PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件

PCB電鍍-化銅PCB電鍍-化銅1

Contents1.線路板的結(jié)構(gòu)及技術(shù)要求2.線路板線路形成工藝介紹3.線路板曝光工藝4.線路板顯影/蝕刻/去膜工藝5.PCB化銅工藝介紹6.PCB電鍍工藝介紹Contents1.線路板的結(jié)構(gòu)及技術(shù)要求2.線路板線路形2

1.Build-up層線寬2.Build-up層線距3.Core層線寬4.Core層線距5.盲孔孔徑6.盲孔內(nèi)層孔環(huán)7.盲孔外層孔環(huán)8.通孔孔徑9.通孔孔環(huán)10.Build-up層厚度11.Core層厚度多層PCB的結(jié)構(gòu)1.Build-up層線寬7.盲孔外層孔環(huán)多層PCB的結(jié)構(gòu)3

PCB類別最小線寬/線距最小孔徑孔位精度曝光對(duì)位精度DesktopPC100/100μm0.25mm±125μm≥±50μmNotebook75/75μm0.20mm盲孔120μm±75μm≥±30μmMobile(HDI/FPC)50/50μm0.15mm盲孔100μm±75μm≥±25μmBGA25/25μm盲孔75μm±50μm±15μmFlipChip12/12μm盲孔50μm±20μm±10μm印刷電路板各種產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格要求PCB類別最小線寬/線距最小孔徑孔位精度曝光對(duì)位精度Des4

1.TentingProcess（干膜蓋孔法）適用于PCB、FPC、HDI等

量產(chǎn)最小線寬/線距35/35μm2.Semi-AddictiveProcess（半加成法）適用于WBSubstrate、FlipChipSubstrate量產(chǎn)最小線寬/線距12/12μm3.ModifiedSemi-AddictiveProcess（改良型半加成法）適用于CSP、WBSubstrate、FlipChipSubstrate量產(chǎn)最小線寬/線距25/25μm線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍1.TentingProcess（干膜蓋孔法）線路形成5

TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹:普通PCB、HDI、FPC及SubstrateCore層等產(chǎn)品，使用的基材為FR-4（難燃性環(huán)氧樹脂覆銅板）、RCC（涂覆樹脂覆銅板）、FCCL（柔性基材覆銅板）等材料。RCC：FCCL：FR-4：線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹:普通P6

SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP與MSAP工藝采用Build-up工藝制作。其中SAP的主要材料為ABF（AjinomotoBuild-upFilm）和液態(tài)樹脂；MSAP工藝的主要材料為超薄銅覆銅板（基材為BT、FR-5等，銅厚≤5μm）ABF材料BUM液態(tài)樹脂覆銅板線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP7

蓋孔法干膜前處理······壓膜曝光顯影蝕刻去膜化學(xué)沉銅······干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學(xué)清洗去膜閃蝕············減薄銅蝕刻······干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學(xué)清洗去膜閃蝕······SAPMSAP線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍蓋孔法干膜前處理······壓膜曝光顯影蝕刻去膜8

TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹前處理壓膜曝光顯影蝕刻去膜目的：清潔銅面，粗化銅面，增加干膜與銅面的結(jié)合力目的：將感光干膜貼附在銅面上目的：將設(shè)計(jì)的影像圖形通過UV光轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將設(shè)計(jì)的影像圖形通過UV光轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將沒有覆蓋干膜的銅面去除目的：將銅面殘留的干膜去除線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹前處理壓9SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP與MSAP工藝的區(qū)別是，SAP的基材上面是沒有銅層覆蓋的，在制作線路前需在線路表面沉積一層化學(xué)銅（約1.5μm），然后進(jìn)行顯影等工藝；MSAP基材表面有厚度為3~5μm厚度的電解銅，制作線路前需用化學(xué)藥水將銅層厚度咬蝕到2μm。目的:將可感光的干膜貼附于銅面上目的:將設(shè)計(jì)之影像圖形,轉(zhuǎn)移至基板的干膜上目的:將沒有曝到光之干膜去除目的:將化銅層蝕刻掉目的:將多余的干膜去除目的:將顯影后之線路鍍滿線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP10PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件11ABF熟化后的膜厚約在30～70μm之間，薄板者以30～40μm較常用一般雙面CO2雷射完工的2～4mil燒孔，其孔形都可呈現(xiàn)良好的倒錐狀。無銅面之全板除膠渣(Desmearing)后，其全板面與孔壁均可形成極為粗糙的外觀，化學(xué)銅之后對(duì)細(xì)線路干膜的附著力將有幫助。雷射成孔及全板面式除膠渣ABF熟化后的膜厚約在30～70μm之間，薄板者以30～4012PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件13覆晶載板除膠渣的動(dòng)作與一般PCB并無太大差異，仍然是預(yù)先膨松(Swelling)、七價(jià)錳(Mn+7)溶膠與中和還原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只處理通孔或盲孔的孔壁區(qū)域，但覆晶載板除了盲孔之孔壁外，還要對(duì)全板的ABF表面進(jìn)行整體性的膨松咬蝕，為的是讓1μm厚的化銅層在外觀上更形粗糙，而令干膜光阻與電鍍銅在大面積細(xì)線作業(yè)中取得更好的附著力。覆晶載板除膠渣的動(dòng)作14ABF表面完成0.3-0.5μm化學(xué)銅之后即可進(jìn)行干膜光阻的壓貼，隨后進(jìn)行曝光與顯像而取得眾多線路與大量盲孔的鍍銅基地，以便進(jìn)行線路鍍銅與盲孔填銅。ABF表面完成0.3-0.5μm化學(xué)銅之后即可進(jìn)行干膜光阻的15咬掉部份化銅后完成線路完成填充盲孔與增厚線路的鍍銅工序后，即可剝除光阻而直接進(jìn)行全面性蝕該。此時(shí)板面上非線路絕緣區(qū)的化學(xué)銅很容易蝕除，于是在不分青紅皂白全面銃蝕下，線路的鍍銅當(dāng)然也會(huì)有所消磨但還不致傷及大雅。所呈現(xiàn)的細(xì)線不但肩部更為圓滑連底部多余的殘足也都消失無蹤，品質(zhì)反倒更好！此等一視同仁通面全咬的蝕該法特稱為DifferentialEtching。咬掉部份化銅后完成線路完成填充盲孔與增厚線路的鍍銅工序后，即16此六圖均為SAP3＋2＋3切片圖；左上為1mil細(xì)線與內(nèi)核板之50倍整體畫面。中上為200倍明場偏光畫面，右上為暗場1000倍的呈現(xiàn)，其黑化層清楚可見。左下為1000倍常規(guī)畫面，中下為200倍的暗場真像。右下為3000倍ABF的暗場畫面，底墊為1/3oz銅箔與厚電鍍銅，銅箔底部之黃銅層以及盲孔左右之活化鈀層與化銅層均清晰可見。此六圖均為SAP3＋2＋3切片圖；左上為1mil細(xì)線與內(nèi)核17傳統(tǒng)的PTHPTH孔金屬化傳統(tǒng)的PTHPTH孔金屬化18工藝流程–

功能去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG

溶脹 使樹脂易被高錳酸鹽蝕刻攻擊

高錳酸鹽蝕刻 去除鉆污和樹脂

還原 除去降解產(chǎn)物和清潔/處理表面.

(清潔/

蝕刻玻璃）只有三個(gè)工藝步驟:溶脹還原高錳酸鹽蝕刻工藝流程–去鉆污–SecuriganthP/P5019去鉆污前（去毛刺后）各種

類型PCB的狀態(tài)通孔和微盲孔中的鉆污銅箔樹脂內(nèi)層多層RCC/FR-4板裸樹脂板RCC箔內(nèi)層底盤玻璃纖維鉆污鉆污芯

鉆污

鉆污FR-4SAP膜去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGSBU–SequentialBuild-upTechnology去鉆污前（去毛刺后）各種類型PCB的狀態(tài)銅箔樹脂內(nèi)層多層20工藝流程–溶脹使樹脂易受高錳酸鹽蝕刻液的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂(Tg<150°C)表面的微觀粗糙度溶脹去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工藝流程–使樹脂易受高錳酸鹽蝕刻液的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂21溶脹–通孔和微盲孔中溶脹之后的鉆污溶脹之后溶脹劑去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–溶脹之后溶脹劑去鉆污–SecuriganthP22溶脹–溶脹之前(0秒)去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/23溶脹–溶脹150秒之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/M24溶脹–溶脹240秒之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/25工藝流程–堿性高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）表面的鉆污，清潔孔壁并且粗化(Tg<150°C)的環(huán)氧樹脂之表面去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG堿性高錳酸鹽蝕刻工藝流程–高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）表面的鉆污，清潔26高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻–蝕刻通孔和微盲孔的表面CH4+12MnO4-+14OH-

CO32-+12MnO42-+9H2O+O22MnO42-

+2H2OMnO2+OH-+O2去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGMnO4-高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻–CH4+12MnO4-27高錳酸鹽蝕刻–溶脹之后–不經(jīng)過蝕刻去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P528高錳酸鹽蝕刻–150秒蝕刻之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P529高錳酸鹽蝕刻–240秒蝕刻之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P530去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG環(huán)氧樹脂(未經(jīng)固化) BisphenolA Epichlorhydrin高錳酸鹽攻擊環(huán)氧樹脂分子中的極性官能團(tuán).不含極性官能團(tuán)的高分子化合物不能被去鉆污.高錳酸鹽蝕刻–攻擊環(huán)氧樹脂去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BL31去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG標(biāo)準(zhǔn)FR-4(<150°C)高-Tg(>150°C)300x300x2000x2000x非均相

交聯(lián)均相

交聯(lián)去鉆污高錳酸鹽蝕刻–去鉆污的結(jié)果去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BL32高錳酸鹽蝕刻–還原還原劑能還原/除去二氧化錳殘留并對(duì)玻璃纖維進(jìn)行前處理以期最佳（沉銅）的覆蓋.如有需要，玻璃纖維可被玻璃蝕刻添加劑同時(shí)清潔與蝕刻.還原去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–還原劑能還原/除去二氧化錳殘留并對(duì)玻璃纖維進(jìn)33還原–清潔后的通孔與微盲孔表面還原之后Mn4++2e-

Mn2+

H2O2

2H++2e-+O2Conditioner去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGH2O2/NH2OHNH2OH2H++2H2O+2e-+N2還原–還原之后Mn4++2e-Mn2+H2O34PTH前不同類型的PCB板

–去鉆污后的通孔以及微盲孔表面經(jīng)過去鉆污處理后多層板FR-4覆銅板樹脂內(nèi)層傳統(tǒng)的PTH內(nèi)層鉆盤FR-4板裸樹脂板PTH前不同類型的PCB板–經(jīng)過去鉆污處理后多層板FR-435鉆孔之后200x1000x通孔–鉆孔之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之后200x1000x通孔–去鉆污–Securi36通孔–去鉆污之后去鉆污之后200x1000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG通孔–去鉆污之后200x1000x去鉆污–Secur37AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前1000x5000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin38AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之后去鉆污之后1000x5000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin39AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前1000x2000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin40AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板鉆污之后1000x2000x去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin41鉆孔之后1300x3000x激光鉆成的微盲孔–鉆孔之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之后1300x3000x激光鉆成的微盲孔–去鉆污42去鉆污之后1100x2700x激光鉆成的微盲孔–去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去鉆污之后1100x2700x激光鉆成的微盲孔–去鉆污43鉆孔之前1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆成的–

去鉆污之前去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之前1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆成的–44去鉆污之后1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆孔

–去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去鉆污之后1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆孔–45工藝流程-特征&優(yōu)點(diǎn)溶脹高錳酸鹽蝕刻還原

簡短的流程–只須3步

快速和有效的去鉆污

體系內(nèi)再生高錳酸鹽（延長槽液壽命)

極好的玻璃處理性能

最高質(zhì)量的去鉆污

無害于環(huán)境(交少的有機(jī)物)

應(yīng)用于微盲孔具有最好的潤濕性

去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工藝流程-溶脹高錳酸鹽還原簡短的流程–只須3步去46*可選工藝流程

–垂直沉銅

應(yīng)用清潔預(yù)浸活化微蝕清潔調(diào)整*還原傳統(tǒng)的PTH化學(xué)沉銅垂直優(yōu)點(diǎn)：均勻致密的化學(xué)銅沉積優(yōu)異的結(jié)合力（不起泡）穩(wěn)定的槽液使用壽命沉積速率穩(wěn)定，適用于通孔和盲孔的生產(chǎn)制程55214414...20時(shí)間[分]*可選工藝流程–清潔預(yù)浸活化微蝕清潔調(diào)整*還原傳統(tǒng)的47工藝流程

–清潔

&調(diào)整清潔劑確?？變?nèi)表面達(dá)到最佳的表面清潔狀態(tài)，以便保證有良好的化學(xué)銅結(jié)合力清潔傳統(tǒng)的PTH工藝流程–清潔劑確?？變?nèi)表面達(dá)到最佳的表面清潔狀態(tài)，以便48清潔/調(diào)整

–樹脂表面和銅表面的前處理經(jīng)過清潔劑/調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH清潔/調(diào)整–經(jīng)過清潔劑/調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH49工藝流程

–清潔

&調(diào)整如果去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟,必須附加一個(gè)額外的調(diào)整劑或在使用一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯,PI聚酰亞胺)時(shí)清潔調(diào)整傳統(tǒng)的PTH去鉆污調(diào)整

!工藝流程–如果去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟,必須附加一個(gè)額外50清潔調(diào)整

–玻璃表面的前處理調(diào)整劑經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH清潔調(diào)整–調(diào)整劑經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH51調(diào)整

–表面前處理調(diào)整只有當(dāng)表面清潔時(shí)，玻璃纖維的調(diào)整才會(huì)起作用來避免可能破壞連接機(jī)制的副效應(yīng)!最好的調(diào)整性能

在堿性高錳酸鹽去鉆污后的還原步驟中調(diào)整劑產(chǎn)品

還原清潔劑SecuriganthP(速效普通的雙氧水體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)還原清潔劑SecuriganthP500(有機(jī)體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)注意：若沒有經(jīng)過調(diào)整，化學(xué)銅后的背光效果會(huì)比較差

!傳統(tǒng)的PTH調(diào)整–調(diào)整最好的調(diào)整性能調(diào)整劑產(chǎn)品注意：若沒有經(jīng)過調(diào)整，52調(diào)整

–機(jī)理-樹脂玻璃

纖維調(diào)整劑分子(表面活性劑–Tenside)部分帶負(fù)電荷經(jīng)過調(diào)整后的玻璃表面經(jīng)過去鉆污后的玻璃表面---------均勻的，有機(jī)的，荷電表面

部分帶正電荷++++++++++++++傳統(tǒng)的PTH調(diào)整–-樹脂玻璃

纖維調(diào)整劑分子部分帶負(fù)電荷經(jīng)過調(diào)整后的53調(diào)整

–機(jī)理

/OH/OH/OH|||–O–Si–O–Si–O–Si–O–|||O O O|||NNn調(diào)整劑的碳鏈(部分帶正電荷)玻璃纖維

的分子模型(部分帶負(fù)電)傳統(tǒng)的PTH⊕調(diào)整–/OH/OH54工藝流程

–微蝕清潔銅的蝕刻及粗化是為了化學(xué)銅-內(nèi)層銅之間有良好的結(jié)合效果。

微蝕清潔劑Securiagnth

過硫酸鹽體系通常的微蝕清潔劑基于過硫酸鈉（SPS）適用于各種技術(shù)

微蝕清潔劑SecuriganthC微蝕清潔劑是為特殊的表面性能而設(shè)計(jì)的。微蝕清潔傳統(tǒng)的PTH工藝流程–銅的蝕刻及粗化是為了化學(xué)銅-內(nèi)層銅之間有良好的55微蝕清潔–蝕刻及粗化銅表面SPS:Cu+S2O82-

Cu2++2SO42-經(jīng)過微蝕清潔后傳統(tǒng)的PTH微蝕清潔–SPS:Cu+S2O82-Cu2+56經(jīng)過去鉆污處理后微蝕清潔–清潔及粗化銅表面200x1000x玻璃顆粒傳統(tǒng)的PTH經(jīng)過去鉆污處理后微蝕清潔–200x1000x玻璃顆粒傳統(tǒng)的57微蝕清潔–過硫酸鈉的機(jī)理銅的反應(yīng)

(氧化反應(yīng))

S2O82- +2H++2e-

2HSO4-

過硫酸根反應(yīng)

(還原反應(yīng))S2O82-+2H+ +Cu0

Cu2++2HSO4-

Cu0

Cu2++2e-

銅溶解反應(yīng)

(氧化還原反應(yīng))Na2S2O8+H2SO4+Cu0

CuSO4+2NaHSO4

傳統(tǒng)的PTH微蝕清潔–銅的反應(yīng)(氧化反應(yīng))S2O858表面結(jié)構(gòu)形貌

–微蝕清潔劑Securiganth過硫酸鈉

(SPS)傳統(tǒng)的PTH經(jīng)過刷板后的銅表面

經(jīng)過微蝕清潔劑Securiganth

過硫酸鈉處理之后的銅表面.(150g/lSPS,25ml/lH2SO450%w/w,35°C,1.5分).

表面結(jié)構(gòu)形貌–傳統(tǒng)的PTH經(jīng)過刷板后的銅表面經(jīng)過微蝕59微蝕清潔

–微蝕清潔劑SecuriganthC的機(jī)理銅的反應(yīng)

(氧化反應(yīng))HSO5- +2H++2e-

HSO4-+H2O微蝕清潔劑

SecuriganthC的反應(yīng)(還原反應(yīng))HSO5-+2H+ +Cu0

Cu2++HSO4-+H2OCu0

Cu2++2e-

銅溶解反應(yīng)(氧化還原反應(yīng))KHSO5+H2SO4+Cu0

CuSO4+KHSO4+H2O傳統(tǒng)的PTH微蝕清潔–銅的反應(yīng)(氧化反應(yīng))HSO5- +2H+60表面微觀形貌

–微蝕清潔劑SecuriganthC經(jīng)過刷板后的銅表面.(50g/lSecuriganthEtchCleanerC,

50ml/lH2SO450%w/w,35°C,1.5min)傳統(tǒng)的PTH經(jīng)過微蝕清潔劑

SecuriganthC處理后的表面表面微觀形貌–經(jīng)過刷板后的銅表面.(50g/lSe61工藝流程

–活化/催化預(yù)浸是用來避免前工序的藥液污染活化。

預(yù)浸Neoganth系列

預(yù)浸藥液是為離子鈀而設(shè)計(jì)的

預(yù)浸

傳統(tǒng)的PTH工藝流程–預(yù)浸是用來避免前工序的藥液污染活化。 預(yù)浸62工藝流程

–活化/催化離子鈀（或膠體鈀）主要吸附于樹脂表面,以及經(jīng)過調(diào)整過的玻璃纖維。使孔壁吸附一層鈀金屬導(dǎo)電層，以便于后續(xù)的化學(xué)銅工序。

活化

傳統(tǒng)的PTH

催化Neoganth/PallacatCatalyst系列離子鈀的催化劑/膠體鈀Pd-Sn催化溶液

是為普通的基材設(shè)計(jì)的催化劑工藝流程–離子鈀（或膠體鈀）主要吸附于樹脂表面,以及經(jīng)過63活化/催化

–通孔及盲孔表面的活化經(jīng)過活化處理后傳統(tǒng)的PTH活化/催化–經(jīng)過活化處理后傳統(tǒng)的PTH64特征及優(yōu)點(diǎn)

–NeoganthActivator系列

vs.膠體鈀系列

(BlackSeeder)傳統(tǒng)的PTH特征及優(yōu)點(diǎn)–傳統(tǒng)的PTH65膠體催化劑–膠體的組成（BlackSeeder)傳統(tǒng)的PTHPdCl2+SnCl2

Pdx[Sn(OH)]y+

?yCl-+SnO(OH)2

H2O/H+

膠體催化劑–傳統(tǒng)的PTHPdCl2+SnCl2P66鈀的吸附

–調(diào)整過的表面NeoganthActivator系列的化學(xué)反應(yīng)ActivatorNeoganth系列Pd2+

做為

PdSO4,和有機(jī)絡(luò)合劑 O |–Si–O(-) | O玻璃樹脂Pd的吸附:

樹脂

>玻璃

>銅 O |–C–O | O(2+)Pdn(2+)PdnN(+)Nn傳統(tǒng)的PTH鈀的吸附–調(diào)整過的表面ActivatorNeogant67鈀的吸附

–調(diào)整過的表面膠體鈀系列的化學(xué)反應(yīng)

(BlackSeeder)膠體鈀催化劑系列

Pd2+asPdCl2,andSnCl2

作為膠體種子r O |–Si–O(-) | OGlassResinPd的吸附:

樹脂

>玻璃

>銅 O |–C–O | ON(+)Nn傳統(tǒng)的PTH(2+)Pdn鈀的吸附–調(diào)整過的表面膠體鈀催化劑系列Pd2+a68特征及優(yōu)點(diǎn)

–NeoganthActivator系列

vs.膠體鈀

(BlackSeeder)ActivatorNeoganthPd2+絡(luò)合的低聚合物及隨后的還原劑優(yōu)優(yōu)優(yōu)低無無Pd2+,pH=alkaline化學(xué)溶液能力覆蓋性能

玻璃

樹脂銅面上鈀的損耗銅面的殘留對(duì)基材的腐蝕可監(jiān)控性膠體鈀催化劑Pd/Sn膠體及隨后的速化劑(Sn絡(luò)合劑)對(duì)氧化劑敏感(Sn2+

Sn4+)優(yōu)優(yōu)中等可能可能Pd,Sn2+,Sn4+,Cu,pH=0傳統(tǒng)的PTH特征及優(yōu)點(diǎn)–ActivatorNeoganth膠體鈀催69工藝流程

–還原經(jīng)過活化后，ReducerNeoganth將吸附的離子鈀還原為金屬鈀，使之能夠在隨后的化學(xué)銅工藝中起催化的作用。速化劑系列

溶解/去除保護(hù)膠體的錫絡(luò)合層，使金屬鈀暴露出來。還原劑傳統(tǒng)的PTH工藝流程–經(jīng)過活化后，ReducerNeoganth將70還原–還原的鈀種在表面上經(jīng)過還原處理后傳統(tǒng)的PTH還原–經(jīng)過還原處理后傳統(tǒng)的PTH71鈀還原-NeoganthReducerWA化學(xué)反應(yīng)

–Dimethylaminoborane(DMAB)[Pd2+-L]+2e-Pd0+L陰極反應(yīng)氧化還原反應(yīng)[Pd2+-L]+(CH3)2-NH-BH3+3H2O

Pd0+(CH3)2-NH+H3BO3+2H++L+2H2陽極反應(yīng)(CH3)2-NH-BH3+3H2O

(CH3)2-NH+H3BO3+2e-+2H++2H2傳統(tǒng)的PTH鈀還原-NeoganthReducerWA[Pd2+72工藝流程

–化學(xué)銅鈀（氫）激活自催化化學(xué)銅反應(yīng)，使銅沉積在經(jīng)過活化/催化的表面?；瘜W(xué)銅傳統(tǒng)的PTH工藝流程–鈀（氫）激活自催化化學(xué)銅反應(yīng)，使銅沉積在經(jīng)過活73化學(xué)銅沉積

–通孔及盲孔的沉積經(jīng)過化學(xué)銅沉積后的表面?zhèn)鹘y(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–經(jīng)過化學(xué)銅沉積后的表面?zhèn)鹘y(tǒng)的PTH74化學(xué)銅沉積

–主反應(yīng)反應(yīng)I:[Cu-L]2++2HCHO+4OH-Cu0+2HCOO-+2H2O+H2+L反應(yīng)

II:[Cu-L]2++HCHO+3OH-Cu0+HCOO-+2H2O+L傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–反應(yīng)I:[Cu-L]2++2HCHO75化學(xué)銅沉積

–陰極反應(yīng)

2Cu2++2OH-Cu2O+H2O陰極反應(yīng):Cu2O+H2O

Cu0+Cu2++2OH-Cu2++2e-Cu0[Cu-L]2++2e-Cu0+L傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–2Cu2++2OH-Cu2O76化學(xué)銅沉積

–反應(yīng)

I陽極反應(yīng)

I:HCHO+3OH-

HCOO-+2H2O+2e-

[Cu-L]2++2e-Cu0+L陰極反應(yīng):[Cu-L]2++HCHO+3OH-Cu0+HCOO-+2H2O+L反應(yīng)

I:傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–陽極反應(yīng)I:HCHO+3OH-77化學(xué)銅沉積

–副反應(yīng)甲醛的氧化反應(yīng):2HCHO+2OH-

2H2C(OH)O-

2H2C(OH)O-

+2OH-

2HCOO-+H2+2H2O+e-2HCHO+4OH-

2HCOO-+2H2O+H2+2e-

陽極反應(yīng)

II:catCatalyst:Pd(H2)/Cu傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–甲醛的氧化反應(yīng):2HCHO+2OH-78化學(xué)銅沉積

–反應(yīng)

II陽極反應(yīng)II:2HCHO+4OH-

2HCOO-+2H2O+H2+2e-

[Cu-L]2++2e-Cu0+L陰極反應(yīng):[Cu-L]2++2HCHO+4OH-Cu0+2HCOO-+2H2O+H2+L反應(yīng)

II:傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–陽極反應(yīng)II:2HCHO+4OH-79化學(xué)銅沉積

–副反應(yīng)Cannizzaro:2HCHO+NaOHCH3OH+HCOONaCO2+2NaOH

Na2CO3+H2OCarbonization:HCOONa+NaOH

Na2CO3+H2catCatalyst:Pd/Cu傳統(tǒng)的PTH化學(xué)銅沉積–Cannizzaro:2HCHO+Na80ControllomatA440–自動(dòng)主/從添加探針

光學(xué)測(cè)量

安全方便

溫度修正

控制添加泵進(jìn)行自動(dòng)補(bǔ)加LogTIoffIoutTI0傳統(tǒng)的PTH化學(xué)反應(yīng)

固定的組成消耗比例

在化學(xué)銅沉積期間.

主添加

銅的消耗

附從添加

NaOH,甲醛

和絡(luò)合劑的消耗ControllomatA440–探針LogTIo81滴定

–自動(dòng)滴定分析儀傳統(tǒng)的PTHPhoenixPHXMonitoringSystem與一日本公司有合作

滴定–傳統(tǒng)的PTHPhoenix82滴定

–自動(dòng)滴定分析儀滴定

化學(xué)測(cè)量

持久分析

控制添加泵進(jìn)行自動(dòng)補(bǔ)加傳統(tǒng)的PTH化學(xué)反應(yīng)

根據(jù)產(chǎn)品的濃度分別進(jìn)行補(bǔ)加.

單獨(dú)補(bǔ)加

銅,NaOH,甲醛

和絡(luò)合劑滴定–滴定傳統(tǒng)的PTH化學(xué)反應(yīng)83工藝流程

–電鍍銅在導(dǎo)電層上進(jìn)行電鍍以加厚通孔的厚度

酸銅溶液

(直流可溶陽極)

e.g.CupracidFP

酸銅溶液

(直流，不溶陽極)

e.g.CupraspeedIN

脈沖電鍍銅溶液

(不溶陽極)

e.g.CuprapulseS4電鍍銅傳統(tǒng)的PTH工藝流程–在導(dǎo)電層上進(jìn)行電鍍以加厚通孔的厚度 酸銅溶液84電鍍銅

-通孔和盲孔的電鍍經(jīng)過電鍍銅后Cu2++2e-

Cu0傳統(tǒng)的PTH電鍍銅-經(jīng)過電鍍銅后Cu2++2e-Cu0傳統(tǒng)85

極少量的鈀吸附在銅表面

適用于各種工藝

可適用于水平或垂直的應(yīng)用

工作范圍寬

使用可生物降解的絡(luò)合劑，廢水處理更容易

高速中等厚度的化學(xué)銅經(jīng)濟(jì)特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)

–化學(xué)銅傳統(tǒng)的PTH 極少量的鈀吸附在銅表面經(jīng)濟(jì)特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)–傳統(tǒng)的PTH86

使用離子鈀體系

可利用膠體鈀做為活化系統(tǒng)

能達(dá)到最高的可靠性指標(biāo)

適用于大多數(shù)的基材

可靠性高

較好的調(diào)整-活化/催化系統(tǒng)

無“起泡”

藥液易于監(jiān)控及自動(dòng)補(bǔ)加技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)

–化學(xué)銅傳統(tǒng)的PTH 使用離子鈀體系技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)–傳統(tǒng)的PTH87環(huán)保

使用酒石酸鹽的可生物降解的化學(xué)銅藥液

使用不含汞/氰化物的穩(wěn)定劑特征及優(yōu)點(diǎn)

–化學(xué)銅傳統(tǒng)的PTH環(huán)保特征及優(yōu)點(diǎn)–傳統(tǒng)的PTH88酸銅電鍍工藝全板電鍍和圖形電鍍流程介紹

電鍍銅前處理和電鍍銅槽介紹酸銅電鍍工藝全板電鍍和圖形電鍍流程介紹電鍍銅前處理和電鍍銅89電鍍前處理清潔劑介紹圖形電鍍前處理采用酸性清潔劑(PH0-5)

絕大部分清潔劑沒有微蝕作用清潔劑作用：去除銅表面的氧化去除鈍化中和，酸化和濕潤孔壁和干膜邊緣，清潔，去除殘留物調(diào)整干膜側(cè)壁，預(yù)防干膜析出介紹90電鍍前處理微蝕

微蝕的目的和作用微蝕粗化銅表面，加強(qiáng)銅－銅結(jié)合力去除銅表面的殘留物和氧化物，避免污染電鍍銅槽

微蝕藥水介紹硫酸:10-50ml/lH2SO4氧化劑：

雙氧水

H2O2過硫酸鈉Na2S2O8電鍍前處理微蝕91電鍍前處理微蝕技術(shù)基礎(chǔ)介紹空氣攪拌有利于銅表面和孔內(nèi)均勻的微蝕效果，但不利于硫酸雙氧水體系通常微蝕量控制0.5-1.0μm/min.銅離子濃度決定槽壽命，當(dāng)銅離子濃度超標(biāo)時(shí)，建議新配槽：

過硫酸鈉體系銅離子《20g/l,

雙氧水體系銅離子《30g/l影響微蝕量的因素：?

氧化劑的濃度?

硫酸的濃度?

銅離子濃度?

槽液溫度?

銅的晶體結(jié)構(gòu)?

空氣攪拌技術(shù)基礎(chǔ)介紹92電鍍前處理酸浸酸浸的目的和作用酸浸是電鍍銅前很重要的步驟酸浸在電鍍板面產(chǎn)生均勻的擴(kuò)散層,確保電鍍時(shí)板面處于相同游離態(tài)條件下快速的起鍍。

去除銅面的氧化保護(hù)電鍍銅槽免受污染活化和濕潤銅表面，消除極化點(diǎn)，預(yù)防電鍍表面缺陷配槽濃度：10％v/vPCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件93酸銅電鍍酸銅電鍍94垂直鍍銅電鍍反應(yīng)傳統(tǒng)垂直電鍍銅陽極：Cu0

Cu2++2e-陽極區(qū)間銅溶解陰極：Cu2++2e-Cu0

陰極區(qū)間銅沉積到線路板上傳統(tǒng)垂直電鍍銅95電鍍銅藥水介紹電鍍銅槽液主要含：硫酸銅，硫酸，氯離子，光亮劑，載運(yùn)劑，整平劑。電鍍銅槽各要素的作用電鍍銅藥水電鍍銅槽各要素的作用96電鍍銅藥水介紹

硫酸銅(CuSO4*5H2O):五水硫酸銅和陽極銅作為電鍍的金屬來源電鍍銅藥水97電鍍銅藥水介紹硫酸

(H2SO4):作為硫酸體系的電鍍銅，硫酸起導(dǎo)電作用。電鍍銅藥水98電鍍銅藥水介紹氯離子(Cl-):氯離子對(duì)陽極均勻腐蝕起很重要的作用。氯離子是光亮劑和載運(yùn)劑的媒介。電鍍銅藥水99電鍍銅藥水電鍍時(shí)沒有添加劑電鍍銅藥水電鍍時(shí)沒有添加劑100電鍍銅藥水電鍍時(shí)沒有添加劑電鍍銅延展性類似于化學(xué)銅的沉積，僅約2－3％電鍍銅層有很高的抗拉強(qiáng)度>50mN/cm2電鍍銅藥水電鍍時(shí)沒有添加劑101電鍍銅藥水載運(yùn)劑的作用電鍍銅藥水載運(yùn)劑的作用102電鍍銅藥水載運(yùn)劑的作用載運(yùn)劑形成的極化層控制光亮劑，整平劑和氯離子

形成最佳的銅還原環(huán)境。部分載運(yùn)劑能調(diào)整銅表面并改善濕潤性。電鍍銅表面比只有光亮劑電鍍時(shí)稍光亮些，并且整平的效果有改善。安美特電鍍添加劑載運(yùn)劑作為整平劑的一部分，是在陽極和陰極區(qū)間形成均勻極化層的必要成分。電鍍銅藥水載運(yùn)劑的作用103電鍍銅藥水整平劑的作用整平劑和光亮劑協(xié)同作用，使電鍍銅沉積光亮并象鏡子反光一樣。整平劑帶正電，在陰極線路板上高電流區(qū)阻礙銅沉積。電鍍銅藥水整平劑的作用104電鍍銅藥水光亮劑作用

和載運(yùn)劑，氯離子共同作用使得電鍍銅沉積光亮如鏡.光亮劑又稱電鍍加速劑，催化劑。光亮劑加速轉(zhuǎn)化:Cu2+

Cu+Cu0光亮劑確保電鍍銅層有好的延展性。電鍍銅藥水光亮劑作用105電鍍銅藥水光亮劑的作用和載運(yùn)劑，氯離子共同作用使得電鍍銅沉積光亮如鏡.光亮劑又稱電鍍加速劑，催化劑。光亮劑加速轉(zhuǎn)化:Cu2+

Cu+Cu0光亮劑確保電鍍銅層有好的延展性。電鍍銅藥水光亮劑的作用106鍍銅流程陽極和陰極有效電鍍面積計(jì)算陽極和陰極有效電鍍面積計(jì)算

陽極的電流密度在0.3~2.0ASD之間鍍銅流程陽極和陰極有效電鍍面積計(jì)算107鍍銅流程---CVS分析添加劑濃度CVS分析電鍍添加劑濃度光亮劑濃度采用MLAT分析方法整平劑濃度采用DT分析方法鍍銅流程CVS分析電鍍添加劑濃度108深鍍能力延展性和抗拉強(qiáng)度

電鍍銅分布熱沖擊酸銅電鍍常規(guī)測(cè)試酸銅電鍍常規(guī)測(cè)試109鍍銅流程---通孔電鍍深鍍能力測(cè)量方法介紹

通孔電鍍，最小深鍍能力和IPC平均電鍍灌孔能力測(cè)量計(jì)算方法如下：方法1方法2最小深鍍能力MinTP%平均電鍍灌孔能力AveTP%鍍銅流程---110鍍銅流程---盲孔電鍍深鍍能力測(cè)量方法介紹

盲孔電鍍，深鍍能力計(jì)算如下：鍍銅流程---111鍍銅流程---通孔深鍍能力的影響因素

介紹

通孔深鍍能力的影響因素如下:鍍銅流程---112深鍍能力參數(shù)示例－標(biāo)準(zhǔn)配槽鍍銅流程---介紹深鍍能力參數(shù)示例－標(biāo)準(zhǔn)配槽113線路板類型:板厚2.4mm孔徑0.30mm板厚/孔徑：

8/1電鍍參數(shù):15ASF100min深鍍能力MinTP%:90.9%

鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍藥水CupracidTP

CupracidTP線路板類型:電鍍參數(shù):

鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍114線路板類型:板厚4.5mm孔徑0.30mm板厚/孔徑:15/1電鍍參數(shù):15ASF100min深鍍能力MinTP%:70%

鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍藥水CupracidTP

CupracidTP線路板類型:電鍍參數(shù):

鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍115鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍藥水CupracidTP

高深鍍能力藥水的優(yōu)點(diǎn)藥水和普通電鍍藥水對(duì)比深鍍能力

板厚2.4mm，孔徑0.3mm對(duì)比發(fā)現(xiàn)：電鍍效率提高，銅球耗量減少，成本降低很多。鍍銅流程---

深鍍能力－厚板電鍍藥水CupracidT116鍍銅流程---延展性和抗拉強(qiáng)度測(cè)試

電鍍銅需要具有足夠的延展性和抗拉強(qiáng)度。測(cè)試條件:

通常我們制作延展性和抗拉強(qiáng)度的流程如下:?

藥水濃度在控制范圍?選擇拋光過的表面沒有刮痕的不銹鋼板?槽液充分活化，以1.5ASD電鍍

銅厚度50-60um（一次性）?取下所需銅皮，烘烤120-130度4-6小時(shí),測(cè)試延展性和抗拉強(qiáng)度。鍍銅流程---117鍍銅流程－晶體結(jié)構(gòu)和物理性能標(biāo)準(zhǔn)濃度的光亮劑和整平劑?少量twins?晶體結(jié)構(gòu)尺寸:2-5μm?延展性:>18%?抗拉強(qiáng)度:>28KN/cm2鍍銅流程－118鍍銅流程－晶體結(jié)構(gòu)和物理性能高電流密度區(qū)太多的有機(jī)污染:?晶體結(jié)構(gòu)（晶界）有異常?晶體尺寸:<1-3μm?延展性:~3%?抗拉強(qiáng)度:~30KN/cm2鍍銅流程－119鍍銅流程----電鍍銅均勻性測(cè)試

?電鍍銅均勻性主要由設(shè)備的設(shè)計(jì)決定。?有機(jī)添加劑和其他藥水濃度對(duì)分布僅僅起次要的作用。因此，在新線開始時(shí)將電鍍均勻性調(diào)整和優(yōu)化好是非常重要的。?通常電鍍均勻性以COV%

計(jì)算,此外在有些廠也以R值來計(jì)算。鍍銅流程----120

謝

謝 ！PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件121PCB電鍍-化銅PCB電鍍-化銅122

Contents1.線路板的結(jié)構(gòu)及技術(shù)要求2.線路板線路形成工藝介紹3.線路板曝光工藝4.線路板顯影/蝕刻/去膜工藝5.PCB化銅工藝介紹6.PCB電鍍工藝介紹Contents1.線路板的結(jié)構(gòu)及技術(shù)要求2.線路板線路形123

1.Build-up層線寬2.Build-up層線距3.Core層線寬4.Core層線距5.盲孔孔徑6.盲孔內(nèi)層孔環(huán)7.盲孔外層孔環(huán)8.通孔孔徑9.通孔孔環(huán)10.Build-up層厚度11.Core層厚度多層PCB的結(jié)構(gòu)1.Build-up層線寬7.盲孔外層孔環(huán)多層PCB的結(jié)構(gòu)124

PCB類別最小線寬/線距最小孔徑孔位精度曝光對(duì)位精度DesktopPC100/100μm0.25mm±125μm≥±50μmNotebook75/75μm0.20mm盲孔120μm±75μm≥±30μmMobile(HDI/FPC)50/50μm0.15mm盲孔100μm±75μm≥±25μmBGA25/25μm盲孔75μm±50μm±15μmFlipChip12/12μm盲孔50μm±20μm±10μm印刷電路板各種產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格要求PCB類別最小線寬/線距最小孔徑孔位精度曝光對(duì)位精度Des125

1.TentingProcess（干膜蓋孔法）適用于PCB、FPC、HDI等

量產(chǎn)最小線寬/線距35/35μm2.Semi-AddictiveProcess（半加成法）適用于WBSubstrate、FlipChipSubstrate量產(chǎn)最小線寬/線距12/12μm3.ModifiedSemi-AddictiveProcess（改良型半加成法）適用于CSP、WBSubstrate、FlipChipSubstrate量產(chǎn)最小線寬/線距25/25μm線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍1.TentingProcess（干膜蓋孔法）線路形成126

TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹:普通PCB、HDI、FPC及SubstrateCore層等產(chǎn)品，使用的基材為FR-4（難燃性環(huán)氧樹脂覆銅板）、RCC（涂覆樹脂覆銅板）、FCCL（柔性基材覆銅板）等材料。RCC：FCCL：FR-4：線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹:普通P127

SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP與MSAP工藝采用Build-up工藝制作。其中SAP的主要材料為ABF（AjinomotoBuild-upFilm）和液態(tài)樹脂；MSAP工藝的主要材料為超薄銅覆銅板（基材為BT、FR-5等，銅厚≤5μm）ABF材料BUM液態(tài)樹脂覆銅板線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP128

蓋孔法干膜前處理······壓膜曝光顯影蝕刻去膜化學(xué)沉銅······干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學(xué)清洗去膜閃蝕············減薄銅蝕刻······干膜前處理壓膜曝光顯影鍍銅化學(xué)清洗去膜閃蝕······SAPMSAP線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍蓋孔法干膜前處理······壓膜曝光顯影蝕刻去膜129

TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹前處理壓膜曝光顯影蝕刻去膜目的：清潔銅面，粗化銅面，增加干膜與銅面的結(jié)合力目的：將感光干膜貼附在銅面上目的：將設(shè)計(jì)的影像圖形通過UV光轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將設(shè)計(jì)的影像圖形通過UV光轉(zhuǎn)移到PCB的干膜上目的：將沒有覆蓋干膜的銅面去除目的：將銅面殘留的干膜去除線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍TentingProcess（干膜蓋孔法）介紹前處理壓130SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP與MSAP工藝的區(qū)別是，SAP的基材上面是沒有銅層覆蓋的，在制作線路前需在線路表面沉積一層化學(xué)銅（約1.5μm），然后進(jìn)行顯影等工藝；MSAP基材表面有厚度為3~5μm厚度的電解銅，制作線路前需用化學(xué)藥水將銅層厚度咬蝕到2μm。目的:將可感光的干膜貼附于銅面上目的:將設(shè)計(jì)之影像圖形,轉(zhuǎn)移至基板的干膜上目的:將沒有曝到光之干膜去除目的:將化銅層蝕刻掉目的:將多余的干膜去除目的:將顯影后之線路鍍滿線路形成工藝的種類及應(yīng)用范圍SAP（半加成法）與MSAP（改良型半加成法）介紹SAP131PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件132ABF熟化后的膜厚約在30～70μm之間，薄板者以30～40μm較常用一般雙面CO2雷射完工的2～4mil燒孔，其孔形都可呈現(xiàn)良好的倒錐狀。無銅面之全板除膠渣(Desmearing)后，其全板面與孔壁均可形成極為粗糙的外觀，化學(xué)銅之后對(duì)細(xì)線路干膜的附著力將有幫助。雷射成孔及全板面式除膠渣ABF熟化后的膜厚約在30～70μm之間，薄板者以30～40133PCB電鍍化銅專題培訓(xùn)課件134覆晶載板除膠渣的動(dòng)作與一般PCB并無太大差異，仍然是預(yù)先膨松(Swelling)、七價(jià)錳(Mn+7)溶膠與中和還原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只處理通孔或盲孔的孔壁區(qū)域，但覆晶載板除了盲孔之孔壁外，還要對(duì)全板的ABF表面進(jìn)行整體性的膨松咬蝕，為的是讓1μm厚的化銅層在外觀上更形粗糙，而令干膜光阻與電鍍銅在大面積細(xì)線作業(yè)中取得更好的附著力。覆晶載板除膠渣的動(dòng)作135ABF表面完成0.3-0.5μm化學(xué)銅之后即可進(jìn)行干膜光阻的壓貼，隨后進(jìn)行曝光與顯像而取得眾多線路與大量盲孔的鍍銅基地，以便進(jìn)行線路鍍銅與盲孔填銅。ABF表面完成0.3-0.5μm化學(xué)銅之后即可進(jìn)行干膜光阻的136咬掉部份化銅后完成線路完成填充盲孔與增厚線路的鍍銅工序后，即可剝除光阻而直接進(jìn)行全面性蝕該。此時(shí)板面上非線路絕緣區(qū)的化學(xué)銅很容易蝕除，于是在不分青紅皂白全面銃蝕下，線路的鍍銅當(dāng)然也會(huì)有所消磨但還不致傷及大雅。所呈現(xiàn)的細(xì)線不但肩部更為圓滑連底部多余的殘足也都消失無蹤，品質(zhì)反倒更好！此等一視同仁通面全咬的蝕該法特稱為DifferentialEtching。咬掉部份化銅后完成線路完成填充盲孔與增厚線路的鍍銅工序后，即137此六圖均為SAP3＋2＋3切片圖；左上為1mil細(xì)線與內(nèi)核板之50倍整體畫面。中上為200倍明場偏光畫面，右上為暗場1000倍的呈現(xiàn)，其黑化層清楚可見。左下為1000倍常規(guī)畫面，中下為200倍的暗場真像。右下為3000倍ABF的暗場畫面，底墊為1/3oz銅箔與厚電鍍銅，銅箔底部之黃銅層以及盲孔左右之活化鈀層與化銅層均清晰可見。此六圖均為SAP3＋2＋3切片圖；左上為1mil細(xì)線與內(nèi)核138傳統(tǒng)的PTHPTH孔金屬化傳統(tǒng)的PTHPTH孔金屬化139工藝流程–

功能去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG

溶脹 使樹脂易被高錳酸鹽蝕刻攻擊

高錳酸鹽蝕刻 去除鉆污和樹脂

還原 除去降解產(chǎn)物和清潔/處理表面.

(清潔/

蝕刻玻璃）只有三個(gè)工藝步驟:溶脹還原高錳酸鹽蝕刻工藝流程–去鉆污–SecuriganthP/P50140去鉆污前（去毛刺后）各種

類型PCB的狀態(tài)通孔和微盲孔中的鉆污銅箔樹脂內(nèi)層多層RCC/FR-4板裸樹脂板RCC箔內(nèi)層底盤玻璃纖維鉆污鉆污芯

鉆污

鉆污FR-4SAP膜去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGSBU–SequentialBuild-upTechnology去鉆污前（去毛刺后）各種類型PCB的狀態(tài)銅箔樹脂內(nèi)層多層141工藝流程–溶脹使樹脂易受高錳酸鹽蝕刻液的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂(Tg<150°C)表面的微觀粗糙度溶脹去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工藝流程–使樹脂易受高錳酸鹽蝕刻液的最佳攻擊并保障環(huán)氧樹脂142溶脹–通孔和微盲孔中溶脹之后的鉆污溶脹之后溶脹劑去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–溶脹之后溶脹劑去鉆污–SecuriganthP143溶脹–溶脹之前(0秒)去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/144溶脹–溶脹150秒之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/M145溶脹–溶脹240秒之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶脹–去鉆污–SecuriganthP/P500/146工藝流程–堿性高錳酸鹽蝕刻高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）表面的鉆污，清潔孔壁并且粗化(Tg<150°C)的環(huán)氧樹脂之表面去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG堿性高錳酸鹽蝕刻工藝流程–高錳酸鹽蝕刻溶液除去內(nèi)層（銅）表面的鉆污，清潔147高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻–蝕刻通孔和微盲孔的表面CH4+12MnO4-+14OH-

CO32-+12MnO42-+9H2O+O22MnO42-

+2H2OMnO2+OH-+O2去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGMnO4-高錳酸鹽蝕刻之后高錳酸鹽蝕刻–CH4+12MnO4-148高錳酸鹽蝕刻–溶脹之后–不經(jīng)過蝕刻去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P5149高錳酸鹽蝕刻–150秒蝕刻之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P5150高錳酸鹽蝕刻–240秒蝕刻之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–去鉆污–SecuriganthP/P5151去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG環(huán)氧樹脂(未經(jīng)固化) BisphenolA Epichlorhydrin高錳酸鹽攻擊環(huán)氧樹脂分子中的極性官能團(tuán).不含極性官能團(tuán)的高分子化合物不能被去鉆污.高錳酸鹽蝕刻–攻擊環(huán)氧樹脂去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BL152去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG標(biāo)準(zhǔn)FR-4(<150°C)高-Tg(>150°C)300x300x2000x2000x非均相

交聯(lián)均相

交聯(lián)去鉆污高錳酸鹽蝕刻–去鉆污的結(jié)果去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BL153高錳酸鹽蝕刻–還原還原劑能還原/除去二氧化錳殘留并對(duì)玻璃纖維進(jìn)行前處理以期最佳（沉銅）的覆蓋.如有需要，玻璃纖維可被玻璃蝕刻添加劑同時(shí)清潔與蝕刻.還原去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高錳酸鹽蝕刻–還原劑能還原/除去二氧化錳殘留并對(duì)玻璃纖維進(jìn)154還原–清潔后的通孔與微盲孔表面還原之后Mn4++2e-

Mn2+

H2O2

2H++2e-+O2Conditioner去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGH2O2/NH2OHNH2OH2H++2H2O+2e-+N2還原–還原之后Mn4++2e-Mn2+H2O155PTH前不同類型的PCB板

–去鉆污后的通孔以及微盲孔表面經(jīng)過去鉆污處理后多層板FR-4覆銅板樹脂內(nèi)層傳統(tǒng)的PTH內(nèi)層鉆盤FR-4板裸樹脂板PTH前不同類型的PCB板–經(jīng)過去鉆污處理后多層板FR-4156鉆孔之后200x1000x通孔–鉆孔之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之后200x1000x通孔–去鉆污–Securi157通孔–去鉆污之后去鉆污之后200x1000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG通孔–去鉆污之后200x1000x去鉆污–Secur158AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前1000x5000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin159AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之后去鉆污之后1000x5000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin160AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板去鉆污之前去鉆污之前1000x2000x去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin161AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸樹脂板鉆污之后1000x2000x去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin162鉆孔之后1300x3000x激光鉆成的微盲孔–鉆孔之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之后1300x3000x激光鉆成的微盲孔–去鉆污163去鉆污之后1100x2700x激光鉆成的微盲孔–去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去鉆污之后1100x2700x激光鉆成的微盲孔–去鉆污164鉆孔之前1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆成的–

去鉆污之前去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG鉆孔之前1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆成的–165去鉆污之后1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆孔

–去鉆污之后去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去鉆污之后1000x1000xRCC技術(shù)–激光鉆孔–166工藝流程-特征&優(yōu)點(diǎn)溶脹高錳酸鹽蝕刻還原

簡短的流程–只須3步

快速和有效的去鉆污

體系內(nèi)再生高錳酸鹽（延長槽液壽命)

極好的玻璃處理性能

最高質(zhì)量的去鉆污

無害于環(huán)境(交少的有機(jī)物)

應(yīng)用于微盲孔具有最好的潤濕性

去鉆污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工藝流程-溶脹高錳酸鹽還原簡短的流程–只須3步去167*可選工藝流程

–垂直沉銅

應(yīng)用清潔預(yù)浸活化微蝕清潔調(diào)整*還原傳統(tǒng)的PTH化學(xué)沉銅垂直優(yōu)點(diǎn)：均勻致密的化學(xué)銅沉積優(yōu)異的結(jié)合力（不起泡）穩(wěn)定的槽液使用壽命沉積速率穩(wěn)定，適用于通孔和盲孔的生產(chǎn)制程55214414...20時(shí)間[分]*可選工藝流程–清潔預(yù)浸活化微蝕清潔調(diào)整*還原傳統(tǒng)的168工藝流程

–清潔

&調(diào)整清潔劑確?？變?nèi)表面達(dá)到最佳的表面清潔狀態(tài)，以便保證有良好的化學(xué)銅結(jié)合力清潔傳統(tǒng)的PTH工藝流程–清潔劑確保孔內(nèi)表面達(dá)到最佳的表面清潔狀態(tài)，以便169清潔/調(diào)整

–樹脂表面和銅表面的前處理經(jīng)過清潔劑/調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH清潔/調(diào)整–經(jīng)過清潔劑/調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH170工藝流程

–清潔

&調(diào)整如果去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟,必須附加一個(gè)額外的調(diào)整劑或在使用一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯,PI聚酰亞胺)時(shí)清潔調(diào)整傳統(tǒng)的PTH去鉆污調(diào)整

!工藝流程–如果去鉆污工序中沒有調(diào)整步驟,必須附加一個(gè)額外171清潔調(diào)整

–玻璃表面的前處理調(diào)整劑經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH清潔調(diào)整–調(diào)整劑經(jīng)過清潔調(diào)整劑處理后傳統(tǒng)的PTH172調(diào)整

–表面前處理調(diào)整只有當(dāng)表面清潔時(shí)，玻璃纖維的調(diào)整才會(huì)起作用來避免可能破壞連接機(jī)制的副效應(yīng)!最好的調(diào)整性能

在堿性高錳酸鹽去鉆污后的還原步驟中調(diào)整劑產(chǎn)品

還原清潔劑SecuriganthP(速效普通的雙氧水體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)還原清潔劑SecuriganthP500(有機(jī)體系的還原劑，添加了調(diào)整劑成分)注意：若沒有經(jīng)過調(diào)整，化學(xué)銅后的背光效果會(huì)比較差

!傳統(tǒng)的PTH調(diào)整–調(diào)整最好的調(diào)整性能調(diào)整劑產(chǎn)品注意：若沒有經(jīng)過調(diào)整，173調(diào)整

–機(jī)理-樹脂玻璃

纖維調(diào)整劑分子(表面活性劑–Tenside)部分帶負(fù)電荷經(jīng)過調(diào)整后的玻璃表面經(jīng)過去鉆污后的玻璃表面---------均勻的，有機(jī)的，荷電表面

部分帶正電荷++++++++++++++傳統(tǒng)的PTH調(diào)整–-樹脂玻璃

纖維調(diào)整劑分子部分帶負(fù)電荷經(jīng)過調(diào)整后的174調(diào)整

–機(jī)理

/OH/OH/OH|||–O–Si–O–Si–O–Si–O–|||O O O|||NNn調(diào)整劑的碳鏈(部分帶正電荷)玻璃纖維

的分子模型(部分帶負(fù)電)傳統(tǒng)的PTH⊕調(diào)整–/OH/OH175工藝流程

–微蝕清潔銅的蝕刻及粗化是為了化學(xué)銅-內(nèi)層銅之間有良好的結(jié)合效果。

微蝕清潔劑Securiagnth

過硫酸鹽體系通常的微蝕清潔劑基于過硫酸鈉（SPS）適用于各種技術(shù)

微蝕清潔劑SecuriganthC微蝕清潔劑是為特殊的表面性能而設(shè)計(jì)的。微蝕清潔傳統(tǒng)的PTH工藝流程–銅的蝕刻及粗化是為了化學(xué)銅-內(nèi)層銅之間有良好的176微蝕清潔