第二章雙極型晶體管及其放大電路-(1)

1、模 擬 電 子 技 術(shù)第第2章章 雙極型晶體管及其放大電路雙極型晶體管及其放大電路vBipolar Junction Transistor 縮寫 BJT簡稱晶體管晶體管或三極管三極管v雙極型雙極型 器件兩種載流子兩種載流子（多子、少子多子、少子）模 擬 電 子 技 術(shù)ecb發(fā)射極發(fā)射極基極基極集電極集電極發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)N+PNcbeNPN(a) NPN管的原理結(jié)構(gòu)示意圖管的原理結(jié)構(gòu)示意圖(b) NPN的電路符號的電路符號base collector emitter2.1 雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的工作原理一、結(jié)構(gòu)一、結(jié)構(gòu)模 擬 電 子 技 術(shù)

2、ecb基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)P+NPPNPcbe(a) PNP管的結(jié)構(gòu)示意圖管的結(jié)構(gòu)示意圖(b) PNP的電路符號的電路符號發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射極發(fā)射極基極基極集電極集電極模 擬 電 子 技 術(shù)v三個電極三個電極 發(fā)射極，基極，集電極發(fā)射極，基極，集電極管子符號的管子符號的箭頭方向箭頭方向是指發(fā)射結(jié)正偏時的電流方向是指發(fā)射結(jié)正偏時的電流方向v三個區(qū)三個區(qū) 發(fā)射區(qū)，基區(qū)，集電區(qū)發(fā)射區(qū)，基區(qū)，集電區(qū)v兩個兩個PNPN結(jié)結(jié)發(fā)射結(jié)，集電結(jié)發(fā)射結(jié)，集電結(jié)模 擬 電 子 技 術(shù)晶體管處于放大狀態(tài)的工作條件晶體管處于放大狀態(tài)的工作條件內(nèi)部條件（內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)）內(nèi)部條件（內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)）發(fā)射區(qū)重

3、摻雜發(fā)射區(qū)重?fù)诫s基區(qū)很薄基區(qū)很薄(幾個幾個 m)集電結(jié)面積大集電結(jié)面積大外部條件外部條件 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏模 擬 電 子 技 術(shù)e區(qū)區(qū)c區(qū)區(qū)b區(qū)區(qū)e結(jié)結(jié)C結(jié)結(jié)ecbNNPVBBVCCRbRcVBEVCBVCE例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法三極管在工作時要三極管在工作時要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌由线m當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷骸Ｖ秒妷?。集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏：由由VBB保證保證由由VCC、 VBB保證保證VCB=VCE - VBE 0發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏：onBEUu即在滿足內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求的前提下，三極管要實(shí)現(xiàn)放大，即在滿足內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求的前提下，三極管要實(shí)現(xiàn)放大，必須連接成如下形式：必須連接

4、成如下形式：模 擬 電 子 技 術(shù) UC UEUB PNP管管 UC UB UE UC UEUB放大狀態(tài)下的偏置要求放大狀態(tài)下的偏置要求NPN管管 UC UB UE模 擬 電 子 技 術(shù)VCCeCecbNNPVBBRbRc例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法IENIEP（1 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從而形成發(fā)電子，從而形成發(fā)射極電流射極電流I IE E。2.1.2 晶體管的工作原理晶體管的工作原理1. 放大狀態(tài)下晶體管中載流子的運(yùn)動放大狀態(tài)下晶體管中載流子的運(yùn)動三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：（以三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：（以NPN為例）為例）模 擬 電 子 技 術(shù)（

5、1 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從而形成發(fā)電子，從而形成發(fā)射極電流射極電流I IE E。VCCececbNNPVBBRbRc例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法IE=IEN+IEPIEN三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：模 擬 電 子 技 術(shù)（1 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從而形成發(fā)射極電流而形成發(fā)射極電流I IE E。VCCececbNNPVBBRbRc例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法IE（2 2）在基區(qū)中）在基區(qū)中多數(shù)電子繼續(xù)向多數(shù)電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散；集電結(jié)擴(kuò)散；少數(shù)電子與基區(qū)少數(shù)電子與基區(qū)空穴相復(fù)合，形成空穴相復(fù)合

6、，形成I IB B電流。電流。IB復(fù)合IBEIBE三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：模 擬 電 子 技 術(shù)（1 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從而形成發(fā)射極電流而形成發(fā)射極電流I IE E。VCCececbNNPVBBRbRc例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法IE（2 2）在基區(qū)中）在基區(qū)中電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散；電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散；少數(shù)電子與基區(qū)空穴相復(fù)少數(shù)電子與基區(qū)空穴相復(fù)合，形成合，形成I IB B電流。電流。IB（3 3）集電區(qū)收集大部）集電區(qū)收集大部分的電子，形成分的電子，形成I IC C電流。電流。ICICNICNIBE三極管內(nèi)

7、部載流子運(yùn)動分為三個過程：三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：模 擬 電 子 技 術(shù)（1 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，從而形成發(fā)射極電流而形成發(fā)射極電流I IE E。VCCececbNNPVBBRbRc例：共發(fā)射極接法例：共發(fā)射極接法IE（2 2）在基區(qū)中）在基區(qū)中電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散；電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散；少數(shù)電子與基區(qū)空穴相復(fù)少數(shù)電子與基區(qū)空穴相復(fù)合，形成合，形成I IB B電流。電流。IB（3 3）集電區(qū)收集大部分的電子，）集電區(qū)收集大部分的電子，形成形成I IC C電流。電流。IC另外，集電區(qū)的少子形另外，集電區(qū)的少子形成反向飽和電流成反向飽和電流ICBOICBO

8、ICNIBE三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動分為三個過程：模 擬 電 子 技 術(shù)CUceNPNbUBBRB圖圖2.1.3 晶體管內(nèi)載流子的運(yùn)動和各極電流晶體管內(nèi)載流子的運(yùn)動和各極電流RCC15V模 擬 電 子 技 術(shù)cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN圖圖2.1.3 晶體管內(nèi)載流子的運(yùn)動和各極電流晶體管內(nèi)載流子的運(yùn)動和各極電流CNBNENEIIIICBOBNBIIICBOCNCIII模 擬 電 子 技 術(shù)在發(fā)射結(jié)處在發(fā)射結(jié)處v發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏，擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動。v發(fā)射區(qū)和基區(qū)發(fā)射區(qū)和基區(qū)多子多子（電子和空穴

9、）的相互（電子和空穴）的相互注注入入。但。但發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)（e e區(qū)）高摻雜區(qū)）高摻雜，向，向P區(qū)的區(qū)的多子多子擴(kuò)散（電子）擴(kuò)散（電子）為主（為主（IEn）,另有另有P區(qū)向區(qū)向N區(qū)的區(qū)的多子（空穴）擴(kuò)散，故相互注入是不對稱的。多子（空穴）擴(kuò)散，故相互注入是不對稱的。擴(kuò)散擴(kuò)散(IEP)可忽略。可忽略。v以上構(gòu)成了以上構(gòu)成了發(fā)射結(jié)電流的主體發(fā)射結(jié)電流的主體。模 擬 電 子 技 術(shù)在基區(qū)內(nèi)在基區(qū)內(nèi)v基區(qū)很薄基區(qū)很薄。v一部分一部分 (N區(qū)擴(kuò)散到區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的）區(qū)的）不平衡載流不平衡載流子（電子）子（電子）與基區(qū)內(nèi)的空穴（多子）的與基區(qū)內(nèi)的空穴（多子）的復(fù)合復(fù)合運(yùn)動（運(yùn)動（復(fù)合電流復(fù)合電流I IBNBN

10、 ）。）。v大多數(shù)不平衡載流子連續(xù)擴(kuò)散到集電結(jié)大多數(shù)不平衡載流子連續(xù)擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣處。邊緣處。v以上構(gòu)成了以上構(gòu)成了基極電流基極電流的主體。的主體。模 擬 電 子 技 術(shù)在集電結(jié)處在集電結(jié)處v集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏。v故故 漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動。v集電結(jié)（集電結(jié)（自建電場自建電場）對非平衡載流子（電）對非平衡載流子（電子）的強(qiáng)烈吸引作用子）的強(qiáng)烈吸引作用(收集作用收集作用）形成）形成ICN。v另外有基區(qū)和集電區(qū)本身的另外有基區(qū)和集電區(qū)本身的少子漂移（電少子漂移（電子和空穴）子和空穴），形成，形成反向飽和電流反向飽和電流ICBO 。模 擬 電 子 技 術(shù)非平衡載流子傳輸三步曲非平衡載

11、流子傳輸三步曲(以以NPN為例為例) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)的發(fā)射區(qū)向基區(qū)的多子注入（擴(kuò)散運(yùn)動）多子注入（擴(kuò)散運(yùn)動）為主為主基區(qū)的基區(qū)的復(fù)合復(fù)合和和繼續(xù)擴(kuò)散繼續(xù)擴(kuò)散集電結(jié)對集電結(jié)對非平衡載流子的收集為主（漂移運(yùn)動）非平衡載流子的收集為主（漂移運(yùn)動）晶體管工作的內(nèi)部機(jī)理：晶體管工作的內(nèi)部機(jī)理：-“非平衡載流子非平衡載流子”的傳輸?shù)膫鬏斈?擬 電 子 技 術(shù) IEIBIC BCII電流放大系數(shù)2. 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系 IE擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流 IB復(fù)合運(yùn)動形成的電流復(fù)合運(yùn)動形成的電流 IC漂移運(yùn)動形成的電流漂移運(yùn)動形成的電流結(jié)論：晶體管在發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的條件下結(jié)論：晶體管在發(fā)射

12、結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的條件下具有電流放大作用；放大作用的實(shí)質(zhì)是具有電流放大作用；放大作用的實(shí)質(zhì)是IB對對IC的控制。的控制。晶體管屬于電流控制器件晶體管屬于電流控制器件。模 擬 電 子 技 術(shù)圖圖2.1.1 晶體管的三種基本晶體管的三種基本組態(tài)組態(tài)(a)cebiBiC輸出輸出回路回路輸入輸入回路回路(b)ecbiBiEceiEiCb(c)共發(fā)射極共發(fā)射極共集電極共集電極共基極共基極 晶體管在實(shí)際應(yīng)用時，通常將其中兩個端口分別作輸入端晶體管在實(shí)際應(yīng)用時，通常將其中兩個端口分別作輸入端和輸出端，第三個端口作為公共端。根據(jù)公共端的不同，晶體和輸出端，第三個端口作為公共端。根據(jù)公共端的不同，晶體管有以下

13、管有以下3中基本組態(tài)：中基本組態(tài)：2.2 晶體管的特性曲線晶體管的特性曲線模 擬 電 子 技 術(shù)全面描述晶體管各極電流與極間電壓關(guān)系的曲線。全面描述晶體管各極電流與極間電壓關(guān)系的曲線。AmAVViBiCUCCUBBRCRBuBEuCE圖圖2.2.2 晶體管特性曲線測試電路晶體管特性曲線測試電路模 擬 電 子 技 術(shù)常數(shù)BiCECufi)( 2.2.1 共射極輸出特性曲線共射極輸出特性曲線圖圖2.2.3 共射輸出特性曲線共射輸出特性曲線uCE/V5101501234飽飽和和區(qū)區(qū)截止區(qū)截止區(qū)iBICBO放放大大區(qū)區(qū)iC/mAuCEuBEIB40 A30 A20 A10 A0 A模 擬 電 子 技

14、術(shù)uCE /ViC /mA25=20A=40A=60A=80A（1 1）當(dāng)）當(dāng)uCE= =0V時，因集電極無收集作用，時，因集電極無收集作用，iC=0=0。（2 2）當(dāng)當(dāng)uCE增大時，發(fā)射結(jié)雖處于正向電壓之下，增大時，發(fā)射結(jié)雖處于正向電壓之下，但集電結(jié)反偏電壓很小，集電區(qū)收集電子的能力弱但集電結(jié)反偏電壓很小，集電區(qū)收集電子的能力弱iC主要由主要由uCE決定決定uCE iC 現(xiàn)以現(xiàn)以iB=40=40uA一條加以說明：一條加以說明：模 擬 電 子 技 術(shù)vCE /ViC /mA25=20A=40A=60A=80A（3 3）當(dāng)）當(dāng)uCE增加到使集電結(jié)反偏電壓較大時，增加到使集電結(jié)反偏電壓較大時，運(yùn)動

15、運(yùn)動到集電結(jié)的電子基本上都可以被集電區(qū)到集電結(jié)的電子基本上都可以被集電區(qū)收集，收集，此后此后uCE再增加，電流也沒有明顯得增加，特再增加，電流也沒有明顯得增加，特性曲線幾乎平行于與性曲線幾乎平行于與uCE軸軸iC幾乎僅僅決定于幾乎僅僅決定于iB模 擬 電 子 技 術(shù)輸出特性曲線可分為輸出特性曲線可分為3個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)（1）截止區(qū)）截止區(qū): 發(fā)射結(jié)反向偏置且集電結(jié)反向偏置，即發(fā)射結(jié)反向偏置且集電結(jié)反向偏置，即onBEUuBECEuuuCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBE且且0Bi

16、0ci模 擬 電 子 技 術(shù)uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBE（2）放大區(qū)）放大區(qū): 發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置，即發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置，即BECEuu且且b. 恒流特性恒流特性:當(dāng)當(dāng) 恒定時，恒定時，a. 受控特性：受控特性：iC 受受iB的控制的控制即即iC主要由主要由iB決定，與輸出環(huán)路的外電路無關(guān)。決定，與輸出環(huán)路的外電路無關(guān)。BCiiBCiiuCE 變化對變化對 iC 的影響很小的影響很小iBonBEUu模 擬 電 子 技 術(shù)uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A1

17、0A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuBE（3）飽和區(qū)）飽和區(qū): 發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)正向偏置，發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)正向偏置，即即臨界飽和：臨界飽和：UCE = UBE即即UCB=0onBEUuBECEuu 且且隨隨 增大而增大，增大而增大，CiBiCEUBCii此時此時飽和時，飽和時，c、e間的電壓稱為飽和壓降，記作間的電壓稱為飽和壓降，記作UCE(sat)。模 擬 電 子 技 術(shù) 以上以上3個區(qū)域?qū)?yīng)于晶體管的個區(qū)域?qū)?yīng)于晶體管的3種工作狀態(tài)：種工作狀態(tài)： 截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。 在模擬電子技術(shù)中，晶體管主要工作在放大狀態(tài)，在模擬電子技術(shù)中，

18、晶體管主要工作在放大狀態(tài)，用于模擬信號處理（放大、運(yùn)算、處理、發(fā)生）；用于模擬信號處理（放大、運(yùn)算、處理、發(fā)生）； 在數(shù)字電子技術(shù)中，晶體管主要工作于飽和和截止在數(shù)字電子技術(shù)中，晶體管主要工作于飽和和截止?fàn)顟B(tài)（即開關(guān)狀態(tài)），實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字信號處理。狀態(tài)（即開關(guān)狀態(tài)），實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字信號處理。模 擬 電 子 技 術(shù) 2.2.2 共發(fā)射極輸入特性曲線共發(fā)射極輸入特性曲線常數(shù)CEuBEBufi)(uCE = 0VuCE 1VuBE /V圖圖2.2.7 共射輸入特性曲線共射輸入特性曲線模 擬 電 子 技 術(shù)當(dāng)當(dāng)uCE=0V時，相當(dāng)于時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)（發(fā)射結(jié)（PN結(jié)）的正向伏結(jié)）的正向伏安特性曲線。安特性曲

19、線。(2) 當(dāng)當(dāng)0uCEICM時，雖然管子不致于損時，雖然管子不致于損壞，但壞，但值已經(jīng)明顯減小。值已經(jīng)明顯減小。模 擬 電 子 技 術(shù)3 集電極最大允許耗散功率集電極最大允許耗散功率PCM PCM 表示集電極上允許損耗功率的最大表示集電極上允許損耗功率的最大值。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。值。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。 PCM =ICUCE模 擬 電 子 技 術(shù)圖圖2.3.1 共射極放大電路共射極放大電路2.4.1 放大電路的組成放大電路的組成2.4 晶體管放大電路的放大原理晶體管放大電路的放大原理需要放大的信號需要放大的信號ui為交流小信號為交流小信號VBB、Rb：使：使UB

20、E Uon，且有合適的且有合適的IB。VCC：使：使UCEUBE，同時作為負(fù)，同時作為負(fù)載的能源。載的能源。Rc：將：將iC轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)換成uCE(uo) 。模 擬 電 子 技 術(shù)靜態(tài)時放大電路只有直流分量。靜態(tài)時放大電路只有直流分量。放大時靜態(tài)工作狀態(tài)：放大時靜態(tài)工作狀態(tài)： （當(dāng)（當(dāng)ui=0時）時）基極電源基極電源VBB使晶體管使晶體管b-e間間電壓電壓UBEUBE(on) 集電極電源集電極電源VCC應(yīng)足夠高，應(yīng)足夠高，使晶體管的集電結(jié)反向偏置使晶體管的集電結(jié)反向偏置，以保證晶體管工作在放大，以保證晶體管工作在放大狀態(tài)狀態(tài) ；集電極電流集電極電流IC=IB c-e間電壓間電壓UCE=VCC-IC

21、RC模 擬 電 子 技 術(shù))( oCEcbIcuuuiiuR動態(tài)信號作用時：動態(tài)信號作用時：動態(tài)時電路中的信號為交直流分量的疊加。動態(tài)時電路中的信號為交直流分量的疊加。輸入回路中，靜態(tài)基礎(chǔ)上產(chǎn)生動輸入回路中，靜態(tài)基礎(chǔ)上產(chǎn)生動態(tài)的基極電流態(tài)的基極電流ib；輸出回路中，產(chǎn)生動態(tài)電流輸出回路中，產(chǎn)生動態(tài)電流ic；集電極電阻集電極電阻RC將集電極電流的變將集電極電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化，使得管壓降化轉(zhuǎn)化為電壓的變化，使得管壓降產(chǎn)生變化產(chǎn)生變化管壓降管壓降uce的變化量就是輸出動態(tài)的變化量就是輸出動態(tài)電壓電壓uO 若電路參數(shù)選擇得當(dāng)，若電路參數(shù)選擇得當(dāng)，uO的幅度的幅度將比將比ui大得多，且波形形狀相

22、同，大得多，且波形形狀相同，從而達(dá)到放大的目的從而達(dá)到放大的目的 放大時動態(tài)工作狀態(tài)：放大時動態(tài)工作狀態(tài)： （當(dāng)（當(dāng)ui不為不為0時）時）模 擬 電 子 技 術(shù) 輸入電壓輸入電壓ui為零，即直流電源單獨(dú)作用時晶體管各極為零，即直流電源單獨(dú)作用時晶體管各極的電流、的電流、b-e間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點(diǎn)間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點(diǎn)Q，記，記作作IBQ、 ICQ（IEQ）、）、UBEQ、 UCEQ。對各種物理量的表示方法作如下規(guī)定：對各種物理量的表示方法作如下規(guī)定：直流量：字母大寫，下標(biāo)大寫，如：直流量：字母大寫，下標(biāo)大寫，如：IB、IC、UBE、UCE。交流量：字母小寫，下標(biāo)小寫，如：交流

23、量：字母小寫，下標(biāo)小寫，如：ib、ic、ube、uce。交流量的有效值：字母大寫，下標(biāo)小寫，如：交流量的有效值：字母大寫，下標(biāo)小寫，如：Ib、Ic、Ube、Uce。瞬時值（直流量與交流量的疊加量）：字母小寫，下標(biāo)大寫，瞬時值（直流量與交流量的疊加量）：字母小寫，下標(biāo)大寫，如：如：iB、iC、uBE、uCE。模 擬 電 子 技 術(shù)圖圖8 沒有設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)沒有設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)假設(shè)沒有基極電源，靜態(tài)時假設(shè)沒有基極電源，靜態(tài)時將輸入端短路，將輸入端短路，IBQ=0，則，則ICQ=0，UCE=UCC，因而晶體管處于截止，因而晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)；狀態(tài)； 當(dāng)加入輸入電壓當(dāng)加入輸入電壓ui時，時，

24、uBEui，由于輸入信號為交流小，由于輸入信號為交流小信號，通常其峰值小于發(fā)射結(jié)信號，通常其峰值小于發(fā)射結(jié)的開啟電壓的開啟電壓UBE(on)，無法使發(fā)，無法使發(fā)射結(jié)正偏，則在信號的整個周射結(jié)正偏，則在信號的整個周期內(nèi)晶體管始終工作在截止?fàn)钇趦?nèi)晶體管始終工作在截止?fàn)顟B(tài)，因而輸出電壓為態(tài)，因而輸出電壓為0；2.3.2 靜態(tài)工作點(diǎn)的作用靜態(tài)工作點(diǎn)的作用模 擬 電 子 技 術(shù) 即使即使ui的幅值足夠大，晶體管也只可能在信號正的幅值足夠大，晶體管也只可能在信號正半周大于發(fā)射結(jié)的開啟電壓半周大于發(fā)射結(jié)的開啟電壓UBE(on) 的時間間隔內(nèi)導(dǎo)通，的時間間隔內(nèi)導(dǎo)通，所以輸出電壓必然嚴(yán)重失真。所以輸出電壓必然嚴(yán)

25、重失真。設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)是保證放大電路正常工作的基礎(chǔ)設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)是保證放大電路正常工作的基礎(chǔ) 對于放大電路最基本的要求：不失真，能夠放大。對于放大電路最基本的要求：不失真，能夠放大。模 擬 電 子 技 術(shù)圖圖9 共射極放大器的電壓、電流波形共射極放大器的電壓、電流波形2.3.3 基本共射放大電路的放大原理基本共射放大電路的放大原理bBQBiIicCQCiIiceCEQCEuUu利用晶體管的電流放大作用，利用晶體管的電流放大作用，電流的變化轉(zhuǎn)換電流的變化轉(zhuǎn)換并依靠并依靠Rc將將成電壓的變化成電壓的變化模 擬 電 子 技 術(shù) 2.3.4 基本放大電路的組成原則基本放大電路的組成原則（2） 動態(tài)信號能夠作用于晶體管的輸入回路（基極動態(tài)信號能夠作用于晶體管的輸入回路（基極-發(fā)射極回路），在負(fù)載上能夠獲得放大了的動態(tài)信號。發(fā)射極回路），在負(fù)載上能夠獲得放大了的動態(tài)信號。 （3）必須設(shè)置合理的信號通路。當(dāng)加入信號源和負(fù)載時，一）必須設(shè)置合理的信號通路。當(dāng)加入信號源和負(fù)載時，一方面不能破壞已設(shè)置好的靜態(tài)工作點(diǎn)，一方面盡可能減小信號方面不能破壞已設(shè)置好的靜態(tài)工作點(diǎn)，一方面盡可能減小信號通路中的損耗。