一路溫度顯示發(fā)給學生

1、DS1820DS1820測溫范圍-55+1250.5遞增。華氏器件-9200ms（典型值F0.90F搜索命令識別并標志超過程序限定溫度（條件）DS18209DS1820DS1820 DS1820DS1820可以同時連在一根單線總線上，HVAC環(huán)境控制、探測建筑物、儀DS1820S（16SSOP）：所有上表中未提及的引腳都無連接。1DS1820的主要 。DS1820：1）64THTL 在到來再給寄生電源（電容）充電。DS18205V儲器和控制操作。因此，控制器必須首先提供下面 5個 ROM操作命令之一：1）讀 ROM，2）ROM，3）ROM，DS1820S（16SSOP）：所有上表中未提及的引腳

2、都無連接。1DS1820的主要 。DS1820：1）64THTL 在到來再給寄生電源（電容）充電。DS18205V儲器和控制操作。因此，控制器必須首先提供下面 5個 ROM操作命令之一：1）讀 ROM，2）ROM，3）ROM，4）ROMROM6DS1820DS1820一個 EEPROM字節(jié)THTLDS1820THTL1I/OVDD定的時間和電壓需求時（見節(jié)標題“單線總線系統(tǒng)”），I/O要提供足夠的能量。寄生電源要想使 DS1820能夠進行精確的溫度轉(zhuǎn)換，I/O線必須在轉(zhuǎn)換期間保證供電。由于 DS1820的工作電流達到 1mA，所以僅靠 5K上拉電阻提供電源是的，當幾只 DS1820掛在同一根

3、I/O。I/OMOSFETI/O169182數(shù)據(jù)輸入/輸出腳。對于單線操作：漏極開路（見“寄生電源”節(jié)73VDD210sI/O線轉(zhuǎn)換到強上拉。使用寄生電源方式時，VDDDS1820VDD210sI/O線轉(zhuǎn)換到強上拉。使用寄生電源方式時，VDDDS1820VDD3可以允許在單線總線上進行其他數(shù)據(jù)往來。另外，在單線總線上可以掛任意多片 DS1820，而讓它們同時進行溫度轉(zhuǎn)換。注意當加上外部電源時，GND引腳不能懸空。100DS1820DS1820VDD對于總線控制器不知道總線上的 DS1820是用寄生電源還是用外部電源的情況，DS1820預備SkipROM如果是從 VDD供電，則發(fā)回“1”，這樣總

4、線控制器就能夠決定總線上是否有 DS1820需要強上拉。如果控制器接收到一個“0I/O線提供強上拉。這DS18204溫度/數(shù)據(jù)關系（期內(nèi)對一個低溫度系數(shù)的振蕩器的脈沖進行計數(shù)來得到溫度值。計數(shù)器被預置到對應于-償感溫振蕩器的拋物線特性。然后計數(shù)器又開始計數(shù)直到 0，如果門周期仍未結束，將重復0.516bit溫度/數(shù)據(jù)關系（期內(nèi)對一個低溫度系數(shù)的振蕩器的脈沖進行計數(shù)來得到溫度值。計數(shù)器被預置到對應于-償感溫振蕩器的拋物線特性。然后計數(shù)器又開始計數(shù)直到 0，如果門周期仍未結束，將重復0.516bit碼形式讀出，表 1給出了溫度值和輸出數(shù)據(jù)的關系。數(shù)據(jù)通過單線接口以串行方式傳輸。 DS1820測溫范

5、圍-55+1250.5遞增。如用于華氏溫度，必須要用一個轉(zhuǎn)換因子查DS18201/2LSB9bit00000000 000000000 -11111111 F-11111111 -11111111 最高有效（符號）MSB116bit溫度讀數(shù)。TEMP_READTHTL80.5位被忽略不計。THTL16THTL最高有效（符號）MSB116bit溫度讀數(shù)。TEMP_READTHTL80.5位被忽略不計。THTL16THTL樣就允許許多 64位（激）DS1820648位是單線系列編碼（DS1820的編碼是 19h）。下面 48位是一個唯一的序列號。最后 8位是以上 56位的 CRC碼。（見圖 5）6

6、4位 和 作協(xié)議流程圖來描述（圖 6）。單線總線控制器必須得天獨厚提供 5個 ROM操作命令其中之一：1）Read ROM，2）Match ROM，3）Search Rom，4）Skip ROM，5）Alarm Search。成功CRCDS18208 64ROM64ROM56CRCDS1820ROM否被總線控制器接收無誤。CRCCRCDS182064ROM9個字節(jié)讀出來）進行比較。CRCDS1820的或由其計算的CRCCRCXOR70了 CRC值。移入 8位 CRC會使移位寄存器復 0。器DS18208RAM0了 CRC值。移入 8位 CRC會使移位寄存器復 0。器DS18208RAMTHTL

7、的非易失性電可擦除（E2）RAM組成。當在單線總線上通訊時，暫存器幫助確保數(shù)據(jù)的完令會把數(shù)據(jù)傳到非易性（E2）RAM8據(jù)時，它們?nèi)勘憩F(xiàn)為邏輯 1。第七和第八字節(jié)是計數(shù)寄存器，它們可以被用來獲得更高的CRC碼。CRC的執(zhí)行方式如第二個標題“CRC發(fā)生器”所述。 ：硬件結構、執(zhí)行序列和單線信號（信號類型和時序）它。為此每一個總線上的器件都必須是漏極開路或三態(tài)輸出。DS1820的單總線端口（I/O腳）95KDS1820 的協(xié)議如下：ROMDS1820在總線上且已準備好操作。詳見“單線信號”節(jié)。 DS1820 的協(xié)議如下：ROMDS1820在總線上且已準備好操作。詳見“單線信號”節(jié)。 ROM操作命令

8、5ROMROM操作命令都 8位長度。下面是這些命令（參見圖 6流程圖）：ROM操作流程圖（Read ROM Match ROM （漏極開路連在一起開成相與的效果）ROM64ROMDS182064ROMDS182064Skip ROM 64ROM（漏極開路下拉效果相當于相與）Search ROM 64ROM64位編碼。 Alarm Search EChTHTLDS1820I/ODS18200101DS1820Search ROM 64ROM64位編碼。 Alarm Search EChTHTLDS1820I/ODS18200101DS182011。一個復位脈沖跟著DS1820（ROM器操作命令D

9、S1820命令設置（Convert 讀溫度忙狀態(tài)1Read CRC9字節(jié)2和 3（TH和 TL溫度報寫兩個的字節(jié)到地址 Copy 2讀拷貝狀態(tài)2Recall 讀溫度忙狀態(tài)DS1820讀供電狀態(tài)Convert T2CopyScratchpadVDD供電的話，I/OCopyScratchpad命令后，這段時間內(nèi)單線總線上就不能有其他進入接收狀態(tài)（RX）Convert T2CopyScratchpadVDD供電的話，I/OCopyScratchpad命令后，這段時間內(nèi)單線總線上就不能有其他進入接收狀態(tài)（RX）5KI/ODS18201560s，然后發(fā)出存在脈沖（60240s的低電平信號）。210器操作

10、流程圖（10）續(xù)圖 10Write Scratchpad 到暫存器中的地址位置 2和 3。可以在任何時刻發(fā)出復位命令來中止寫入。Read Scratchpad Copy Scratchpad 。DS1820器，DS1820就會輸出一個“0”，如果拷貝結束的話，DS1820則輸出“110ms。 Convert T 44hDS1820將在總線上輸出“0”，若溫度轉(zhuǎn)換完成，則輸出“1”。如果使用寄生電源，總線控制器必須在發(fā)出這條命令后立即起動強上拉，并保持 500ms。Recall E2 ower Supply 0=1”讀/1060s1s的I/O線電平變低后，DS182015s60sI/O線采樣。如

11、果線上是高電平，就是寫 1，如果線上是低電平，就是寫 0（見圖 12）。060s。060s。1sDS1820sI/O15sI/O腳狀態(tài)（12）。在讀時間隙的結尾，I/O引腳將被外部上拉電阻拉到讀時間隙必須最少 60s，包括兩個讀周期間至少 1s的恢復時間。13TINIT，TRCTS LE15s14示出，系統(tǒng)時間可以用下面方法達到最大：TINIT和 TRC保持時間盡可能??；把控制器采樣時間放到 15s周期的最后。器操作舉例（3）溫度（寄生電源控 制器操作舉例（3）溫度（寄生電源控 制器 狀數(shù)據(jù)（）器操作舉例（器（控 制器 狀數(shù)據(jù)（）Skip ROMWrite Scratchpad兩個數(shù)據(jù)寫兩個字

12、節(jié)到暫存器（THSkip ROMRead Scratchpad9 個數(shù)據(jù)讀整個暫存器加上CRC；控制器重新計算從暫存讀到的8個數(shù)據(jù)字節(jié)的CRC，把計算的 CRC和Skip ROM器操作舉例（器（控 制器 狀數(shù)據(jù)（）Skip ROMWrite Scratchpad兩個數(shù)據(jù)寫兩個字節(jié)到暫存器（THSkip ROMRead Scratchpad9 個數(shù)據(jù)讀整個暫存器加上CRC；控制器重新計算從暫存讀到的8個數(shù)據(jù)字節(jié)的CRC，把計算的 CRC和Skip ROM復位脈沖（480-發(fā)“Match ROM”64DS1820發(fā)“Convert T”I/O 線高I/O線保持至少，以完成溫度轉(zhuǎn)發(fā)“Match RO

13、M”64DS1820發(fā)“Read Scratchpad”9 個數(shù)據(jù)讀整個暫存器加上CRC；控制器重新計算從暫存讀到的8個數(shù)據(jù)字節(jié)的CRC，把計算的 CRC和的CRC進行比較，如果相同，控制器向下進行，如果不同，就重復讀操作。器操作舉例（例：溫度轉(zhuǎn)換和插補（工作溫度： -55+12555+125焊接溫度： 26010I/O1/2V-V2V控 制器 狀）Skip ROMConvert T8（或位）FFh（所有位都1）器操作舉例（例：溫度轉(zhuǎn)換和插補（工作溫度： -55+12555+125焊接溫度： 26010I/O1/2V-V2V控 制器 狀）Skip ROMConvert T8（或位）FFh（所有

14、位都1）Skip ROMRead ScratchpadCDS18x20/DS1822 21-1-()0DS5000( C401(31351s()( C6789/ounsigned char unsigned char DQ = 0; / pull DQ low to start timeslot DQ = 1; / then return highfor (i = 0; i 3; i+); / delay 15s from start of timeslotreturn(DQ); / return value of DQ void write_byte(char unsigned char i

15、; unsignedchar6789/ounsigned char unsigned char DQ = 0; / pull DQ low to start timeslot DQ = 1; / then return highfor (i = 0; i 3; i+); / delay 15s from start of timeslotreturn(DQ); / return value of DQ void write_byte(char unsigned char i; unsignedchartemp;for (i = 0; i i; / shifts val right i temp

16、 &= 0 x01; / t bit to write_bit(temp); / write unsigned char unsigned char DQ = 0;/pull DQ line low / leave it low for 480s DQ = 1;/ allow line to returnhigh/waitforpresence presence = DQ; / get presen/ wait for end of timeslot return(presence); / presenpresence = 0, no part = ignal unsigned char unsigned char i; unsigned char value = 0;for (i = 0; i 8; if(read_bit() value| = 0 x / reads byte in, one byte ime and shifts it delay(6); / wait for rest of / DELAY - / Calling the routine takes about 24s, and / each count takes another void