新課標(biāo)高考化學(xué)(物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)部分)全國卷試題分析及備考策略.

1、2017新課標(biāo)高考全國I卷化學(xué)化學(xué)二輪復(fù)習(xí)二輪復(fù)習(xí)備考策略備考策略（物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）佛山市南海區(qū)石門中學(xué)佛山市南海區(qū)石門中學(xué) 張平張平廣東省高考年報(bào)數(shù)據(jù)（廣東省高考年報(bào)數(shù)據(jù)（20162016）題號(hào)題號(hào) 滿分值滿分值 總?cè)藬?shù)總?cè)藬?shù)平均平均分分標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)差差難度難度區(qū)分區(qū)分度度371548915.304.830.350.7238153462805.413.440.360.5020152015和和20162016年年I I卷得分及難度對比（湖北省數(shù)據(jù)）卷得分及難度對比（湖北省數(shù)據(jù)）選擇題選擇題必做題必做題選做題選做題2627(28)28(27)3637（結(jié)構(gòu)）（結(jié)構(gòu)）38（有機(jī)）（有機(jī)）

2、均分均分26.1(25.5)4.6(3.7)6.3(4.1)4.9 (4.6)3.0(1.1)6.8(6.8)5.6(7.0)難度難度系數(shù)系數(shù)0.62(0.61)0.33(0.27)0.42(0.27)0.35(0.33)0.2(0.07)0.45(0.45)0.37(0.47)II卷卷綜合綜合難度難度0.37（0.29）0.32(0.23）0.39(0.33)0.37(0.34)16年結(jié)構(gòu)題：選做人數(shù)年結(jié)構(gòu)題：選做人數(shù)82194人，選做率人，選做率43.6% 有機(jī)題：選做人數(shù)有機(jī)題：選做人數(shù)96556人，選做率人，選做率51.1%目錄目錄考綱研讀考綱研讀高考試題研究高考試題研究二輪復(fù)習(xí)策略二

3、輪復(fù)習(xí)策略Part1考 綱 研 讀原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)2017年考試大綱年考試大綱2016年考試大綱年考試大綱（1 1）了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀）了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、態(tài)、能級(jí)分布能級(jí)分布和和排布原理排布原理，能正確，能正確書寫書寫136136號(hào)元素號(hào)元素原子核外電子、價(jià)原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式電子的電子排布式和軌道表達(dá)式。和軌道表達(dá)式。（2 2）了解電離能的含義，并能用）了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。以說明元素的某些性質(zhì)。（3 3）了解電子）了解電子在原子軌道之間的在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。躍遷及其簡單應(yīng)用。（4 4）了解電負(fù)性的概念，）

4、了解電負(fù)性的概念，并能用并能用以說明元素的某些性質(zhì)。以說明元素的某些性質(zhì)。（1 1）了解原子核外電子的能級(jí)分）了解原子核外電子的能級(jí)分布，能用電子排布式表示常見元素布，能用電子排布式表示常見元素（136136號(hào)）原子核外電子號(hào)）原子核外電子、價(jià)電子、價(jià)電子的排布。了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)的排布。了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。狀態(tài)。（2 2）了解）了解元素元素電離能的含義，并電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。能用以說明元素的某些性質(zhì)。（3 3）了解原子核外電子在一定條）了解原子核外電子在一定條件下會(huì)發(fā)生躍遷，了解其簡單應(yīng)用。件下會(huì)發(fā)生躍遷，了解其簡單應(yīng)用。（4 4）了解電負(fù)性的概念，知道元）

5、了解電負(fù)性的概念，知道元素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系。素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系?；瘜W(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)2017年考試大綱年考試大綱2016年年考試大綱考試大綱（1 1）理解離子鍵的形成，能根據(jù)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)性質(zhì)（2 2）了解共價(jià)鍵的形成、）了解共價(jià)鍵的形成、極性、極性、類型（類型（ 鍵和鍵和 鍵），了解配鍵），了解配位鍵的含義位鍵的含義。（3 3）能用鍵能、鍵長、鍵角等說）能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。明簡單分子的某些性質(zhì)。（4 4）了解雜化軌道理論及簡單的）了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型（雜化軌

6、道類型（spsp、spsp2 2 、spsp3 3 ）。）。（5 5）能用價(jià)層電子對互斥理論或）能用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。子的空間結(jié)構(gòu)。（1 1）理解離子鍵的形成，能根據(jù)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)性質(zhì)（2 2）了解共價(jià)鍵的）了解共價(jià)鍵的主要類型主要類型 鍵鍵和和 鍵鍵，能用鍵能、鍵長、鍵角能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。等說明簡單分子的某些性質(zhì)。（3 3）了解簡單配位化合物的成鍵）了解簡單配位化合物的成鍵情況情況（4 4）了解雜化軌道理論及常見的）

7、了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型（雜化軌道類型（sp,spsp,sp2 2,sp,sp3 3）。（5 5）能用價(jià)層電子對互斥理論或能用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測常見的簡單分者雜化軌道理論推測常見的簡單分子或者離子的空間結(jié)構(gòu)。子或者離子的空間結(jié)構(gòu)。 分子間作用力與物質(zhì)性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)性質(zhì)2017年考試大綱年考試大綱2016年年考試大綱考試大綱（1 1）了解范德華力的含義了解范德華力的含義及對物及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。質(zhì)性質(zhì)的影響。（2 2）了解氫鍵的含義，能列舉存）了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對物并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。質(zhì)性質(zhì)的影響。

8、（4 4）了解化學(xué)鍵和分子間作用力）了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別。的區(qū)別。（5 5）了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)）了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響，能列舉含有氫鍵的物質(zhì)。的影響，能列舉含有氫鍵的物質(zhì)。晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2017年考試大綱年考試大綱2016年年考試大綱考試大綱（1 1）了解晶體的類型，了解不同類）了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。區(qū)別。（2 2）了解晶格能的概念，了解晶格了解晶格能的概念，了解晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響。能對離子晶體性質(zhì)的影響。（3 3）了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。系。

9、（4 4）了解原子晶體的特征，能描述）了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。與性質(zhì)的關(guān)系。（5 5）理解金屬鍵的含義，能用金屬）理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了了解金屬晶體常見的堆積方式解金屬晶體常見的堆積方式。（6 6）了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。（1 1）了解分子晶體與原子晶體、離）了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別

10、。間作用力的區(qū)別。（2 2）了解原子晶體的特征，能描述）了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。與性質(zhì)的關(guān)系。（3 3）理解金屬鍵的含義，能用金屬）理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。 核心內(nèi)容變化不大，修訂目的是體現(xiàn)素養(yǎng)要求，凸顯育人導(dǎo)向，與新課程標(biāo)準(zhǔn)理念銜接，突出“必備知識(shí)、關(guān)鍵能力、學(xué)科素養(yǎng)、核心價(jià)值”的層次與關(guān)系。 增加“晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”的內(nèi)容， 增加了解晶格能的概念，了解晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響； 了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。Part2高考

11、試題研究近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20112011年全國年全國卷卷3737題題基態(tài)原子的核外電子排布式基態(tài)原子的核外電子排布式B B20122012年全國年全國卷卷3737題題M M層電子排布式層電子排布式SeSe20132013年全國年全國卷卷3737題題電子占據(jù)的最高能層符號(hào)、軌道數(shù)、電子數(shù)電子占據(jù)的最高能層符號(hào)、軌道數(shù)、電子數(shù)SiSi20132013年全國年全國卷卷3737題題D D2+2+的價(jià)電子排布圖的價(jià)電子排布圖NiNi2+2+20142014年全國年全國卷卷3737題題電子排布式電子排布式FeFe3+3+20142014年全國年全國卷卷3737題題價(jià)電子排

12、布圖價(jià)電子排布圖( (軌道示意圖軌道示意圖)Cu)Cu20152015年全國年全國卷卷3737題題核外存在幾對自旋相反的電子核外存在幾對自旋相反的電子1414C C20152015年全國年全國卷卷3737題題核外電子排布式核外電子排布式PP20162016年全國年全國卷卷3737題題基態(tài)原子的價(jià)電子排布式基態(tài)原子的價(jià)電子排布式GeGe 未成對電子數(shù)未成對電子數(shù)20162016年全國年全國卷卷3737題題基態(tài)原子的電子排布式基態(tài)原子的電子排布式NiNi20162016年全國年全國卷卷3737題題基態(tài)原子的電子排布式基態(tài)原子的電子排布式AsAs原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)1.了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級(jí)

13、分布和了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級(jí)分布和排布原理排布原理，能正確書寫，能正確書寫136號(hào)元號(hào)元素素原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式和軌道表達(dá)式。和軌道表達(dá)式。2.了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20122012年全國年全國卷卷3737題題O O、S S、SeSe第一電離能比較第一電離能比較20132013年全國年全國卷卷3737題題F F、K K、FeFe、NiNi四種元素中第一電離能最小的是四種元素中第一電離能最小的是20142014年全國年全國卷

14、卷3737題題N N、O O、S S中中第一電離能最大的是第一電離能最大的是20162016年全國年全國IIII卷卷3737題（題（3 3）解釋解釋I IcucuI Inini的原因的原因20162016年全國年全國IIIIII卷卷3737題（題（2 2） GaGa、AsAs第一電離能比較第一電離能比較3.了解電子了解電子在原子軌道之間的在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。躍遷及其簡單應(yīng)用。近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)近近6年全國年全國卷、卷、卷都未考到！卷都未考到！4.了解電負(fù)性的概念，了解電負(fù)性的概念，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。并能用以說明元素的某些性質(zhì)。近近6年全國

15、卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20112011年全國年全國卷卷3737題題B B和和N N電負(fù)性比較電負(fù)性比較20132013年全國年全國卷卷3737題題F F、K K、FeFe、NiNi四種元素中電負(fù)性最大的四種元素中電負(fù)性最大的20152015年全國年全國卷卷3737題題O O、NaNa、P P、ClCl四種元素中電負(fù)性最大的四種元素中電負(fù)性最大的20162016年全國年全國I I卷卷3737題（題（4 4） O O、GeGe、ZnZn電負(fù)性由大到小的順序電負(fù)性由大到小的順序近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20112011年全國年全國卷卷3737題題在在BFBF3

16、 3分子中分子中F-B-FF-B-F鍵角鍵角，20112011年全國年全國卷卷3737題題六方六方BNBN晶體晶體( (層狀層狀) )中中B B、N N間化學(xué)鍵間化學(xué)鍵_，層間作用力層間作用力_。20132013年全國年全國卷卷3737題題利用相關(guān)利用相關(guān)鍵能鍵能數(shù)據(jù)解釋硅烷不如烷烴多數(shù)據(jù)解釋硅烷不如烷烴多CHCH4 4比比SiHSiH4 4穩(wěn)定穩(wěn)定20132013年全國年全國卷卷3737題題F F- -、K K+ +、FeFe3+3+組成的化合物組成的化合物K K3 3FeFFeF6 6中化學(xué)鍵類型，其中復(fù)雜中化學(xué)鍵類型，其中復(fù)雜離子的化學(xué)式是離子的化學(xué)式是 ，配體是，配體是 。201420

17、14年全國年全國卷卷3737題題乙醛中乙醛中C C原子原子雜化類型雜化類型；鍵數(shù)目鍵數(shù)目；20142014年全國年全國卷卷3737題題N N2 2H H4 4、H H2 2O O2 2分子中化學(xué)鍵類型分子中化學(xué)鍵類型20152015年全國年全國卷卷3737題題C C原子形成化合物時(shí)，主要原子形成化合物時(shí)，主要成鍵類型及原因成鍵類型及原因20152015年全國年全國卷卷3737題題CSCS2 2分子分子中共價(jià)鍵中共價(jià)鍵類型，類型，20162016年全國年全國I I卷卷3737題（題（2 2） GeGe原子之間難以原子之間難以形成雙鍵或三鍵形成雙鍵或三鍵的原因的原因20162016年全國年全國II

18、II卷卷3737題（題（2 2）化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)1、理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)2、了解共價(jià)鍵的形成、了解共價(jià)鍵的形成、極性極性、類型（、類型（ 鍵和鍵和 鍵），鍵），了解配位鍵的含義了解配位鍵的含義。3、能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20112011年年全國全國卷卷3737題題B B原子雜化方式，原子雜化方式，BFBF4 4- -立體構(gòu)型立體構(gòu)型20122012年年全國全國卷卷3

19、737題題S S8 8分子中分子中S S原子軌道雜化方式原子軌道雜化方式, , SeO SeO3 3、SOSO3 32-2-的立體構(gòu)型的立體構(gòu)型20132013年全國年全國卷卷3737題題F F- -、K K+ +、FeFe3+3+組成的化合物組成的化合物K K3 3FeFFeF6 6中化學(xué)鍵類型，其中復(fù)雜中化學(xué)鍵類型，其中復(fù)雜離子的化學(xué)式是離子的化學(xué)式是 ，配體是，配體是 。20142014年年全國全國卷卷3737題題乙醛中乙醛中C C原子雜化類型；原子雜化類型；20142014年全國年全國卷卷3737題題NHNH3 3立體構(gòu)型，立體構(gòu)型，N N原子雜化方式；原子雜化方式；20152015年

20、年全國全國卷卷3737題題CSCS2 2分子中共價(jià)鍵類型，分子中共價(jià)鍵類型，C C的雜化類型，其等電子體的雜化類型，其等電子體有有 . .20152015年全國年全國卷卷3737題題PClPCl3 3的立體構(gòu)型，的立體構(gòu)型，P P原子雜化方式原子雜化方式20152015年全國年全國卷卷3737題題ClCl2 2O O的立體構(gòu)型，中心原子價(jià)層電子對數(shù)的立體構(gòu)型，中心原子價(jià)層電子對數(shù)20162016年年全國全國I I卷卷3737題（題（5 5）GeGe原子的雜化方式，微粒間存在的作用力原子的雜化方式，微粒間存在的作用力20162016年全國年全國IIII卷卷3737題（題（2 2） NHNH3 3

21、分子中中心原子的雜化方式分子中中心原子的雜化方式20162016年全國年全國IIIIII卷卷3737題（題（3 3）AsClAsCl3 3分子的立體構(gòu)型和其中分子的立體構(gòu)型和其中AsAs的雜化軌道類型的雜化軌道類型（4）了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型（）了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型（sp、sp2 、sp3 ）。）。（5）能用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。）能用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)20122012年全國年全國卷卷3737題題解釋解釋H H2 2SeOSeO

22、3 3、H H2 2SeOSeO4 4第一步電離大于第二步電離的原因；解第一步電離大于第二步電離的原因；解釋釋H H2 2SeOSeO4 4比比H H2 2SeOSeO3 3酸性強(qiáng)的原因。酸性強(qiáng)的原因。20142014年全國年全國卷卷3737題題乙酸沸點(diǎn)明顯高于乙醛的主要原因乙酸沸點(diǎn)明顯高于乙醛的主要原因( (氫鍵影響氫鍵影響) )20152015年全國年全國卷卷3737題題O O2 2、O O3 3沸點(diǎn)比較；沸點(diǎn)比較；20162016年全國年全國I I卷卷3737題（題（3 3） 鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)比較說明原因，鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)比較說明原因，20162016年全國年全國卷卷3737題題

23、NHNH3 3與與PHPH3 3沸點(diǎn)比較，解釋原因沸點(diǎn)比較，解釋原因分子間作用力與物質(zhì)性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)性質(zhì)1、了解范德華力的含義了解范德華力的含義及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。2、了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。 近近6年全國卷試題年全國卷試題考查知識(shí)點(diǎn)考查知識(shí)點(diǎn)2011年全國年全國I卷卷37題題六方六方BNBN晶體晶體( (層狀層狀) )與石墨晶體結(jié)構(gòu)類似中與石墨晶體結(jié)構(gòu)類似中B B、N N間化學(xué)鍵間化學(xué)鍵 ，2011年全國年全國I卷卷37題題立方立方BNBN晶體與金剛石結(jié)

24、構(gòu)類似，晶體與金剛石結(jié)構(gòu)類似，計(jì)算計(jì)算密度及原子數(shù)密度及原子數(shù)2012年全國年全國I卷卷37題題已知已知ZnSZnS晶體結(jié)構(gòu)和邊長晶體結(jié)構(gòu)和邊長計(jì)算計(jì)算密度和指定離子間距密度和指定離子間距2013年全國年全國I卷卷37題題晶體硅與金剛石結(jié)構(gòu)類似，晶體硅與金剛石結(jié)構(gòu)類似，SiSi原子間以原子間以 相結(jié)合，晶胞中共相結(jié)合，晶胞中共8 8個(gè)原子，其中面心位置貢獻(xiàn)個(gè)原子，其中面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。個(gè)原子。2013年全國年全國II卷卷37題題已知晶胞結(jié)構(gòu)算化學(xué)式及配位數(shù)；已知晶胞參數(shù)計(jì)算密度已知晶胞結(jié)構(gòu)算化學(xué)式及配位數(shù)；已知晶胞參數(shù)計(jì)算密度2014年全國年全國I卷卷37題題AlAl為面心立方晶體，為面心

25、立方晶體，計(jì)算計(jì)算配位數(shù)和密度。配位數(shù)和密度。2015年全國年全國I卷卷37題題根據(jù)根據(jù)Fe(CO)Fe(CO)3 3的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù)判斷判斷其晶體類型其晶體類型2015年全國年全國I卷卷37題題均攤法計(jì)算均攤法計(jì)算石墨烯晶體中石墨烯晶體中C C數(shù)與六元環(huán)數(shù)的關(guān)系；金剛石晶體數(shù)與六元環(huán)數(shù)的關(guān)系；金剛石晶體C C數(shù)與六元環(huán)數(shù)的關(guān)系，六元環(huán)中最多數(shù)與六元環(huán)數(shù)的關(guān)系，六元環(huán)中最多 個(gè)個(gè)C C原子共平面。原子共平面。2015年全國年全國II卷卷37題題H H2 2O O、NaHNaH所屬晶體類型所屬晶體類型2015年全國年全國II卷卷37題題已知已知NaNa2 2O O的晶胞結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)求的

26、晶胞結(jié)構(gòu)和晶胞參數(shù)求O O原子配位數(shù)和晶體密度原子配位數(shù)和晶體密度2016年全國年全國I卷卷37題（題（6）原子坐標(biāo)參數(shù)原子坐標(biāo)參數(shù)表示表示GeGe單晶中原子的坐標(biāo)，單晶中原子的坐標(biāo)，計(jì)算計(jì)算晶胞密度晶胞密度2016年全國年全國II卷卷37題（題（4）均攤法求晶胞中銅原子和鎳原子個(gè)數(shù)比；均攤法求晶胞中銅原子和鎳原子個(gè)數(shù)比；計(jì)算計(jì)算晶胞密度晶胞密度2016年全國年全國III卷卷37題題(3)解釋解釋GaFGaF3 3的熔點(diǎn)高于的熔點(diǎn)高于GaClGaCl3 3的原因的原因2016年全國年全國III卷卷37題題(4)晶體類型，晶體類型，GaAsGaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率晶胞中原子的體

27、積占晶胞體積的百分率晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)18熱門考點(diǎn)熱門考點(diǎn)熱點(diǎn)內(nèi)容熱點(diǎn)內(nèi)容201120122013201420152016核外電子排布式的書核外電子排布式的書寫及排布規(guī)則的應(yīng)用寫及排布規(guī)則的應(yīng)用利用利用VSEPRVSEPR判斷分子判斷分子空間構(gòu)型及雜化軌道空間構(gòu)型及雜化軌道類型類型晶胞的結(jié)構(gòu)與推算晶胞的結(jié)構(gòu)與推算較熱考點(diǎn)較熱考點(diǎn)19較熱內(nèi)容較熱內(nèi)容201120112012201220132013201420142015201520162016電離能和電負(fù)性大電離能和電負(fù)性大小的比較及其應(yīng)用小的比較及其應(yīng)用多元酸分步電離程多元酸分步電離程度原因及酸性強(qiáng)弱度原因及酸性強(qiáng)弱原因解釋原因解釋

28、利用鍵能解釋分子利用鍵能解釋分子穩(wěn)定性穩(wěn)定性區(qū)別晶體、準(zhǔn)晶體區(qū)別晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體和非晶體方法，比方法，比較沸點(diǎn)較沸點(diǎn)物質(zhì)中作用力類型物質(zhì)中作用力類型高考新課標(biāo)高考新課標(biāo)全國全國I I卷還未考查卷還未考查，但是課標(biāo)，但是課標(biāo)、教材中出現(xiàn)的知、教材中出現(xiàn)的知識(shí)點(diǎn)有：識(shí)點(diǎn)有：（1 1）元素周期表的分區(qū)）元素周期表的分區(qū)（2 2）配合物理論）配合物理論( (全國全國IIII卷卷1616年有考查年有考查) )（3 3）共價(jià)共價(jià)鍵的極性和分子的極性鍵的極性和分子的極性（4 4）手性）手性（考試大綱中未出現(xiàn)）（考試大綱中未出現(xiàn)）（5 5）分子晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析分子晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析（6 6）金屬晶體常見的堆

29、積方式金屬晶體常見的堆積方式超低頻考點(diǎn)：超低頻考點(diǎn)：（1 1）電子云電子云等電子原理等電子原理（2 2）范德華力對物質(zhì)性質(zhì)的影響范德華力對物質(zhì)性質(zhì)的影響、（3 3）金屬晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析金屬晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析 （4 4）教材中提到的四種科學(xué)儀器的使用）教材中提到的四種科學(xué)儀器的使用( (光譜儀、質(zhì)譜儀、光譜儀、質(zhì)譜儀、紅外光譜儀、紅外光譜儀、X-X-射線衍射儀射線衍射儀) )的使用，目前只有的使用，目前只有20142014年全國年全國卷卷考過考過X-X-射線衍射儀用于區(qū)分晶體與非晶體。射線衍射儀用于區(qū)分晶體與非晶體。2016年年37題題2015年年37題題2014年年37題題2013年年37題題2

30、012年年37題題載載體體Ge是典型的半導(dǎo)是典型的半導(dǎo)體元素在電子材體元素在電子材料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛碳及其化合物碳及其化合物廣泛存在于自廣泛存在于自然界中然界中早期發(fā)現(xiàn)的一種天早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。三種金屬元素組成。硅是重要的半導(dǎo)硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)?；A(chǔ)。VIAVIA族的氧、硫、族的氧、硫、硒硒(Se)(Se)、碲、碲( (TeTe) )等元素在化合物等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，氧化態(tài)，作作答答量量9個(gè)空（個(gè)空（填空填空5個(gè)個(gè)、簡答簡答2個(gè)

31、、個(gè)、計(jì)算計(jì)算2個(gè)個(gè)）11個(gè)空（個(gè)空（填空填空6個(gè)、個(gè)、簡答簡答1個(gè)個(gè)、計(jì)算計(jì)算4個(gè)個(gè)）10個(gè)空（個(gè)空（填空填空7個(gè)個(gè)、簡答簡答1個(gè)、個(gè)、計(jì)算計(jì)算2個(gè)個(gè)）12個(gè)空個(gè)空（填空（填空7個(gè)、個(gè)、簡答簡答3個(gè)個(gè)、計(jì)算計(jì)算2個(gè)個(gè)）11個(gè)空（個(gè)空（填空填空7個(gè)個(gè)、簡答簡答2個(gè)個(gè)、計(jì)算計(jì)算2個(gè)個(gè)）涉涉及及知知識(shí)識(shí)點(diǎn)點(diǎn)（1）Ge價(jià)電子排價(jià)電子排布式，未成對電布式，未成對電子數(shù)（子數(shù)（2）解釋）解釋Ge原子難以形成雙原子難以形成雙鍵或三鍵的原因鍵或三鍵的原因（3）鍺鹵化物熔）鍺鹵化物熔沸點(diǎn)變化規(guī)律及沸點(diǎn)變化規(guī)律及原因原因（4）電負(fù)性）電負(fù)性比較（比較（5）雜化軌）雜化軌道類型、微粒間道類型、微粒間作作用力用力（

32、6）原子）原子坐標(biāo)參數(shù)，已知坐標(biāo)參數(shù)，已知晶胞參數(shù)算密度晶胞參數(shù)算密度(1)C電子云、自電子云、自旋相反電子數(shù)旋相反電子數(shù)（2）解釋碳更）解釋碳更容易成共價(jià)鍵的容易成共價(jià)鍵的原因原因（3）共價(jià)）共價(jià)鍵類型、雜化軌鍵類型、雜化軌道類型（道類型（4）晶）晶體類型判斷，等體類型判斷，等電子體電子體（5）均）均攤法計(jì)算，金剛攤法計(jì)算，金剛石結(jié)構(gòu)石結(jié)構(gòu)(1)區(qū)別晶體、準(zhǔn)晶區(qū)別晶體、準(zhǔn)晶體、非晶體的方法體、非晶體的方法（2）未成對電子數(shù)，）未成對電子數(shù)，電子排布式，配合電子排布式，配合物的顏色；（物的顏色；（3）雜）雜化軌道類型，化軌道類型，鍵的鍵的數(shù)目，乙酸沸點(diǎn)高數(shù)目，乙酸沸點(diǎn)高于乙醛的原因于乙醛的原因

33、，均均攤法計(jì)算晶胞中原攤法計(jì)算晶胞中原子個(gè)數(shù)子個(gè)數(shù)（4）配位數(shù)、）配位數(shù)、計(jì)算密度計(jì)算密度（1）能層符號(hào)、軌）能層符號(hào)、軌道數(shù)、容納的電子道數(shù)、容納的電子數(shù)（數(shù)（2）硅的存在形）硅的存在形式（式（3）原子之間共）原子之間共價(jià)鍵類型，金剛石價(jià)鍵類型，金剛石結(jié)構(gòu)面心位置貢獻(xiàn)結(jié)構(gòu)面心位置貢獻(xiàn)原子數(shù)（原子數(shù)（4）方程式）方程式書寫書寫（5）利用化學(xué)）利用化學(xué)鍵鍵能解釋硅烷種鍵鍵能解釋硅烷種類小于烷烴以及硅類小于烷烴以及硅烷穩(wěn)定性低于甲烷，烷穩(wěn)定性低于甲烷，易形成氧化物易形成氧化物（6）Si原子雜化方式、原子雜化方式、均攤法計(jì)算原子個(gè)均攤法計(jì)算原子個(gè)數(shù)比及化學(xué)式數(shù)比及化學(xué)式(1) 雜化軌道類型雜化軌道類

34、型(2) 第一電離能比較；第一電離能比較；(3) Se的原子序數(shù)，的原子序數(shù)，M層電子排布式；層電子排布式；(4)H2Se與與H2S酸性酸性比較、分子、離子比較、分子、離子的立體構(gòu)型的立體構(gòu)型（5）結(jié)構(gòu)原理解釋）結(jié)構(gòu)原理解釋第一步電離程度大第一步電離程度大于第二步電離程度、于第二步電離程度、酸性強(qiáng)弱酸性強(qiáng)弱（6）晶胞）晶胞密度及離子之間距密度及離子之間距離計(jì)算離計(jì)算考查內(nèi)容考查內(nèi)容錯(cuò)因分析錯(cuò)因分析基態(tài)Ge原子核外電子排布，未成對電子個(gè)數(shù)沒考慮到Ge原子的3d軌道排滿，漏寫3d10，化學(xué)用語不規(guī)范，沒有掌握原子核外電子軌道排布Ge原子難以形成雙鍵或三鍵的原因分析不清楚雙鍵和三鍵的本質(zhì)是鍵和鍵，沒

35、有考慮到鍵越長，p-p軌道肩并肩重疊程度越小，越難形成鍵分析鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)變化規(guī)律及原因答題不完整，只答變化規(guī)律，或只分析了原因不知道鍺鹵化物是分子晶體，不懂分子晶體內(nèi)的作用力和熔沸點(diǎn)的影響因素電負(fù)性大小比較電負(fù)性概念不過關(guān)Ge原子的雜化方式，Ge原子之間的作用力雜化軌道理論未掌握，不能區(qū)分幾種晶體，特別是分子晶體和原子晶體之間的作用力原子的坐標(biāo)參數(shù)，晶胞密度的計(jì)算不清楚晶胞具體的立體結(jié)構(gòu)，缺乏相關(guān)數(shù)學(xué)立體幾何知識(shí)進(jìn)行計(jì)算均攤法計(jì)算原子個(gè)數(shù)不掌握沒有注意單位換算學(xué)生2016年高考答題情況（摘自2016年廣東省高考年報(bào)） 學(xué)生主要薄弱點(diǎn)： 1、雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型（sp、sp2

36、 、sp3 ），用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu) 2、等電子體的確定 3、應(yīng)用結(jié)構(gòu)原理解釋問題 4、晶胞相關(guān)計(jì)算 5、陌生信息處理 6、解題速度物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選做題 二輪目標(biāo)Part3二輪備考策略010102020303完善知識(shí)網(wǎng)絡(luò)重點(diǎn)突出，專題突破一些做法1 1、完善知識(shí)網(wǎng)絡(luò)完善知識(shí)網(wǎng)絡(luò)專題一：專題一：基態(tài)原子、離子電子（價(jià)電子）排布式（圖）基態(tài)原子、離子電子（價(jià)電子）排布式（圖）二、二、抓住重點(diǎn)，專題突破抓住重點(diǎn)，專題突破1.1.考查內(nèi)容：主族元素及第四周期過渡元素考查內(nèi)容：主族元素及第四周期過渡元素, ,特別關(guān)注第四周期主族元素。特別關(guān)注第四周期主族元素。

37、2.2.洪特規(guī)則，泡利不相容原理，能量最低原理，全滿，半滿等。洪特規(guī)則，泡利不相容原理，能量最低原理，全滿，半滿等。4.4.原子核外電子排布：原子或離子的電子排布式（簡化電子排布式）軌原子核外電子排布：原子或離子的電子排布式（簡化電子排布式）軌道數(shù)；成對或未成對電子數(shù)道數(shù)；成對或未成對電子數(shù) 價(jià)電子軌道表示式；能層、能級(jí)的符號(hào)，價(jià)電子軌道表示式；能層、能級(jí)的符號(hào)，軌道及容納的電子數(shù)軌道及容納的電子數(shù)【2011全國全國I卷卷】(2)基態(tài)基態(tài)B原子的電子排布式為原子的電子排布式為 ?！?012全國全國I卷卷】（3）Se原子序數(shù)為原子序數(shù)為_，其核外，其核外M層電子的排布式為層電子的排布式為 ；【2

38、013全國全國I卷卷】(1)基態(tài)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào) ，該能層具有的原，該能層具有的原子軌道數(shù)為子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為、電子數(shù)為 ?！?014全國全國I卷卷】（2）基態(tài)）基態(tài)Fe原子有原子有 個(gè)未成對電子，個(gè)未成對電子，F(xiàn)e3+的電子排布式為的電子排布式為 ?！?016全國全國I卷卷】（1）基態(tài)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為原子的核外電子排布式為Ar_,有有_個(gè)未成對電子。個(gè)未成對電子。常見錯(cuò)誤示例： 書寫基態(tài)Fe2+的電子排布式時(shí)，認(rèn)為3d軌道上的電子比4s軌道上的電子能量高，所以判斷先失去3d軌道上的電子，得到的結(jié)論為 1s22s22p63s

39、23p63d44s2， 1s22s22p63s23p63d54s1 錯(cuò)因：把基態(tài)原子外層電子的填充順序與價(jià)電子的失電子順序混淆等同了。其它考查角度基態(tài)基態(tài)Fe2+的價(jià)電子軌道表達(dá)式為的價(jià)電子軌道表達(dá)式為_,共有共有_個(gè)運(yùn)個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。動(dòng)狀態(tài)不同的電子。第四周期過渡族元素基態(tài)原子中，次外層排滿，最外層只有一個(gè)第四周期過渡族元素基態(tài)原子中，次外層排滿，最外層只有一個(gè)電子的原子是電子的原子是_；未成對電子數(shù)最多的原子是；未成對電子數(shù)最多的原子是_專題二：專題二： VSERP VSERP理論判斷分子的空間構(gòu)型，雜化軌道理論理論判斷分子的空間構(gòu)型，雜化軌道理論判斷中心原子的雜化方式判斷中心原子的

40、雜化方式. .二、二、抓住重點(diǎn)，專題突破抓住重點(diǎn)，專題突破【20112011全國全國I I卷卷】(3)(3)在在BFBF3 3分子中，分子中，F(xiàn)-B-FF-B-F的鍵角是的鍵角是 ，B B原子的雜化軌道原子的雜化軌道類型為類型為 ，BFBF3 3和過量和過量NaFNaF作用可生成作用可生成NaBFNaBF4 4，BFBF4 4- -的立體結(jié)構(gòu)為的立體結(jié)構(gòu)為 ；【20122012全國全國I I卷卷】（1 1）S S單質(zhì)的常見形式為單質(zhì)的常見形式為S S8 8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S S原原子采用的軌道雜化方式是子采用的軌道雜化方式是 ；（4 4）H H2 2SeSe的酸性

41、比的酸性比H H2 2S S （填（填“強(qiáng)強(qiáng)”或或“弱弱”）。氣態(tài)）。氣態(tài)SeOSeO3 3分子的立分子的立體構(gòu)型為體構(gòu)型為 ，SOSO3 32-2-離子的立體構(gòu)型為離子的立體構(gòu)型為 ；【20132013全國全國I I卷卷】在硅酸鹽中，在硅酸鹽中，SiOSiO4 44-4-四面體四面體( (如下圖如下圖(a)(a)通過共用頂角通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)(b)為為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根；其中一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根；其中SiSi原子的雜化形式為原子的雜化形式為 。 【20142014

42、全國全國I I卷卷】 （3 3）乙醛中碳原子的雜化軌道為）乙醛中碳原子的雜化軌道為 ，【20152015全國全國I I卷卷】（3 3）CSCS2 2分子中分子中C C原子的雜化軌道類型是原子的雜化軌道類型是 ，寫出兩，寫出兩個(gè)與個(gè)與CSCS2 2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子 。專題二：專題二： VSERP VSERP理論判斷分子的空間構(gòu)型，雜化軌道理論理論判斷分子的空間構(gòu)型，雜化軌道理論判斷中心原子的雜化方式判斷中心原子的雜化方式. .二、二、重點(diǎn)突出，專題突破重點(diǎn)突出，專題突破【20162016全國全國I I卷卷】（5 5） GeGe單晶具有金

43、剛石型結(jié)構(gòu)，其中單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中GeGe原子的雜化原子的雜化方式為方式為_，微粒之間存在的作用力是，微粒之間存在的作用力是_。思維流程思維流程所連原所連原子個(gè)數(shù)子個(gè)數(shù)孤電子孤電子對數(shù)對數(shù)VSERPVSERP模型模型雜化方雜化方式式空間空間構(gòu)型構(gòu)型常見分子或離子的空間構(gòu)型及中心原子的雜化方式：落實(shí)好常見的分子或離子的構(gòu)型落實(shí)好常見的分子或離子的構(gòu)型，落實(shí)好課本或練習(xí)中的例子。，落實(shí)好課本或練習(xí)中的例子。根據(jù)模型確定雜化軌道類型專題三、判斷專題三、判斷（1 1）共價(jià)鍵的類型（共價(jià)鍵的類型（鍵、鍵、鍵，極性鍵、非極性鍵、鍵，極性鍵、非極性鍵、配位鍵），等電子體配位鍵），等電子體二、二、重點(diǎn)

44、突出，專題突破重點(diǎn)突出，專題突破（2 2）配位鍵理論判斷中心原子、配位原子、配體、配位數(shù)。）配位鍵理論判斷中心原子、配位原子、配體、配位數(shù)。（3 3）分子的極性）分子的極性（4 4）判斷晶體類型（依據(jù)：熔沸點(diǎn)、電負(fù)性差值）判斷晶體類型（依據(jù)：熔沸點(diǎn)、電負(fù)性差值）等電子體的確定 等電子體原理：原子數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的粒子互為等電子體。等電子體具有相同的結(jié)構(gòu)特征（立體結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵類型），其性質(zhì)相似。 方法一（豎換）：換同族原子（同族原子價(jià)電子數(shù)相同） 例：O3和SO2、CO2和CS2 方法二（橫換）：換相鄰的原子，再通過得失電子使價(jià)電子總數(shù)相等。題組訓(xùn)練 1、CaCN2中陰離子為CN22-，與

45、CN22-互為等電子體的分子有N2O和_（填化學(xué)式），由此可以推知CN22-的空間構(gòu)型為_。 2、已知CS2與CO2分子結(jié)構(gòu)相似，CS2的電子式是_。 3、CO與N2結(jié)構(gòu)相似，CO分子內(nèi)鍵和鍵個(gè)數(shù)之比為_。 4、已知N2O與CO2互為等電子體，且O原子只與一個(gè)N原子相連，寫出N2O的電子式_常見等電子體及空間構(gòu)型專題四專題四、利用原理解釋問題利用原理解釋問題二、二、重點(diǎn)突出，專題突破重點(diǎn)突出，專題突破（5 5）比較晶體熔沸點(diǎn)大小及解釋：比較晶體熔沸點(diǎn)大小及解釋：離子晶體（晶格能大小離子晶體（晶格能大小離子半徑、所帶電荷數(shù)）、原離子半徑、所帶電荷數(shù)）、原子晶體（共價(jià)鍵大?。?、分子晶體（范德華力、

46、氫鍵）、子晶體（共價(jià)鍵大小）、分子晶體（范德華力、氫鍵）、金屬晶體（金屬鍵）金屬晶體（金屬鍵）（2 2）元素周期律（原子半徑大小比較，電離能，電負(fù)性）元素周期律（原子半徑大小比較，電離能，電負(fù)性）（3 3）利用鍵能、鍵長、鍵角原理解釋問題利用鍵能、鍵長、鍵角原理解釋問題（4 4）無機(jī)含氧酸的酸性比較及解釋無機(jī)含氧酸的酸性比較及解釋（1 1）洪特規(guī)則，泡利不相容原理，能量最低原理，全滿，）洪特規(guī)則，泡利不相容原理，能量最低原理，全滿，半滿等。半滿等。常見錯(cuò)誤示例常見錯(cuò)誤示例例、例、(2012(2012年高考年高考37-537-5） H H2 2SeOSeO3 3的的K K1 1和和K K2 2分

47、別為分別為2.72.71010 3 3和和2.52.51010 8 8，H H2 2SeOSeO4 4第一步幾乎完全電離，第一步幾乎完全電離，K K2 2為為1.21.210102 2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：H H2 2SeOSeO3 3和和H H2 2SeOSeO4 4第一步電離第一步電離程度大于第二步電離的原因程度大于第二步電離的原因_?？忌嚎忌旱谝浑婋x生成第一電離生成H H+ +的對第二步電離有的對第二步電離有抑制抑制。（從。（從平衡移動(dòng)平衡移動(dòng)解釋。）解釋。）標(biāo)答：標(biāo)答：第一步電離出的第一步電離出的負(fù)離子負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出較難再進(jìn)一步電離出帶

48、正電荷的帶正電荷的氫離子氫離子。常見錯(cuò)誤示例常見錯(cuò)誤示例例、例、 從分子物質(zhì)結(jié)構(gòu)的角度解釋從分子物質(zhì)結(jié)構(gòu)的角度解釋HNOHNO3 3的酸性強(qiáng)于的酸性強(qiáng)于H H3 3POPO4 4的原因的原因_。錯(cuò)答：錯(cuò)答：N N的非金屬性強(qiáng)于的非金屬性強(qiáng)于P P，因此最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物酸，因此最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物酸性性HNOHNO3 3H H3 3POPO4 4。答案：答案：HNOHNO3 3中含非羥基中含非羥基( (羥基為羥基為OH)OH)氧原子數(shù)多于氧原子數(shù)多于H H3 3POPO4 4，HNOHNO3 3的酸性更強(qiáng)。的酸性更強(qiáng)。拓展練習(xí)（深圳一模）HIO3的酸性_（填“強(qiáng)于”或“弱于”）HIO

49、4，原因是_。（4）弱于（1分）。HIO4分子中碘的價(jià)態(tài)比HIO3中更高，導(dǎo)致I-O-H中O的電子向I偏移得更多，在水分子的作用下，就更容易電離出H+，故酸性更強(qiáng)。（2分，價(jià)態(tài)更高得1分，HIO4分子中O的電子向I偏移得更多，更容易電離出H+得1分） 晶體熔沸點(diǎn)高低的比較晶體熔沸點(diǎn)高低的比較 常見錯(cuò)誤：比較的原因混亂，張冠李戴、表述不清（理清知識(shí)的內(nèi)在聯(lián)系）常見錯(cuò)誤：比較的原因混亂，張冠李戴、表述不清（理清知識(shí)的內(nèi)在聯(lián)系） 思維流程：判斷晶體類型思維流程：判斷晶體類型微粒間作用力微粒間作用力對熔沸點(diǎn)的影響結(jié)果。對熔沸點(diǎn)的影響結(jié)果。 原子晶體原子晶體熔沸點(diǎn)比較：共價(jià)鍵熔沸點(diǎn)比較：共價(jià)鍵鍵能鍵能鍵

50、長鍵長原子半徑原子半徑 如：金剛石碳化硅硅晶體如：金剛石碳化硅硅晶體 離子晶體離子晶體熔沸點(diǎn)比較：離子鍵熔沸點(diǎn)比較：離子鍵離子半徑、陰陽離子的電荷數(shù)離子半徑、陰陽離子的電荷數(shù) 如：如：MgOCaOK2O 金屬晶體金屬晶體熔沸點(diǎn)比較：金屬鍵熔沸點(diǎn)比較：金屬鍵原子半徑、單位體積自由電子數(shù)目（離子原子半徑、單位體積自由電子數(shù)目（離子半徑、離子的電荷數(shù)）如：半徑、離子的電荷數(shù)）如：NaMgAl 分子晶體分子晶體熔沸點(diǎn)：分子間作用力熔沸點(diǎn)：分子間作用力組成結(jié)構(gòu)相似：相對分子質(zhì)量組成結(jié)構(gòu)相似：相對分子質(zhì)量氫鍵氫鍵 H2OH2TeH2SeH2S無法區(qū)別分子晶體熔沸點(diǎn)高低和分子的穩(wěn)定性無法區(qū)別分子晶體熔沸點(diǎn)高

51、低和分子的穩(wěn)定性 常見錯(cuò)誤：用氫鍵解釋分子的穩(wěn)定性。 理解：分子晶體熔沸點(diǎn)是物理性質(zhì)，分子的穩(wěn)定性是化學(xué)性質(zhì) 思路：分子晶體熔沸點(diǎn)分子間作用力組成結(jié)構(gòu)相似：相對分子質(zhì)量氫鍵 分子的穩(wěn)定性化學(xué)鍵鍵能相似的概念通過表格的形式，幫助學(xué)生進(jìn)行知識(shí)的結(jié)構(gòu)化利用網(wǎng)絡(luò)圖，把知識(shí)條理化，結(jié)構(gòu)化習(xí)題示例：晶體熔沸點(diǎn)高低的比較習(xí)題示例：晶體熔沸點(diǎn)高低的比較似是而非 1、多電子原子的核外電子排布均遵循構(gòu)造原理。 2、同周期主族元素由左向右第一電離能一定逐漸增大。 3、非金屬所對應(yīng)的氣態(tài)氫化物水溶液的酸性越強(qiáng)，其非金屬性越強(qiáng) 4、含氧酸鹽中若含有氫，該鹽一定是酸式鹽 5、電負(fù)性差值大于1.7的兩原子一定形成離子鍵 6

52、、鍵長越短，鍵能就一定越大 7、氫鍵一定能使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高 8、由于氫鍵存在使得H2O、NH3、HF的沸點(diǎn)在同主族元素形成的氰化物中最高 9、酸溶于水都能自身給出H+ 10、無極含氧酸分子中含有幾個(gè)氧原子就是幾元酸 11、金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體高，原子晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體高 12、晶格能越大，熱分解溫度越高原子結(jié)構(gòu)原子結(jié)構(gòu) 分子結(jié)構(gòu)分子結(jié)構(gòu) 晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu) 半滿、全滿結(jié)構(gòu)，原子半徑判斷晶體類型、分析影響因素共價(jià)鍵的形成、作用力的影響解題思路：解題思路：專題五、專題五、晶胞的結(jié)構(gòu)及推算晶胞的結(jié)構(gòu)及推算二、二、重點(diǎn)突出，專題突破重點(diǎn)突出，專題突破 【20112011全國全國I I卷卷

53、】(5)(5)六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其結(jié)構(gòu)與金剛石相似其結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長為，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長為361.5361.5pmpm。立方氮化。立方氮化硼晶胞中含有硼晶胞中含有_個(gè)氮原子、個(gè)氮原子、_個(gè)硼原子，立方氮化硼的個(gè)硼原子，立方氮化硼的密度密度是是_gcmgcm-3-3（只要求（只要求列算式列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏伽德羅常數(shù)為，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏伽德羅常數(shù)為N NA A）。）。【20132013全國全國I I卷卷】 (3) (3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)

54、類似的晶體，其中原子與原子之，其中原子與原子之間以間以 相結(jié)合，其晶胞中共有相結(jié)合，其晶胞中共有8 8個(gè)原子，其中在面心位置個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)貢獻(xiàn) 個(gè)個(gè)原子。原子?！?0152015全國全國I I卷卷】碳碳有多種同素異形體，其中石墨烯與有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示如圖所示: :在石墨烯晶體中，每個(gè)在石墨烯晶體中，每個(gè)C C原子連接原子連接 個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有有 個(gè)個(gè)C C原子。在金剛石晶體中，原子。在金剛石晶體中，C C原子所連接的最小環(huán)也為六原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)元環(huán)，每個(gè)C C原子連接原子連接 個(gè)六元

55、環(huán)，六元環(huán)中最多有個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個(gè)個(gè)C C原子在同一平面。原子在同一平面?！?0122012全國全國I I卷卷】（6 6）ZnSZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnSZnS晶體結(jié)構(gòu)如下晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為圖所示，其晶胞邊長為540.0 540.0 pmpm，密度密度為為_gcmgcm-3-3（列式并計(jì)算列式并計(jì)算），），a a位置位置S S2-2-離子與離子與b b位置位置ZnZn2+2+離子之間的距離離子之間的距離為為_pm_pm（列式表示）（列式表示）【20142014全國全國I I卷

56、卷】（4 4）AlAl單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a=0.405nma=0.405nm，晶胞，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為中鋁原子的配位數(shù)為 。列式表示。列式表示AlAl單質(zhì)的單質(zhì)的密度密度 g/cmg/cm-3-3?！?0162016全國全國I I卷卷】 GeGe單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)（6 6）晶胞有兩個(gè)基本要素：）晶胞有兩個(gè)基本要素：原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為為GeGe單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A A為（為（0,0,00,0,0）；）；B B為為

57、（1/21/2，0 0， 1/2 1/2 ）；）；C C為（為（ 1/2 1/2， 1/2 1/2 ，0 0）。則）。則D D原子原子的的坐標(biāo)參數(shù)坐標(biāo)參數(shù)為為_。晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知GeGe單晶的晶胞單晶的晶胞參數(shù)參數(shù)a a=565.76 =565.76 pmpm，其，其密度密度為為_gcmgcm-3-3 二、二、重點(diǎn)突出，專題突破重點(diǎn)突出，專題突破多以金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)為模型，考查均攤法以及晶胞密度、晶胞參多以金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)為模型，考查均攤法以及晶胞密度、晶胞參數(shù)之間的運(yùn)算。坐標(biāo)參數(shù)的運(yùn)算。數(shù)之間的運(yùn)算。坐標(biāo)參數(shù)的運(yùn)算。金剛石晶胞金剛石晶胞二氧化硅晶胞二氧化硅晶胞共含有共含有 個(gè)個(gè) C 共含有共含有 個(gè)個(gè)Si，共含有，共含有 個(gè)個(gè)O8 1/8+6 1/2+4=88 1/8+6 1/2+4=816找出晶胞，晶胞是晶體組成的基本單位。理解晶胞結(jié)構(gòu)均攤法確定不同位置的原子或離子對晶胞的貢獻(xiàn)，確定一個(gè)晶胞的組成確定晶胞組成理解計(jì)算方法，計(jì)算準(zhǔn)確。晶胞各物理量計(jì)算晶胞微觀計(jì)算的思維流程晶胞微觀計(jì)算的思維流程 硫化鋅的晶胞硫化鋅的晶胞氟化鈣