半導(dǎo)體行業(yè)：全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭團(tuán)隊(duì)技術(shù)研發(fā)等令人深刻

1、內(nèi)容目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 中微半導(dǎo)體：國(guó)產(chǎn)設(shè)備龍頭，營(yíng)收高速增長(zhǎng)-5-半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，中國(guó)制造面向全球-5-員工持股平臺(tái)激勵(lì)到位，以董事長(zhǎng)為核心的管理層經(jīng)驗(yàn)豐富-7 -營(yíng)收高速成長(zhǎng)，盈利能力不斷增強(qiáng)-9- HYPERLINK l bookmark2 o Current Document 關(guān)注一：市場(chǎng)規(guī)模和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局探討-12-刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析：市場(chǎng)CR3=94%, 2019年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模近365億-12-MOCVD市場(chǎng)探討：國(guó)內(nèi)市場(chǎng)每年新增20億，格局以美國(guó)Veeco為主.-15- HYPERLI

2、NK l bookmark4 o Current Document 關(guān)注二：公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和客戶群體探討-19-管理、研發(fā)、客戶的三大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)造就護(hù)城河-19-公司刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)地位、銷量和客戶群體 -22-公司MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)地位、銷量和客戶群體 -23- HYPERLINK l bookmark8 o Current Document 關(guān)注三：募投工程分析及公司未來開展規(guī)劃-24- HYPERLINK l bookmark10 o Current Document 可比估值及投資建議 -26 - HYPERLINK l bookmark12 o Current Document 風(fēng)險(xiǎn)提示

3、-26-關(guān)注一：市場(chǎng)規(guī)模和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局探討公司所處的細(xì)分行業(yè)為集成電路設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的 MOCVD設(shè)備行業(yè)。我們重點(diǎn)對(duì)這兩個(gè)細(xì)分板塊進(jìn)行分析。刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分析：市場(chǎng)CR3=94%, 2019年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模近365億1、刻蝕設(shè)備占比設(shè)備投資24%,市場(chǎng)規(guī)模約365億元刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積是半導(dǎo)體三大主要設(shè)備。集成電路設(shè)備 包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備等，而晶圓制造設(shè)備從類別上 講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì) 投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的80%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻 設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要

4、的三類設(shè)備，大約 分別占據(jù)所有半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額的15%、20%、15%等。隨著半導(dǎo)體開展，刻蝕設(shè)備占比和市場(chǎng)規(guī)模越來越大。一方面隨著集成 電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7 納米、5納米以及更先進(jìn)的工藝開展，由于普遍使用的浸沒式光刻機(jī)受到 波長(zhǎng)限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻 蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加 工步驟增多。另一方面半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)趨于復(fù)雜，例如存儲(chǔ)器領(lǐng)域的 NAND閃存已進(jìn)入3D時(shí)代，3D NAND制造工藝增加集成度的主要方法不 再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層向12

5、8層 開展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè) 備和薄膜沉積設(shè)備的需求；此外3D結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件往往需要很小的通 孔連接幾十至一百余層硅，因此對(duì)刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比， 這為刻蝕設(shè)備提出了新的應(yīng)用方向和附加值。所以刻蝕設(shè)備和薄膜沉積 正成為更關(guān)鍵且投資占比最高的設(shè)備。根據(jù)2017年集成電路設(shè)備占比， 刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備已變成24 、93 、%8%。圖表11: 2017年集成電路各類設(shè)備銷售額占比(%)光刻機(jī)光刻膠處理.23%來源：SEMI,圖表12:各類設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中的價(jià)值占比（紅線為刻蝕設(shè)備） 我們預(yù)計(jì)到2018-2020年中國(guó)大陸12寸半導(dǎo)體

6、設(shè)備的市場(chǎng)空間為4500 億元。我們研究和測(cè)算了大陸12寸晶圓廠開工、投產(chǎn)時(shí)間及進(jìn)度，和 每年投產(chǎn)的產(chǎn)線所對(duì)應(yīng)的投資總額（設(shè)備支出占比80%）o由于產(chǎn)線從 最初投產(chǎn)后還需經(jīng)過良率測(cè)試及產(chǎn)能爬坡的過程，在這個(gè)過程中設(shè)備的 采購(gòu)也是逐步進(jìn)行的，所以我們將每年新增的設(shè)備投資額分別計(jì)入未來 幾年的實(shí)際設(shè)備投資額中，實(shí)際可達(dá)的產(chǎn)能同理。（我們?cè)O(shè)備投資總額分 為三局部計(jì)入未來三年的實(shí)際投資額中，當(dāng)年20%、第二年40%、第三 年40%,產(chǎn)能測(cè)算同理。）經(jīng)過測(cè)算，我們預(yù)測(cè)2018年中國(guó)大陸半導(dǎo)體 設(shè)備空間為850億元人民幣，同比增長(zhǎng)60%, 2019年為1520億元， 同比增長(zhǎng)78.8%, 2020年為21

7、40億元，同比增40%, 2019-2020是 半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵的放量階段。 各核心設(shè)備的投資額：假設(shè)分拆到各類設(shè)備上，根據(jù)對(duì)應(yīng)的投資占比：2019 年刻蝕設(shè)備365億元、光刻設(shè)備350億元、沉積設(shè)備274億元。圖表13:中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備投資額測(cè)算（單位:億元）來源：整理（2016及2017年沒有測(cè)算2016年之前投產(chǎn)的產(chǎn)線，故表格中實(shí)際新增產(chǎn)能和投資額小于實(shí)際發(fā)生值）年份新增投資總額用于設(shè)備的新增投 資總額新增月產(chǎn)能（k/ 月）實(shí)際新增產(chǎn)能 （k/月）實(shí)際設(shè)備 投資額2016735.0588.09018+117.6+2017418.8335.011559+302.2+20182999.023

8、99.2385159849.120192667.02133.64502901520.420202040.01632.04004142139.52021542.0433.61303661593.02、刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局：前三占據(jù)94%,泛林設(shè)備半壁江山 刻蝕設(shè)備行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額半壁江山。 隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林 半導(dǎo)體由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從65納米、45納米設(shè)備市場(chǎng)起逐步 超過應(yīng)用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。根據(jù)The Information Network數(shù)據(jù)顯示，泛林半導(dǎo)體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)占有率從2012 年的約4

9、5%提升至2017年的約55%,主要替代了東京電子的市場(chǎng)份額； 排名第二的東京電子的市場(chǎng)份額從2012年的30%降至2017年的20%; 應(yīng)用材料位于第三，2017年約占19%的市場(chǎng)份額。前三大公司在2017 年占據(jù)刻蝕設(shè)備總市場(chǎng)份額的94%,行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯。圖表14: 2017年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額分布情況其他6%應(yīng)用材料，19%東京電子，20% 泛林半導(dǎo)體,55%來源：The Information Network,泛林半導(dǎo)體：該公司成立于1980年，系美國(guó)納斯達(dá)克證券交易所 上市公司（股票代碼：LRCX）,主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn) 和銷售，主要產(chǎn)品包括刻蝕設(shè)備、薄膜沉積

10、設(shè)備、晶圓清洗設(shè)備、光致 抗蝕設(shè)備等。泛林半導(dǎo)體于2001年在上海成立了全資子公司 “泛林半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)（上海）”。東京電子：該公司成立于1963年，系東京證券交易所上市公司（股 票代碼：8035）,主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主 要產(chǎn)品包括熱處理成膜設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、單晶圓沉積設(shè)備、表 面處理設(shè)備、晶圓測(cè)試設(shè)備、涂膠機(jī)和顯影機(jī)等。應(yīng)用材料：該公司成立于1967年，系美國(guó)納斯達(dá)克證券交易所上 市公司（股票代碼：AMAT）,主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn) 和銷售，主要產(chǎn)品包括原子層沉積設(shè)備、化學(xué)薄膜沉積設(shè)備、電化學(xué) 沉積設(shè)備、物理薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、離子注 入機(jī)、

11、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等。北方華創(chuàng)：成立于2001年，系深圳證券交易所上市公司（股票代 碼：002371）,主要從事基礎(chǔ)電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技 術(shù)服務(wù)業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品包括刻蝕機(jī)、物理氣相沉積設(shè)備、化學(xué)氣相淀 積設(shè)備、氧化爐、擴(kuò)散爐、清洗機(jī)及鋰電極片裝備等半導(dǎo)體設(shè)備及零 部件。MOCVD市場(chǎng)探討：國(guó)內(nèi)市場(chǎng)每年新增20億，格局以美國(guó)Veeco為主1、MOCVD為L(zhǎng)ED產(chǎn)線核心設(shè)備，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模每年新增20億MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體 器件的關(guān)鍵設(shè)備。MOCVD設(shè)備占LED生產(chǎn)線投資的50%以上。LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、 LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組

12、成，產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包 括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機(jī)；制造外延片需要的MOCVD設(shè)備; 制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測(cè)設(shè)備；封裝需要的貼片機(jī)、固晶 機(jī)、焊線臺(tái)和灌膠機(jī)等。LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步 驟，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過 MOCVD單種設(shè)備實(shí)現(xiàn)。MOCVD設(shè)備作為L(zhǎng)ED制造中最重要的設(shè)備進(jìn) 口一臺(tái)VECCO設(shè)備的價(jià)格約在150萬(wàn)-200萬(wàn)美元之間，購(gòu)置本錢約占 整個(gè)LED生產(chǎn)線本錢的一半左右，因此MOCVD設(shè)備的數(shù)量成為衡量 LED制造商產(chǎn)能的直觀指標(biāo)。圖表15: MOCVD設(shè)備處于led產(chǎn)業(yè)鏈上游制作外延片Q片包備一裝電

13、路版發(fā)電子 無(wú)件機(jī)陵件無(wú)學(xué)件笨仟光源（金記本.十 機(jī).電視.相機(jī)等） 期明（普通照明.最 現(xiàn)S明，八/M明） 之通信號(hào).秣號(hào)燈 其它來源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究, 國(guó)內(nèi)需求占全球比例提升，每年新增市場(chǎng)規(guī)模20億左右。根據(jù)Technavi。統(tǒng)計(jì)，全球M0CVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到 14%,市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的6. 148億美元增加到2021年的11. 628 億美元，復(fù)合增速13.6* o而隨著全球LED芯片行業(yè)逐漸向大陸轉(zhuǎn)移， 國(guó)內(nèi)LED芯片陸續(xù)擴(kuò)張目前產(chǎn)能占全球總產(chǎn)能近70%中國(guó)已成全球 M0CVD設(shè)備最大的需求市場(chǎng)，根據(jù)CSA等，中國(guó)大陸2017-2018年M0CVD

14、機(jī)臺(tái)總數(shù)到達(dá)1718、1900臺(tái)，機(jī)臺(tái)數(shù)量年增率超過10.5%,假設(shè)按照中微 單價(jià)930/785萬(wàn)元，市場(chǎng)規(guī)模約為億元，另外目前M0CVD設(shè) 備下游應(yīng)用主要在藍(lán)光LED,藍(lán)光，ED那么主要用于照明領(lǐng)域，除藍(lán)光LED, M0CVD設(shè)備還可應(yīng)用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED,以及Mini LED、 Micro LED.功率器件等諸多新興領(lǐng)域，M0CVD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模會(huì)有望進(jìn)一 步擴(kuò)大。圖表16:全球MOCVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)分布情況左要市場(chǎng)功率電子領(lǐng)域到2030年為止.大于80%的電力 將會(huì)用于功率電子亞太市場(chǎng) 、亞太地區(qū)MOCVD 市場(chǎng)序聞合年增長(zhǎng) 率為14.17%全球市場(chǎng)增收2016

15、 年6.148億美元5.48億美元增長(zhǎng)2021年11.628億美元來源：Technavio,電子工程世界,圖表17: 2008-2015年中國(guó)MOCVD的保有量、新增量及市場(chǎng)規(guī)模 &乙元）每年新增里（臺(tái)）中國(guó)MOVCD保有里（臺(tái)） 市場(chǎng)規(guī)模（億）-右軸來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，招股說明書，CSA, （2016-2017-2018年以中微均價(jià)測(cè)算規(guī)模）2、競(jìng)爭(zhēng)格局以美國(guó)Veeco德國(guó)AIXTRON等為主，中微半導(dǎo)體逐漸追趕 行業(yè)龍頭以美德為主，國(guó)內(nèi)追趕較快。目前美國(guó)的Veeco、德國(guó)AIXTRON、 日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric是起步較早的MOCVD設(shè)備供應(yīng) 商，由

16、于日本對(duì)MOCVD設(shè)備實(shí)行出口限制政策，全球市場(chǎng)基本被Veeco 和AIXTRON壟斷，（此前兩家MOCVD設(shè)備廠一度壟斷了全球MOCVD設(shè)備90%以上的市場(chǎng)份額）。但隨著國(guó)內(nèi)國(guó)家LED開展政策及政府補(bǔ)貼，我 國(guó)涉足MOCVD設(shè)備的企業(yè)不斷增多，現(xiàn)已有中微半導(dǎo)體、中晟光電、廣 東昭信等企業(yè)快速追趕，尤其中微半導(dǎo)體2018年收入達(dá)8.32億，接近 AIXTRON的40%縮小和世界設(shè)備廠商的差距。維易科：公司成立于1945年，系美國(guó)納斯達(dá)克證券交易所上市公 司（股票代碼：VECO）,主要從事薄膜加工設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售, 主要產(chǎn)品或技術(shù)包括MOCVD設(shè)備、分子束外延、光刻設(shè)備等。愛思強(qiáng)：公司成立

17、于1983年，系法蘭克福證券交易所上市公司（股票 代碼：A0WMPJ）,主要從事沉積系統(tǒng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主 要產(chǎn)品包括MOCVD設(shè)備、有機(jī)薄膜沉積設(shè)備、聚合物薄膜沉積設(shè) 備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)薄膜沉積設(shè)備和化學(xué)薄膜淀積設(shè)備等。圖表18: MOCVD設(shè)備主要廠商財(cái)務(wù)比照來源：招股說明書,關(guān)注二：公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和客戶群體探討管理、研發(fā)、客戶的三大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)造就護(hù)城河 創(chuàng)始人及技術(shù)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)：中微公司的創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)及總經(jīng)理尹志堯博 士在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有35年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)際等離子體刻蝕技 術(shù)開展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者。在創(chuàng)辦中微公司以前，尹志堯博士于 1984年至1986年間供職于英特爾，從事

18、核心技術(shù)開發(fā)工作；于1986 年至1991年間在泛林半導(dǎo)體負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)假設(shè)干重點(diǎn)產(chǎn)品的刻蝕技術(shù)開發(fā)； 于1991年至2004年間在應(yīng)用材料擔(dān)任高級(jí)管理職務(wù)，包括企業(yè)副總裁、 刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官。尹志堯博士是89項(xiàng)美國(guó) 專利和200多項(xiàng)其他海內(nèi)外專利的主要?jiǎng)?chuàng)造人。2018年美國(guó)VLSI Research的全球評(píng)比中，中微公司董事長(zhǎng)尹志堯博士與英特爾董事長(zhǎng)、 格羅方德CEO 一起被評(píng)為2018年國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大領(lǐng)軍明星(All Stars)o中微公司的其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術(shù)人員和重要的技術(shù)、工 程人員，包括杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士、楊偉先生、李天笑 先生等160多位

19、各專業(yè)領(lǐng)域的專家，其中很多是在國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕 耘數(shù)十年為行業(yè)開展做出較大貢獻(xiàn)。圖表19:電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保護(hù) 措施技術(shù)水平PrimoD-RIE應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況Primo Primo SSCAD-RIE AD-RIEPrimoSSCHD-RIE雙反響臺(tái)高 產(chǎn)出率技術(shù)自打已獲授權(quán)專利5項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)-按觸風(fēng)上電 極噴淋板技自主M恨已獲授權(quán)專利10項(xiàng)； 申請(qǐng)中專利6項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)己量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)晶圓邊緣區(qū) 域氣簾技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利2項(xiàng);申請(qǐng)中專利2項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)-已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)脈沖阻艇 配技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利I頃申請(qǐng)中專利2項(xiàng)國(guó)際先

20、進(jìn)-己量產(chǎn)已量產(chǎn)己量產(chǎn)等離子體約 束技術(shù)自主M已獲授權(quán)專利7項(xiàng); 申請(qǐng)中專利國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)來源：招股說明書,圖表20:電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況來源：招股說明書,名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保 護(hù)措施技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻(xiàn) 情況低電容耦合 線圈技術(shù)自主研發(fā)己獲授權(quán)專利4項(xiàng)； 申請(qǐng)中專利1項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)抗損耗靴 轉(zhuǎn)頻技術(shù)自主研已獲授權(quán)專利8項(xiàng); 申請(qǐng)中專和項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)己量產(chǎn)反酈對(duì)稱 抽氣技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利2項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)己量產(chǎn)圖表21:深硅刻蝕設(shè)備（TSV系列）核心技術(shù)概況來源：招股說明書,名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保 護(hù)措施技林平應(yīng)服噴就情況TSV設(shè)備雙反響臺(tái)高 產(chǎn)出率技

21、術(shù)自主喉己藏權(quán)專利3項(xiàng);申請(qǐng)巾專利1項(xiàng)國(guó)際%進(jìn)己量產(chǎn)蝌入氣體 物化技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利3 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利預(yù)國(guó)觥進(jìn)己量產(chǎn)高速錦轉(zhuǎn) 換技術(shù)自主研發(fā)*授權(quán)專利9項(xiàng);申請(qǐng)中專利1項(xiàng)邸示先進(jìn)己量產(chǎn)圖表22: MOCVD設(shè)備核心技術(shù)概況名稱技術(shù)來源專利及其他技術(shù)保 護(hù)措施技術(shù)水平應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況Prismo D- zPrismo A7Blue雙區(qū)可調(diào)控工 藝氣體噴淋頭自主研發(fā)已獲授權(quán)專利18 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利1項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)-已量產(chǎn)高溫度均勻性 加熱器和帶鎖 托盤驅(qū)動(dòng)技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利1項(xiàng)； 申請(qǐng)中專利2項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)高精度可編程 托盤傳輸技術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利4項(xiàng)； 申請(qǐng)中專利1項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已

22、量產(chǎn)已量產(chǎn)智能化溫控技 術(shù)自主研發(fā)已獲授權(quán)專利16 項(xiàng)；申請(qǐng)中專利1項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)已量產(chǎn)已量產(chǎn)來源：招股說明書, 研發(fā)優(yōu)勢(shì)。公司始終保持大額的研發(fā)投入和較高的研發(fā)投入占比，最近三 年累計(jì)研發(fā)投入到達(dá)10.37億元，占營(yíng)業(yè)收入的比重平均為32%o這使得 公司積累了深厚的技術(shù)儲(chǔ)藏和豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，這一優(yōu)勢(shì)保證了公司產(chǎn)品 和服務(wù)的不斷進(jìn)步，并且公司擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù)，截至 2019年2月28日，公司已申請(qǐng)1201項(xiàng)專利，已獲授權(quán)專利951項(xiàng)， 其中創(chuàng)造專利800項(xiàng)。目前公司已順利完成四個(gè)等離子體刻蝕機(jī)的開發(fā)和 產(chǎn)業(yè)化工程，正在執(zhí)行的第五個(gè)研發(fā)工程已提前兩年到達(dá)預(yù)定技術(shù)指標(biāo)， 在刻蝕設(shè)備方面，

23、公司成功開發(fā)了低電容耦合線圈技術(shù)、等離子體約束技 術(shù)、雙反響臺(tái)高產(chǎn)出率技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)；在MOCVD設(shè)備方面，公司新開發(fā)的Prismo A7設(shè)備擁有雙區(qū)可調(diào)控工藝氣體噴淋頭和帶 鎖托盤驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的波長(zhǎng)和厚度均一性指標(biāo)。圖表23:公司近年來?yè)?dān)任多項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)工程來源：招股說明書,序號(hào)工程類別重大科研工程名稱工程時(shí)間1國(guó)家科技重大專項(xiàng)65.45nm介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化2上海市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè) 化重大工程計(jì)劃高端MOCVD設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化3國(guó)家科技重大專項(xiàng)32.22nm介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化42012年度上海市戰(zhàn)略 性新興產(chǎn)業(yè)工程450mm大尺寸刻蝕機(jī)研發(fā)5國(guó)家科技重大專項(xiàng)2214納米介

24、質(zhì)刻蝕機(jī)開發(fā)及關(guān)鍵零 部件國(guó)產(chǎn)化6國(guó)家科技重大專項(xiàng)147納米介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化2016.1 .至今7國(guó)家科技重大專項(xiàng)刻蝕工藝零部件驗(yàn)證與應(yīng)用2017.1-圖表24:公司目前三塊業(yè)務(wù)主要的研發(fā)工程序號(hào)名稱擬到達(dá)的主要目標(biāo)階段及進(jìn)展應(yīng)用與行業(yè)技術(shù)水 平比擬電容性等 離子體刻14-7納米CCP介質(zhì)刻 蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化下電極和晶圓周邊結(jié)構(gòu)和性能改進(jìn)、開發(fā)減少 金屬污染和顆粒物產(chǎn)生的新材料和新外表處理 方法，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的 要求；開發(fā)腔體和氣體傳輸系統(tǒng)采用新型的防 腐蝕涂層材料開發(fā)階段14-7納米集成電路的多 膜層結(jié)構(gòu)刻蝕、前端接 觸孔、有機(jī)掩模層刻蝕 等刻蝕國(guó)際先進(jìn)水平用于先進(jìn)

25、邏輯電路 的CCP刻蝕設(shè)備實(shí)現(xiàn)等離子體密度分布的可調(diào)節(jié)，滿足均勻性 、減少金屬污染和顆粒物的要求研究階段7納米以下邏輯電路刻蝕國(guó)際先進(jìn)水平用于存儲(chǔ)器刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備設(shè)計(jì)開發(fā)超低頻和超大功率的射頻等離子系統(tǒng) 及對(duì)應(yīng)的靜電吸盤、多區(qū)控溫性能的上電極、 溫度可調(diào)節(jié)的邊緣環(huán)系統(tǒng)等，滿足超高深寬比 的刻蝕需求研究階段3D NAND, N128層追趕國(guó)際先進(jìn) 水平刻蝕設(shè)備的進(jìn)一步 改進(jìn)集成電路刻蝕設(shè)備的工藝改進(jìn)，電極和晶圓周 邊結(jié)構(gòu)和性能的改進(jìn)、優(yōu)化上電極的設(shè)計(jì)等， 滿足穩(wěn)定生產(chǎn)的需求研究階段頂層金屬接觸孔、金屬 溝槽等的刻蝕國(guó)際先進(jìn)水平電感性等 離子體14-7納米ICP介質(zhì)刻 蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化涉及開

26、發(fā)射頻能量饋入電感式耦合線圈、雙控 細(xì)分多區(qū)動(dòng)態(tài)靜電吸盤、先進(jìn)的射頻匹配技術(shù) 及動(dòng)態(tài)、分區(qū)域的反響氣體注入系統(tǒng)等開發(fā)階段14-7納米集成電路的刻 蝕，如雙重/四重圖形、 模板刻蝕、邊墻刻蝕、 減薄刻蝕等國(guó)際先進(jìn)水平高端MEMS等離子 體刻蝕設(shè)備研發(fā)及 產(chǎn)業(yè)化開發(fā)提高氣體解離率和等離子體的均勻性的裝 置；設(shè)計(jì)開發(fā)脈沖射頻發(fā)生器；開發(fā)靜電吸附 卡盤邊緣保護(hù)裝置和聚焦環(huán)等開發(fā)階段先進(jìn)MEMS芯片國(guó)際先進(jìn)水平MOCVD高溫MOCVD設(shè)備開發(fā)適用于UVC LED生長(zhǎng)的高溫MOCVD設(shè) 備，可承載18片2寸外延片開發(fā)階段UVCLED、紫外殺菌、 工業(yè)水凈化等國(guó)際先進(jìn)水平國(guó)產(chǎn)化加熱系統(tǒng)在 MOCVD設(shè)備上的

27、推 廣應(yīng)用電源可根據(jù)加熱器電壓等級(jí)及功率要求任意組 合，可實(shí)現(xiàn)主從控制，與加熱器的負(fù)載特性相 匹配開發(fā)階段藍(lán)綠光LED、通用照明 等國(guó)際先進(jìn)水平30英寸大尺寸 MOCVD設(shè)備開發(fā)更大尺寸MOCVD設(shè)備：托盤尺寸達(dá)30英 寸，可承載41片4英寸外延片或18片6寸外延片研究階段藍(lán)綠光LED、通用照明、Mini LED等國(guó)際先進(jìn)水平新型高產(chǎn)能MOCVD 設(shè)備改進(jìn)現(xiàn)有MOCVD設(shè)備性能，提高設(shè)備穩(wěn)定性研究階段藍(lán)綠光LED外延片生產(chǎn)國(guó)際先進(jìn)水平來源：招股說明書,圖表目錄 TOC o 1-5 h z 圖表1:中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品的演變情況-5-圖表2：中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品型號(hào)、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域 -

28、6-圖表3:公司股權(quán)結(jié)構(gòu)前十及管理層持股情況-7-圖表4：公司控股子公司一覽情況-8-圖表5:公司六名核心技術(shù)人員-8-圖表6:公司近五年多研發(fā)投入及占營(yíng)收比（） -8-圖表7:公司近三年多產(chǎn)品營(yíng)收結(jié)構(gòu)及變化-9-圖表8:公司近三年多營(yíng)收和凈利泗及增速（%） -9-圖表9:公司分業(yè)務(wù)看近三年毛利率變化情況-10-圖表10:發(fā)行人和可比公司毛利率水平比照 -10-圖表11: 2017年集成電路各類設(shè)備銷售額占比（） - 12-圖表12：各類設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中的價(jià)值占比（紅線為刻蝕設(shè)備）-13-圖表13:中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備投資額測(cè)算（單位：億元）-13-圖表14: 2017年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額分布

29、情況 -14-圖表15： MOCVD設(shè)備處于led產(chǎn)業(yè)鏈上游制作外延片-15-圖表16:全球MOCVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)分布情況-16-圖表17： 20082015年中國(guó)MOCVD的保有量、新增量及市場(chǎng)規(guī)模（億元）-17-圖表18: MOCVD設(shè)備主要廠商財(cái)務(wù)比照 -18-圖表19:電容等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況-19-圖表20:電感性等離子體刻蝕設(shè)備核心技術(shù)概況-20-圖表21：深硅刻蝕設(shè)備（TSV系列）核心技術(shù)概況-20-圖表22: MOCVD設(shè)備核心技術(shù)概況 -20 -圖表23:公司近年來?yè)?dān)任多項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)工程-21 -圖表24:公司目前三塊業(yè)務(wù)主要的研發(fā)工程 -21 -圖表25

30、:企業(yè)A的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）-22-圖表26:企業(yè)B的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）-22-圖表27:公司刻蝕設(shè)備的主要代表客戶情況 -23-圖表28:公司MOCVD設(shè)備的主要代表客戶情況 -23-圖表29:公司募投工程資金運(yùn)用方向及投資額（億元）-24-圖表30：可比公司盈利預(yù)測(cè)與估值比擬（Wind一致性預(yù)測(cè)）-26- 較強(qiáng)的客戶服務(wù)優(yōu)勢(shì)及資源。較強(qiáng)的客戶服務(wù)優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體設(shè)備制造商的售后服務(wù)尤為關(guān)鍵，關(guān)系到 設(shè)備能否在客戶生產(chǎn)線上正常、穩(wěn)定地運(yùn)行。相較于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，公司 在地域上更接近主流客戶，能提供更快捷、更經(jīng)濟(jì)的技術(shù)支持和客戶維護(hù)。 為保證公司的售后服務(wù)水平，公司成立了全球業(yè)務(wù)

31、部統(tǒng)籌公司銷售業(yè)務(wù)，組 建了一支經(jīng)驗(yàn)豐富的售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)，保證7x24小時(shí)響應(yīng)客戶的需求，并 在約定時(shí)間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)排查故障、解決問題。公司專業(yè)、快捷的售后服 務(wù)能力在業(yè)內(nèi)樹立了良好的品牌形象。公司在VLSI Research 2018 年度全球芯片設(shè)備“客戶滿意度”調(diào)查多項(xiàng)排名中位居前列，包括全球晶圓 制造設(shè)備供應(yīng)商排名第三、芯片制造設(shè)備專業(yè)供應(yīng)商排名第二、薄膜沉積 設(shè)備供應(yīng)商排名榜首。豐富的客戶優(yōu)質(zhì)資源。經(jīng)過多年的努力，公司憑借其在刻蝕設(shè)備及 MOCVD設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和服務(wù)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品已成功進(jìn)入了海內(nèi)外半導(dǎo)體 制造企業(yè)，形成了較強(qiáng)的客戶資源優(yōu)勢(shì)。目前公司每年前五名客戶包括臺(tái) 積電、中芯國(guó)際、海力

32、士、華力微電子、聯(lián)華電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三安光電、 華燦光電、乾照光電、璨揚(yáng)光電等，以及前述客戶同一控制下的關(guān)聯(lián)企業(yè)。 2016年、2017年和2018年，公司對(duì)前五大客戶的銷售占比分別為 85.74%、74.52%和60.55%,客戶集中度占比逐年降低，客戶群體逐 漸增加。公司刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)地位、銷量和客戶群體市場(chǎng)地位：刻蝕設(shè)備設(shè)備行業(yè)均呈現(xiàn)高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局，中微公司是 我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)中極少數(shù)能與全球頂尖設(shè)備公司直接競(jìng)爭(zhēng)并不斷擴(kuò) 大市場(chǎng)占有率的公司，是國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的后起之秀。公司 自主研發(fā)的刻蝕設(shè)備正逐步打破國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷，已被 海內(nèi)外主流客戶認(rèn)可，根據(jù)招股說明書

33、，公司近期在兩家國(guó)內(nèi)知名存儲(chǔ) 芯片制造企業(yè)采購(gòu)的刻蝕設(shè)備臺(tái)數(shù)已占據(jù)前四名，如下列圖25-26所示?？涛g設(shè)備近三年銷量情況。2016-2018年銷量分別為56-33-71腔，同 比增加了-41%和115%。其中2017年受少數(shù)客戶資本性支出消減影響， 2018年，受中國(guó)大陸集成電路制造商投資持續(xù)大幅增長(zhǎng)，公司及時(shí)重點(diǎn)加 大在中國(guó)大陸市場(chǎng)的銷售力度，刻蝕設(shè)備的銷售數(shù)量回升至71腔，同 比增長(zhǎng)115.15%,呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。主要客戶：公司刻蝕設(shè)備下游主要是集成電路制造商、半導(dǎo)體封測(cè)廠商， 包括臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力土、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華 邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半

34、導(dǎo)體等。圖表25:企業(yè)A的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）圖表26:企業(yè)B的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）其他，2%來源：中國(guó)際招標(biāo)網(wǎng),東京電子，13%中微公司,15%泛林半導(dǎo)體,53%中微公司，17% J東京電子，38%泛林半導(dǎo)體，19%應(yīng)用材料，24%來源：中國(guó)際招標(biāo)網(wǎng),公司MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)地位、銷量和客戶群體市場(chǎng)地位：2017年以前MOCVD設(shè)備主要由維易科和愛思強(qiáng)兩家國(guó)際 廠商壟斷。2017年以來公司的MOCVD設(shè)備逐步打破上述企業(yè)的壟斷。 根據(jù)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)，2018年公司在全球氮化銀基LED MOCVD設(shè) 備市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。主要銷量情況：受益于公司長(zhǎng)期的技術(shù)積累，Pri

35、smo A7型號(hào)MOCVD 設(shè)備2017年度全面獲得客戶認(rèn)可，銷量快速增長(zhǎng)。2017年和2018年， 公司MOCVD設(shè)備的銷售數(shù)量分別為57腔和106腔，同比大幅增長(zhǎng)。主要客戶：公司自主研發(fā)的MOCVD設(shè)備已被三安光電、華燦光電、乾 照光電等多家一流L E D制造廠商大批量采購(gòu)。圖表27:公司刻蝕設(shè)備的主要代表客戶情況圖表28:公司MOCND設(shè)備的主要代表客戶情況臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)華來源：招股說明書,電子、華力微電子、海力 土、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華邦電 子、晶方科技、格羅方 德、博世、意法半導(dǎo)體來源：招股說明書,關(guān)注三：募投工程分析及公司未來開展規(guī)劃 募投資金用途：募投資金10億用于設(shè)備升級(jí)及研發(fā)。

36、1、高端半導(dǎo)體裝備工程。公司的核心半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品主要為刻蝕設(shè)備 和MOCVD設(shè)備兩大類，高端半導(dǎo)體設(shè)備的擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)計(jì)劃包括但不限于 聘請(qǐng)工程師、專家及其他人才，采購(gòu)不同類型的刻蝕設(shè)備及MOCVD設(shè) 備的Beta機(jī)，采購(gòu)擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)所需的必要生產(chǎn)輔助設(shè)備和軟件，儲(chǔ)藏?cái)U(kuò)產(chǎn) 升級(jí)所需的氣體、襯底等關(guān)鍵原材料，建設(shè)改造原有的生產(chǎn)廠房和倉(cāng)儲(chǔ)設(shè) 施，以進(jìn)一步擴(kuò)大公司高端刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)能力及在相 關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用。具體如下：高端刻蝕設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)：包括Primo AD-RIE、Primo SSC HD-RIE 和Primo nanova等；高端MOCVD設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)：包括高產(chǎn)能藍(lán)綠光LED MOCVD、

37、高 溫MOCVD、硅基氮化綠功率應(yīng)MOCVD、基于LED顯示應(yīng)用的 MOCVD設(shè)備等；2、技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級(jí)工程。公司技術(shù)研發(fā)建設(shè)升級(jí)包括技術(shù)研發(fā) 中心軟硬件設(shè)備配置，引進(jìn)優(yōu)秀的技術(shù)人才，對(duì)行業(yè)前瞻性技術(shù)進(jìn)行研 究開發(fā)，儲(chǔ)藏工程所需的核心原材料，強(qiáng)化公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。先進(jìn)刻蝕設(shè)備研發(fā)：包括先進(jìn)邏輯電路的CCP刻蝕設(shè)備、用于存 儲(chǔ)器的CCP刻蝕設(shè)備及更先進(jìn)的14-7納米ICP刻蝕設(shè)備等。先進(jìn)MOCVD設(shè)備研發(fā)：包括下一代高產(chǎn)能藍(lán)綠光LED MOCVD Alpha機(jī)、基于下一代硅基氮化綠功率應(yīng)用MOCVD試驗(yàn)平臺(tái)、基 于Mini LED顯示應(yīng)用的MOCVD試驗(yàn)平臺(tái)、基于Micro LED顯示應(yīng) 用

38、的新型MOCVD。課題研發(fā)包括七方面：（1）、5-3納米電容性等離子體刻蝕技術(shù)的 開發(fā)；（2）、具有超高深寬比的存儲(chǔ)器芯片等離子體介質(zhì)刻蝕技 術(shù)；（3） 5-3納米電感式等離子體刻蝕技術(shù)的研發(fā)；（4）、應(yīng)用于 紫外LED的高溫MOCVD技術(shù)；（5）、基于Mini LED應(yīng)用的氮化銀 MOCVD技術(shù)；（6）、基于Micro LED應(yīng)用的氮化鎮(zhèn)MOCVD技術(shù)；（7）、基于氮化鎮(zhèn)功率半導(dǎo)體應(yīng)用的MOCVD技術(shù)。圖表29:公司募投工程資金運(yùn)用方向及投資額（億元）序號(hào)募集資金方向工程總投資 （億元）擬投入募投資 金（億元）1高端半導(dǎo)體設(shè)備 擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)工程4.014.002技術(shù)研發(fā)中心建 設(shè)升級(jí)工程4.01

39、4.003補(bǔ)充流動(dòng)資金2.002.00合計(jì)10.0210.00來源：招股說明書, 未來開展戰(zhàn)略：公司目前開發(fā)的產(chǎn)品以集成電路前道生產(chǎn)的等離子體刻 蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備為主，并已逐步開發(fā)應(yīng)用于后道先進(jìn)封 裝、MEMS、Mini LED、Micro LED等領(lǐng)域的泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品。未來, 公司將在適當(dāng)時(shí)機(jī)通過并購(gòu)等外延式成長(zhǎng)途徑擴(kuò)大產(chǎn)品和市場(chǎng)覆蓋，并繼續(xù) 探索核心技術(shù)在國(guó)計(jì)民生中創(chuàng)新性的應(yīng)用，中微公司所從事的半導(dǎo)體設(shè)備 產(chǎn)業(yè)具有廣闊的成長(zhǎng)空間。并購(gòu)重組：在高度競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)形勢(shì)下，公司考慮在有機(jī)成長(zhǎng)的同時(shí)， 通過投資并購(gòu)國(guó)內(nèi)外高端的半導(dǎo)體設(shè)備廠商，使公司能夠覆蓋更多的 產(chǎn)品品類、占領(lǐng)更多細(xì)分

40、市場(chǎng)，為公司的長(zhǎng)期可持續(xù)成長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 根據(jù)招股說明書，公司會(huì)考慮并購(gòu)等離子體刻蝕、薄膜沉積設(shè)備和測(cè) 量設(shè)備領(lǐng)域的集成電路前道設(shè)備公司，以及其他泛半導(dǎo)體設(shè)備公司。多元化融資渠道：公司將發(fā)揮在業(yè)界的知名度和信譽(yù)優(yōu)勢(shì)，積極發(fā) 揮資本市場(chǎng)以及金融機(jī)構(gòu)、專業(yè)投資機(jī)構(gòu)等融資渠道的作用，從多 個(gè)維度為公司的業(yè)務(wù)開展籌措資金。如在綜合考慮自身實(shí)力、開展 需要、資金本錢、資本結(jié)構(gòu)等要素的前提下，通過股權(quán)融資、銀行 貸款、工程資助和合資經(jīng)營(yíng)等多元化的方式籌措資金，滿足公司快 速開展的需求。可比估值及投資建議可比估值及投資建議：半導(dǎo)體逆周期下國(guó)家政策、大基金以及國(guó)內(nèi)企業(yè)未來三 年將加大資本開支實(shí)現(xiàn)彎道超車，而設(shè)備

41、彈性、爆發(fā)性和確定性最強(qiáng)，作 為國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備和MOVCD設(shè)備的佼佼者，中微半導(dǎo)體的上市符合科創(chuàng)特征, 基于從公司的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)尤其是團(tuán)隊(duì)、研發(fā)&技術(shù)以及國(guó)內(nèi)市場(chǎng)不斷滾動(dòng)增長(zhǎng) 的蛋糕，我們看好公司長(zhǎng)期成長(zhǎng)性和競(jìng)爭(zhēng)護(hù)城河，持續(xù)重點(diǎn)關(guān)注。圖表30:可比公司盈利預(yù)測(cè)與估值比擬（Wind 一致性預(yù)測(cè)）來源：Wind,分業(yè)務(wù)收盤桃EPSPEPSROEW柚(04-09)20172018E2019E20172018E2019E2018E2019E2017揩體 設(shè)備北方華創(chuàng)002371.SZ67.250.270.510.8324913281973.87308長(zhǎng)川科技300604. SZ40.160.640.250.

42、756316153281415.6260603690. SH21.670.230.340.579464389614,1251平均值43.030.380.370.721131176015911.20140風(fēng)險(xiǎn)提示下游客戶擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)：近年來，在持續(xù)旺盛的下游市場(chǎng)需求 的推動(dòng)下，晶圓廠和LED芯片制造商擴(kuò)產(chǎn)積極，景氣程度向設(shè)備 類公司傳導(dǎo)，刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備行業(yè)整體呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài) 勢(shì)。但不能排除下游個(gè)別晶圓廠和LED芯片制造商的后續(xù)投資不 及預(yù)期，對(duì)相關(guān)設(shè)備的采購(gòu)需求減弱，這將影響公司的訂單量， 進(jìn)而對(duì)公司的業(yè)績(jī)。關(guān)鍵技術(shù)人員流失、頂尖人才缺乏的風(fēng)險(xiǎn)：公司擁有160多位資深技 術(shù)和管理

43、專家，集聚并培養(yǎng)了一大批行業(yè)內(nèi)頂尖的技術(shù)人才。但 如果未能持續(xù)引進(jìn)、激勵(lì)頂尖技術(shù)人才，并加大人才培養(yǎng)，公司 將面臨頂尖技術(shù)人才缺乏的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而可能導(dǎo)致在技術(shù)突破、產(chǎn) 品創(chuàng)新方面有所落后。毛利率波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)：報(bào)告期內(nèi)，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率分別為42.52%, 38.59%和35.50%。如果未來公司不能持續(xù)提升技 術(shù)創(chuàng)新能力并保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)，或者行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格下降，以及公司未能有效控制產(chǎn)品本錢，都可能導(dǎo)致公 司毛利率水平波動(dòng)，給公司的經(jīng)營(yíng)帶來一定風(fēng)險(xiǎn)。歡迎關(guān)注公眾號(hào)文檔出現(xiàn)排版、亂碼等問題，可加上面微信，憑 下載記錄，獲取PDF版本中微半導(dǎo)體：國(guó)產(chǎn)設(shè)備龍頭，營(yíng)收高速增長(zhǎng)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，中國(guó)制造

44、面向全球主要業(yè)務(wù)情況。中微半導(dǎo)體設(shè)備公司成立于2004年，是一家以中國(guó)為 基地、面向全球的高端半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備公司。公司基于在半導(dǎo)體制造 設(shè)備產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、 LED生產(chǎn)、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)世界科技 前沿，堅(jiān)持自主創(chuàng)新。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線 客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進(jìn) 封裝；公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn), 公司已成為世界排名前列、國(guó)內(nèi)占主導(dǎo)地位的氮化鎮(zhèn)基LED設(shè)備制造商。主要產(chǎn)品及演變過程。公司主要為集成電路、LED芯片、MEMS

45、等半導(dǎo) 體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備，其中主要 產(chǎn)品的演變情況如下：圖表1:中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品的演變情況2004年2007年2010 年2011 年中微有限設(shè)立首臺(tái)CCP刻蝕設(shè) 備產(chǎn)品Ptimo D- RIE研制成功首臺(tái)深硅刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn) pp Primo AD-RIE 刻蝕設(shè)備研制成 功2016年末首臺(tái)ICP刻蝕設(shè)備 產(chǎn)品 Piimo naiiova 研制成功2016年初2013 年2012 年2017年初首臺(tái)VOC設(shè)備產(chǎn) 品研制成功CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn) 品Ptinio SSC AD- RIE刻蝕設(shè)備研制 成功首臺(tái)MOCVD設(shè) 備產(chǎn)品Piis

46、mo D-Blue研制成功2017 年2018 年至今MOCVD設(shè)備產(chǎn) 品Ptismo A7初步 研制成功中微公司第100臺(tái)MOCVD PrismoA7反響腔付運(yùn)里 程碑改進(jìn) Primo AD-RIE并進(jìn)入5nm生 產(chǎn)線繼續(xù)引領(lǐng)國(guó)內(nèi)半 導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù) 的開展來源：招股說明書,圖表2:中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品型號(hào)、特點(diǎn)、以及應(yīng)用領(lǐng)域來源：招股說明書,產(chǎn)品類別型號(hào)推出時(shí)間特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域圖示Primo D- RIE2007 年雙反響臺(tái)多反響腔主機(jī)系統(tǒng)，可靈活 裝置多達(dá)三個(gè)雙反響臺(tái)反響腔。每個(gè) 反響腔都可以在單晶圓反響環(huán)境下同 時(shí)加工兩片晶圓。由于其較高的本錢 效率和卓越的芯片加工性能，成功獲 得客戶認(rèn)

47、可并投入生產(chǎn)線。65T6納米集成電路制 造電容性等 離子體刻 蝕設(shè)備Primo ADRIE2011 年應(yīng)用了更多創(chuàng)新設(shè)計(jì)，包括采用了可 切換的低頻射頻發(fā)生器、上電極氣流 分布以及下電極溫度調(diào)控的優(yōu)化設(shè)計(jì) O可靈活裝置多達(dá)三個(gè)雙反響臺(tái)反響 腔。該產(chǎn)品具備能夠滿足新一代芯片 器件制造需求的先進(jìn)性能。45-7納米邏輯集成電 路制造11Primo AD- RIE-e （AD- RIE增強(qiáng)型）2017 年在Primo AD-RIE的基礎(chǔ)上改進(jìn)了靜 電吸盤，到達(dá)四分區(qū)單獨(dú)溫控并有動(dòng) 態(tài)調(diào)溫的功能。7納米以下邏輯集成電 路制造ClPrimo SSCAD-RIE2013 年可支持六個(gè)完全獨(dú)立可控的單反響臺(tái) 腔

48、體，并具有高射頻功率、高副產(chǎn)物 排出速率，以到達(dá)高深寬比孔、槽的 刻蝕要求。16納米以下2D閃存芯 片制造Primo SSCHD-RIE2016 年在PrimoSSCAD-RIE的基礎(chǔ)上,進(jìn) 一步優(yōu)化刻蝕反響氣體的氣流分布、 改進(jìn)了下電極的設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)超高 脈沖射頻功率，以到達(dá)更高深寬比孔 、槽的刻蝕要求。64層及以上的3D閃存 芯片制造電感性等 離子體刻 蝕設(shè)備Primo nanova2016 年可配置多達(dá)六個(gè)刻蝕反響腔、兩個(gè)可 選的除膠反響腔?？涛g反響腔采用了 軸對(duì)稱設(shè)計(jì)，具有高反響氣體通量。 電感耦合線圈采用了三維立體電感耦 合線圈、軸對(duì)稱腔體設(shè)計(jì)。反響腔內(nèi) 壁由高致密性、耐等離子體侵

49、蝕材料 構(gòu)成，以實(shí)現(xiàn)良好的工藝重復(fù)性和生 產(chǎn)率。設(shè)備采用了多區(qū)細(xì)分的高動(dòng)態(tài) 范圍溫控靜電吸盤，以到達(dá)較高的刻 蝕均勻性。14納米及以下的邏輯 電路；19納米以下存 儲(chǔ)器件和3D閃存芯片 制造1環(huán)%Primo TSV2010 年深硅刻蝕設(shè)備，每臺(tái)系統(tǒng)可配置多達(dá) 二個(gè)雙反響臺(tái)的反響腔。該產(chǎn)品具備 預(yù)熱反響臺(tái)、晶圓邊緣保護(hù)環(huán)、低頻 射頻脈沖等多種功能，為深硅刻蝕應(yīng) 用提供所需的高技術(shù)、靈活性和生產(chǎn) 能力。深硅刻蝕應(yīng)用，包括 先進(jìn)封裝、CMOS圖像 傳感器、MEMS、功率 器件和等離子切割等讖Prismo D- Blue2013 年可配置四個(gè)19英寸的反響腔，同時(shí) 加工232片2英寸晶片或56片4英寸

50、晶 片，工藝能力還能延展到生長(zhǎng)6英寸 和8英寸外延晶片。每個(gè)反響腔都可 獨(dú)立控制。藍(lán)綠光LED外延片及功 率器件生產(chǎn).d - rta, L,MOCVD設(shè) 備Prismo A72017 年可配置四個(gè)28英寸的反響腔，同時(shí) 加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶 片Z工藝能力還能延展到生長(zhǎng)8英寸外 延晶片。每個(gè)反響腔都可獨(dú)立控 制，雙區(qū)噴淋頭可實(shí)現(xiàn)更好的厚度和 組分均勻性。該設(shè)備每個(gè)反響腔的產(chǎn) 量是Prismo D-Blue的2倍以上。藍(lán)綠光LED外延片生產(chǎn)、J其他設(shè)備VOC設(shè)備2016 年設(shè)備采用機(jī)電一體化、半導(dǎo)體等級(jí)的 人機(jī)防護(hù)，具有獨(dú)特的在線濃度監(jiān)測(cè) 功能，能遠(yuǎn)程實(shí)時(shí)管理和智能控制， 并可根

51、據(jù)客戶的要求靈活配置不同處 理規(guī)模的系統(tǒng)，提供給客戶可靠、穩(wěn) 定、平安和節(jié)能的VOC凈化解決方案O平板顯示生產(chǎn)線等工 業(yè)用的空氣凈化1 I 6必目 默:I- -.員工持股平臺(tái)激勵(lì)到位，以董事長(zhǎng)為核心的管理層經(jīng)驗(yàn)豐富無(wú)實(shí)際控制人，員工持股激勵(lì)到位。中微公司無(wú)控股股東、實(shí)際控制熱 你，目前第一大股東上海創(chuàng)投的持股比例為20.02% （實(shí)際控制人為上 海市國(guó)資委），第二大股東巽鑫投資的持股比例為19.39%,兩者持股比 例接近。根據(jù)公司目前的實(shí)際經(jīng)營(yíng)管理情況，公司重要決策均屬于各方 共同參與決策，公司無(wú)實(shí)際控制人。另外公司推出員工持股平臺(tái)南昌智 微（境內(nèi)員工持股）、中微亞洲（外籍員工持股之一）、Gr

52、enade（外籍員工持股之一）、Bootes外籍員工持股之一）、勵(lì)微投資、 完徽投資等股東系于2018年12月31日簽訂的員工持股計(jì)劃 協(xié)議設(shè)立的公司員工持股平臺(tái)持股比例分別為6.37%. 5.15%、 2.38%、2.31%. 0.41%和 0.05%,合計(jì)持股比例為 16.67%,目 前包括其他在職離職的合計(jì)845名員工直接或間接持有公司占發(fā) 行股份的19.63%。公司已經(jīng)通過全員持股方式，有效提高了關(guān)鍵技術(shù)人 和研發(fā)團(tuán)隊(duì)的忠誠(chéng)度和凝聚力（其中董事長(zhǎng)持股1.29%）。控股&參股子公司分布一覽：公司擁有括四家境外子公司、一家境外分 公司及四家境內(nèi)子公司，具體如下：其中中微國(guó)際主要負(fù)責(zé)海外的銷

53、售， 包括臺(tái)灣、日本、北美、韓國(guó)主要負(fù)責(zé)各自區(qū)域銷售，而境內(nèi)子公司中微 南昌主要為M0CVD設(shè)備，中微廈門主要是M0CVD設(shè)備和刻蝕設(shè)備的銷售， 中微惠創(chuàng)主要為V0C設(shè)備，中微匯鏈主要負(fù)責(zé)泛半導(dǎo)體設(shè)備生態(tài)鏈的培育 和推廣，參股公司沈陽(yáng)拓荊主要從事納米級(jí)鍍膜設(shè)備，上海創(chuàng)徒主要從事 光電技術(shù)，上海芯元基主要從事半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)等。圖表3:公司股權(quán)結(jié)構(gòu)前十及管理層持股情況前十大股東股東名稱持股數(shù)量（股）持股比例1上海創(chuàng)投96,383,53320.02%2巽鑫投資93,337,88719.39%3南昌智微30,644,4546.37%4置都投資26,383,9865.48%5中微亞洲24,821,537

54、5.15%6悅橙投資22,565,9914.69%7國(guó)開創(chuàng)新19,691,1834.09%8Primrose19,598,2244.07%9創(chuàng)橙投資13,184,0042.74%10和諧錦弘12,796,2402.66%合計(jì)263,023,50674.66%管理層持股職務(wù)持股數(shù)（股）持股比例尹志堯董事長(zhǎng)、總經(jīng)理6,200,2661.29%杜志游董事、副總經(jīng)理2,331,4360.48%倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理1,274,3580.26%陳偉文副總、財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人1,162,8420.24%麥?zhǔn)肆x副總裁2,341,1060.49%楊偉副總裁1,116,0330.23%吳乾英副總裁932,5740.19%李天笑

55、副總裁2,076,6570.43%來源：招股說明書,圖表4:公司控股子公司一覽情況圖表4:公司控股子公司一覽情況來源：招股說明書，重視研發(fā)，核心技術(shù)人員無(wú)變化。公司自設(shè)立至2019年2月末，公司 申請(qǐng)了 1201項(xiàng)專利，其中創(chuàng)造專利1038項(xiàng)，海外創(chuàng)造專利465項(xiàng)； 已獲授權(quán)專利951項(xiàng)，其中創(chuàng)造專利800項(xiàng)。主要是公司重視研發(fā)，截 至2018年末，公司共有研發(fā)和工程技術(shù)人員381名，占員工總數(shù)的58%, 報(bào)告期內(nèi)公司累計(jì)研發(fā)投入10.37億元，約占營(yíng)業(yè)收入的32%O最近2 年，公司核心技術(shù)人員無(wú)變化，分別為尹志堯、杜志游、倪圖強(qiáng)、麥?zhǔn)肆x、 楊偉和李天笑。以創(chuàng)始人為主的技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)豐富。其中中

56、微公司的創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)及 總經(jīng)理尹志堯博士在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有35年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)際 等離子體刻蝕技術(shù)開展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者。在創(chuàng)辦中微公司以前， 尹志堯博士于1984年至1986年間供職于英特爾，從事核心技術(shù)開發(fā)工 作；于1986年至1991年間在泛林半導(dǎo)體負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)假設(shè)干重點(diǎn)產(chǎn)品的刻蝕 技術(shù)開發(fā)；于1991年至2004年間在應(yīng)用材料擔(dān)任高級(jí)管理職務(wù)，包括 企業(yè)副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官。尹志堯博士 是89項(xiàng)美國(guó)專利和200多項(xiàng)其他海內(nèi)外專利的主要?jiǎng)?chuàng)造人。2018年美 國(guó)VLSI Research的全球評(píng)比中，中微公司董事長(zhǎng)尹志堯博士與英特爾 董事長(zhǎng)、格羅方德CEO

57、等一起被評(píng)為2018年國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大領(lǐng)軍 明星(All Starso另外其他中微公司的其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術(shù)人員 和重要的技術(shù)、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士、 楊偉先生、李天笑先生等160多位各專業(yè)領(lǐng)域的專家很多是在國(guó)際半導(dǎo) 體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕耘數(shù)十年，為行業(yè)開展做出杰出貢獻(xiàn)的資深技術(shù)和管理專 家。圖表5:公司六名核心技術(shù)人員圖表6:公司近五年多研發(fā)投入及占營(yíng)收比(%)核心人才職務(wù)主要簡(jiǎn)介尹志堯董事長(zhǎng)、 總經(jīng)理美國(guó)國(guó)籍，曾任英特爾、泛林、應(yīng)用材料刻 蝕設(shè)備產(chǎn)品總部、亞洲總部首席技術(shù)官； 2004年至，擔(dān)任中微公司董事長(zhǎng)和總經(jīng)理。杜志游董事、副 總經(jīng)理美國(guó)國(guó)籍，曾任Praxair Inc.應(yīng)材全球供應(yīng) 鏈管理、梅特勒總經(jīng)理；2004年至今，擔(dān)任 中微首席運(yùn)營(yíng)官等。倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理美國(guó)國(guó)籍，曾任泛林半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)；2004 年8月至今，擔(dān)任中微公司副總。麥?zhǔn)肆x副總裁美國(guó)國(guó)籍，曾任英特爾資深工程師、應(yīng)用材料 資深總監(jiān)、英特爾工程經(jīng)理；2004年8月至 今，擔(dān)任中微公司副總。楊偉副總裁美國(guó)國(guó)籍，曾任智群科技工程經(jīng)理、應(yīng)用材 料資深總監(jiān)，2004至今，擔(dān)任中微公司副總李天笑副總裁美國(guó)國(guó)籍，曾任索尼資深電氣工程師、應(yīng)材 亞太工程經(jīng)理，2004至今，擔(dān)任中微公司副 總。核心人才職務(wù)主要簡(jiǎn)介尹志堯董事長(zhǎng)、 總經(jīng)