標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》是中國(guó)關(guān)于磷化銦（InP）單晶材料的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了磷化銦單晶的分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存要求，旨在確保此類(lèi)材料的質(zhì)量可控性與一致性，滿足半導(dǎo)體器件制造等行業(yè)的需求。以下是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：

  1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件制備中使用的磷化銦單晶材料，包括其晶向、直徑、長(zhǎng)度等基本規(guī)格。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所直接引用或參考的其他標(biāo)準(zhǔn)文件，這些文件對(duì)于理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)中的各項(xiàng)要求至關(guān)重要。

  3. 術(shù)語(yǔ)和定義：對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中使用的一些專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了界定，幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

  4. 分類(lèi)：根據(jù)磷化銦單晶的特性，如電阻率、摻雜類(lèi)型等進(jìn)行分類(lèi)，便于用戶根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的材料。

  5. 技術(shù)要求：

    • 化學(xué)組成：規(guī)定了磷化銦單晶中雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證材料的純度。
    • 物理性能：包括晶體結(jié)構(gòu)、直徑、長(zhǎng)度、位錯(cuò)密度、晶片平整度等指標(biāo)，確保材料的物理屬性滿足半導(dǎo)體器件加工及性能要求。
    • 電學(xué)性能：如電阻率、載流子濃度等，需符合特定范圍，以適應(yīng)不同電子器件的設(shè)計(jì)需求。

  6. 試驗(yàn)方法：詳細(xì)說(shuō)明了如何通過(guò)各種測(cè)試手段來(lái)驗(yàn)證單晶的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，如X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)、四探針?lè)y(cè)量電阻率等。

  7. 檢驗(yàn)規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品檢驗(yàn)的程序、抽樣方法及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量控制。

  8. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存：為避免在后續(xù)處理和使用過(guò)程中材料受損，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品的標(biāo)識(shí)信息、包裝材料、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境提出了具體要求。

該標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)上述各部分內(nèi)容，構(gòu)建了一套完整的磷化銦單晶質(zhì)量控制體系，指導(dǎo)生產(chǎn)、銷(xiāo)售及使用過(guò)程中的質(zhì)量管理和驗(yàn)收工作，促進(jìn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品質(zhì)量提升。


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  • 2006-04-21 頒布
  • 2006-10-01 實(shí)施
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ICS29.045H83中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20230—2006磷化單晶indiumphosphidesinglecrystal2006-04-21發(fā)布2006-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)磷化銦單晶GB/T20230-2006中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：010)51299090、685220062006年10月第一版書(shū)號(hào)：155066·1-28063版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：010)68522006

GB/T20230—2006前本標(biāo)準(zhǔn)主要參考了SEMIM23-0302《磷化鋼單品拋光片》,結(jié)合我國(guó)實(shí)際情況進(jìn)行編寫(xiě)的本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部(電子)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫聶楓、周曉龍、孫同年。

GB/T20230—2006磷化銦單范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了·型、半絕緣型(Si)p型磷化鋼單品鍵及單品片的牌號(hào)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于高壓液封直拉法(HP-LEC)制備的磷化鋼單品材料(以下簡(jiǎn)稱(chēng)單品）規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法GB/T1555半導(dǎo)體單品品向測(cè)量方法GB/T2828(所有部分）計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序GB/T4326非本征半導(dǎo)體單品霍耳遷移率和霍耳系數(shù)測(cè)量方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法GB/T13387電電子材料品片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法SJ/T3244.1GaAs和InP材料霍耳遷移率和載流子濃度的測(cè)量方法SJ/T3245磷化銦單品位錯(cuò)密度測(cè)量方法SJ/T3249.1半半絕緣砷化鏢和磷化銦體單品材料的電阻率測(cè)試方法要求3.1牌號(hào)磷化鋼單品的牌號(hào)表示方法為：HPLEC-InP-口（（表示晶向表表示導(dǎo)電類(lèi)型，括號(hào)內(nèi)的元素符號(hào)表示摻雜劑表示磷化鋼單品表示高壓液封直拉法示例：HPLEC-InP-Si(Fe）（100).表示高壓液封直拉法摻鐵半絕緣(100)品向磷化銦單品。若單品不強(qiáng)調(diào)生長(zhǎng)方法和摻雜劑，則相應(yīng)部分可以省略3.2磷化銦單晶徒的特性3.2

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