標準解讀

GB/T 33236-2016《多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法》是一項國家標準，主要規(guī)定了使用輝光放電質譜（Glow Discharge Mass Spectrometry, GDMS）技術測定多晶硅材料中痕量雜質元素的方法。該標準適用于太陽能級及電子級多晶硅中多種痕量元素的定量分析，這些元素包括但不限于鋰、鈉、鎂、鋁等輕金屬以及鐵、鎳、鉻等重金屬。

標準首先定義了適用范圍，并概述了方法原理：通過將樣品置于特定條件下激發(fā)產生輝光放電，然后利用質譜儀檢測由此產生的離子流來確定樣品中的元素組成及其濃度。接下來詳細描述了所需儀器設備的要求，如GDMS系統(tǒng)的配置、工作參數設置等；還列舉了實驗過程中可能用到的標準物質與試劑規(guī)格，強調了選擇高純度材料的重要性以減少背景干擾。

在操作步驟部分，GB/T 33236-2016給出了從樣品制備到數據分析的具體指導，包括如何正確地裝載樣品、設定合理的測量條件以及數據處理方法等內容。此外，對于不同類型的多晶硅產品，標準也提供了相應的推薦測試條件，確保結果準確可靠。

關于結果表示與質量控制方面，文件明確了報告格式要求，建議采用適當的單位表達檢測值，并且指出應定期進行校準和比對實驗，保證分析過程的有效性。同時，針對可能出現的問題或異常情況，給出了一些建議措施，幫助實驗室提高測試精度。

最后，附錄部分補充了一些輔助信息，比如典型元素的靈敏度曲線圖例、常見基體效應校正因子表等，為實際應用提供更多參考依據。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-12-13 頒布
  • 2017-11-01 實施
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GB/T 33236-2016多晶硅痕量元素化學分析輝光放電質譜法_第1頁
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文檔簡介

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化學分析

輝光放電質譜法

Polycrystallinesilicon—Determinationoftraceelements—

Glowdischargemassspectrometrymethod

2016-12-13發(fā)布2017-11-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T33236—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位中國科學院上海硅酸鹽研究所

:。

本標準主要起草人卓尚軍錢榮董疆麗申如香盛成高捷鄭文平

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化學分析

輝光放電質譜法

1范圍

本標準規(guī)定了采用輝光放電質譜法測量多晶硅中雜質元素的測試方法

(GD-MS)。

本標準適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質元素含量的測定測量范圍是本

,

方法的檢出限至質量分數檢出限根據所用儀器及測量條件確定通過合適的標準樣品校正

0.1%(),。,

也可以測量質量分數大于的雜質元素含量單晶硅材料中痕量雜質元素也可參照本標準測量

0.1%。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

分析實驗室用水規(guī)格和試驗方法

GB/T6682

表面化學分析輝光放電質譜使用介紹

ISO/TS15338:2009(Surfacechemicalanalysis—

Glowdischargemassspectrometry(GD-MS)—Introductiontouse)

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

離子強度ionintensity

儀器記錄到的指定元素的離子流總量

。

32

.

針狀試樣pinsample

橫截面為圓形或方形的針狀棒狀或線狀試樣通常長度為截面的直徑圓形或對角線

、,20mm、()

方形不超過

()10mm。

33

.

片狀試樣flatsample

薄片狀或塊狀試樣通常為圓形或方形并至少有一面是光滑的光滑面能形成直徑大于的

,,,10mm

圓形測量面

。

34

.

針狀放電池pincell

用于分析針狀試樣的樣品池

。

35

.

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