GB/T 39145-2020硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39145—2020

硅片表面金屬元素含量的測定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Testmethodforthecontentofsurfacemetalelementsonsiliconwafers—

Inductivelycoupledplasmamassspectrometry

2020-10-11發(fā)布2021-09-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T39145—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國盛電子有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公

:、、

司上海合晶硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司龍騰半導(dǎo)體有

、、、、

限公司廈門科鑫電子有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人駱紅潘文賓趙而敬孫燕張海英徐新華溫子瑛胡金枝李素青馬林寶

:、、、、、、、、、、

李俊需

。

Ⅰ

GB/T39145—2020

硅片表面金屬元素含量的測定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定硅片表面金屬元素含量的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉鎂鋁鉀鈣鉻錳鐵鈷鎳銅鋅元

、、、、、、、、、、、

素含量的測定測定范圍為8-213-2本標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)也適用于硅退火片硅擴(kuò)散片等無圖形

,10cm~10cm。、

硅片表面痕量金屬元素含量的測定

。

注硅片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數(shù)計(jì)

:。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T6624

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

冶金產(chǎn)品化學(xué)分析基礎(chǔ)術(shù)語

GB/T17433

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20101:

四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜方法通則

GB/T37837

四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀校準(zhǔn)規(guī)范

JJF1159

半導(dǎo)體加工用超純水指南

SEMIF63(Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-

ing)

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264、GB/T17433、GB/T37837JJF1159。

31

.

掃描溶液scanningsolution

通過掃描方式收集的含有硅片表面痕量金屬元素的溶液

。

32

.

直接酸滴分解法directaciddropletdecompositionDADD

;

用含有氫氟酸的提取液分解硅片表面的氧化層形成疏水性表面使硅片表面的痕量金屬被收集到

,,

提取液中形成掃描溶液

。

33

.

氣相分解法vaporphasedecompositionVPD

;

用氫氟酸蒸汽分解