電鍍教材-電結(jié)晶

電鍍工藝學(xué)第二章金屬電結(jié)晶

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ChapterⅡMetalelectrocrystallization1金屬電結(jié)晶的基本概念定義：通常把金屬離子或絡(luò)離子的放電并形成金屬晶體的過(guò)程稱(chēng)為金屬電結(jié)晶1金屬電結(jié)晶的界面反應(yīng)至少包括放電和結(jié)晶兩個(gè)連續(xù)的步驟，即電化學(xué)步驟和電結(jié)晶步驟，動(dòng)力學(xué)規(guī)律交迭，極化曲線復(fù)雜、數(shù)據(jù)分析困難；2固體表面不均勻，結(jié)晶過(guò)程中電極表面不斷變化；3對(duì)大多數(shù)金屬而言，界面步驟都進(jìn)行的很快，用經(jīng)典電化學(xué)測(cè)量極化曲線的方法不能揭示界面動(dòng)力學(xué)規(guī)律。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization2

自電化學(xué)暫態(tài)測(cè)量方法出現(xiàn)以來(lái)，采用暫態(tài)可減少濃差極化，使電極表面變化輕微，或用液體電極撇開(kāi)結(jié)晶過(guò)程，如此，才對(duì)電結(jié)晶過(guò)程有了一個(gè)較統(tǒng)一的認(rèn)識(shí)。目前，電結(jié)晶的研究理論與實(shí)踐仍有很大差距，而由于多種綜合因素的影響使其在解決電化學(xué)結(jié)晶的實(shí)際問(wèn)題時(shí)，現(xiàn)有理論還不能很好的解釋。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization32.1金屬離子還原的可能性表2-1可能電沉積的元素ⅠAⅡAⅢBⅣBⅤBⅥBⅦBⅧⅠBⅡBⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA0LiBeBCNOFNeNaMgAlSiPSClArKCaSeTiVCrMnFeCoNiCuZnGaGeAsSeBrKrRbSrYZrNbMo

TcRuRhPdAgCdInSnSbTeIXeCsBaLaHfTaWReOsIrPtAuHgTlPbBiPoAtRn稀土水溶液中可能電沉積氰化物電解液可以電沉積非金屬Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization42.2鍍液的組成與類(lèi)型2.2.1鍍液的組成Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-1電解液中各種物質(zhì)的關(guān)系5Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization2.2.2鍍液的類(lèi)型圖2-2電解液分類(lèi)62.3金屬沉積過(guò)程與電結(jié)晶P152.3.1金屬離子的還原1）簡(jiǎn)單鹽金屬離子的還原2）絡(luò)合物電解液中金屬離子的還原3）影響因素Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization7簡(jiǎn)單金屬離子還原時(shí)的極化

在電鍍工藝中被沉積金屬的鹽類(lèi)稱(chēng)為主鹽。主鹽可由簡(jiǎn)單鹽、復(fù)鹽和絡(luò)鹽擔(dān)任。當(dāng)用簡(jiǎn)單鹽或復(fù)鹽配制電解液時(shí)，能夠電離出簡(jiǎn)單金屬離子，故稱(chēng)為簡(jiǎn)單鹽電解液?？赡艿臍v程:電極表面層中金屬離子周?chē)肿又嘏拧娮釉竭w→失去剩余水化層進(jìn)入晶格。根據(jù)金屬離子陰極還原時(shí)極化的大小，可分成兩類(lèi):

1.電化學(xué)極化較小的金屬體系:

當(dāng)從銅、銀、鋅、鎘、鉛、錫等金屬的簡(jiǎn)單鹽溶液中沉積這些金屬時(shí)極化都很小，即交換電流密度都很大。

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ChapterⅡMetalelectrocrystallization8如：1MZnSO480mA/cm20.2MPb(NO3)242mA/cm2但所得鍍層不致密，結(jié)晶粗大。2.電化學(xué)極化較大的金屬體系當(dāng)鐵、鈷、鎳等金屬?gòu)牧蛩猁}或氯化物中電沉積時(shí)，它們的交換電流密度都很小，如1MFeSO4中=1×10-8A/cm2(1×10-5mA/cm2)NiSO4中=1×10-9A/cm2(1×10-6mA/cm2)

它們的極化原因是電化學(xué)引起的，因此是電化學(xué)極化，并可從簡(jiǎn)單鹽中沉積出致密的鍍層。

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ChapterⅡMetalelectrocrystallization9Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization表2-2室溫下某些電極反應(yīng)的交換電流密度電極電極反應(yīng)溶液組成i0/A·cm-2HgNiFeCuZnHgPtHgHgHgH++e=?H2?Ni2++e=?Ni?Fe2++e=?Fe?Cu2++e=?Cu?Zn2++e=?Zn?Zn2++e=?ZnH++e=?H2Na++e=Na?Pb2++e=?Pb?Hg2+2

+e=Hg0.5mol/LH2SO41.0mol/LNiSO41.0mol/LFeSO41.0mol/LCuSO41.0mol/LZnSO41×10-3mol/LZn(NO3)＋1.0mol/LKNO30.1mol/LH2SO41×10-3mol/LN(CH3)4OH＋1.0mol/LNaOH1×10-3mol/LPb(NO3)2＋1.0mol/LKNO31×10-3mol/LHg2(NO3)2＋2.0mol/LHClO45×10-132×10-91×10-82×10-52×10-57×10-41×10-34×10-21×10-15×10-110絡(luò)離子還原時(shí)的極化設(shè)氰化物鍍銅電解液基本組成CuCN35g/L（0.4mol）NaCN48g/L（1.0mol）Cu＋與CN－形成的絡(luò)離子可能有[Cu(CN)2]-、[Cu(CN)3]2-、[Cu(CN)4]3-等不同形式，認(rèn)為主要存在形式是[Cu(CN)3]2-其在水中的電離平衡為：[Cu(CN)3]2-＝Cu＋＋3CN－Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization11可計(jì)算出[Cu(CN)2-3]0.4mol[Cu＋]1.3×10-27mol游離[CN-]0.2mol絡(luò)離子還原的歷程：1主要存在形式的絡(luò)離子轉(zhuǎn)化為能在電極上放電的絡(luò)合物2絡(luò)離子直接在電極上放電

在轉(zhuǎn)化時(shí)有能量變化，引起電化學(xué)極化Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization12表2-3直接在電極上放電的絡(luò)離子電極體系絡(luò)離子的主要存在形式直接在電極上放電的絡(luò)離子Zn(Hg)/Zn2+,CN-,OH-[Zn(CN)4]2-Zn(OH)2Zn(Hg)/Zn2+,NH3[Zn(NH3)3OH]+[Zn(NH3)2OH]2+Cd(Hg)/Cd2+,CN-,[Cd(CN)4]2-CCN-＜0.05M時(shí)Cd(CN)2CCN-＞0.05M時(shí)Cd(CN)3-Ag/Ag+,CN-[Ag(CN)3]2-CCN-＞0.1M時(shí)AgCNCCN-＞0.2M時(shí)Ag(CN)2-Ag/Ag+,NH3Ag(NH3)2+Ag(NH3)2+Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization13絡(luò)離子品種的影響Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-3不同絡(luò)鹽電解液中電沉積時(shí)的陰極極化曲線14Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-4表面活性劑物質(zhì)對(duì)陰極極化的影響1－0.125MSnSO4溶液；2－加0.005M二苯胺；3－10g/L甲酚磺酸＋1g/L明膠；4－0.05Mα萘酚；5－1g/L明膠＋0.005Mα萘酚添加劑的影響DkμA/cm2152.3.2金屬電結(jié)晶及電結(jié)晶過(guò)程的動(dòng)力學(xué)

1電結(jié)晶歷程

至少包括金屬離子的放電和長(zhǎng)入晶格兩個(gè)步驟，其影響因素很多，如溫度、電流密度、電極電位、電解液組成、添加劑等，這些因素對(duì)電結(jié)晶過(guò)程的影響直接表現(xiàn)在所獲得電沉積層的各種性質(zhì)上，如致密、反光性、分布均勻性、結(jié)合力及機(jī)械性能等，因此有一定的研究意義。當(dāng)金屬離子在很小的過(guò)電位(η＜100mV)下放電時(shí)，新晶核形成的速度很小，這時(shí)電結(jié)晶過(guò)程主要是原有的晶體長(zhǎng)大，若過(guò)電位較大，就有可能產(chǎn)生新晶核。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization16圖2-5金屬電結(jié)晶過(guò)程可能的歷程通過(guò)電流時(shí)晶面生長(zhǎng)的基本模型

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ChapterⅡMetalelectrocrystallization1

放電只能在生長(zhǎng)點(diǎn)上發(fā)生，放電與結(jié)晶兩個(gè)步驟合二為一。2

放電可在任何地方發(fā)生，形成晶面上的吸附原子，然后這些吸附原子在晶面上擴(kuò)散轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)點(diǎn)或生長(zhǎng)線上17圖2-6在45％的HClO4中固態(tài)和液態(tài)汞電極上的交換電流密度Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization18

在45％的HClO4中測(cè)定固態(tài)和液態(tài)汞電極上的交換電流密度，由于電極為液態(tài)時(shí)，電化學(xué)反應(yīng)中沒(méi)有結(jié)晶步驟，如果放電可以在任意位置進(jìn)行，則在固態(tài)和液態(tài)時(shí)，反應(yīng)速度應(yīng)該接近。試驗(yàn)表明，固態(tài)和液態(tài)情況下，電極上的交換電流密度相差較小，認(rèn)為放電反應(yīng)可以在任意位置上進(jìn)行。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization19

可能出現(xiàn)的兩種情況:①如果吸附原子與晶格的交換速度很快，即不影響外電流，那么:結(jié)晶步驟就不會(huì)引起過(guò)電位。②如果結(jié)晶步驟的速度小于i0，則陰極極化時(shí)在放電步驟中形成的吸附原子來(lái)不及擴(kuò)散到生長(zhǎng)點(diǎn)上，逐使吸附原子的表面濃度超過(guò)平衡時(shí)的數(shù)值，并引起電極電位極化，則出現(xiàn)結(jié)晶過(guò)電位，此時(shí)如果認(rèn)為電化學(xué)步驟的平衡未破壞，又吸附原子表面覆蓋度＜＜1則結(jié)晶過(guò)電位為：（2-1）式中當(dāng)結(jié)晶過(guò)電位的數(shù)值很小時(shí)：(2-1)*Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization20吸附原子的表面擴(kuò)散控制

在許多電極上，吸附原子的表面擴(kuò)散速度并不大，如果電化學(xué)步驟比較快，則電結(jié)晶過(guò)程的進(jìn)行速度將由吸附原子的表面擴(kuò)散步驟控制；如果電極體系的交換電流較小，則往往是聯(lián)合控制。假設(shè)一個(gè)臺(tái)階上有一個(gè)無(wú)窮小面積dx、dy。假設(shè)單位表面上吸附原子的平均濃度為。其對(duì)時(shí)間t的變化應(yīng)為表面上由法拉第電流產(chǎn)生的吸附原子的量減去從該處移走的吸附原子的量。（2－2）Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization21圖2-7電流和吸附原子表面分布的電極模型Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization22

式中V是通過(guò)表面擴(kuò)散從單位表面上移走的吸附原子的平均速度，并假定它與有線性關(guān)系：（2－3）式中，C0M吸和V0分別是t=0時(shí)，表面吸附原子的濃度和臺(tái)階之間的吸附原子的擴(kuò)散速度。將（2-3）帶入（2-2）得：

（2－4）將（2-4）積分（t=0；=0）得：

（2－5）Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization23式中τ=C0M吸/V0為暫態(tài)過(guò)程的時(shí)間參數(shù)。當(dāng)暫態(tài)過(guò)程經(jīng)歷了時(shí)間τ以后，達(dá)到穩(wěn)態(tài)，即t＝τ，ΔC0M吸＝（1-1/e≈63%）。如果同時(shí)考慮電化學(xué)步驟和結(jié)晶步驟的影響，則電結(jié)晶過(guò)程達(dá)到穩(wěn)態(tài)以后極化曲線應(yīng)該具有如下形式：

（2－6）式中C*相當(dāng)于θM吸=1時(shí)吸附原子的表面濃度，i0為電化學(xué)步驟的交換電流。

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ChapterⅡMetalelectrocrystallization24在平衡電位附近，（│ηk│＜＜），可以忽略指數(shù)項(xiàng)展開(kāi)式中的高次項(xiàng)。如果此時(shí)C*＞＞C0M吸，（θ0＜＜1）則有C*-CM吸/C*-C0M吸≈1和ΔCM吸/C0M吸＜＜1則（2-6式）可簡(jiǎn)化為：

（2－7）ηK=η電+η結(jié)晶

（2－8）Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization252電結(jié)晶位置納米碳管的結(jié)構(gòu)圖2-8納米碳管的結(jié)構(gòu)Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization26Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-91-5層管壁納米碳管的高分辨率透射電子顯微鏡照片27圖2-10納米碳管電鍍鎳試驗(yàn)Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization28Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-11納米碳管電鍍鎳試驗(yàn)29Ni-depositedmulti-walledcarbonnanotubesbyelectrodepositionSusumuAraietal.PlatingtechnologyChapterⅠIntroduction30結(jié)論：1電結(jié)晶位置的臺(tái)階尺度目前尚不能說(shuō)明有多大合適2通過(guò)納米碳管電鍍?cè)囼?yàn)，可以說(shuō)明電結(jié)晶位置C點(diǎn)的臺(tái)階高度等于或小于0.34納米不能形成穩(wěn)定的晶粒Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-12電結(jié)晶缺陷的尺度31晶核的形成與長(zhǎng)大

晶核形成過(guò)程的能量變化由兩個(gè)部分組成：①金屬由液態(tài)變?yōu)楣滔?，釋放能量，體系自由能下降(電化學(xué)位下降)②形成新相，建立界面，吸收能量，體系自由能升高(表面形成能上)。故成核時(shí)△=①+②晶核形態(tài)可以是多種形狀，也可以是三維、二維?，F(xiàn)以二維圓柱狀導(dǎo)出成核速度與過(guò)電位的關(guān)系。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization32體系自由能變化為:Ρ－晶核密度N－金屬離子的化合價(jià)F－法拉第常數(shù)M－沉積金屬的原子量σ1－晶核與溶液之間的界面張力σ2－晶核與電極之間的界面張力σ3－溶液與電極之間的界面張力Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization33體系自由能變化△E是晶核尺寸r的函數(shù)，當(dāng)r較小時(shí)，晶核的比表面大，晶核不穩(wěn)定，反之，表面形成能就可以由電化學(xué)位下降所補(bǔ)償，體系總△E是下降的，形成的晶核才穩(wěn)定。根據(jù)求曲線中r的臨界值:（2－12）rc隨過(guò)電位ηk的升高而減小。將rc代入△E中，得達(dá)到臨界半徑時(shí)自由能的變化（2－13）Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization34

當(dāng)晶核與電極是同種金屬材料時(shí)，σ1=σ3，σ2=0則（2－14）二維成核速度W和有下關(guān)系：（2－15）(k=R/N為波茲曼常數(shù)；R—?dú)怏w常數(shù)；N-阿佛加德羅常數(shù))將(2-14)式代入(2-15)式中可得:（2－16）Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization35上式表明，過(guò)電位越大，成核速度越大，晶粒越細(xì)。如果晶核與電極是同種金屬，該式適合第一層長(zhǎng)滿后的各層生長(zhǎng)。從晶核形成便有電流通過(guò)，隨著晶核的長(zhǎng)大，電流變小，在一個(gè)晶面長(zhǎng)滿后電流為零，以后各層重復(fù)。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-13銀單晶無(wú)位錯(cuò)晶面（100）二維成核后的電流－時(shí)間曲線36由2-16式可知，成核速度隨著過(guò)電位的升高而增加，在實(shí)際電鍍中，向溶液中加入絡(luò)合劑和表面活性劑，以提高陰極極化過(guò)電位，而獲得致密的鍍層。但應(yīng)該注意的是:陰極過(guò)程是電化學(xué)極化，而不是濃差極化，因?yàn)闈獠顦O化只是造成電極表面附近金屬離子濃度降低而引起的變化，而并未改變電化學(xué)的平衡狀態(tài)。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization37

電結(jié)晶的實(shí)例當(dāng)將Pt電極插入CdSO4溶液中時(shí)，Pt表面上沒(méi)有Cd存在。當(dāng)電極在恒電流下進(jìn)行陰極極化時(shí)，對(duì)應(yīng)的極化曲線如圖2Δφ1：Pt陰極上晶核形成時(shí)所需的“過(guò)飽和度”一過(guò)電位

Δφ2：則是Cd晶核長(zhǎng)大所需的過(guò)電位Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-14Cd在Pt陰極上沉積時(shí)的極化曲線38螺旋生長(zhǎng)機(jī)理Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-15螺旋位錯(cuò)生長(zhǎng)示意圖392.4金屬共沉積2.4.1金屬共沉積的基本條件可采取的措施1改變?nèi)芤褐薪饘匐x子濃度少數(shù)電位較接近如：鉛－0.126V；錫－0.136V鎳－0.250V；鈷－0.227V銅0.340V;鉍0.320V銅0.340V；鋅－0.770VPlatingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization402加入絡(luò)合劑3加入添加劑時(shí)代入耐斯特方程Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization412.4.2金屬共沉積類(lèi)型1正則共沉積

受擴(kuò)散控制：攪拌可增加電位較正的金屬含量如：鎳－鐵；鎳－鈷；銅－鉍；鉛－錫等2非正則共沉積

受電位控制：增大絡(luò)合劑，降低電位較正金屬含量如：氰化物鍍銅－鋅合金。3平衡共沉積

在較低電流密度下，合金鍍層的金屬比等于電解液中金屬比。如銅－鉍；鉛－錫等Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization422.4.3影響金屬共沉積的因素1鍍液中金屬濃度比2鍍液中金屬總濃度3絡(luò)合劑濃度4電流密度5溫度1正則；2非正則3平衡（相交C點(diǎn)）4異常；5誘導(dǎo)Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-16鍍液中金屬離子濃度比的影響43Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-17各種條件與鍍層性質(zhì)的關(guān)系444異常共沉積

電位較負(fù)的金屬反而優(yōu)先沉積出來(lái)如鋅－鎳；鐵－鋅；錫－鎳5誘導(dǎo)共沉積

鉬、鎢等金屬不能單獨(dú)從水溶液中沉積出來(lái)，但是可以和鐵族金屬共沉積如共沉積鎳－鉬合金；鎳－鎢合金Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization45合金共沉積相特點(diǎn)：1低共溶合金

所形成的合金是各金屬組分晶體的混合物。不同組分金屬的晶體獨(dú)立生長(zhǎng)。如Sn－Pb、Cd－Zn、Sn－Zn、Cu－Ag2固溶體合金

固體溶液3金屬間化合物

一種新相，不同于A也不同于B如Cu6Sn5、Ni3Sn2性質(zhì)硬、脆Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization46合金共沉積層的計(jì)算：Pm：M金屬的當(dāng)量百分?jǐn)?shù)d1，d2：合金在定電位下分電流密度Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-18合金電沉積的單金屬陰極極化曲線的測(cè)定與計(jì)算47合金電沉積的陰極極化曲線Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-19合金電沉積的去極化現(xiàn)象482.5電沉積金屬的結(jié)構(gòu)

電沉積金屬的晶體結(jié)構(gòu)主要取決于沉積金屬本身的基本晶體學(xué)性質(zhì)，但是形態(tài)與結(jié)構(gòu)受電沉積條件的影響1外延2取向3形態(tài)Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization49外延

在金屬電沉積的最初階段，往往保持金屬基體取向的傾向。這是由于沉積金屬并入基體已有生長(zhǎng)點(diǎn)陣位置的結(jié)果，叫做外延。外延可提高鍍層與基體的結(jié)合力。晶面的表示方法將晶胞置于坐標(biāo)中，在晶胞中選擇一個(gè)晶面，與某軸相交為1，不交為0，交處為晶胞1/2長(zhǎng)則為2，按X-Y-Z排列順序。Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-20晶面的表示方法50Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-21不同的晶面51取向：擇優(yōu)取向表2－4銅在銅單晶上的交換電流密度和總的沉積過(guò)電位晶面i0A/cm2ΔφmV,（i＝10－2A/cm2

）（110）2×10－3－85（100）10－3－125（111）2×10－4－185Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization52電結(jié)晶形態(tài)

層狀金字塔狀塊狀Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization53

屋脊?fàn)盍⒎綘盥菪隣頟latingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization54

晶須狀枝晶狀Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization552.6電鍍層的基本性能

電沉積金屬鍍層與冶金過(guò)程不同，結(jié)構(gòu)上有一定差異1密度：通常略低于冶金如鉻7.19電鍍?yōu)?.9－7.18g/cm32電阻率：通常較冶金金屬大Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization563硬度：通常較冶金金屬大Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization574強(qiáng)度和塑性：通常強(qiáng)度較冶金金屬大，塑性較冶金金屬差Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization58電鍍層的內(nèi)應(yīng)力通常軟金屬內(nèi)應(yīng)力較低硬金屬內(nèi)應(yīng)力較高Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization59氫脆上臨界應(yīng)力線下臨界應(yīng)力線B-C段斷裂時(shí)間Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-26延時(shí)破壞應(yīng)力－時(shí)間曲線602.7電解液對(duì)電鍍層的影響因素1離子的本性2主鹽濃度3游離酸度4無(wú)機(jī)導(dǎo)電鹽5有機(jī)添加劑Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization2.8電解工藝條件對(duì)電鍍層的影響因素1電流密度2溫度3攪拌4電流波形61Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-27表面活性劑物質(zhì)對(duì)陰極極化的影響1－0.125MSnSO4溶液；2－加0.005M二苯胺；3－10g/L甲酚磺酸＋1g/L明膠；4－0.05Mα萘酚；5－1g/L明膠＋0.005Mα萘酚添加劑的影響DkμA/cm262Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖2-28電沉積金屬過(guò)程中微觀整平情況示意圖63整平劑特點(diǎn)：1能強(qiáng)烈阻化陰極過(guò)程，提高極化50－120mV（光亮劑只能提高10－30mV）2能夾雜在鍍層中或在陰極上還原而被消耗3整平劑在峰處的吸附量大于谷處的吸附量Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization64Platingtechnology

ChapterⅡMetalelectrocrystallization圖