端，看屏幕是否有出現(xiàn)400mv之電壓,若全部待測(cè)體均無(wú)出現(xiàn)400mv,則表示OFM/B到INTERFACE之接線有問(wèn)題，此時(shí)須對(duì)照.dpr文件之繞線信息來(lái)check.若有一些待測(cè)體電壓只有數(shù)十mv,則表示從sensorplate至OFM/B之channel有問(wèn)題，須檢查看是sensorplate,接線，或OFM/Bchannel之問(wèn)題,通常為sensorplate及接線問(wèn)題.c）通常噪聲電壓在2mv以下，超過(guò)此電壓，須檢視一下其制作質(zhì)量，盡量將其噪聲電壓降至2mv以

41、下，以求測(cè)試之穩(wěn)定.d）當(dāng)以上均無(wú)問(wèn)題時(shí)，可下POL去learn測(cè)試值，有關(guān)POL之用法及相關(guān)參數(shù)，請(qǐng)自行參閱OPENXPRESSMANUAL.e）通常須Learn多片，多次（通常為15次以上），軟件自動(dòng)會(huì)將其平均起來(lái)，這樣測(cè)試時(shí)會(huì)較穩(wěn).f）learn完后，請(qǐng)下DHALL，將HI之比較值disable，因常誤判，所以必須disable,以求量產(chǎn)測(cè)試之穩(wěn)定.g）經(jīng)如上步驟后，已算完成，等量產(chǎn)上線后，根據(jù)實(shí)測(cè)狀況再微調(diào).四.程序，治具及測(cè)試機(jī)臺(tái)之維護(hù)一開(kāi)始將先說(shuō)明一些常用之維修操作說(shuō)明，之后再提出一些在維護(hù)上可能遭遇之問(wèn)題，并提供因應(yīng)之道.1程序及治具維護(hù)操作1）找板子測(cè)試點(diǎn)位置:從對(duì)照表中，找到

42、該nailnumber，并找到其在點(diǎn)圖中所在區(qū)域之標(biāo)示，然后從點(diǎn)圖中找到該點(diǎn)并對(duì)照PCB找到該點(diǎn)位置.2）找治具上之針點(diǎn)：同上，必要時(shí)配合LOC指令確定此點(diǎn).3）LOC:在TEST或DEBUG符號(hào)提示下，輸入LOC，可進(jìn)入找PIN之功能，此時(shí)用探棒接觸治具上之針點(diǎn)，可在屏幕上顯示出該pin之number，按CTRL+C回到之前畫(huà)面.4）改變fa訂message之輸出：在TEST或DEBUG符號(hào)提示下，輸入MES,則代表會(huì)從打印機(jī)輸出，若輸入MEC,則代表會(huì)從屏幕輸出.5）NA指令:找測(cè)試點(diǎn)所連接之組件及INTERFACE之編號(hào)時(shí)常用之指令.6）清除打印機(jī)中過(guò)多之failmessage：首先關(guān)掉

43、打印機(jī)，然后從菜單中之VIEW,選擇toolbar,然后再?gòu)膖oolbar中按下第一項(xiàng)有打印機(jī)之icon,之后會(huì)顯示出一交談窗口,約幾秒后按下OK,然后再依reset打印機(jī)方法清除數(shù)據(jù)即可.7）disable:若因某情況須暫時(shí)不測(cè)某組件,則須將該組件之測(cè)試statementmark起來(lái)，其作法為/*.*/8）程序修改方法:開(kāi)啟.tpgsearch欲修改之組件，然后直接修改須修改之參數(shù).9）修改后存盤:對(duì).tpg檔做任何之動(dòng)作，都須進(jìn)行存盤之動(dòng)作后,然后進(jìn)入TRANSLATEPAGE執(zhí)行編譯之動(dòng)作，此時(shí)修改之動(dòng)作，才會(huì)反應(yīng)至測(cè)試中.2機(jī)臺(tái)維護(hù)操作1）執(zhí)行SETUPPAGE功能：當(dāng)須查看或建立機(jī)臺(tái)

44、硬件信息文件時(shí),可執(zhí)行此功能,以獲得所須之訊息，詳細(xì)操作使用，請(qǐng)參考GR228XTestProgramGenerationManual之Setuputility章節(jié).2）執(zhí)行SYS-TESTPAGE功能：a）執(zhí)行時(shí)機(jī)：* 懷疑機(jī)臺(tái)有問(wèn)題或機(jī)臺(tái)故障時(shí).* 做校正時(shí).* 定期檢驗(yàn)時(shí).以上校正及定期檢驗(yàn)通常是同時(shí)做.b）故障時(shí)執(zhí)行重點(diǎn)說(shuō)明：*若故障情形較復(fù)雜嚴(yán)重，須執(zhí)行全功能之diagnostic,以獲得可能造成故障之地方,以便將此信息給廠商,減低修復(fù)時(shí)間.* 若故障情形較輕,且已知大概問(wèn)題之所在,可直接執(zhí)行該項(xiàng)之diagnostic功能，若show出之故障為relay壞掉，可自行換之，但若較嚴(yán)重或

45、無(wú)法判定者,須聯(lián)絡(luò)廠商更換.*通常是先用standard去執(zhí)行，但若須得到更詳盡之故障信息，如那一顆relay壞掉，則須用diagnosticmode,其進(jìn)入須密碼，密碼為GR_DIAM0N.c）校正及定期檢驗(yàn)：*此部份若有與廠商簽維修合約，則由廠商做，如無(wú)，則須由自己做*先執(zhí)行全功能之DIAGNOSTIC，無(wú)問(wèn)題后可執(zhí)行此PAGE中之CALIBRATE.以上之詳細(xì)操作請(qǐng)參閱MANUAL.3問(wèn)題解析：1）單點(diǎn)或數(shù)點(diǎn)contact問(wèn)題:此問(wèn)題為反應(yīng)治具針點(diǎn)與待測(cè)板接觸不好,遇此問(wèn)題,可能原因?qū)⑹鋈缦?可根據(jù)這些原因,找出問(wèn)題所在,并進(jìn)而解決問(wèn)題.a）FLUX問(wèn)題：在待測(cè)板找出該點(diǎn)，用目視檢查該

46、TP是否有FLUX或太臟,因這些東西會(huì)影響接觸阻抗.b）確定此針點(diǎn)是否有訊號(hào)：此部份共分三段，分述如下：* 繞線部份：執(zhí)行LOC功能，用探棒直接接觸治具上之針點(diǎn)，如屏幕上出現(xiàn)該點(diǎn)編號(hào)，則無(wú)問(wèn)題，如沒(méi)出現(xiàn)，則須繼續(xù)下列步驟.*治具與測(cè)試機(jī)臺(tái)接觸部份:用NA指令得到該點(diǎn)在INTERFACE上之位置，再用探棒接觸該點(diǎn)，如屏幕上出現(xiàn)該點(diǎn)編號(hào)，則表示為繞線問(wèn)題，須檢查該點(diǎn)繞線是否有松脫，如屏幕上無(wú)顯現(xiàn)，則須繼續(xù)下列步驟.* 測(cè)試機(jī)臺(tái)部份：將治具拿下，用探棒接觸機(jī)臺(tái)上該點(diǎn)位置，如屏幕上出現(xiàn)該點(diǎn)編號(hào)，則表示問(wèn)題出在治具與測(cè)試機(jī)臺(tái)接觸部份，將治具與測(cè)試機(jī)臺(tái)上下吸入多次，或檢查是否有異物堵住，應(yīng)可解決，如無(wú)出現(xiàn)，則為機(jī)臺(tái)問(wèn)題，此時(shí)先將機(jī)臺(tái)關(guān)機(jī)，然后將此點(diǎn)所屬之PIN/B拔出后再插入，通?？山鉀Q（參閱上述2.機(jī)臺(tái)維護(hù)操作）.