GB/T 32280-2022硅片翹曲度和彎曲度的測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32280—2022

代替GB/T32280—2015

硅片翹曲度和彎曲度的測(cè)試

自動(dòng)非接觸掃描法

Testmethodforwarpandbowofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅片翹曲度和彎曲度的測(cè)試

自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T32280—2022

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20223

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-69770

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T32280—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法與相

GB/T32280—2015《》,GB/T32280—2015

比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,,:

更改了范圍見(jiàn)第章年版的第章

a)(1,20151);

增加了彎曲度的相關(guān)內(nèi)容見(jiàn)第章第章第章第章第章

b)“”(1、4、6、9、10);

增加了術(shù)語(yǔ)參考片見(jiàn)

c)“”(3.2);

增加了的探頭傳感器尺寸見(jiàn)

d)2mm×2mm(7.3);

刪除了校準(zhǔn)用參考片見(jiàn)年版的

e)(20158.2)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司合肥中南光電有限

:、、

公司浙江金瑞泓科技股份有限公司洛陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司上海合晶硅

、、、、

材料股份有限公司開(kāi)化縣檢驗(yàn)檢測(cè)研究院天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司義烏力邁新材料有限公

、、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

、。

本文件主要起草人孫燕蔡麗艷賀東江李素青王可勝徐新華張海英王振國(guó)潘金平曹雁

:、、、、、、、、、、

樓春蘭張雪囡皮坤林

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2015,。

Ⅰ

GB/T32280—2022

硅片翹曲度和彎曲度的測(cè)試

自動(dòng)非接觸掃描法

1范圍

本文件描述了利用兩個(gè)探頭在硅片表面自動(dòng)非接觸掃描測(cè)試硅片的翹曲度和彎曲度的方法

。

本文件適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的硅片包括切割研磨腐蝕

50mm,100μm、,、、、

拋光外延刻蝕或其他表面狀態(tài)的硅片也可用于砷化鎵碳化硅藍(lán)寶石等其他半導(dǎo)體晶片翹曲度和

、、,、、

彎曲度的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

GB/T16596

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻轉(zhuǎn)的方法進(jìn)行重力校正的與被測(cè)晶片具有相同的標(biāo)稱(chēng)直徑標(biāo)稱(chēng)厚度基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向

、、

的代表性晶片

。

32

.

參考片referencewafer

用以確定是否符合測(cè)試設(shè)備操作說(shuō)明中重復(fù)性要求的標(biāo)有翹曲度和彎曲度參數(shù)值的晶片

。

注參數(shù)值是使用測(cè)試設(shè)備通過(guò)大量重復(fù)測(cè)試獲得的平均值或者是基于設(shè)備重復(fù)性研究的統(tǒng)計(jì)值