GB/T 32280-2015硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32280—2015

硅片翹曲度測(cè)試

自動(dòng)非接觸掃描法

Testmethodforwarpofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32280—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心東莞市華源光電科技有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕何宇徐新華王飛堯張海英樓春蘭向興龍

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32280—2015

硅片翹曲度測(cè)試

自動(dòng)非接觸掃描法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片翹曲度的非破壞性自動(dòng)非接觸掃描測(cè)試方法

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的切割研磨腐蝕拋光刻

50mm,100μm、、、、、

蝕外延或其他表面狀態(tài)硅片的翹曲度測(cè)試本方法可用于監(jiān)控因熱效應(yīng)和或機(jī)械效應(yīng)引起的硅片

、。()

翹曲也可用于砷化鎵藍(lán)寶石等其他半導(dǎo)體晶片的翹曲度測(cè)試

,、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T29507、

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073—2013

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻轉(zhuǎn)的方法進(jìn)行重力校正的代表性晶片典型片應(yīng)與被測(cè)晶片具有完全相同的標(biāo)稱直徑標(biāo)

。、

稱厚度基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向

、。

4方法提要

將被測(cè)晶片放置在平坦?jié)崈舻男∥P上吸盤帶動(dòng)晶片沿規(guī)定的圖形在兩個(gè)相對(duì)的探頭之間運(yùn)

、,

動(dòng)兩個(gè)探頭同時(shí)對(duì)晶片的上下表面進(jìn)行掃描獲得一組晶片上下表面分別到最近的探頭間的距離數(shù)

,,

據(jù)對(duì)應(yīng)掃描的每一點(diǎn)得到一對(duì)X和Y坐標(biāo)都相同的距離數(shù)值成對(duì)的位移數(shù)值用于構(gòu)造一個(gè)中位

。,;

面而在中位面上的重力效應(yīng)的校正是通過(guò)從一個(gè)典型片測(cè)量值或理論值減去一個(gè)重力校正值得到

,,

的也可以通過(guò)翻轉(zhuǎn)晶片重復(fù)掃描進(jìn)行校正從合適的中位面構(gòu)造一個(gè)最小二乘法基準(zhǔn)面計(jì)算每對(duì)測(cè)

,。,

量點(diǎn)上的基準(zhǔn)面偏離翹曲度即為最大的正數(shù)和最小的負(fù)數(shù)間的代數(shù)差

(RPD)。(RPD)(RPD)。

注晶片的翹曲可能是由于晶片的上下表面不相同的應(yīng)力造成的所以它不可能通過(guò)測(cè)量其中一個(gè)面確定中位

:,。

面包含了向上向下或兩者都有的曲度在某些情況下中位面是平的因此翹曲度為零或正數(shù)值

、,,,,。

5干擾因素

51