版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
第二節(jié)邏輯門電路
基本的邏輯關(guān)系是與或非,一個復(fù)雜的邏輯函數(shù)是
由這些基本關(guān)系組合而成的。
基本的邏輯門是與或非門,一個復(fù)雜的邏輯電路是
由這些基本邏輯門連接成的。
門電路是邏輯關(guān)系的基本硬件單元。按制作工藝的
不同,可分為雙極型邏輯門和MOS型邏輯門。
本章主要介紹兩種工藝的代表類型:TTL集成邏輯
門和CMOS邏輯門。
一、分立元件門電路
(一)、二極管門電路首先看由二極管構(gòu)成的“與門”和“或門”:這種門電路串聯(lián)使用時,高低電平會逐步提高。是一大缺點(diǎn)。下圖是二極管或門,它的缺點(diǎn)是串聯(lián)使用時,高低電平將逐步降低。從邏輯功能上,二極管實(shí)現(xiàn)“與門”、“或門”是沒有問題的。但都有一個問題,不利于串聯(lián)使用。
書中講了一下正負(fù)邏輯問題,其結(jié)論是:如果我們對同一邏輯問題,采用完全相反的兩種定義方式,一種叫正邏輯,另一種叫負(fù)邏輯,則正邏輯的與等于負(fù)邏輯的或,正邏輯的或等于負(fù)邏輯的與。
例如:通常我們將高電平定義為1,低電平定義為0,此為正邏輯。如果將高電平定義為0,低電平定義為1,則稱為負(fù)邏輯。
有一實(shí)際邏輯電路,其特點(diǎn)是輸入有低電平時,輸出為低電平??擅枋鰹椋?/p>
對正邏輯來說,輸入有低0,則輸出為低0。(與關(guān)系)對負(fù)邏輯來說,輸入有低1,則輸出為低1。(或關(guān)系)
(二)、三極管門電路
下圖就是前面講過的具有基極加速電容和鉗位二極管
的三極管反相器電路,它就是一個“非門”。三極管反相器電路常常作為門電路的輸出級。下圖是將二極管與門和三極管反相器串聯(lián),構(gòu)成“與非門”,由于是二極管(Diode)串聯(lián)三極管(Transistor)的結(jié)構(gòu),
稱為DTL電路。L=(Logic)
功能表、真值表見書P140DTL或非門二、TTL集成邏輯門
DTL電路的缺點(diǎn)是速度較慢,早已被晶體管—晶體
管邏輯TTL(Transistor-Transistor-Logic)電路所取代。目前,我們使用的TTL門電路和中、小規(guī)模集成電路以74/54系列為主,包括做實(shí)驗(yàn)時所使用的芯片,都是這一系列產(chǎn)品。74/54系列又根據(jù)功耗的大小,速度的快慢等分為幾個子系列,如74SXX、74LSXX、74ALSXX、74HXX和74FXX等等。
(一)、TTL門電路我們以TTL與非門電路為例,分析一下TTL電路的特點(diǎn),特別是輸出級的結(jié)構(gòu),因?yàn)榇蠖鄶?shù)TTL門電路的輸出級都是這種結(jié)構(gòu)。
5vABC任一
1v2.1v1v為0.3v0.4v1.4v
3.6v0.7v0.3v0v
ABC均3.6v1、與非門內(nèi)部電路和原理2、推拉輸出電路和多發(fā)射極輸入
推拉輸出電路:
推拉輸出因T3和T4你通我止,你止我通而得名。它也叫圖騰柱(Totempole)輸出,有源上拉電路(Activepull-up)。
本推拉輸出電路由T4、T3、D4及R4組成,它的特點(diǎn)是無論輸出電平是高是低,輸出阻抗始終較低,負(fù)載能力強(qiáng)。同時,電路轉(zhuǎn)換速度快。此電路相當(dāng)于反相器電路有一個阻值可變的集電極電阻RC,三極管飽和時變大,有利于加大飽和程度,降低輸出電壓;三極管截止時變小,有利于三極管退出飽和,降低高電平輸出阻抗。多發(fā)射極三極管
多發(fā)射極三極管作為“與”輸入代替二極管與門。有利于提高開關(guān)速度:輸入端全為高電平時,T1處于倒置放大狀態(tài),T2、T4飽和。當(dāng)輸入端有低電平出現(xiàn)時,T1變?yōu)檎7糯鬆顟B(tài),會產(chǎn)生較大的集電極電流IC1,該電流就是T2的基極反向電流,使T2迅速退出飽和而截止。進(jìn)而使T3導(dǎo)通,相當(dāng)于T4的負(fù)載電阻減小,IC4瞬間加大,加速T4退出飽和。全過程:IC1IB2T2截止VC2=VB3T3導(dǎo)通IC4T4截止
提高與非門的速度,主要是提高輸出管T4、T2從飽和到截止的轉(zhuǎn)換速度。(二)、TTL與非門的主要外部特性
1、電壓傳輸特性V0隨Vi變化的規(guī)律
ab段:截止區(qū)Vi<0.6vT1飽和,T2、T4截止,T3、D4飽和。V0=VHbc段:線性區(qū)VI=0.6~1.3T4截止,其他導(dǎo)通,V0隨VI增加線性下降。cd段:轉(zhuǎn)折區(qū)VI>1.3v以后,T4開始導(dǎo)通,V0加速下降。de段:飽和區(qū)VI增大,T4飽和。TTL與非門的幾個主要參數(shù)(1)輸出邏輯高電平VOH:截止區(qū)對應(yīng)的輸出電平。
輸出邏輯低電平VOL:飽和區(qū)對應(yīng)的輸出電平。(2)額定邏輯高電平VSH=3v
額定邏輯低電平VSL=0.35V(3)開門電平Von在保證輸出為VSL的條件下,允許的輸入高電平的最小值。一般Von1.8v
關(guān)門電平Voff在保證輸出為VSH的90%的條件下,允許的輸入低電平的最大值。一般Voff0.8v
閾值電平Vth
轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓(3)噪聲容限
當(dāng)輸入低電平處于標(biāo)準(zhǔn)輸入低電平VIL和Voff之間時,輸出高電平可以得到保障,此區(qū)間稱為低電平噪聲容限:
VNL=Voff-VIL
當(dāng)輸入高電平處于Von和標(biāo)準(zhǔn)輸入高電平VIH之間時,輸出低電平可以得到保障,此區(qū)間稱為高電平噪聲容限。
VNH=VIH-Von
由表達(dá)式可見,Voff越大,Von越?。ɑ騼烧咴浇咏┰肼暼菹拊酱螅垢蓴_能力越強(qiáng)。2、TTL與非門輸入特性
輸入電壓與輸入電流的關(guān)系
VI=0時,Ii=IIS,稱為輸入短路電流。與非門的IIS是前級的負(fù)載灌電流,約1.6mA
AB段:T4截止,T1飽和,T2先截止后導(dǎo)通,Ii較大,略有減小。
BC段:T4開始導(dǎo)通,T1倒置放大態(tài),電流反向且減小。
輸入端直接接地,是輸入恒為低電平的情況。得到
輸入短路電流。
有時將輸入端下拉一個電阻RI接地,一般作為缺省
低電平。要注意RI的取值,只有RI在小于某一阻值時,才能保證輸入低電平小于Voff。
如果RI值大于某一數(shù)值,即使接地,也不能保證輸出高電平的幅度。
輸入下拉電阻取值分析電路圖如下,推導(dǎo)自己看看。
RI越大,P點(diǎn)向右方移動Ii減小,VI加大,不能大于關(guān)門電平。RI對T4飽和的影響
IB1一定,Ii大,則IB2小2.1vV001.4vIi=1.4v/RiRi不能太小多余輸入端的接法:為避免串入干擾,不用的輸入不應(yīng)懸空。
接為無效電平或并聯(lián)使用。3、TTL與非門的輸出特性
灌電流越大,飽和拉電流越大,飽程度越輕,輸出V0和加深,V0下降加大。4、平均延遲時間tpd
第三章已講過了,是一個綜合速度參數(shù)。
5、空載功耗P=VCC
IE
與非門不接負(fù)載時,電源電壓與電源總電流的乘積稱為空載功耗。分兩種情況:
空載導(dǎo)通功耗PL:輸出低電平,T4飽和(T1倒置,T2導(dǎo)通,T3、D4截止),計(jì)算見書P155,約為16mw。
空載截止功耗PH:輸出高電平,T4截止(T1飽和,T2截止,T3、D4導(dǎo)通),計(jì)算見書P155,約為5mw。
平均功耗P=(PL+PH)/2約為10mw。TTL與非門穩(wěn)定在開態(tài)或關(guān)態(tài)時,截止時總電流較小而飽和時總電流較大,因?yàn)榻刂箷rT2、T4無電流。值得注意的是,在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換的瞬間,由于所有管子都處于導(dǎo)通狀態(tài),瞬間總電流很大,約32mA。
因此:考慮極限電流時,不能只計(jì)算穩(wěn)態(tài)電流。工作頻率高,轉(zhuǎn)換次數(shù)多,瞬時功耗大,散熱問題。6、其他參數(shù)
(1)輸入漏電流(高電平輸入電流)IIH
(a)所有輸入端均接高T1倒置放大,IIH=i
IB1
其中
i為倒置放大倍數(shù),很小,約0.05,所以IIH很小。(IIH指流過接高輸入端的電流)
(b)輸入端有高有低因有高電平輸入,仍可與基極,集電極構(gòu)成倒置放大,所以倒置放大電流仍存在i
IB1。
另外,高電平輸入端(作為集電極)、基極和低電平輸入端(作為發(fā)射極)構(gòu)成寄生晶體管,放大倍數(shù)為j,j值也很小??傊琁IH=(I+j)IB1
約50輸入漏電流示意圖總之,輸入漏電流是前級門電路的拉流負(fù)載,漏電
流太大,會使前級輸出高電平幅度下降。
(2)扇入、扇出系數(shù)
扇入指輸入端的個數(shù)。扇出是指一個輸出端,在保證輸出低電平VOL不大于0.35v的條件下,能驅(qū)動同類門的最多個數(shù)。用N0表示。IOMAXIOMAX為VOL0.35V的最大灌流N0=————IISIIS為輸入短路電流通常NO
8(三)、TTL或非門、異或門、OC門和三態(tài)門1、TTL或非門2、TTL異或門
P
X
WY=W
W=P+XP=ABY=AB+ABX=AB3、集電極開路的TTL與非門(OC門)線與:如果電路的兩個輸出端可以直接連在一起使用完成邏輯與的功能,叫線與。例如:
注意:并不是所有的輸出端都可以實(shí)現(xiàn)線與如圖騰輸出的門電路,如果輸出線與,有可能因存在低阻回路而損壞電路。為使TTL門也能線與,直接將T4的集電極引出,即集電極開路(OC),去掉T3、D4,由外電路提供RC電阻。
OC門電路可以實(shí)現(xiàn)線與,高電壓、大電流的驅(qū)動能力很強(qiáng),但失去了推拉輸出速度快的優(yōu)點(diǎn)。
OC門的并聯(lián)(線與)使用舉例
RC的取值要考慮輸出高電平時,內(nèi)阻不要太大,還要考慮輸出低電平能否足夠低(飽和深度)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 中醫(yī)養(yǎng)生基礎(chǔ)知識
- (2024)文化旅游區(qū)建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告申請報(bào)告(一)
- 2022-2023學(xué)年天津市培杰中學(xué)高三(上)期末語文試卷
- 《社會工作的訪談法》課件
- 2023年水分保持劑項(xiàng)目籌資方案
- 2023年鎘、鉍相關(guān)常用有色金屬項(xiàng)目籌資方案
- 【CPA金投賞】2025播客營銷白皮書
- 工業(yè)機(jī)器人技術(shù)與應(yīng)用模擬練習(xí)題含答案
- 養(yǎng)老院老人生活娛樂活動組織服務(wù)質(zhì)量管理制度
- 22 偉大的悲劇 教案初中語文課件
- 腎內(nèi)科疑難病例討論慢性腎臟病5期
- 《登泰山記》優(yōu)秀課件
- 創(chuàng)業(yè)基礎(chǔ)-中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)中國大學(xué)mooc課后章節(jié)答案期末考試題庫2023年
- 第八章-航空器受非法干擾的應(yīng)急管理
- 2023年四川省成都市溫江區(qū)四年級數(shù)學(xué)第二學(xué)期期末調(diào)研試題含解析
- 《康復(fù)醫(yī)學(xué)》教學(xué)課件手外傷的康復(fù)
- 大型活動秩序維護(hù)預(yù)案5篇,活動現(xiàn)場秩序維護(hù)方案
- ERP基本培訓(xùn)教材
- 基建試題及答案
- 甲狀旁腺功能亢進(jìn)疑難病例討論
- 四川農(nóng)業(yè)大學(xué)生物化學(xué)(本科)期末考試高分題庫全集含答案-2023修改整理
評論
0/150
提交評論