Er3+摻雜對(duì)Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9(NKBN)壓電陶瓷電學(xué)的影響課件_第1頁
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1、Er3+摻雜對(duì)Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9（NKBN）壓電陶瓷電學(xué)的影響試講人：xx 學(xué)號(hào) ：021003主要內(nèi)容研究研究背景及意義1工工藝流程23實(shí)實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析與討論結(jié)論結(jié)論4結(jié)論1.研究背景及意義1.1壓電陶瓷的發(fā)展史1880年，居里兄弟首先在單晶上發(fā)現(xiàn)了壓電效應(yīng)1940年以前，人們知道兩類鐵電體:羅息鹽和磷酸二氫鉀鹽，具有壓電性。1940年。人們發(fā)現(xiàn)了BaTiO3是一種鐵電體，具有很強(qiáng)的壓電性1950年，發(fā)現(xiàn)了PZT體系具有非常強(qiáng)壓電效應(yīng)1970年，添加不同的添加劑使PZT陶瓷具有優(yōu)良的性能無鉛壓電陶瓷體系BaTiO3系Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)系鎢青銅結(jié)構(gòu)(K

2、0.5Na0.5)NbO3(KNN)系鉍層狀結(jié)構(gòu)1.2無鉛壓電陶瓷體系鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷（1）Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷（2）MBi4Ti4O15基無鉛壓電陶瓷（3）MBi2Nb2O9基無鉛壓電陶瓷（4）復(fù)合鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷2.工藝流程 NBT基無鉛壓電材料的主要原料Table 3.1 The main raw materials of NBT-based lead-free piezoelectric materialsNBT基陶瓷的工藝流程圖Fig.3.2 Preparation procedure of NBT-based ceramics3.實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析與討論1 物相分析 樣品的XRD圖從圖中可以看出：陶瓷樣品都是m=2的鉍層狀結(jié)構(gòu)，沒有雜相生成，最高峰相高角度偏移離子半徑：r(Er3+)=0.086nmr(Na+)=0.097nmr(K+)=0.133nmr(Bi3+)=0.120nm3 介電性能分析容忍因子容忍因子減小，晶格畸變增大，從而導(dǎo)致Tc升高陶瓷樣品的介電溫譜由圖可知：隨著Er摻雜量的增加，介電損耗變大 在350以下，介電損耗幾乎不變在350Tc溫度以下，介電損耗隨溫度的增加而增加，且在0.5

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