微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)第二章集成電路的制造工藝課件

第二章集成電路的制造工藝

第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程第三節(jié)外延工藝第四節(jié)氧化工藝第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法第六節(jié)摻雜技術(shù)第七節(jié)光刻工藝第八節(jié)刻蝕技術(shù)

?第二章集成電路的制造工藝第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程1第二章集成電路的制造工藝

第九節(jié)淀積工藝第十節(jié)表面鈍化技術(shù)第十一節(jié)隔離技術(shù)第十二節(jié)微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境第十三節(jié)襯底材料?第二章集成電路的制造工藝第九節(jié)淀積工藝?2第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程

PN結(jié)隔離方法制造雙極型集成電路的典型工藝流程。圖1

?第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程?3第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程N溝道鋁柵NMOS晶體管的制造工藝流程圖1CMOS集成電路工藝流程CMOS反相器圖2CMOS主要工藝流程圖圖3?第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程?4第三節(jié)外延工藝

外延技術(shù)的采用主要有以下優(yōu)點：①利用外延技術(shù)可以提高高頻大功率晶體管的頻率和功率特性。②在雙極型集成電路的制造工藝中，采用外延技術(shù)容易實現(xiàn)隔離。③利用外延技術(shù)可以根據(jù)需要方便地控制薄層單晶的電阻率、電導(dǎo)類型、厚度及雜質(zhì)分布等參數(shù)。增大了工藝設(shè)計和器件制造的靈活性。?第三節(jié)外延工藝?5

外延生長的方法和原理

汽相外延生長的設(shè)備圖汽相外延生長的方法汽相外延生長原理其他外延技術(shù)液相外延：液相外延是一種在溶液中生長晶體的方法。液相外延的優(yōu)點是可以得到高純度的外延層。分子束外延：分子束外延實際上是一種直接淀積技術(shù)。分子束外延的優(yōu)點是：能精確控制外延層的化學(xué)配比，雜質(zhì)分布和外延層厚度。?外延生長的方法和原理?6第四節(jié)氧化工藝1二氧化硅的性質(zhì)及其作用(1)二氧化硅的性質(zhì)①二氧化硅是理想的電絕緣材料，實驗表明，二氧化硅在室溫附近相當(dāng)寬的溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定，電阻率很高。②二氧化硅的化學(xué)特性非常穩(wěn)定，③實驗證明某些雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散系數(shù)比在Si中的要小，因而可以用二氧化硅膜作擴散的掩蔽層。④二氧化硅的電容性能是用介電常數(shù)表征的。?第四節(jié)氧化工藝?7(2)二氧化硅膜的作用①在MOS集成電路中，二氧化硅層用做MOSFET的絕緣柵介質(zhì)②二氧化硅層可以用做摻雜時的掩蔽層.可以作為注入離子的阻擋層。③二氧化硅膜對器件表面有保護和鈍化作用④二氧化硅膜用做制作電容器的介質(zhì)材料。⑤二氧化硅膜用于集成電路中的隔離介質(zhì)和電絕緣介質(zhì)?(2)二氧化硅膜的作用?82二氧化硅層的熱生長機理①干氧氧化法。干氧氧化的氧化層生長機理是：處在高溫狀態(tài)的氧分子與硅片表面的硅原子接觸產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)在硅表面形成二氧化硅層②硅的水汽氧化。硅的水汽氧化生長氧化層的機理是：高溫下，水蒸氣與硅材料表面接觸時，水分子與硅材料表面的硅原子發(fā)生反應(yīng)生成二氧化硅層，③濕氧氧化④在實際的生產(chǎn)中，廣泛采用的氧化方式是：干氧—濕氧—干氧的交替氧化生長二氧化硅的方式?2二氧化硅層的熱生長機理?93二氧化硅膜的制備方法圖此外還有氫氧合成氧化及高壓氧化等制備二氧化硅膜的方法。

?3二氧化硅膜的制備方法圖?10第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法化學(xué)汽相淀積指的是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程?；瘜W(xué)汽相淀積技術(shù)特點是：淀積溫度低，淀積薄膜的成分和厚度容易控制，均勻性和重復(fù)性好，適用范圍寬，設(shè)備簡單等諸多優(yōu)點。1化學(xué)汽相淀積二氧化硅膜①低溫②高溫2多晶硅膜的制備3氮化硅膜的制備常用的方法是化學(xué)汽相淀積法。多用等離子體化學(xué)汽相淀積（PECVD）方法。?第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法?11第六節(jié)摻雜技術(shù)摻雜是指將需要的雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體特定的區(qū)域中的技術(shù)。目的是：改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)，制造PN結(jié)二極管、NPN和PNP晶體管、電阻器等。在集成電路生產(chǎn)中擴散和離子注入摻雜是常用的兩種摻雜技術(shù)。1擴散原理(1)擴散的本質(zhì)與擴散方法在集成電路工藝中的擴散指的是在一定溫度下，Ⅲ族元素硼（B）或V族元素磷（P）、砷（AS）等原子能夠克服阻力進入半導(dǎo)體（硅）中并緩慢地移動。進入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)原子有替位式擴散和間隙式擴散兩種方式。

?第六節(jié)摻雜技術(shù)?12(2)兩種表面源的擴散方程的解圖1圖2(3)擴散工藝的主要參數(shù)①薄層電阻。圖3圖4

②PN結(jié)結(jié)深Xj磨角法Xj=dsinθ圖滾槽法Xj=ab/2R圖(4)雜質(zhì)的橫向擴散在大規(guī)模集成電路制造工藝中應(yīng)減小或避免雜質(zhì)的橫向擴散圖?(2)兩種表面源的擴散方程的解圖1圖2?132擴散工藝固態(tài)源擴散裝置圖工藝過程為：先是固態(tài)氮化硼源的活化,活化后的氮化硼源與硅片間隔等距離立放在反應(yīng)室內(nèi)，加熱到960℃擴散,將預(yù)淀積后的硅晶片在稀氫氟酸中漂去摻入硼的二氧化硅（硼硅玻璃）層后，繼續(xù)進行再分布擴散.

?2擴散工藝?143離子注入摻雜技術(shù)

離子注入裝置圖①離子源②磁分析器③加速器。④聚焦和掃描器。⑤靶室和偏束板。⑥真空排氣系統(tǒng)和電氣控制器。

?3離子注入摻雜技術(shù)?15(2)離子注入的原理圖(3)離子注入的雜質(zhì)分布(4)離子注入摻雜技術(shù)的特點①被注入的雜質(zhì)離子是經(jīng)過質(zhì)量分析器挑選出來的，被選中的離子純度高、能量單一，從而保證了摻雜純度不受雜質(zhì)源純度的影響。②離子注入可以在較低溫度(400℃)下進行，所以能夠避免熱擴散所引入的晶體缺陷。③離子注入摻雜的均勻性好，可以在較大面積上形成既薄又均勻的摻雜層，而且橫向擴散比熱擴散小得多。④離子注入技術(shù)對于注入離子的能量和劑量可以分別獨立地控制，因而可以精確控制摻雜的濃度和摻雜深度。

?(2)離子注入的原理圖?16

第七節(jié)

光刻工藝1光刻工藝步驟在二氧化硅薄膜上開窗口的光刻工藝步驟圖

光刻工藝流程(1)清洗后的硅片；(2)涂感光膠；(3)前烘；(4)曝光；(5)顯影；(6)堅膜及腐蝕；(7)去膠光刻的流程①清潔處理。②涂感光膠。③前烘。④曝光。⑤顯影。⑥堅膜。⑦腐蝕。⑧去膠。⑨清洗。2常見的幾種光刻方法常用的光刻方法有接觸式光刻、接近式光刻和投影式光刻三種.圖?第七節(jié)光刻工藝?173超細(xì)線條曝光技術(shù)

①遠(yuǎn)紫外線曝光技術(shù)。②電子束曝光技術(shù)。③離子束曝光技術(shù)。④X射線曝光技術(shù)。?3超細(xì)線條曝光技術(shù)?18第八節(jié)刻蝕技術(shù)

1濕法腐蝕濕法腐蝕就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進行腐蝕。根據(jù)被腐蝕膜層材料的不同，配制不同的腐蝕液進行腐蝕。①二氧化硅的腐蝕②鋁的腐蝕2干法腐蝕干法腐蝕是使腐蝕劑處于“活性氣態(tài)”情況下，與被腐蝕的晶片表面接觸而實現(xiàn)腐蝕的。干法腐蝕分為等離子體腐蝕、物理腐蝕和反應(yīng)離子腐蝕三類。?第八節(jié)刻蝕技術(shù)?19淀積工藝

在集成電路制造工藝中，金屬電極膜的淀積方法常用的有真空蒸發(fā)法和濺射法，這兩種方法都屬于物理汽相淀積技術(shù)。1真空蒸發(fā)方法①電阻加熱蒸發(fā)圖②電子束蒸發(fā)2濺射技術(shù)?淀積工藝?20表面鈍化技術(shù)

為了提高器件穩(wěn)定性和可靠性，主要采取的措施有①摻氯氧化。②摻磷氧化。③氮化硅（Si3N4）鈍化膜。④三氧化二鋁鈍化膜。?表面鈍化技術(shù)?21隔離技術(shù)

1雙極型集成電路中的隔離技術(shù)(1)PN結(jié)隔離圖PN結(jié)隔離工藝的優(yōu)點是方法簡單、易于制造、無需特殊技術(shù)和設(shè)備。但其缺點是：①由于PN結(jié)漏電流的存在，隔離性能欠理想。②由于隔離擴散時的橫向擴散，因此要占用較多芯片面積，這對提高集成度不利。③隔離結(jié)面積大，由于PN結(jié)的電容效應(yīng)，會影響高頻放大器的頻率響應(yīng)和高速數(shù)字電路的速度。④PN結(jié)隔離的抗輻照能力差，受溫度影響大。這是因為PN結(jié)的電特性對溫度和輻射影響靈敏的緣故。?隔離技術(shù)?22(2)PN結(jié)對通隔離對通隔離工藝示意圖圖(3)集電極隔離擴散集電極隔離擴散工藝示意圖圖(4)雙極型集成電路中的介質(zhì)隔離介質(zhì)隔離工藝示意圖

圖氧化；（b）光刻；（c）腐蝕；（d）生成氧化硅；（e）生成多晶硅；（f）形成N型硅(5)雙極型集成電路中的PN結(jié)介質(zhì)隔離PN結(jié)-介質(zhì)混合隔離工藝

圖(a）N+埋層擴散；（b）擴散保護環(huán)；（c）外延N型層；（d）開槽；（e）隔離氧化?(2)PN結(jié)對通隔離?232MOS集成電路中的隔離技術(shù)圖(a)NMOS;(b)PMOS;(c)P阱CMOS;(d)N阱CMOS（e）雙阱場寄生MOSFET圖(1)標(biāo)準(zhǔn)場氧化隔離圖(2)局部氧化隔離圖?2MOS集成電路中的隔離技術(shù)圖?24微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境1超凈空間環(huán)境①污染來源。②凈化標(biāo)準(zhǔn)。2超純水超純水的制備方法有：離子交換法、電滲析法和反滲透法。3超純氣體和化學(xué)試劑(1)氣體純度要求(2)化學(xué)試劑純度要求

?微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境?25襯底材料

加工微電子器件對單晶襯底材料的要求主要有以下幾點：①導(dǎo)電類型。②電阻率。③壽命。④晶體完整性。⑤晶向。⑥晶向標(biāo)記。⑦單晶直徑盡可能大。

?襯底材料?26返回?返回?27返回?返回?28返回?返回?29返回?返回?30返回?返回?31返回?返回?32返回?返回?33返回?返回?34返回?返回?35返回?返回?36返回?返回?37返回?返回?38返回?返回?39返回?返回?40返回?返回?41返回?返回?42返回?返回?43返回?返回?44返回?返回?45返回?返回?46返回?返回?47返回?返回?48返回?返回?49返回?返回?50返回?返回?51返回?返回?52返回?返回?53返回?返回?54返回?返回?55返回?返回?56返回?返回?57返回?返回?58返回(a)生長二氧化硅膜；(b)淀積氮化硅膜；(c)光刻場區(qū)氧化窗口；(d)場區(qū)氧化；(e)刻蝕掉氮化硅?返回(a)生長二氧化硅膜；(b)淀積氮化硅膜；?59千里之堤潰于蟻穴，小洞不補大洞難堵。11月-2211月-22Thursday,November3,2022清潔：維持前3S的成果，制度化，規(guī)范化。20:56:2620:56:2620:5611/3/20228:56:26PM創(chuàng)造有魅力的質(zhì)量，造就忠實顧客群體。11月-2220:56:2620:56Nov-2203-Nov-22多看一眼，安全保險；多防一步，少出事故。20:56:2620:56:2620:56Thursday,November3,2022預(yù)防保養(yǎng)及時做，生產(chǎn)順暢不會錯。11月-2211月-2220:56:2620:56:26November3,2022安全生產(chǎn)常抓不懈，抓而不緊，等于不抓。2022年11月3日8:56下午11月-2211月-22傳播安全知識，踐行社會使命。03十一月20228:56:26下午20:56:2611月-22安全掛在心上，規(guī)程握在手上。十一月228:56下午11月-2220:56November3,2022參加滅火工作是每一個成年公民的應(yīng)盡義務(wù)。2022/11/320:56:2620:56:2603November2022品質(zhì)你我做得好，顧客留住不會跑。8:56:26下午8:56下午20:56:2611月-22沒有措施的管理是空談的管理，沒有檢查和計劃的管理是空洞的管理。11月-2211月-2220:5620:56:2620:56:26Nov-22行動是成功的開始，等待是失敗的源頭。2022/11/320:56:26Thursday,November3,2022找方法才能成功，找借口只會失敗。11月-222022/11/320:56:2611月-22謝謝大家！千里之堤潰于蟻穴，小洞不補大洞難堵。11月-2211月-2260第二章集成電路的制造工藝

第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程第三節(jié)外延工藝第四節(jié)氧化工藝第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法第六節(jié)摻雜技術(shù)第七節(jié)光刻工藝第八節(jié)刻蝕技術(shù)

?第二章集成電路的制造工藝第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程61第二章集成電路的制造工藝

第九節(jié)淀積工藝第十節(jié)表面鈍化技術(shù)第十一節(jié)隔離技術(shù)第十二節(jié)微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境第十三節(jié)襯底材料?第二章集成電路的制造工藝第九節(jié)淀積工藝?62第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程

PN結(jié)隔離方法制造雙極型集成電路的典型工藝流程。圖1

?第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程?63第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程N溝道鋁柵NMOS晶體管的制造工藝流程圖1CMOS集成電路工藝流程CMOS反相器圖2CMOS主要工藝流程圖圖3?第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程?64第三節(jié)外延工藝

外延技術(shù)的采用主要有以下優(yōu)點：①利用外延技術(shù)可以提高高頻大功率晶體管的頻率和功率特性。②在雙極型集成電路的制造工藝中，采用外延技術(shù)容易實現(xiàn)隔離。③利用外延技術(shù)可以根據(jù)需要方便地控制薄層單晶的電阻率、電導(dǎo)類型、厚度及雜質(zhì)分布等參數(shù)。增大了工藝設(shè)計和器件制造的靈活性。?第三節(jié)外延工藝?65

外延生長的方法和原理

汽相外延生長的設(shè)備圖汽相外延生長的方法汽相外延生長原理其他外延技術(shù)液相外延：液相外延是一種在溶液中生長晶體的方法。液相外延的優(yōu)點是可以得到高純度的外延層。分子束外延：分子束外延實際上是一種直接淀積技術(shù)。分子束外延的優(yōu)點是：能精確控制外延層的化學(xué)配比，雜質(zhì)分布和外延層厚度。?外延生長的方法和原理?66第四節(jié)氧化工藝1二氧化硅的性質(zhì)及其作用(1)二氧化硅的性質(zhì)①二氧化硅是理想的電絕緣材料，實驗表明，二氧化硅在室溫附近相當(dāng)寬的溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定，電阻率很高。②二氧化硅的化學(xué)特性非常穩(wěn)定，③實驗證明某些雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散系數(shù)比在Si中的要小，因而可以用二氧化硅膜作擴散的掩蔽層。④二氧化硅的電容性能是用介電常數(shù)表征的。?第四節(jié)氧化工藝?67(2)二氧化硅膜的作用①在MOS集成電路中，二氧化硅層用做MOSFET的絕緣柵介質(zhì)②二氧化硅層可以用做摻雜時的掩蔽層.可以作為注入離子的阻擋層。③二氧化硅膜對器件表面有保護和鈍化作用④二氧化硅膜用做制作電容器的介質(zhì)材料。⑤二氧化硅膜用于集成電路中的隔離介質(zhì)和電絕緣介質(zhì)?(2)二氧化硅膜的作用?682二氧化硅層的熱生長機理①干氧氧化法。干氧氧化的氧化層生長機理是：處在高溫狀態(tài)的氧分子與硅片表面的硅原子接觸產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)在硅表面形成二氧化硅層②硅的水汽氧化。硅的水汽氧化生長氧化層的機理是：高溫下，水蒸氣與硅材料表面接觸時，水分子與硅材料表面的硅原子發(fā)生反應(yīng)生成二氧化硅層，③濕氧氧化④在實際的生產(chǎn)中，廣泛采用的氧化方式是：干氧—濕氧—干氧的交替氧化生長二氧化硅的方式?2二氧化硅層的熱生長機理?693二氧化硅膜的制備方法圖此外還有氫氧合成氧化及高壓氧化等制備二氧化硅膜的方法。

?3二氧化硅膜的制備方法圖?70第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法化學(xué)汽相淀積指的是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程?；瘜W(xué)汽相淀積技術(shù)特點是：淀積溫度低，淀積薄膜的成分和厚度容易控制，均勻性和重復(fù)性好，適用范圍寬，設(shè)備簡單等諸多優(yōu)點。1化學(xué)汽相淀積二氧化硅膜①低溫②高溫2多晶硅膜的制備3氮化硅膜的制備常用的方法是化學(xué)汽相淀積法。多用等離子體化學(xué)汽相淀積（PECVD）方法。?第五節(jié)化學(xué)汽相淀積(CVD)方法?71第六節(jié)摻雜技術(shù)摻雜是指將需要的雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體特定的區(qū)域中的技術(shù)。目的是：改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)，制造PN結(jié)二極管、NPN和PNP晶體管、電阻器等。在集成電路生產(chǎn)中擴散和離子注入摻雜是常用的兩種摻雜技術(shù)。1擴散原理(1)擴散的本質(zhì)與擴散方法在集成電路工藝中的擴散指的是在一定溫度下，Ⅲ族元素硼（B）或V族元素磷（P）、砷（AS）等原子能夠克服阻力進入半導(dǎo)體（硅）中并緩慢地移動。進入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)原子有替位式擴散和間隙式擴散兩種方式。

?第六節(jié)摻雜技術(shù)?72(2)兩種表面源的擴散方程的解圖1圖2(3)擴散工藝的主要參數(shù)①薄層電阻。圖3圖4

②PN結(jié)結(jié)深Xj磨角法Xj=dsinθ圖滾槽法Xj=ab/2R圖(4)雜質(zhì)的橫向擴散在大規(guī)模集成電路制造工藝中應(yīng)減小或避免雜質(zhì)的橫向擴散圖?(2)兩種表面源的擴散方程的解圖1圖2?732擴散工藝固態(tài)源擴散裝置圖工藝過程為：先是固態(tài)氮化硼源的活化,活化后的氮化硼源與硅片間隔等距離立放在反應(yīng)室內(nèi)，加熱到960℃擴散,將預(yù)淀積后的硅晶片在稀氫氟酸中漂去摻入硼的二氧化硅（硼硅玻璃）層后，繼續(xù)進行再分布擴散.

?2擴散工藝?743離子注入摻雜技術(shù)

離子注入裝置圖①離子源②磁分析器③加速器。④聚焦和掃描器。⑤靶室和偏束板。⑥真空排氣系統(tǒng)和電氣控制器。

?3離子注入摻雜技術(shù)?75(2)離子注入的原理圖(3)離子注入的雜質(zhì)分布(4)離子注入摻雜技術(shù)的特點①被注入的雜質(zhì)離子是經(jīng)過質(zhì)量分析器挑選出來的，被選中的離子純度高、能量單一，從而保證了摻雜純度不受雜質(zhì)源純度的影響。②離子注入可以在較低溫度(400℃)下進行，所以能夠避免熱擴散所引入的晶體缺陷。③離子注入摻雜的均勻性好，可以在較大面積上形成既薄又均勻的摻雜層，而且橫向擴散比熱擴散小得多。④離子注入技術(shù)對于注入離子的能量和劑量可以分別獨立地控制，因而可以精確控制摻雜的濃度和摻雜深度。

?(2)離子注入的原理圖?76

第七節(jié)

光刻工藝1光刻工藝步驟在二氧化硅薄膜上開窗口的光刻工藝步驟圖

光刻工藝流程(1)清洗后的硅片；(2)涂感光膠；(3)前烘；(4)曝光；(5)顯影；(6)堅膜及腐蝕；(7)去膠光刻的流程①清潔處理。②涂感光膠。③前烘。④曝光。⑤顯影。⑥堅膜。⑦腐蝕。⑧去膠。⑨清洗。2常見的幾種光刻方法常用的光刻方法有接觸式光刻、接近式光刻和投影式光刻三種.圖?第七節(jié)光刻工藝?773超細(xì)線條曝光技術(shù)

①遠(yuǎn)紫外線曝光技術(shù)。②電子束曝光技術(shù)。③離子束曝光技術(shù)。④X射線曝光技術(shù)。?3超細(xì)線條曝光技術(shù)?78第八節(jié)刻蝕技術(shù)

1濕法腐蝕濕法腐蝕就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進行腐蝕。根據(jù)被腐蝕膜層材料的不同，配制不同的腐蝕液進行腐蝕。①二氧化硅的腐蝕②鋁的腐蝕2干法腐蝕干法腐蝕是使腐蝕劑處于“活性氣態(tài)”情況下，與被腐蝕的晶片表面接觸而實現(xiàn)腐蝕的。干法腐蝕分為等離子體腐蝕、物理腐蝕和反應(yīng)離子腐蝕三類。?第八節(jié)刻蝕技術(shù)?79淀積工藝

在集成電路制造工藝中，金屬電極膜的淀積方法常用的有真空蒸發(fā)法和濺射法，這兩種方法都屬于物理汽相淀積技術(shù)。1真空蒸發(fā)方法①電阻加熱蒸發(fā)圖②電子束蒸發(fā)2濺射技術(shù)?淀積工藝?80表面鈍化技術(shù)

為了提高器件穩(wěn)定性和可靠性，主要采取的措施有①摻氯氧化。②摻磷氧化。③氮化硅（Si3N4）鈍化膜。④三氧化二鋁鈍化膜。?表面鈍化技術(shù)?81隔離技術(shù)

1雙極型集成電路中的隔離技術(shù)(1)PN結(jié)隔離圖PN結(jié)隔離工藝的優(yōu)點是方法簡單、易于制造、無需特殊技術(shù)和設(shè)備。但其缺點是：①由于PN結(jié)漏電流的存在，隔離性能欠理想。②由于隔離擴散時的橫向擴散，因此要占用較多芯片面積，這對提高集成度不利。③隔離結(jié)面積大，由于PN結(jié)的電容效應(yīng)，會影響高頻放大器的頻率響應(yīng)和高速數(shù)字電路的速度。④PN結(jié)隔離的抗輻照能力差，受溫度影響大。這是因為PN結(jié)的電特性對溫度和輻射影響靈敏的緣故。?隔離技術(shù)?82(2)PN結(jié)對通隔離對通隔離工藝示意圖圖(3)集電極隔離擴散集電極隔離擴散工藝示意圖圖(4)雙極型集成電路中的介質(zhì)隔離介質(zhì)隔離工藝示意圖

圖氧化；（b）光刻；（c）腐蝕；（d）生成氧化硅；（e）生成多晶硅；（f）形成N型硅(5)雙極型集成電路中的PN結(jié)介質(zhì)隔離PN結(jié)-介質(zhì)混合隔離工藝

圖(a）N+埋層擴散；（b）擴散保護環(huán)；（c）外延N型層；（d）開槽；（e）隔離氧化?(2)PN結(jié)對通隔離?832MOS集成電路中的隔離技術(shù)圖(a)NMOS;(b)PMOS;(c)P阱CMOS;(d)N阱CMOS（e）雙阱場寄生MOSFET圖(1)標(biāo)準(zhǔn)場氧化隔離圖(2)局部氧化隔離圖?2MOS集成電路中的隔離技術(shù)圖?84微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境1超凈空間環(huán)境①污染來源。②凈化標(biāo)準(zhǔn)。2超純水超純水的制備方法有：離子交換法、電滲析法和反滲透法。3超純氣體和化學(xué)試劑(1)氣體純度要求(2)化學(xué)試劑純度要求

?微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境?85襯底材料

加工微電子器件對單晶襯底材料的要求主要有以下幾點：①導(dǎo)電類型。②電阻率。③壽命。④晶體完整性。⑤晶向。⑥晶向標(biāo)記。⑦單晶直徑盡可能大。

?襯底材料?86返回?返回?87返回?返回?88返回?返回?89返回?返回?90返回?返回?91返回?返回?92返回?返回?93返回?返回?94返回?返回?95返回?返回?96返回?返回?97返回?返回?98返回?返回?99返回?返回?100返回?返回?101返回?返回?102返回?