標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 35007-2018 半導(dǎo)體集成電路 低電壓差分信號電路測試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路中低電壓差分信號(LVDS)電路的測試方法。它適用于各種類型的LVDS接口芯片,包括但不限于通信、計算機(jī)以及消費(fèi)電子設(shè)備中的應(yīng)用。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容涵蓋了LVDS電路的基本參數(shù)定義、測試條件設(shè)定、具體測試項(xiàng)目及流程、測試結(jié)果分析與報告編制等方面。其中,基本參數(shù)包括但不限于共模電壓范圍、差分電壓擺幅等;測試條件則涉及電源電壓水平、溫度環(huán)境等因素的選擇;測試項(xiàng)目通常包含靜態(tài)特性測試(如輸入輸出電壓電平)、動態(tài)特性測試(如傳輸延遲時間、抖動性能)等關(guān)鍵指標(biāo);而測試流程方面,則提供了從準(zhǔn)備階段到最終數(shù)據(jù)記錄的一整套操作指南。


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  • 2018-03-15 頒布
  • 2018-08-01 實(shí)施
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GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路測試方法_第1頁
GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路測試方法_第2頁
GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路測試方法_第3頁
GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路測試方法_第4頁
GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路測試方法_第5頁
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文檔簡介

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35007—2018

半導(dǎo)體集成電路

低電壓差分信號電路測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T35007—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

總則

4………………………2

測試環(huán)境要求

4.1………………………2

測試注意事項(xiàng)

4.2………………………2

靜態(tài)參數(shù)測試

5……………2

單端數(shù)字接口參數(shù)

5.1…………………2

輸入高電平閾值電壓V

5.2(TH)…………2

輸入低電平閾值電壓V

5.3(TL)…………3

輸入電流I

5.4(IN)………………………4

電源關(guān)斷輸入漏電流I

5.5(IN-OFF)……………………5

輸出高電壓V

5.6LVDS(OHL)…………6

輸出低電壓V

5.7LVDS(OLL)…………7

共模輸出電壓V

5.8(OS)…………………8

互補(bǔ)態(tài)共模輸出電壓變化V

5.9(ΔOS)…………………8

差分輸出電壓V

5.10(OD)………………9

互補(bǔ)態(tài)差分輸出電壓變化V

5.11(ΔOD)………………9

輸出短路電流I

5.12LVDS(OSL)………………………10

電源關(guān)斷輸出漏電流I

5.13(O-OFF)…………………11

輸出高阻態(tài)電流I

5.14LVDS(OZL)……………………12

內(nèi)置差分輸入電阻R

5.15(IT)…………13

內(nèi)置差分輸出電阻R

5.16(OT)………………………13

靜態(tài)電源電流I

5.17(DD)………………14

關(guān)斷電源電流I

5.18(DDZ)……………15

動態(tài)參數(shù)測試

6……………16

輸入電容C和輸出電容C

6.1(I)(O)…………………16

動態(tài)電源電流I

6.2(DDA)………………18

最高工作頻率f

6.3(MAX)………………18

最低工作頻率f

6.4(MIN)………………19

最大數(shù)據(jù)率DR

6.5(MAX)………………20

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時間t

6.6(PLH)……………………20

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間t

6.7(PHL)……………………22

輸出由高阻態(tài)到高電平傳輸延遲時間t

6.8(PZH)……………………22

輸出由高阻態(tài)到低電平傳輸延遲時間t

6.9(PZL)……………………24

輸出由高電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

6.10(PHZ)……………………24

GB/T35007—2018

輸出由低電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

6.11(PLZ)……………………25

輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時間t

6.12(TLH)………25

輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時間t

6.13(THL)………27

脈沖時滯t

6.14(SKP)……………………27

通道間時滯t

6.15(SKO)…………………28

眼圖高度e

6.16(H)……………………28

眼圖寬度e

6.17(W)……………………29

確定性抖動Dj

6.18()…………………30

隨機(jī)抖動Rj

6.19()……………………30

總抖動J

6.20(t)………………………31

附錄資料性附錄眼圖測試對儀器的要求

A()…………32

GB/T35007—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)定起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位成都振芯科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院工業(yè)和信

:、、

息化部電子第五研究所深圳市國微電子有限公司深圳市眾志聯(lián)合電子有限公司中國電子科技集團(tuán)

、、、

公司第二十九研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳雁羅彬郭超王會影李錕蔡志剛鄔海忠鐘科

:、、、、、、、。

GB/T35007—2018

半導(dǎo)體集成電路

低電壓差分信號電路測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號電路以

(LVDS,lowvoltagedifferentialsignaling)(

下稱為器件靜態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)測試方法的基本原理

“”)、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于低電壓差分信號電路靜態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)的測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

31

.

脈沖時滯pulseskew

同一通道內(nèi)輸出由低電平到高電平的傳輸延遲時間與輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間的

溫馨提示

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