電機驅(qū)動的比較

1、直流電機調(diào)速系統(tǒng)驅(qū)動的設(shè)計與比較摘 要：針對大學(xué)生智能車競賽中直流電機的驅(qū)動設(shè)計了 6種方案, 經(jīng)過實驗比較分析了各種方案的優(yōu)缺點，最后確立了一套驅(qū)動能力 強、體積小、性能穩(wěn)定的驅(qū)動方法，可廣泛應(yīng)用于40 V以下的大功 率直流電機驅(qū)動的場合。關(guān)鍵詞：直流電機;調(diào)速系統(tǒng);MC33886; VNH3SP30; BTS7960B; DT340I;IRF3205日前大電流直流電機多采用達(dá)林頓管或MOS管搭制H橋PWM脈寬 調(diào)制，因此體積較大；另一方面，由于分立器件的特性不同，使得驅(qū) 動器的特性具有一定的離散性;此外，由于功率管的開關(guān)電阻比較大， 因此功耗也很大，需要功率的散熱片，這無疑進(jìn)一步加大了驅(qū)動

2、器的 體積。隨著技術(shù)的迅猛發(fā)展，基于大功率MOS管的H橋驅(qū)動芯片逐漸 顯現(xiàn)出其不可替代的優(yōu)勢。但日前能提供較大電流輸出的集成芯片不 是很多。例如飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出的全橋驅(qū)動芯片MC33886和 33887、意法半導(dǎo)體公司推出的全橋驅(qū)動芯片VNH3SP30、英飛凌公司 推出的高電流PN半橋驅(qū)動芯片BTS7960OST微電子公司推出的TD340 驅(qū)動器芯片是一種用于直流電機的控制器件，可用于驅(qū)動N溝道 MOSFET 管。本文在第三、四屆大學(xué)生智能車大賽中分別嘗試了上面提到的5 塊電機驅(qū)動芯片設(shè)計的驅(qū)動電路，通過現(xiàn)場調(diào)試發(fā)現(xiàn)它們的優(yōu)缺點， 確定了驅(qū)動能力強、性能穩(wěn)定的驅(qū)動方案，并得到了很好的應(yīng)用

3、。日前直流電機的驅(qū)動方式主要有2種形式:線性驅(qū)動方式和開關(guān) 驅(qū)動方式。其中線性驅(qū)動方式可以看成一個數(shù)控電壓源。該驅(qū)動方式 的優(yōu)點是驅(qū)動電機的力矩紋波很小，可應(yīng)用于對電機轉(zhuǎn)速要求非常高 的場合;缺點是該方式通常比較復(fù)雜，成本較高，尤其是要提高驅(qū)動 的功率時，相應(yīng)的電路成本將提升很多1。本文針對H橋驅(qū)動電路 在智能車競賽中的應(yīng)用加以分析。日前的H橋驅(qū)動主要有3種方式。圖1(a)中H橋的4個橋臂都 使用N溝道增強型MOS管；圖1(b)中H橋的4個橋臂都使用P溝道增 強型MOS管；圖1(c)中上H橋臂分別使用P溝道增強型MOS管和N溝 道增強MOS管。由于P溝道MOS管的品種少、價格較高，導(dǎo)通電阻和

4、開關(guān)速度等都不如N溝道MOS管，因此最理想的情況應(yīng)該是在H橋的 4個橋臂都使用N溝道MOS管。但是在如圖1(a)中可以看到，為了使 電機正轉(zhuǎn)，Q1和Q4應(yīng)該導(dǎo)通，因此S4電壓應(yīng)該高于Q4的源極電壓， S1電壓應(yīng)該高于。1的源極電壓，由于此時Q1的源極電壓近似等于 Vcc,因此就要求S1必須大T(Vcc+Vgs)。在很多電路中除非作一個升 壓電路否則是比較困難得到的，因此圖1(a)這種連接方式比較少見。 同理，圖1(b)中為了使電機正轉(zhuǎn)，S4電壓就必須低于0V- VGS，在使 用時也不方便。因此最常用的是圖1(c)的電路，該電路結(jié)合了上述2 種電路各自的優(yōu)點，使用方便。本文針對3種形式電路進(jìn)行設(shè)

5、計，并 進(jìn)行實驗比較分析。2驅(qū)動芯片的選擇與比較在設(shè)計H橋驅(qū)動電路時，關(guān)鍵要解決4個問題：（1） MOS管均高 速驅(qū)動；（2）防止共態(tài)導(dǎo)通；（3）消除反向電動勢；（4）PWM信號頻率選擇 與光藕隔離。以下是4種方案設(shè)計比較：2.1方案1:采用1片33886驅(qū)動MC33886為H橋式電源開關(guān)IC,該IC結(jié)合內(nèi)部控制的邏輯、電 荷泵、柵極驅(qū)動器、以及RDS（ON）=120 mQ MOSFET輸出電路，可工 作在5 V40 V電壓范圍內(nèi)。能夠控制連續(xù)感性直流負(fù)載電流高達(dá) 5.0 A,可以接受高達(dá)10 kHz的2路PWM信號來控制電機的轉(zhuǎn)向和速 度。具有短路保護(hù)、欠電壓保護(hù)、過溫保護(hù)等特點。其原理如圖

6、2所 示。I圖2米用單片MO3S86 原理圖該方法能夠控制電機正反轉(zhuǎn)和剎車，且使用方法靈活，但是內(nèi)阻 大導(dǎo)致壓降大，開關(guān)頻率限制在10 kHz，電機噪聲大，使電機容易 發(fā)熱，驅(qū)動能力受限制，會拉低電源電壓，容易導(dǎo)致控制器掉電產(chǎn)生 復(fù)位。2.2方案2:采用2、4片33886驅(qū)動由于MC33886的導(dǎo)通電阻比較大，產(chǎn)生了較大的壓降，使芯片容 易發(fā)熱，為了增強其驅(qū)動能力利用多塊33886并聯(lián)使用，如圖3所示。圖3 1.用2片?38S6沖聯(lián)驟動原理圖該接法降低了 MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻，增大了驅(qū)動電流，可以起到增 強驅(qū)動能力、減小芯片發(fā)熱的作用，但是起始頻率受限，電機噪聲大 且發(fā)熱嚴(yán)重。2.3方案3:采用

7、2片VNH3SP30(1)運動控制H橋組件VNH3SP30性能2VNH3SP30是意法半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的專用于電機驅(qū)動的大電流功 率集成芯片，其原理框圖如圖4所示，芯片核心是一個雙單片上橋臂 驅(qū)動器(HSD)和2個下橋臂開關(guān),HSD開關(guān)的設(shè)計采用ST的ViPowe技 術(shù)，允許在一個芯片內(nèi)集成一個功率場效應(yīng)MOS管和智能信號/保護(hù) 電路。下橋臂開關(guān)是采用ST專有的EHD(STripFET)工藝制造的縱向 場效應(yīng)MOS管。3個模塊疊裝在一個表面組裝MultiPowerSO- 30引 腳框架電絕緣封裝內(nèi)，具體性能指標(biāo)如下：最大電流30 A、電源 電壓高達(dá)40 V;功率MOS管導(dǎo)通電阻0.034 Q;5

8、 V兼容的邏 輯電平控制信號輸入;內(nèi)含欠壓、過壓保護(hù)電路;芯片過熱報警輸 出和自動關(guān)斷。H CunlrolkrNOFELECTRONKGN Da GNDisGNDh GNHaD1A*/ENhPWMiOUIA OUTbiDIACr/I.Na DA(.ii/ENB PWM A()1；Tb OU LaVN1RSP30VXIBSP30PWM PWM2 PWM3 Q Q Q圖W | 2 | TWEB(H皿原理圖-5V(2)驅(qū)動器電路設(shè)計與運行原理PWM信號調(diào)節(jié)方式PWM(脈寬調(diào)制)信號是VNH3SP30最重要的控制信號，其最大工作 頻率為10 kHz.PWM信號通過控制H橋上的功率管的導(dǎo)通時間，從而 實

9、現(xiàn)對輸出負(fù)載平均電流的調(diào)節(jié)。PWM信號的一個低電平狀態(tài)將會關(guān) 閉2個下橋臂開關(guān)，而當(dāng)PWM輸入端由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，下橋臂 LSA和LSB導(dǎo)通與否取決于輸入信號INA和INB，只有輸入信號從低 電平變?yōu)楦唠娖綍r，下橋臂LSA和LSB才能重新導(dǎo)通。方向控制信號和橋臂使能信號INA和INB為電機轉(zhuǎn)向控制信號，控制電機的轉(zhuǎn)向和剎 車;ENA/DIAGA和ENB/DIAGB為橋臂使能信號，當(dāng)這2個信號都為低 電平時，H橋?qū)⒉荒軐?dǎo)通。當(dāng)驅(qū)動芯片過熱、過壓、欠壓及過流時， ENA/DIAGA和ENB/DIAGB為故障診斷反饋信號，這2個信號返回一個 低電平，同時H橋輸出被封鎖。該方法較MC33886的一

10、個顯著優(yōu)點就是芯片不會發(fā)熱，且保護(hù)功 能強大，但是存在開關(guān)頻率限10 kHz，電機噪聲大且電機容易發(fā)熱， 但芯片較貴，很多場合性價比不高。2.4方案4:采用2片BTS7960如圖5所示，采用2個半橋智能功率驅(qū)動芯片BTS7960B組合成 一個全橋驅(qū)動器，驅(qū)動直流電機轉(zhuǎn)動。BTS7960B是應(yīng)用于電機驅(qū)動 的大電流半橋集成芯片，它帶有一個P溝道的高邊MOSFET、一個N 溝道的低邊MOSFET和一個驅(qū)動IC。P溝道高邊開關(guān)省去了電荷泵的 需求，因而減少了電磁干擾(EMI)。集成的驅(qū)動IC具有邏輯電平輸入、 電流診斷、斜率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和超溫、過壓、欠壓、過流及短 路保護(hù)功能。BTS7960B

11、的通態(tài)電阻典型值為16 m。，驅(qū)動電流可達(dá) 43 A，調(diào)節(jié)SR引腳外接電阻的大小可以調(diào)節(jié)MOS管導(dǎo)通和關(guān)斷時間， 具有防電磁干擾功能。IS引腳是電流檢測輸出引腳。INH引腳為使能 引腳，IN引腳用于確定哪個MOSFET導(dǎo)通。當(dāng)IN=1且INH=1時，高 邊MOSFET導(dǎo)通，輸出高電平；當(dāng)IN=0且INH=1時，低邊MOSFET導(dǎo) 通，輸出低電平。通過對下橋臂開關(guān)管進(jìn)行頻率為25 kHz的脈寬調(diào) 制(PWM)信號控制BTS7960B的開關(guān)動作，實現(xiàn)對電機的正反向PWM驅(qū) 動、反接制動、能耗制動等控制狀態(tài)。J.L CortrcILer圖5果用J片RE960服3j原理圖這塊芯片開頭頻率可以達(dá)到25

12、kHz，可以很好地解決前面提到 的MC33886和VNH3SP30使電機噪聲大和發(fā)熱的問題，同時驅(qū)動能力 有了明顯的提高，響應(yīng)速度快。但是，電機變速時會使電源電壓下降 10%左右，控制器等其他電路容易產(chǎn)生掉電危險，從而使整個電路系 統(tǒng)癱瘓。2.5 方案5：采用 TD340 和 IRF3205以TD340驅(qū)動器芯片為核心的直流電機PWM調(diào)速控制系統(tǒng)可以很 好地驅(qū)動由低導(dǎo)通電阻IRF3205組成的H橋，大大簡化硬件電路。該 系統(tǒng)不僅可以模擬控制，而且具有計算機接口，同時具有良好的保護(hù) 功能。圖6所示為可逆的PWM變換器主電路的H型結(jié)構(gòu)形式。圖中，4 個MOSFET管的基極驅(qū)動電壓分為2組，其中Q2

13、L和Q1H為一組，當(dāng) Q2L接收PWM信號導(dǎo)通時，Q1H常開，而Q2H和Q1L截止。這時，電 機兩端得到電壓而旋轉(zhuǎn)，而且占空比越大，轉(zhuǎn)速越高。由于直流電機 是1個感性負(fù)載，當(dāng)MOS關(guān)斷時，電機中的電流不能立即降到零，所 以必須給這個電流提供一條釋放通路，否則將產(chǎn)生高壓破壞器件。處 理這種情況的通常方法是在MOSFET竹旁邊并聯(lián)1個二極管，使電流 流過二極管，最后通過歐姆耗散的方式在二極管中消失。對于大電流， 耗散是重要的排放方法。這里必須使用高速二極管。電機反轉(zhuǎn)時原理 相同。B 6果用W職動和lElF.CW注/蛔海理圖該方案基本上集合了前面4種方法的所有優(yōu)點，初始頻率高達(dá) 25 kHz，且有微

14、控制器的標(biāo)準(zhǔn)5 V電壓輸出，采用的開關(guān)管IRF3205 的導(dǎo)通內(nèi)阻僅有8 m。，不需要高速光隔對MCU的PWM隔離電路，從 面使整個電路簡單化。3實驗結(jié)果與分析經(jīng)過對電路的選擇和調(diào)試實驗，本文重點論述的5種電路對比結(jié) 果如表1、表2所示。表3動芯片法比較芯內(nèi)阻加H最大電流w頻電壓健圍八MC3?8S6120少牟4*104C2 片 M 03886ECHNld催1CBTS796U八y % 5_QJ451 D34fli和 IIIF32O5g10256.5-185表二驅(qū)動芯片的性能比較數(shù) 芯卜芯片發(fā)炮程度產(chǎn)生的外降電機喋聲巾一機發(fā)焜MC33S861差Z大*大2片MC3翦嘩-般ECH E較大VN3SP3I；較好較小較大_ 較大l：IS796fl較好-較小一較小較小TD3 偵 i和 IRF3205好小小小綜上分析，每一種驅(qū)動方法