標準解讀

《GB/T 12632-1990 單晶硅太陽電池總規(guī)范》是中國關于單晶硅太陽電池產品的國家標準，旨在規(guī)定單晶硅太陽電池的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，以確保產品的性能和質量一致性。該標準內容涵蓋以下幾個關鍵方面：

  1. 適用范圍：明確了本標準適用于以單晶硅片為基底，通過擴散、鍍膜、印刷電極等工藝制備的太陽電池。這些電池主要用于光電轉換，將太陽光能轉換為電能。

  2. 分類與命名：規(guī)定了單晶硅太陽電池的分類依據，通常包括電池的尺寸、結構、應用類型等，并對電池的命名規(guī)則進行了說明，便于產品識別和分類管理。

  3. 技術要求：詳細列出了單晶硅太陽電池在電氣性能、機械性能、外觀質量等方面的具體要求。例如，規(guī)定了電池的開路電壓、短路電流、最大功率、轉換效率等電氣參數的最低標準；同時，也對電池的尺寸公差、表面缺陷、封裝材料等有明確要求，以確保電池的可靠性和使用壽命。

  4. 試驗方法：介紹了如何對單晶硅太陽電池進行性能測試和質量檢驗的具體步驟和條件，包括光照條件、測試設備、測試程序等，確保測試結果的準確性和可重復性。

  5. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產品出廠前應進行的檢驗類型（如全檢、抽樣檢）及合格判定準則，明確了不合格品的處理方式，確保只有符合標準要求的產品才能進入市場。

  6. 標志、包裝、運輸和儲存：要求產品上需有清晰、耐久的標識，標明制造商信息、產品型號、生產日期等；同時，對電池的包裝材料、方式、運輸條件及儲存環(huán)境提出了具體要求，以防止在流通和存儲過程中對電池造成損害。

該標準的實施，為單晶硅太陽電池的生產、檢測、銷售提供了統(tǒng)一的技術指導和質量控制依據，促進了太陽能光伏行業(yè)的規(guī)范化發(fā)展。


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  • 1990-12-28 頒布
  • 1991-10-01 實施
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DC621.352K83中華人民共和國國家標準GB12632-90單晶硅太陽電池總規(guī)范Generalspecificationofsinglesiliconsolarcells1990-12-28發(fā)布1991-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471991年7月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-8160版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準單晶硅太陽電池總規(guī)范GB12632-90Generalspccificationotsinglesiliconsolarcells主題內容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了未封裝的硅太陽電池的一般要求。本規(guī)范適用于地面、航天應用的單品硅太陽電池。2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB1551硅單品電阻率直流二探針測量方法GB1552硅單品電阻率直流四探針測量方法GB1553硅單晶壽命直流光電導衰退測量方法GB1554硅單品(111)晶面位錯蝕坑腐蝕顯示測量方法·GB1555硅單晶晶向光圖測量方法GB1556硅單品晶向×光衍射測量方法B2828逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829周期檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于生產過程穩(wěn)定性的檢查）GB.6494航天用太陽電池電性能測試方法GB6495地面用太陽電池電性能測試方法技術要求3.1設計和結構3.1.1基體設計按產品詳細規(guī)范要求,選用單品硅片為基體材料和制備有光電效應的P-N結。3.1.2電極根據電池使用條件的要求，設制有一定形狀尺寸的單層或多層金屬結構系統(tǒng)的上、下電極，其熱膨脹系數應與硅基體材料相匹配，接觸電阻小，有良好的導電性和可焊性，有效光照面積不小于90%。3.1.3減反射膜為減少光反射，提高輸出功率，電池光照面應設制減反射膜。。減反射膜材料的光學性質應與電池相匹配，要求層數應在產品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.4電極焊接區(qū)電池的上電極應設制有電極焊接區(qū)，電極焊接區(qū)的厚度、光潔度、導電性、熱物理性能、形狀尺寸、選材、力學疲勞強度應在產品詳細規(guī)范中規(guī)定。3.1.5尺寸和

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