晶體結(jié)構(gòu)習(xí)題

1、晶體結(jié)構(gòu)習(xí)題目錄判斷題；二選擇題；三填空題；四回答問題一判斷題（返回目錄）TOC o 1-5 h z固體物質(zhì)可以分為晶體和非晶體兩類。（）無(wú)機(jī)鹽都是離子晶體。（）晶體都存在晶格能，晶格能越大則物質(zhì)的熔點(diǎn)越高。（）晶體的熔點(diǎn)均比離子晶體的熔點(diǎn)高。（）溫常壓下，原子晶體物質(zhì)的聚集狀態(tài)只可能是固體。（）晶體的物質(zhì)在任何情況下都不導(dǎo)電。（）晶體的特性之一是熔點(diǎn)均相對(duì)較低。（）晶體的特性之一是熔點(diǎn)高。（）層狀晶體均可作為潤(rùn)滑劑和導(dǎo)電體使用。（）質(zhì)可生成兩種或兩種以上的晶體，這種現(xiàn)象叫做類質(zhì)多晶現(xiàn)象。（）體層與層之間的主要結(jié)合力為金屬鍵。（）形物質(zhì)都是由微小的晶粒組成的。（）界存在的晶體或人工制備的晶體中

2、，所有粒子都是按照一定規(guī)律有序排列的，沒有任何缺陷。（）具有相同電子層結(jié)構(gòu)的單原子離子，陽(yáng)離子的半徑往往小于陰離子的半徑。（）離子半徑是離子型化合物中相鄰離子核間距的一半。（）同種元素離子的半徑隨離子電荷代數(shù)值增大而減小。（）僅依據(jù)離子晶體中正負(fù)離子半徑的相對(duì)大小即可決定晶體的晶格類型。（）18NaCl晶體中配位數(shù)比是6：6,因此每個(gè)晶胞中含有6個(gè)Na+和6個(gè)C1-。（）19NaCl晶體是由Na+和Cl-組成的面心立方晶格交錯(cuò)（重疊1/2）排列而成。（）20CsCl晶體是由Cs+和Cl-的簡(jiǎn)單立方交錯(cuò)（重疊1/8）排列而成。（）21每個(gè)CsCl晶胞中含有1個(gè)Cs+和1個(gè)C1-。（）22每個(gè)Na

3、Cl晶胞中含有4個(gè)Na+和4個(gè)C1-。（）一般來(lái)說(shuō),離子晶體的晶格能越大,該晶體的熱穩(wěn)定性就越低。（）離子晶體的晶格能越大,熔點(diǎn)越低。（）對(duì)離子晶體而言,離子半徑變大,將有利于其晶格能變小。（）26玻恩（Born）哈柏（Haber）循環(huán)是從熱力學(xué)數(shù)據(jù)計(jì)算晶格能的有效方法之一。（）27晶格能是由指定單質(zhì)生成一摩爾（按化學(xué)式計(jì)）的離子化合物所釋放的能量。（）28離子所帶電荷越多,半徑越小,則離子鍵就可能越強(qiáng),晶格能也越大。（）29MgO的晶格能約等于NaCl晶格能的4倍。（30單原子陰離子的電子構(gòu)型都與其同周期的相應(yīng)稀有氣體原子的電子構(gòu)型相同。（）31通常像Ag+、Cd2+、Hg2+等18電子構(gòu)型

4、的離子，其極化力較大，極化率也較大。因此，當(dāng)它們與變形性較強(qiáng)的陰離子構(gòu)成晶體時(shí),常有明顯的極化作用,而使鍵型、晶型發(fā)生改變。（）32Ag+為18電子構(gòu)型，極化率和極化力都較大，因此鹵化銀AgX）中化學(xué)鍵都已過(guò)渡為共價(jià)鍵。（）33由于離子極化作用，有可能使物質(zhì)的顏色變33深。（）(A)Na；(B)HI；(C)MgO；(D)NaF。34在金屬與非金屬所生成的化合物中，離子間極化作用強(qiáng)，有可能使其溶解度降低，成為難溶于水的化合物。()35在NaCl、AgCl、BaCl2、MgCl2中，鍵的離子性程度由高到低的順序是NaC卜BaCl2MgCl2AgCl。()金屬晶體中存在可以自由運(yùn)動(dòng)的電子，所以金屬鍵

5、是一種非定域鍵。()在金屬晶體中，可以把金屬原子看成相互接觸的等徑圓球。則相鄰兩個(gè)原子核間距離(可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)定)就是金屬原子半徑。()常溫常壓下，所有金屬單質(zhì)都是金屬晶體。()金屬單質(zhì)的光澤、傳導(dǎo)性、密度、硬度等物理性質(zhì)，都可以用金屬晶體中存在自由電子來(lái)解釋。()由于金屬晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的金屬原子或陽(yáng)離子的振動(dòng)會(huì)妨礙自由電子的流動(dòng)，所以金屬也有一定的電阻。隨著溫度的升高，原子或離子的振動(dòng)加劇。所以金屬的電阻一般隨溫度的升高而增大。()金屬晶體中不存在定域的共價(jià)鍵，以致每個(gè)原子周圍配位原子的數(shù)目不受價(jià)電子數(shù)的限制，只要空間許可，就能堆積著較多的原子。()能帶理論實(shí)質(zhì)上是價(jià)鍵理論對(duì)金屬晶體的具體

6、應(yīng)用。()能帶理論是分子軌道理論在研究晶體結(jié)構(gòu)中的應(yīng)用。()金屬的延展性是由于金屬晶體中存在自由電子，在外力作用下各層的原子或離子發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，破壞了金屬鍵的結(jié)合力所造成的。()金屬晶體可以看作由金屬原子以等徑圓球相互緊密堆積而成，通常有面心立方最緊密堆積、六方最緊密堆積和體心立方緊密堆積三種排列方式。()金屬晶體中體心立方堆積方式屬最緊密堆積，其配位數(shù)最大。()(返回目錄)二選擇題有固定熔點(diǎn)的是()。(A)水晶；(B)金剛砂；(C)玻璃；(D)碘。子晶體中，分子內(nèi)原子之間的結(jié)合力是()。(A)共價(jià)鍵；(B)離子鍵；(C)金屬鍵；(D)范德華力。物質(zhì)中屬于分子晶體的是()。(A)金剛砂；(B)

7、石墨；(C)溴化鉀；(D)氯化碘。物質(zhì)屬于離子晶體的是()。SiC；(B)Cs2O；(C)HCl；(D)CS2。晶體屬于層狀晶體的是()。(A)石墨；(B)SiC；(C)SiO2；(D)干冰。物質(zhì)的晶體屬于原子晶體的是()。(A)晶體硅；(B)晶體碘；(C)冰；(D)干冰。晶體通常是()。良好的導(dǎo)電體；(B)相當(dāng)硬的物質(zhì)；(C)脆性物體；(D)易揮發(fā)或熔點(diǎn)不咼的物質(zhì)。物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是()。敘述中正確的是()。金剛石的硬度很大，所以原子晶體的硬度一定大于金屬；原子晶體都不導(dǎo)電；離子晶體的熔點(diǎn)一定低于原子晶體；金屬晶體的熔點(diǎn)一定高于離子晶體。敘述中正確的是()。同一種物質(zhì)的固體不可能有晶體和非晶

8、體兩種結(jié)構(gòu)；晶體具有各向異性的特性，非晶體則各向同性；凡是固態(tài)物質(zhì)都具有一定的熔點(diǎn)；晶體都具有很大的硬度。各類物質(zhì)中，熔點(diǎn)和沸點(diǎn)較低，又難溶于水的是()。(A)原子晶體；(B)離子晶體；(C)強(qiáng)極性分子型物質(zhì)；(D)非極性分子型物質(zhì)。質(zhì)的晶體，其晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間以分子間力結(jié)合的是()。(A)KBr；(B)CCl4；(C)MgF2；(D)SiC。列各種晶體中，其化學(xué)式與分子式一致的是()。(A)SiC；(B)NaF；(C)H2S；(D)AlCl3?；瘜W(xué)式能表示物質(zhì)真實(shí)分子組成的是()。(A)NaCl；(B)SiO2；(C)S；(D)CO2?；瘜W(xué)式中，不能表示分子實(shí)際組成的是()。(A)MgO；(

9、B)NH3；(C)HCl；(D)Br2。晶體熔化時(shí)，需破壞共價(jià)鍵作用的是()。(A)HF；(B)Al；(C)KF；(D)SiO2。物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是()。(A)NaCl；(B)N2；(C)NH3；(D)Si。物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是()。(A)SiO2；(B)SO2；(C)NaCl；(D)SiCl4。關(guān)于離子晶體的敘述中正確的是()。離子晶體的熔點(diǎn)是所有晶體中熔點(diǎn)最高的一類晶體；離子晶體通常均可溶于極性或非極性溶劑中；離子晶體中不存在單個(gè)小分子；離子晶體可以導(dǎo)電。20晶體中，具有正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(原子以sp3雜化軌道鍵合)的是()。(A)石墨；(B)金剛石；(C)干冰；(D)鋁。21有關(guān)原子晶體

10、的敘述中正確的是()。原子晶體只能是單質(zhì)；原子晶體中存在單個(gè)分子；原子晶體中原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合；原子晶體中不存在雜化的原子軌道。22關(guān)于分子晶體的敘述中正確的是()。分子晶體中只存在分子間力；分子晶體晶格結(jié)點(diǎn)上排列的分子可以是極性分子或非極性分子；分子晶體中分子間力作用較弱，因此不能溶解于水；分子晶體在水溶液中不導(dǎo)電。23物質(zhì)按晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間作用由小至大的順序排列中，正確的是()。(A)HSSiOHO；(B)HOHSSiO；222222(C)HSHOSiO；(D)HOSiOHS。22222224固態(tài)的NH3熔點(diǎn)高于PH3，這是因?yàn)?)。(A)NH3是原子晶體，ph3是分子晶體；(b)nh

11、3的極性大于ph3；NH3分子間存在氫鍵；NH3分子間色散力大于ph3的色散力。下列物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中既有共價(jià)鍵又有大鍵和分子間力的是()。(A)金剛砂；(B)碘；(C)石墨；(D)石英。氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)為()。(A)四面體；(B)立方體；(C)八面體；(D)單斜體。下列離子中半徑最大的是()。(A)Na+；(B)Mg2+；(C)S2-；(D)Cl-。下列離子中半徑最小的是()。(A)Ca2+；(B)Sc3+；(C)Ti3+；(D)Ti4+。離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比不同的最主要原因是()。(A)正、負(fù)離子半徑；(B)正、負(fù)離子的電荷；(C)正、負(fù)離子的電子構(gòu)型；(D)晶格能。下列離子晶體中

12、，相鄰離子間距離最大的是()。(A)NaF；(B)KI；(C)KCl；(D)NaBr。31下列離子晶體中，正、負(fù)離子的配位數(shù)都是8的是()。(A)NaF；(B)ZnO；(C)CsCl；(D)MgO。32下列離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比為6：6的是()。(A)CsCl；(B)ZnO；(C)NaCl；(D)AgI。33下列離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比為4：4的是()。(A)CsBr；(B)ZnO；(C)NaCl；(D)CsCl。34已知BeO的r+/r=0.221,CaO的rjr=0.707，則MgO的仃/r應(yīng)為()。(A)0.221r+/r-0.707；(B)r+/r-0.707；(D)r+

13、/r-=0.464。+-+-35AB型的離子晶體，正、負(fù)離子配位數(shù)均為4,則正、負(fù)離子的半徑之比廠/廠為()。+-(A)0.2250.414；(B)0.4140.732；(C)0.7321.00；(D)大于1.00。36已知RbBr為NaCl型晶體，晶胞邊長(zhǎng)為0.687nm,Br-的離子半徑為0.195nm,則Rb+的離子半徑(nm)為()。(A)0.149；(B)0.297；(C)0.492；(D)0.172。37已知下列離子晶體中正、負(fù)離子的核間距:AgCl為307pm，AgBr為322pm，KCl為314pm，NaBr為291pm由此可知KBr的正、負(fù)離子核間距為()。(A)306pm；

14、(B)329pm；(C)315pm；(D)330pm。38已知CaF2晶體為面心立方結(jié)構(gòu)，則Ca2+和F-的配位數(shù)分別為()。(A)4和8；(B)12和6；(C)6和12；(D)8和4。39已知下列離子半徑：Tl+(140pm)、Ag+(126pm)、Zn2+(74pm)、Cl-(181pm)、S2-(184pm)，則在下列物質(zhì)中屬于CsCl型離子晶體的是()。(A)AgCl；(B)Ag2S；(C)TlCl；(D)ZnCl2。40晶格能對(duì)離子晶體的下列性質(zhì)中沒有影響的是()。(A)熔點(diǎn)；(B)沸點(diǎn)；(C)顏色；(D)硬度。41下列過(guò)程的Ah在數(shù)值上等于晶格能的是()。rNaBr(s)Na+(s

15、)+1Br2(l)；NaBr(s)Na(g)+Br(g)；NaBr(s)Na+(g)+Br-(g)；NaBr(s)-Na(g)+gBr/g)。42利用玻恩一哈伯(Born-Haber)循環(huán)計(jì)算NaF的晶格能時(shí)，下列各種數(shù)據(jù)中不必要的是.()。(A)Na的電離能；(B)F的電負(fù)性；(C)NaF的生成熱；(D)Na的升華熱。下列因素對(duì)離子晶體晶格能產(chǎn)生影響最大的是()。(A)正、負(fù)離子半徑；(B)正、負(fù)離子所帶電荷；(C)晶體類型；(D)正、負(fù)離子的配位數(shù)比。下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最低的是()。(A)NaCl；(B)KBr；(C)KCl；(D)MgO。45MgO在工業(yè)上可用于耐火材料，這主要與下列各種性質(zhì)

16、中有關(guān)的是()。(A)鍵型；(B)晶格能；(C)電負(fù)性；(D)電離能。下列兩組物質(zhì)：MgO、CaO、SrO、BaOKF、KC1、KBr、KI每組中熔點(diǎn)最高的分別是()。(A)BaO和KI；(B)CaO和KCl；(C)SrO和KBr；(D)MgO和KF。比較下列物質(zhì)熔點(diǎn)，其中正確的是()。(A)MgOBaO；(B)CO2CS2；(C)BeCl2CaCl2；(D)CH4SiH4。222244下列各組物質(zhì)中熔點(diǎn)最低的一組是()。(A)NaF和SiF4；(B)NaI和SiF4；(C)NaF和SiI4；(D)NaI和SiI4。49反應(yīng)Ca(s)+Cl2(g)fCaCl2(s)能夠自發(fā)進(jìn)行，對(duì)陰(CaCl

17、2，s)貢獻(xiàn)較大的是.()。(A)鈣的電離能較?。?B)氯的電子親合能較大；(C)Ca和Cl的電負(fù)性差較大；(D)CaCl2的晶格能較大。50已知：K(s)=K(g),礙(1)；K(g)二K+(g)+e-,陰(2)；2ci2(g)=Cl(g),隔(3)；Cl(g)+e-=Cl-(g),嫦(4)；K(s)+2ci2(g)=KCl(s),隔(5)。則下列KCl晶格能需(標(biāo)準(zhǔn)態(tài)下，破壞lmol離子晶體變?yōu)闅鈶B(tài)51正負(fù)離子所需吸收能r量)表達(dá)式中正確的是()。A需=需(T需(2)+1需)+需-H黑(5)；A盤=需-需(】)-需仏需仏需(4)；rrrrrrAH=H(】)+H(2)+AH)+H-H(5)；

18、rrrrrrA需=腺(】)+需(2)+1腺(3)+A腺(4)+A需。253已知：Ba(s)=Ba(g),需(1)；Ba(g)=Ba2+(g)+2e-,隔(2)；1O2(g)=O(g)，隔(3)；O(g)+2e-=O2-(g),用(4);Ba(s)+2O2(g)=BaO(s),礙(5)。則下列BaO(s)晶格能(標(biāo)準(zhǔn)態(tài)下，破壞1mol離子晶體變?yōu)闅鈶B(tài)正負(fù)離子所需吸收能量)表達(dá)式中正確的是()。)需=需(】)+需(2)+1需仏需-需(5)；&)盤=需(】)+盤(2)+盤)+盤-盤(5)；r_r_r_r_r_r_需=需-需仏需仏需)+需(4)；rrrrrr(D)A需=需(】)+需(2)+1需)+需-

19、盅(5)。254已知標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，Mg(s)的升華熱，O2(g)的解離熱(原子化能)，Mg(g)的第一和第二電離能，氧的第一親合能。要用Born-Haber循環(huán)計(jì)算MgO(s)的晶格能，還必須使用的數(shù)據(jù)是()。MgO(s)的生成熱；O2的鍵能；MgO(s)的生成熱和氧的第二電子親合能；氧的第二親合能和O2的鍵能。55下列各組晶體的晶格能大小順序中正確的是()。(A)CaOKClMgONaCl；(B)NaClKClRbClSO；(C)MgORbClSOBaO；(D)MgOCaONaClKCl。56KC1、CaCl2、FeC、FeC,的熔點(diǎn)大小順序正確的是()。(A)CaCl2FeCl2FeCl3K

20、Cl；(B)CaCl2KClFeCl2FeCl3；223223(C)FeClFeClCaClKCl；(D)FeClFeClKClCaCl。32232257已知下列各晶體的晶格能(kJmol-1)數(shù)據(jù)：NaClKClNaFKF771701902801則反應(yīng)NaCl(s)+KF(s)fNaF(s)+KCl(s)的厶隔為()(A)31kJmol-1；(B)-31kJmol-1；(C)1684kJmoH；(D)-1684kJmol-1。在離子極化過(guò)程中，通常正離子的主要作用是()。(A)使負(fù)離子極化；(B)被負(fù)離子極化；形成正離子時(shí)放熱；(D)正離子形成時(shí)吸收了負(fù)離子形成時(shí)放出的能量。下列離子極化率最

21、大的是()。(A)K+；(B)Rb+；(C)B-；(D)I-。60下列各種類型的離子中，極化能力最強(qiáng)的是()。(A)電荷多半徑大的離子；(B)正電荷多半徑小的離子；(C)電荷少半徑大的離子；(D)電荷少半徑小的離子。離子極化作用的本質(zhì)是()。(A)離子的取向作用；(B)正負(fù)離子的靜電作用；(C)弱的化學(xué)鍵作用；(D)范德華力作用。下列因素與離子的極化作用無(wú)關(guān)的是()。(A)離子半徑；(B)離子電荷；(C)離子的電子構(gòu)型；(D)電離能。下列離子中極化力最強(qiáng)的是()。(A)Al3+；(B)Na+；(C)Mg2+；(D)K+。下列離子中極化力最強(qiáng)的是()。(A)Mn2+；(B)Fe3+；(C)Ni2

22、+；(D)Cu+。下列離子中變形性最大的是()。(A)F-；(B)Cl-；(C)Br-；(D)I-。下列離子中變形性最小的是()。(A)F-；(B)S2-；(C)O2-；(D)Br-。對(duì)下列各種類型的正離子來(lái)說(shuō)，在討論離子極化作用時(shí)，應(yīng)考慮正離子變形性的是.()。(A)正離子的半徑較小；(B)正離子的電荷較高；(C)具有8電子構(gòu)型的正離子；(D)具有18電子構(gòu)型的正離子。下列各組離子中變形性大小順序正確的是()。(A)Cl-Br-I-；(B)Cl-O22-S2-；(C)Pb2+Fe2+Cd2+；(D)O22-Mg2+Al3+。下列各組離子中極化力由大到小的順序正確的是()。(A)Si4+Mg2

23、+Al3+Na+；(B)Si4+Al3+Mg2+Na+；(C)Si4+Na+Mg2+Al3+；(D)Na+Mg2+Al3+Si4+。下列離子中極化力和變形性均較大的是()。(A)Mg2+；(B)Mn2+；(C)Hg2+；(D)Al3+。下列各種電子構(gòu)型的正離子，其極化力和變形性均較小的是()。(A)8電子構(gòu)型；(B)917電子構(gòu)型；(C)18電子構(gòu)型；(D)18+2電子構(gòu)型。下列離子中極化力和變形性均較大的是()。(A)Al3+；(B)Fe2+；(C)Cd2+；(D)Ni2+。73PbCl2為白色固體，PbI2為黃色固體，這是由于()。Pb2+和Cl-均為無(wú)色，形成的PbCl2為白色；Pb2+

24、為無(wú)色，I-為黃色，形成的PbI2為黃色；PbCl2中離子的極化作用比PbI2的強(qiáng)；PbI2中離子的極化作用比PbCl2的強(qiáng)。74HgCl2為白色固體，HgI2為橙紅色固體，這是由于()。Hg2+和Cl-均為無(wú)色，形成的HgCl2為白色固體；Hg2+為無(wú)色，I-為有色，形成的HgI2為有色固體；HgCl2中離子的極化作用比HgI2的較強(qiáng)；HgI2中離子的極化作用比HgCl2的較強(qiáng)。75下列物質(zhì)顏色變化可用離子極化來(lái)說(shuō)明之，其中由淺到深的順序正確的是.()。(A)ZnI2，CdI2，HgI2；(B)PbS，PbO，Pb(OH)2；(C)AgCl，Ag2S，Ag2O；(D)Bi2S，Sb2S3，A

25、s2S3。76下列物質(zhì)顏色變化可用離子極化來(lái)說(shuō)明之，其中由淺到深的順序錯(cuò)誤的是.()。(A)AgI，AgBr，AgCl；(B)ZnS，CdS，HgS；(C)PbCl2，PbBr2，PbI2；(D)HgCl2，HgBr2，HgI2。對(duì)下列各組物質(zhì)在水中的溶解度作比較，其中正確的是()。(A)CuSFeSCaS；(B)CdCl2ZnCl2HgCl2；(C)PbI2PbCl2PbF2；(D)Ag2OAg2S。下述金屬的各種性質(zhì)中，與金屬晶體中自由電子存在無(wú)關(guān)的是()。(A)導(dǎo)電性；(B)延展性；(C)密度；(D)光澤。金屬釩具有體心立方結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中釩原子的配位數(shù)為()。(A)2；(B)4；(C)6

26、；(D)8。80Fe為體心立方緊密堆積結(jié)構(gòu)，它的配位數(shù)為()。(A)4；(B)6；(C)8；(D)12。81Ag為面心立方最密堆積結(jié)構(gòu)，它的配位數(shù)為()。(A)4；(B)6；(C)8；(D)12。82Mg為六方最密堆積構(gòu)型，它的配位數(shù)為()。(A)4；(B)6；(C)8；(D)12。對(duì)六方最緊密堆積的金屬晶體來(lái)說(shuō)，每個(gè)原子的配位數(shù)為()。(A)4；(B)6；(C)8；(D)12。金屬鈉的晶體具有體心立方結(jié)構(gòu)，在其單位晶胞中的鈉原子數(shù)為()。(A)1；(B)2；(C)3；(4)4。固體金屬鉀為體心立方結(jié)構(gòu)，在其單位晶胞中的原子個(gè)數(shù)為()。(A)2；(B)3；(C)4；(4)6。86金屬鈣具有面心

27、立方結(jié)構(gòu)，在每個(gè)單位晶胞中含有Ca原子的個(gè)數(shù)為()。(A)1；(B)2；(C)3；(4)4。87金屬銅為面心立方結(jié)構(gòu)，其單位晶胞中的Cu原子數(shù)為()。(A)4；(B)6；(C)8；(4)12。88金屬鋇為體心立方結(jié)構(gòu)，其單位晶胞相對(duì)質(zhì)量為(Ba的相對(duì)原子質(zhì)量為137)()(A)137；(B)274；(C)411；(4)548。89金屬鋁具有面心立方結(jié)構(gòu)，其單位晶胞相對(duì)質(zhì)量為(鋁的相對(duì)原子質(zhì)量為27)()。(A)27；(B)54；(C)81；(4)108。90固體金屬V為體心立方結(jié)構(gòu)，其單元晶胞邊長(zhǎng)為0.308nm,V的相對(duì)原子質(zhì)量為50.94,則其密度(gcm-3)為()。(A)5.79；(B

28、)2.90；(C)11.6；(4)7.80。(返回目錄)三填空題TOC o 1-5 h z1在N2、SO2、Cu、KF、CCl4、SiO2中，固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的是，熔融時(shí)能導(dǎo)電的是。2在CO、冰醋酸、SiO2、Sn、Fe2O3中，固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的是；水溶液能導(dǎo)電的是。3CO2、SiO2、MgO、Ca的晶體類型依次分別是、。4在金屬銅、單質(zhì)碘、氟化銫和二氧化硅等物質(zhì)中，屬于離子晶體的是，屬于分子晶體的是，屬于原子晶體的是，屬于金屬晶體的是。5下列物質(zhì):CO2、SiO2、MgO、Ca中，熔點(diǎn)最高的是，熔點(diǎn)最低的是。6PH3的熔點(diǎn)比SbH3的熔點(diǎn)；這是因?yàn)?單質(zhì)銀晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子為和；粒子間作用力為

29、，晶體類型為。8氧化鈣晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子為和；粒子間作用力為，晶體TOC o 1-5 h z類型為。9在干冰、H2O、CaO、SiO2等晶體中，其粒子間力只存在范德華力的是;只有離子鍵的是。lONaLNaBr、NaCl、NaF中熔點(diǎn)最高的是；甲、Si%Si%Si中熔點(diǎn)最低的是。llMgO晶體比金屬鎂的延展性；石墨晶體比金剛石晶體的導(dǎo)電性；SiO2晶體比SiF4晶體的硬度；I2晶體比NaI晶體在水中的溶解度。l2NaI、SiO2、NH3、Ne四種物質(zhì)的晶體類型依次是，它們的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?。l3NaCl熔化主要克服作用；單質(zhì)硅熔化主要克服作用；水銀揮發(fā)主要克服作用；碘升華主要克服作用。l

30、4在下列晶體SiF4、SiC、SiO2、CS2、KF、K2O、Ag中，熔化時(shí)需破壞共價(jià)鍵的有；熔化時(shí)只需克服色散力的有。15在SO3、H2O、CO2、NaCl和SiC的晶體中，只存在共價(jià)鍵的；含有氫鍵的是；熔點(diǎn)最高的是；熔點(diǎn)最低的是已知石墨為層狀晶體，在同一層中，每個(gè)碳原子采用雜化方式以共價(jià)鍵相結(jié)合，未雜化的軌道之間形成鍵；層與層之間靠相互聯(lián)結(jié)在一起。石墨具有金屬光澤、導(dǎo)電和傳熱性，這與其晶體中具有有關(guān)；它可以作潤(rùn)滑劑是由于所致。TOC o 1-5 h z18有A、B、C、D四種元素，它們的原子序數(shù)依次為14、8、6和42，它們的單質(zhì)屬于分子晶體的是；屬于原子晶體的是；屬于金屬晶體的是；既有原

31、子晶體又有層狀晶體的是。19實(shí)際晶體的結(jié)構(gòu)往往并非完美無(wú)缺，這種情況稱為，20它對(duì)固體的造成影響,因而使一些固體具有某些特殊性質(zhì)而成為重要的技術(shù)材料。21已知O2-的離子半徑為140pm,下列化合物的核間距為：MgO(205pm)、MgCl2(246pm)、KCl(314pm)、KI(349pm)。推算下列離子半徑：Cl-為pm，I-為pm。22NaCl晶體中Cl-的配位數(shù)為；BeO為立方ZnS型結(jié)構(gòu)，則Be2+的配位數(shù)為；CsI、CsBr均與CsCl結(jié)構(gòu)相似，則CsI中Cs+的配位數(shù)為，CsBr中Br-的配位數(shù)為。23已知下列各離子的半徑為：O2-(140pm)，S2-(184pm)，Be2

32、+(31pm)，Mg2+(65pm)，Ca2+(99pm)，Sr2+(113pm)。試按半徑比規(guī)則推測(cè)：MgO屬型結(jié)構(gòu)；CaS屬型結(jié)構(gòu)；SrS屬型結(jié)構(gòu)；BeO屬型結(jié)構(gòu)。TOC o 1-5 h z24對(duì)ZnS、NaCl、CsCl型離子晶體來(lái)說(shuō)，其正、負(fù)離子半徑比依次分別為，；LiCl中Li+與Cl-的半徑比為0.33，它的晶體結(jié)構(gòu)為NaCl型，與半徑比規(guī)則不相符，這是因?yàn)椤?5鈣鈦礦晶胞為立方結(jié)構(gòu)，Ca2+位于立方體頂點(diǎn)，Ti4+位于立方體中心，O2-位于立方體面心。由此可推知在每個(gè)鈣鈦礦晶胞中應(yīng)有個(gè)Ca2+，個(gè)Ti4+，個(gè)O2-。鈣鈦礦的化學(xué)式為。26MgO、CaO、SrO、BaO四種氧化物均

33、為NaCl型晶體，其中正離子半徑由小到大的順序?yàn)?，它們的晶格能由小到大的順序?yàn)門OC o 1-5 h z27AB型離子晶體的晶格能隨離子電荷的而；隨離子半徑的而28已知Ca2+與Na+的半徑相近，可推知CaO的晶格能比NaCl的晶格能；CaO的熔點(diǎn)比NaCl的熔點(diǎn)。29已知MgO、KBr、NaF均為NaCl型晶體，它們?nèi)埸c(diǎn)由高到低的順序?yàn)?這是因?yàn)?0已知BeO的熔點(diǎn)比LiF的熔點(diǎn)高，這是因?yàn)殡x子電荷Be2+比Li+高，離子半徑r(Be2+)比r(Li+)，使BeO的晶格能必然比LiF的，所以BeO的熔點(diǎn)高于LiF。31試判斷下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)的高低(用“”或“”符號(hào)表示)：NaClRbCl，C

34、uClNaCl，MgOBaO，NaClMgCl2。32下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)由低到高的順序是：NaCl、MgO、CaO、KCl，MgCl、CaCl、SrCl、BaCl。222233由氣態(tài)離子Ca2+、Sr2+和F-分別生成CaF2和SrF?晶體時(shí)，其中生成CaF2晶體放出的能量較，其熔點(diǎn)較；而生成SrF2晶體放出的能量較，熔點(diǎn)則較。34指出下列離子的外層電子構(gòu)型的類型：TOC o 1-5 h zBa2+e-；Mn2+e-；Sn2+e-；Cd2+e-。35從離子極化觀點(diǎn)考慮，可以判斷下列物質(zhì)熔點(diǎn)的相對(duì)高低:ZnCl2比CaCl2；FeC比FeCl3；BeO比MgO；NaCl比CuCl。36Cu+和Na

35、+的離子半徑相近，推測(cè)CuCl在水中的溶解度比NaCl；CuBr的熔點(diǎn)比NaBr。37MgCl2、NaCl、SiC、AlCl3中離子極化作用由小到大的順序是，熔點(diǎn)由低到高的順序是。38下列離子：Mg2+、K+、Fe3+、Ca2+的極化力大小順序?yàn)椋鼈兊臍溲趸锩撍梢椎诫y的順序?yàn)椤?9預(yù)測(cè)BeCl2的熔點(diǎn)比MgCl2的熔點(diǎn)，這是因?yàn)锽e2+的離子半徑比Mg2+的離子半徑，Be2+的極化力比Mg2+的，從而使BeCl2晶型向轉(zhuǎn)化更為顯著所致。40用離子極化理論推測(cè)AuCl3的熱穩(wěn)定性比AuCl的熱穩(wěn)定性，PbCl2的熱穩(wěn)定性TOC o 1-5 h z比PbCl4的熱穩(wěn)定性。下列離子Rb+、Mn

36、2+、I-、Zn2+、Bi3+、Ag+、Pb2+、S2-、Li+中：屬于8電子構(gòu)型的有；屬于18電子構(gòu)型的有；屬于18+2電子構(gòu)型的有；屬于917電子構(gòu)型的有。在離子晶體中，由于離子極化作用可使鍵型由離子鍵向轉(zhuǎn)化；化合物的晶體類型也會(huì)由離子晶體向轉(zhuǎn)化；通常表現(xiàn)出使化合物的熔、沸點(diǎn)；水中溶解度有可能。金屬晶體中原子之間的結(jié)合力稱為，它主要靠的作用把晶體中的和結(jié)合在一起。金屬鍵的特征是:沒有性和性。固體金屬單質(zhì)的結(jié)構(gòu)采取單原子緊密堆積方式有三種，分別是，最緊密堆積方式的配位數(shù)為。在金屬晶體最密堆積結(jié)構(gòu)中，每個(gè)金屬離子的配位數(shù)為，六方最密堆積的各密堆積層(密層以英文字母表示)呈方式排列。面心立方最密

37、堆積的各密堆積層呈方式排列，空間占有率為。47鉀原子半徑為235pm,金屬鉀晶體為體心立方結(jié)構(gòu)。試確定每個(gè)晶胞內(nèi)有個(gè)原子，晶胞邊長(zhǎng)為pm，晶胞體積為cm3，并推算金屬鉀的密度為gcm-3。(鉀的相對(duì)原子質(zhì)量為39.1)(返回目錄)四回答問題四種主要晶體類型是什么？各舉一個(gè)實(shí)例。從以下四點(diǎn)對(duì)四種類型的晶體進(jìn)行比較：(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子,(2)晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間的結(jié)合力,(3)熔、沸點(diǎn)高低,(4)水溶性。一學(xué)生在敘述晶格能概念時(shí)原文如下：晶格能(U)是指在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，破壞離子晶體使之生成氣態(tài)正、負(fù)離子所放出的能量(或由氣態(tài)正、負(fù)離子形成離子晶體時(shí)吸收的能量)。晶格能越大,表示離子晶體越穩(wěn)定。晶格能

38、可通過(guò)實(shí)驗(yàn)直接測(cè)定，或通過(guò)熱化學(xué)循環(huán)法求算，也可通過(guò)理論公式計(jì)算。晶體中離子半徑越大，晶格能也越大，且與晶體構(gòu)型無(wú)關(guān)。試指出該學(xué)生敘述中的錯(cuò)誤并加以改正。3已知NaF、MgO、ScN(氮化鈧)的晶體構(gòu)型都是NaCl型，它們正負(fù)離子核間距依次為231pm、210pm、233pm。試估計(jì)它們的熔點(diǎn)和硬度的大小順序，并簡(jiǎn)述理由。已知KCl(s)、NaCl(s)的晶格能為U(KC1)、U(NaCl),K、Na的第一電離能為(K)、I/Na),且已知U(KCl)vU(NaCl)。利用所給物理量符號(hào)列出計(jì)算下列反應(yīng)需的表示式：KCl(s)+Na(g)NaCl(s)+K(g)比較KCl(S)和NaCl(s)

39、的熔點(diǎn)高低；比較I1(K)和I1(Na)的大小。(晶格能U為反應(yīng)AB(s)fA+(g)+B-(g)的焓變)已知下列兩類晶體的熔點(diǎn)為：NaF(993C),NaCl(801C),NaBr(747C),NaI(661C)；SiF4(-90.2C),SiCl4(-70C),SiBr4(5.4C),SiI4(120.5C)。試回答：為什么鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比硅的鹵化物熔點(diǎn)高？為什么鈉的鹵化物熔點(diǎn)遞變規(guī)律和硅的鹵化物熔點(diǎn)遞變規(guī)律不一致？6下列數(shù)據(jù)計(jì)算NaF的晶格能NaCl(s)KF(s)NaF(s)KCl(s)隔/(kJmol-1)-411.1-567.3-573.7-436.7U/(kJmol-1)788.1802.5?703.5(晶格能指定為反應(yīng)：AB(a)fA+(g)+B-(g)的隔)應(yīng)用下列數(shù)據(jù)，計(jì)算F的電子親合能(單位為kJmol-1)隔(NaF，s)=-573.7kJmol-i,F2(g)的解離能D(F2)=158kJmol-1,Na(s)的升華熱