GB/T 12965-1996硅單晶切割片和研磨片

ICS29.045H82中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12965-1996.硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12965-1996前本標(biāo)準(zhǔn)參照國外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合我國硅材料的使用情況,對GB12965—91進(jìn)行修訂而成的。。修訂時保留了原標(biāo)準(zhǔn)中符合我國實際的內(nèi)容。修訂后的本標(biāo)準(zhǔn),刪去了原標(biāo)準(zhǔn)中的直徑90mm的規(guī)格，增加了直徑125mm的規(guī)格，主要技術(shù)指標(biāo)，都有不同程度的提高。與本標(biāo)準(zhǔn)配套的標(biāo)準(zhǔn)有：GB/T12962硅單晶本標(biāo)準(zhǔn)從1997年4月1日起實施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，代替GB12965-91。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽單品硅廠和中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計量研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王從贊、郭瑾、吳福立。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅單晶切割片和研磨片CB/T12965-1996Monocrystallinesiliconascutslices代替GB12965—91andlappedslices1范園本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單品切割片和研磨片（簡稱硅片)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、財存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉、懸浮區(qū)熔和中子煊變摻雜硅單品經(jīng)切割、雙面研磨制備的圓形硅片，硅片直徑范圍為50.8～125mm。產(chǎn)品用于制作晶體管、整流器件等半導(dǎo)體器件,或進(jìn)一步加工成硅拋光片。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效，所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T1550硅單晶導(dǎo)電類型測定方法GB/T1552一1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測量方法GB2828—87逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批檢查)GB/T6618一1995硅片厚度和總厚度變化的測試方法GB/T6620—1995硅片翹曲度的非接觸式測試方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962-1996硅單晶GB/T13387—92電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T14140—93硅片直徑測量方法GB/T14844—93半導(dǎo)體材料牌號表示方法3產(chǎn)品分類3.1分類健片按導(dǎo)電類型分為n型和p型兩種類型，按硅單晶的生產(chǎn)方法和硅片的加工方法分別分為直拉、懸浮區(qū)熔和中子嫂變摻雜(NTD)三種硅單品