GB/T 11073-1989硅片徑向電阻率變化的測量方法

標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 11073-1989 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，其全稱為《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測量硅片從中心到邊緣電阻率變化的具體方法和要求，旨在為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制和性能評估提供統(tǒng)一的測試準(zhǔn)則。以下是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的詳細(xì)說明：

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅片，特別是用于制造半導(dǎo)體器件的硅片，其目的是通過測量硅片不同半徑位置的電阻率，來評估材料的均勻性和質(zhì)量。

測量原理

1. 四探針法：標(biāo)準(zhǔn)推薦使用四探針技術(shù)進(jìn)行測量，這是一種非破壞性測試方法，通過在硅片表面放置四個(gè)緊密排列的探針，施加電流并通過電壓探針測量電壓降，從而計(jì)算出電阻率。

2. 徑向測量：測量時(shí)，探針沿硅片半徑方向移動(dòng)，從中心點(diǎn)開始逐步向外，記錄不同半徑下的電阻率值，以描繪出硅片的徑向電阻率分布圖。

測量設(shè)備與條件

• 規(guī)定了四探針測試儀的技術(shù)要求，包括探針的材質(zhì)、直徑、間距以及施加電流的穩(wěn)定性和測量精度。
• 要求測量環(huán)境控制在一定溫度和濕度范圍內(nèi)，以減少外部因素對測量結(jié)果的影響。
• 對樣品的預(yù)處理，如清潔度、溫度均衡等也給出了指導(dǎo)。

測量步驟

1. 樣品準(zhǔn)備：確保硅片表面干凈無污染，溫度穩(wěn)定。
2. 探針布置：按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的探針間距和布局放置探針。
3. 電流施加與電壓測量：向樣品施加恒定電流，同時(shí)測量電壓降。
4. 數(shù)據(jù)記錄：記錄每個(gè)測量點(diǎn)的電阻率，并標(biāo)記對應(yīng)的半徑位置。
5. 數(shù)據(jù)處理：對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，計(jì)算電阻率隨半徑的變化趨勢。

數(shù)據(jù)處理與報(bào)告

• 描述了如何根據(jù)測量數(shù)據(jù)繪制徑向電阻率曲線，以及如何計(jì)算平均電阻率、最大最小差異等關(guān)鍵參數(shù)。
• 要求在測試報(bào)告中包含測量條件、設(shè)備信息、樣品描述及所有關(guān)鍵測量結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施與監(jiān)督

強(qiáng)調(diào)了標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行的重要性，建議各使用單位應(yīng)嚴(yán)格遵循標(biāo)準(zhǔn)操作，以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可比性。雖然未直接提及監(jiān)督機(jī)制，但通常情況下，遵循國家標(biāo)準(zhǔn)的操作應(yīng)接受行業(yè)或第三方機(jī)構(gòu)的審核或認(rèn)證。

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