《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》復(fù)習(xí)課件

1、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)一、高考題型一是選擇題一、高考題型一是選擇題 研究篇明確方向11年開始物質(zhì)結(jié)構(gòu)，元素周期律年年在選擇題中考查 3 研究篇明確方向11年開始物質(zhì)結(jié)構(gòu)，元素周期律一、高考題型一是選擇題二是三選一中的37題一、高考題型一是選擇題5題號(hào)考查內(nèi)容賦分2015201120122013201437物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（以碳為背景討論核外電子排布、共價(jià)鍵、雜化軌道、晶體結(jié)構(gòu)等）物質(zhì)的制備、電負(fù)性的比較、雜化類型的判斷微粒間作用力的判斷、有關(guān)晶胞的計(jì)算以氧族元素為背景主要考查電子排布式、電離能、雜化軌道理論、分子的立體結(jié)構(gòu)、含氧酸酸性強(qiáng)弱和考查晶胞密度的計(jì)算物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（以碳和硅

2、為背景討論能層、能級(jí)、共價(jià)鍵、雜化軌道、晶體結(jié)構(gòu)等）物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（以Cu、Al、Fe為背景討論晶胞、電子排布式、共價(jià)鍵類型、配合物、密度計(jì)算等）155題號(hào)考查內(nèi)容賦分201520112012201320143二、復(fù)習(xí)建議 1、 河北省化學(xué)選做題選做率統(tǒng)計(jì)表2012年題號(hào) 分值 選做率 得分率 平均分 36 15 0.0428 4.2537 15 0.4331.6 4.7438 15 0.51558.252013年題號(hào) 分值 選做率 得分率 平均分 36 15 0.079 18.8 2.8337 15 0.45 40.1 6.0138 15 0.48 46.1 6.922014年題號(hào) 分值 選

3、做率 得分率 平均分 36 15 0.10 9.42 1.437 15 0.33 52.91 7.94 38 15 0.57 35.80 5.37 二、復(fù)習(xí)建議 1、 河北省化學(xué)選做題選江南十?；瘜W(xué)選做題選做統(tǒng)計(jì)表2016年題號(hào) 選做人數(shù) 難度系數(shù)區(qū)分度平均分 36 21734.960.334.9637 47287.850.52 7.8538 97416.340.426.34江南十校化學(xué)選做題選做統(tǒng)計(jì)表題號(hào) 選做人數(shù) 難度系數(shù)區(qū)分度平重點(diǎn)：1-36號(hào)原子核外電子排布式、價(jià)電子的排布式、軌道表示式、成對(duì)電子、未成對(duì)電子。 掌握基本概念：第一電離能、電負(fù)性、共價(jià)鍵鍵能、鍵長(zhǎng)、氫鍵、晶格能等。 雜化

4、軌道類型及空間構(gòu)型。 金屬晶體的堆積方式及其晶胞的計(jì)算。難點(diǎn)：晶胞分析及其計(jì)算。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)重點(diǎn)、難點(diǎn)重點(diǎn)：1-36號(hào)原子核外電子排布式、價(jià)電子的排布式、軌道表常考的知識(shí)點(diǎn)（離子）核外電子排布式（1-36號(hào)元素）、價(jià)層電子排原子布式、價(jià)層電子軌道示意圖（s、p、d軌道，判斷未成對(duì)電子、成對(duì)電子）。如Na、Al、Fe、Cu、 H、C、N、O、Si、S、Cl2011年基態(tài)B原子的電子排布式為_2012年Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；2013年基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。2014年基態(tài)鐵原子有 個(gè)未成對(duì)電子，三價(jià)鐵離子的電

5、子排布式為： 2015年處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用 形象化描述。在基態(tài)C原子中，核外存在 對(duì)自旋相反的電子。?？嫉闹R(shí)點(diǎn)?？嫉闹R(shí)點(diǎn)化學(xué)鍵及晶體類型判斷【四大晶型、三大鍵型（含配位鍵、鍵和鍵、極性鍵和非極性鍵）】。2011年在BF3分子中，F(xiàn)BF的鍵角是_2013年在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為_，層間作用力為_；2014年1摩爾乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為： 。2015年碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是 。CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有 ，?？嫉闹R(shí)點(diǎn)常考的知識(shí)點(diǎn)原子雜化軌道類型（sp、sp2、sp3）及分子（含離

6、子）空間構(gòu)型（正四面體、四面體、平面四邊形、三角錐形、平面三角形、V形等）判斷。2011年在BF3分子中， B原子的雜化軌道類型為_，BF 4-的立體構(gòu)型為_；2012年氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為 ；2013年SiO44- 四面體Si原子的雜化形式為 ，2014年乙醛中碳原子的雜化軌道類型為 _；2015年CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有 ，C原子的雜化軌道類型是 ，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子 。?？嫉闹R(shí)點(diǎn)1.雜化軌道2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)CHHHH10928激發(fā)sp3 雜化1.雜化軌道2s2pC的基態(tài)2

7、s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 2s2pB的基態(tài)2p2s激發(fā)態(tài)正三角形sp2 雜化態(tài)BFFF激發(fā)120sp2 雜化2s2pB的基態(tài)2p2s激發(fā)態(tài)正三角形sp2 雜化態(tài)BFF激發(fā)2s2pBe基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)雜化直線形sp雜化態(tài)鍵合直線形化合態(tài)Cl Be Cl180sp雜化激發(fā)2s2pBe基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)雜化直線形sp雜化態(tài)鍵合直2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)激發(fā)碳可以形成sp3、sp2 、 sp雜化正三角形sp2 雜化態(tài)直線形sp雜化態(tài)2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)激發(fā)2雜化軌道的類型類型空間構(gòu)型實(shí)例sp3雜化正四面體形金剛石、晶體硅、SiO2

8、、CH4、CCl4、NH4 + 、SO4 2-、PO43-、四面體形 CH3 -三角錐形NH3、PH3、NF3、PCl3、SO32 - 、PO33-、ClO3、H3O V形H2Osp2雜化平面三角形BF3 、CH2O、SO3、SeO3、CO32、NO3、平面形CH2CH2、C6H6、石墨、 C2H4、-CHO 、 -COOHV形SO2、O3、NO2sp雜化直線形CO2、CS2、HCN、CNS、NO2+、N3、C2H2C2H2 BeCl22雜化軌道的類型類型空間構(gòu)型實(shí)例sp3雜化正四面體形金剛石?？嫉闹R(shí)點(diǎn)元素原子電離能及電負(fù)性遞變規(guī)律、大小判斷及其應(yīng)用。2011年B和N相比，電負(fù)性較大的是_2

9、012年O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?；關(guān)于第一電離能：第2周期：Li、B 、B e、C、O、N、F第3周期：Na、Al、Mg、Si、S、P、Cl?？嫉闹R(shí)點(diǎn)?？嫉闹R(shí)點(diǎn)利用晶格能、范德華力（含氫鍵）及化學(xué)鍵鍵能大小、等電子體理論等）解釋物質(zhì)性質(zhì)（酸性強(qiáng)弱、穩(wěn)定性大小、熔沸點(diǎn)高低、溶解性大小等）。2011年在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為_，層間作用力為_2012年 H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因： 2013年硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是 。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是

10、2014年乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是： 。2015年CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點(diǎn)為253K，沸點(diǎn)為376K，其固體屬于 晶體。共價(jià)鍵(或極性鍵)分子間力(或范德華力)乙酸的分子間存在氫鍵，增加了分子之間的相互作用分子CC鍵和CH鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵。對(duì)同一種元素的含鹽酸來說，該元素的化合價(jià)越高，其含氧酸的酸性越強(qiáng)。?？嫉闹R(shí)點(diǎn)共價(jià)鍵(或極性鍵)分子間力(或范德華

11、力)乙酸的?？嫉闹R(shí)點(diǎn)典型原子晶體（金剛石、單晶硅、二氧化硅）結(jié)構(gòu)特征及其與性質(zhì)的關(guān)系。2015年在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接 個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有 個(gè)C原子。3 2 ?？嫉闹R(shí)點(diǎn)3 2 在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接 個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個(gè)C原子在同一平面。12 4 在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子2014年（3）氧化亞銅為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有四個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，則該晶胞中有 個(gè)銅原子。（4）鋁單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。2014年（3）氧化亞銅為半導(dǎo)

12、體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有四個(gè)常見金屬晶體的三種結(jié)構(gòu)型式三種典型結(jié)構(gòu)型式面心立方最密堆積體心立方密堆積六方最密堆積常見金屬Ca、Al、Cu、Ag、Au、Pd、PtLi、Na、K、Ba、W、FeMg、Zn、Ti結(jié)構(gòu)示意圖配位數(shù)12812常見金屬晶體的三種結(jié)構(gòu)型式三種典型結(jié)構(gòu)型式面心立方最密堆積2013年（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以 相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。（6）在硅酸鹽中，SiO44- 四面體（如下圖（a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，Si與O的原子數(shù)之比

13、為 ，化學(xué)式為 。2013年（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與2012年（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為5400 pm密度為 （列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）2012年（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)2011年（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長(zhǎng)為361.5 pm。立方氮化硼晶胞中含有_個(gè)氮原子、_個(gè)硼原子，立方氮化硼的密度是_ gcm3(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅

14、常數(shù)為NA)。2011年（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼晶胞原子數(shù)目計(jì)算 簡(jiǎn)單立方晶胞中原子個(gè)數(shù)：8181體心立方晶胞中原子個(gè)數(shù)：818 + 12面心立方晶胞中原子個(gè)數(shù)：818 +6124晶體密度的計(jì)算面心立方晶胞中原子個(gè)數(shù)：818 +61241mol晶胞中含原子的物質(zhì)的量：4mol頂點(diǎn):1/8棱邊:1/4體心：1面心:1/2晶胞原子數(shù)目計(jì)算 簡(jiǎn)單立方晶胞中原子個(gè)數(shù)：818全國卷2015年37化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中，回答下列問題：（1）處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用 形象化描述。在基態(tài)原子中，核外存在 對(duì)自旋相反的

15、電子。（2）碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是 。（3）CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有 ，C原子的雜化軌道類型是 ，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子 。（4）CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點(diǎn)為253K，沸點(diǎn)為376K，其固體屬于 晶體。（5）碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示： 石墨烯晶體 金剛石晶體在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接 個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有 個(gè)C原子。在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接 個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個(gè)C原子在同一平面。電子云2C有4個(gè)價(jià)電子且半徑較小，難以通過得或失電

16、子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)鍵和鍵 spCO2、SCN-分子3 2 12 4 全國卷2015年37化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)電子2014年37、化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(15分)早期發(fā)現(xiàn)的一種天然準(zhǔn)晶顆粒由三種Al、Cu、Fe元素組成?；卮鹣铝袉栴}：（1）準(zhǔn)晶是一種無平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過 方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。（2）基態(tài)鐵原子有 個(gè)未成對(duì)電子，三價(jià)鐵離子的電子排布式為： 可用硫氰化鉀檢驗(yàn)三價(jià)鐵離子，形成配合物的顏色為 （3）新制備的氫氧化銅可將乙醛氧化為乙酸，而自身還原成氧化亞銅，乙醛中碳原子的雜化軌道類型為 _；一摩爾乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為： 。乙酸的沸點(diǎn)明

17、顯高于乙醛，其主要原因是： 。氧化亞銅為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有四個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，則該晶胞中有 個(gè)銅原子。（4）鋁單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。列式表示鋁單質(zhì)的密度 gcm3(不必計(jì)算出結(jié)果)X射線衍射4血紅色1s22s22p63s23p63d5. sp3；sp26NA乙酸的分子間存在氫鍵，增加了分子之間的相互作用16122014年37、化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(15分)X2013年新課標(biāo)37化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問題：（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最

18、高能層符號(hào)為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。（2）硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以 相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。4M 9 二氧化硅共價(jià)鍵 3Mg2Si + 4NH4Cl = SiH4 + 4NH3 + 2MgCl22013年新課標(biāo)37化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：硅與碳同族，也

19、有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是 。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是 。（6）在硅酸鹽中，SiO44- 四面體（如下圖（a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為 ，Si與O的原子數(shù)之比為 ，化學(xué)式為 ?；瘜W(xué)鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/kJmol-1356413336226318452CC鍵和CH鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能

20、卻遠(yuǎn)小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵。sp3 13 SiO3 n2n- (或SiO 32-)化學(xué)鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/kJ2012年新課標(biāo)112【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分） VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺(tái)物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?；（

21、3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；（4）H2Se的酸性比H2S （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為 ；SP3OSSe34 3s23p63d10強(qiáng)平面三角形三角椎形2012年新課標(biāo)112【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）S（5）H2SeO3的K1和K2分別為27x l0-3和25x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為12X10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋： H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因： ； H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因： （6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)

22、中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為5400 pm密度為 （列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）H2SeO4和H2SeO3第一步電離產(chǎn)生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。對(duì)同一種元素的含鹽酸來說，該元素的化合價(jià)越高，其含氧酸的酸性越強(qiáng)。4.1（5）H2SeO3的K1和K2分別為27x l0-3和22011年新課標(biāo)12化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN，如下圖所示： 請(qǐng)回答下列問題：（1）由B2O3制備BF3、BN的化學(xué)

23、方程式依次是_、_；（2）基態(tài)B原子的電子排布式為_；B和N相比，電負(fù)性較大的是_，BN中B元素的化合價(jià)為_；（3）在BF3分子中，F(xiàn)BF的鍵角是_；B原子的雜化軌道類型為_，BF3和過量NaF作用可生成NaBF4，BF 4-的立體構(gòu)型為_；B2O33CaF23H2SO4 2BF33CaSO43H2OB2O32NH3 2BN3H2O1s22s22p1N3120sp2正四面體2011年新課標(biāo)12化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) B（4）在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為_，層間作用力為_；（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長(zhǎng)為361.5 pm。立方氮化硼晶胞中含有_個(gè)氮原子、_個(gè)硼原子，立方氮化硼的密度是_ gcm3(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA)。分子間力(或范德華力)共價(jià)鍵(或極性共價(jià)鍵)44（4）在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子全國I卷：物質(zhì)結(jié)構(gòu)和元素周期律2011年13短周期元素W、X、Y和Z的原子序