GB/T 35009-2018串行NAND型快閃存儲器接口規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35009—2018

串行NAND型快閃存儲器接口規(guī)范

SpecificationforserialNANDflashinterface

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T35009—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

物理接口

4…………………1

引出端功能定義

4.1……………………1

數(shù)據(jù)接口類型

4.2………………………2

存儲陣列架構(gòu)

5……………3

存儲架構(gòu)

5.1……………3

狀態(tài)寄存器

5.2…………………………4

器件保護(hù)功能

5.3………………………5

器件自毀功能

5.4………………………6

指令定義

6…………………7

指令集說明

6.1…………………………7

指令集描述

6.2…………………………8

指令格式模式

6.3………………………19

參數(shù)表說明

7………………20

參數(shù)表頭定義

7.1………………………20

參數(shù)列表定義

7.2………………………20

附錄資料性附錄塊保護(hù)方式

A()(BP)………………25

Ⅰ

GB/T35009—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院深圳

:、、

市中興微電子技術(shù)有限公司中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七二研究所清華大學(xué)微電子學(xué)研

、、

究所安凱廣州微電子技術(shù)有限公司

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人蘇志強(qiáng)劉超劉會娟高碩羅曉羽武鵬林建京吳華強(qiáng)鄒天翔

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T35009—2018

串行NAND型快閃存儲器接口規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了串行與非型快閃存儲器以下稱為器件的物理接口存儲陣列架構(gòu)指令定

(NAND)()、、

義和參數(shù)表說明等

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于串行型快閃存儲器的設(shè)計和使用

NAND。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T17574—1998。

31

.

狀態(tài)寄存器statusregister

存儲器內(nèi)部標(biāo)志內(nèi)部狀態(tài)的寄存器

。

32

.

一次性可編程one-timeprogrammableOTP

;

存儲器內(nèi)只可編程一次的存儲區(qū)域該區(qū)域一次編程后不可再次修改

,。

33

.

糾錯碼errorcorrectioncodeECC

;

一種可提高快閃存儲器可靠性的糾錯方法

。

4物理接口

41引出端功能定義

.

器件引出端功能定義見表

1。

表1引出端功能定義

引出端輸入輸出