18年秋季傳感器原理與檢測技術期末試卷

2.0分)A、相對誤差、絕對誤差、引用誤差D、使用誤差解析：2.0分)A、電渦流式傳感器、差動變壓器式互感傳感器D、霍爾元件式傳感器解析：2.0分)A、應變片、熱電偶、壓電晶體D、霍爾元件解析：2.0分)A、紅外線傳感器、光纖傳感器D、熱電偶傳感器解析：2.0分)A、靜態(tài)的力或壓力、動態(tài)的力或壓力、速度D、加速度學生答案：B解析：2.0分)A、增加D、不能判斷解析：2.0分)A、計算修正法、冰浴法D解析：得分：22.0分)A、儀表未校零所引起的誤差、測頻時的量化誤差D、讀數錯誤解析：2.0分)A、靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好、可靠性高D、接口電路不太復雜解析：2.0分)A、一種D、四種解析：2.0分)A、接線方便、減小引線電阻變化產生的測量誤差D、減小橋路中電源對熱電阻的影響解析：-50℃~1502.0分)A、金屬輻射式、熱電偶、半導體三極管D、比色計解析：分)A、熱端直徑、熱電極的電導率、熱端和冷端的溫度D、熱端和冷端的溫差解析：2.0分)A、電容式、電阻式、熱電偶D、電感式解析：一個輸入量所得到的兩個數值不同的輸出量之間的最大差值稱為((本題2.0分)A、回程誤差、絕對誤差、相對誤差D、非線性誤差解析：2.0分)A、力D、加速度解析：2.0分)A、電容式、壓電式、電阻式D、電渦流式解析：CCD是一種(2.0分)A、PN結光電二極管電路、PNP型晶體管集成電路、MOS型晶體管開關集成電路D、NPN型晶體管集成電路解析：(單選題)將電阻R和電容C兩端所構成的RC2.0分)A、抑制共模噪聲、抑制差模噪聲、克服串擾D、消除電火花干擾解析：2.0分)A、復雜周期、非周期D、隨機解析：2.0分)A、放大電路、數據采集電路、轉換電路D、濾波電路解析：(

(本題2.0分)A、眼睛B、感覺器官、手D、皮膚解析：化時,其輸出-輸入的特性。(本題2.0分)A、被測量、環(huán)境D、地理位置解析：2.0分)A、0.01—0.1mm、0.0—0.mD、0.0001—0.001m解析：2.0分)A、箔式應變片、半導體應變片、沉積膜應變片D、薄膜應變片解析：造成(發(fā))生變化,借此檢測特定氣體的成分及其濃度。(本題2.0分)A、半導體電阻、半導體上電流、半導體上電壓D、半導體性質解析：(本題2.0分)A、電源方便、容易實現平衡、可以測量LCD、使用簡單解析：2.0分)A、兩個橋臂都應當用兩個工作應變片串聯、兩個橋臂應當分別用應變量變化相反的工作應變片D、兩個橋臂應當分別用應變量變化相同的工作應變片學生答案：C解析：2.0分)A、重復性、線性度、靈敏度D、固有頻率解析：2.0分)A、A/D轉換器、D/A轉換器、變壓器耦合D、調諧電路解析：2.0分)A、適于測量任意、適于測量直流、適于測量緩變D、適于測量動態(tài)解析：(

(本題2.0分)A、>1、=1、=0.6~0.7D、=0解析：(單選題)能產生光電子。(本題2.0分)A、大于、等于、小于、小于﹑D、任何情況解析：2.0分)A、線性度越好、遲滯越小、重復性越好D、分辨力越高解析：2~10分鐘過渡過程后2.0分)A、靜態(tài)、初始穩(wěn)定狀態(tài)、最終穩(wěn)定狀態(tài)D、工作狀態(tài)解析：關系的電量輸出的裝置或器件。(本題2.0分)A、濃度D、壓強解析：2.0分)A、電流、電勢差、表面電荷層D、深層電荷解析：2.0分)A、多晶體結構、單晶體結構、非晶體結構D、金屬氧化物結構解析：2.0分)A、有機氣體及其濃度、有機氣體及其成分、惰性氣體及其濃度D解析：2.0分)A、質量、程度解析：和時的氣體的絕對濕度之比。(本題2.0分)A、溫度D、質量解析：的(輸)出的器件式裝置。(本題2.0分)A、電壓、電量D、電阻解析：相對濕度變化的快慢程度。(本題2.0分)A、溫度D、濕度解析：2.0分)A、金屬材料、半導體材料、有機聚合物D、光學玻璃解析：2.0分)A、陽極、二次發(fā)射級D、玻璃窗學生答案：A解析：2.0分)A、反向偏壓大小、負載電阻、照強度D、溫度解析：2.0分)A、加正向偏壓、發(fā)熱、加反向偏壓D、光照學生答案：A標準答案：A解析：得分：22.0分)