標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 24370-2009 硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征 紫外-可見吸收光譜方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種通過紫外-可見吸收光譜技術(shù)來表征硒化鎘(CdSe)量子點(diǎn)納米晶體特性的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于科研機(jī)構(gòu)、高等院校以及相關(guān)企業(yè),在進(jìn)行CdSe量子點(diǎn)材料的研發(fā)與質(zhì)量控制時(shí)作為參考依據(jù)。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),首先需要準(zhǔn)備一定濃度范圍內(nèi)的CdSe量子點(diǎn)溶液,并確保其均勻分散于合適的溶劑中。接下來,使用紫外-可見分光光度計(jì)測量這些溶液在特定波長范圍內(nèi)的吸光度值。通過分析獲得的吸收光譜數(shù)據(jù),可以確定樣品的最大吸收峰位置及其半峰寬等重要參數(shù),進(jìn)而評(píng)估CdSe量子點(diǎn)的尺寸分布情況及光學(xué)性質(zhì)。

此外,《GB/T 24370-2009》還詳細(xì)規(guī)定了實(shí)驗(yàn)過程中所需的儀器設(shè)備要求、測試條件設(shè)置、數(shù)據(jù)處理方法等內(nèi)容,以保證不同實(shí)驗(yàn)室之間結(jié)果的一致性和可比性。例如,對(duì)于使用的分光光度計(jì)而言,應(yīng)具備良好的線性響應(yīng)和足夠高的分辨率;而針對(duì)樣品制備,則強(qiáng)調(diào)了避免引入雜質(zhì)干擾的重要性。

遵循本標(biāo)準(zhǔn)所描述的方法步驟,研究人員能夠系統(tǒng)地獲取關(guān)于CdSe量子點(diǎn)的關(guān)鍵信息,這對(duì)于深入理解此類材料的基本物理化學(xué)特性具有重要意義,同時(shí)也為它們在光電轉(zhuǎn)換器件、生物標(biāo)記等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。


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  • 2009-09-30 頒布
  • 2009-12-01 實(shí)施
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GB/T 24370-2009硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征紫外-可見吸收光譜方法_第1頁
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文檔簡介

犐犆犛71.040.50

犌30

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜24370—2009

硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

犆犺犪狉犪犮狋犲狉犻狕犪狋犻狅狀狅犳犆犱犛犲狇狌犪狀狋狌犿犱狅狋狀犪狀狅犮狉狔狊狋犪犾狊—

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20090930發(fā)布20091201實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

GB/T24370—2009

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街16號(hào)

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電話:6852394668517548

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本880×12301/16印張1字?jǐn)?shù)22千字

2009年11月第一版2009年11月第一次印刷

書號(hào):155066·138969

如有印裝差錯(cuò)由本社發(fā)行中心調(diào)換

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話:(010)68533533

犌犅/犜24370—2009

前言

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B和附錄C均為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC279)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:國家納米科學(xué)中心。

本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位:北京工商大學(xué)、武漢大學(xué)、武漢珈源量子點(diǎn)技術(shù)開發(fā)公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:葛廣路、劉忍肖、嵇天浩、龐代文、朱曉波、高潔、趙蕊。

犌犅/犜24370—2009

引言

半導(dǎo)體納米晶體(又稱量子點(diǎn)、半導(dǎo)體量子點(diǎn))是由半導(dǎo)體材料(如CdSe、CdTe等Ⅱ~Ⅵ族或InP、

InAs等Ⅲ~Ⅴ族化合物)組成的、尺寸在1nm~100nm之間的納米材料,其中硒化鎘(CdSe)納米晶體

具有優(yōu)良的尺寸及形狀可控性,是研究最多、最有代表性的一類。半導(dǎo)體納米晶體因量子尺寸效應(yīng)的存

在表現(xiàn)出尺寸相關(guān)的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。與傳統(tǒng)的有機(jī)染料分子熒光探針相比,半導(dǎo)體納米晶體的光譜

性質(zhì)具有明顯的優(yōu)勢:激發(fā)波長寬且連續(xù)分布,發(fā)射波長范圍卻很窄,使多波長同時(shí)觀察成為可能;發(fā)光

強(qiáng)度高,光化學(xué)穩(wěn)定性更好,十分有利于長時(shí)間對(duì)細(xì)胞內(nèi)多生命現(xiàn)象的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行觀察?;谏鲜鲂?/p>

質(zhì),半導(dǎo)體納米晶體在藥物篩選、生物標(biāo)記、細(xì)胞示蹤、流式微流控芯片免疫分析、快速診斷增敏等方面

開始得到廣泛應(yīng)用。

紫外可見吸收光譜法(UVVisabsorptionspectroscopy)是利用物質(zhì)分子對(duì)紫外可見光的吸收光

譜,對(duì)物質(zhì)的組成結(jié)構(gòu)及含量進(jìn)行分析測定的一種實(shí)驗(yàn)室常用分析方法,可實(shí)用而便利地對(duì)半導(dǎo)體納米

晶體的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征,并獲得其結(jié)構(gòu)信息。用紫外可見吸收光譜法對(duì)其進(jìn)行光譜測定時(shí),特征吸

收峰值和摩爾吸收系數(shù)與粒子粒徑有直接的對(duì)應(yīng)關(guān)系。在已知每摩爾半導(dǎo)體納米晶體吸收系數(shù)(ε)的

前提下,由郎伯比爾定律(犃=ε犆犔)可簡便而準(zhǔn)確地計(jì)算量子點(diǎn)納米晶體在分散液中的摩爾濃度。

犌犅/犜24370—2009

硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征

紫外可見吸收光譜方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硒化鎘(CdSe)量子點(diǎn)納米晶體的紫外可見吸收光譜表征方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于由表面活性劑分子———正三辛基氧膦(TOPO,Trioctylphosphine)包覆的硒化鎘量

子點(diǎn)納米晶體在正己烷中形成的分散液。其他表面活性劑分子包覆的硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體在各種非

極性試劑中形成的分散液、在水相體系中合成的硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體及其他組成的半導(dǎo)體量子點(diǎn)納

米晶體的紫外可見吸收光譜表征也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T9721—2006化學(xué)試劑分子吸收分光光度法通則(紫外和可見光部分)

GB/T19267.2—2003刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗(yàn)第2部分:紫外可見吸收光譜法

GB/T19619—2004納米材料術(shù)語

JJG178—2007紫外、可見、近紅外分光光度計(jì)檢定規(guī)程

3術(shù)語和定義

GB/T19619—2004確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

3.1

量子點(diǎn)納米晶體狇狌犪狀狋狌犿犱狅狋狀犪狀狅犮狉狔狊狋犪犾狊

在常溫下具有量子尺寸效應(yīng)的納米晶

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