IC芯片封裝流程課件

IntroductionofICAssemblyProcess

IC封裝工藝簡介FOL–BackGrinding背面減薄Taping粘膠帶BackGrinding磨片De-Taping去膠帶將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到

封裝需要的厚度（8mils~10mils）；磨片時，需要在正面（ActiveArea）貼膠帶保護電路區(qū)域

同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；FOL–WaferSaw晶圓切割WaferMount晶圓安裝WaferSaw晶圓切割WaferWash清洗將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得即使被切割開后，不會散落；通過SawBlade將整片Wafer切割成一個個獨立的Dice，方便后面的

DieAttach等工序；WaferWash主要清洗Saw時候產生的各種粉塵，清潔Wafer；FOL–2ndOpticalInspection二光檢查主要是針對WaferSaw之后在顯微鏡下進行Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品。ChippingDie

崩邊FOL–DieAttach芯片粘接WriteEpoxy點銀漿DieAttach芯片粘接EpoxyCure銀漿固化EpoxyStorage：

零下50度存放；EpoxyAging：

使用之前回溫，除去氣泡；EpoxyWriting：

點銀漿于L/F的Pad上，Pattern可選；FOL–DieAttach芯片粘接芯片拾取過程：

1、EjectorPin從wafer下方的Mylar頂起芯片，使之便于

脫離藍膜；

2、Collect/Pickuphead從上方吸起芯片，完成從Wafer

到L/F的運輸過程；

3、Collect以一定的力將芯片Bond在點有銀漿的L/F

的Pad上，具體位置可控；

4、BondHeadResolution：

X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；

5、BondHeadSpeed：1.3m/s；FOL–EpoxyCure銀漿固化銀漿固化：175°C，1個小時；

N2環(huán)境，防止氧化：DieAttach質量檢查：DieShear（芯片剪切力）FOL–WireBonding引線焊接利用高純度的金線（Au）、銅線（Cu）或鋁線（Al）把Pad

和Lead通過焊接的方法連接起來。Pad是芯片上電路的外接

點，Lead是LeadFrame上的連接點。

W/B是封裝工藝中最為關鍵的一部工藝。FOL–WireBonding引線焊接KeyWords：Capillary：陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個BondingTool，內部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第一和第二焊點；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊點（BondBall）；BondBall：第一焊點。指金線在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接點，一般為一個球形；Wedge：第二焊點。指金線在Cap的作用下，在LeadFrame上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（Force）、超聲（USGPower）、時間（Time）、溫度（Temperature）；FOL–WireBonding引線焊接利用高純度的金線（Au）、銅線（Cu）或鋁線（Al）把Pad

和Lead通過焊接的方法連接起來。Pad是芯片上電路的外接

點，Lead是LeadFrame上的連接點。

W/B是封裝工藝中最為關鍵的一部工藝。FOL–WireBonding引線焊接EFO打火桿在磁嘴前燒球Cap下降到芯片的Pad上，加Force和Power形成第一焊點Cap牽引金線上升Cap運動軌跡形成良好的WireLoopCap下降到LeadFrame形成焊接Cap側向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動作FOL–WireBonding引線焊接WireBond的質量控制：WirePull、StitchPull（金線頸部和尾部拉力）BallShear（金球推力）WireLoop（金線弧高）BallThickness（金球厚度）CraterTest（彈坑測試）Intermetallic（金屬間化合物測試）SizeThicknessEOL–EndofLine后段工藝Molding注塑EOLLaserMark激光打字PMC高溫固化De-flash/Plating去溢料/電鍍Trim/Form切筋/成型4thOptical第四道光檢Annealing電鍍退火Note：JustForTSSOP/SOIC/QFPpackageEOL–Molding（注塑）為了防止外部環(huán)境的沖擊，利用EMC

把WireBonding完成后的產品封裝起

來的過程，并需要加熱硬化。BeforeMoldingAfterMoldingEOL–Molding（注塑）MoldingTool（模具）EMC（塑封料）為黑色塊狀，低溫存儲，使用前需先回溫。其特

性為：在高溫下先處于熔融狀態(tài)，然后會逐漸硬化，最終成型。Molding參數(shù)：

MoldingTemp：175~185°C；ClampPressure：3000~4000N；

TransferPressure：1000~1500Psi；TransferTime：5~15s；

CureTime：60~120s；CavityL/FL/FEOL–LaserMark（激光打字）在產品（Package）的正面或者背面激光刻字。內容有：產品名稱，生產日期，生產批次等；BeforeAfterEOL–PostMoldCure（模后固化）用于Molding后塑封料的固化，保護IC內部結構，消除內部應力。

CureTemp：175+/-5°C；CureTime：8HrsESPECOven4hrsEOL–De-flash（去溢料）BeforeAfter目的：De-flash的目的在于去除Molding后在管體周圍Lead之間

多余的溢料；

方法：弱酸浸泡，高壓水沖洗；EOL–PostAnnealingBake（電鍍退火）目的：讓無鉛電鍍后的產品在高溫下烘烤一段時間，目的在于

消除電鍍層潛在的晶須生長（WhiskerGrowth）的問題;

條件：150+/-5C;2Hrs；晶須晶須，又叫Whisker，是指錫在長時間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長出的一種須狀晶體，可能導致產品引腳的短路。EOL–Trim&Form（切筋成型）

Trim：將一條片的LeadFrame切割成單獨的Unit（IC）的過程；

Form：對Trim后的IC產品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀，

并放置進Tube或者Tray盤中；EOL–Trim&Form（切筋成型）CuttingTool&FormingPunchCuttingDieStripperPadFormingDie1234ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝ICPackage（IC的封裝形式）Package--封裝體：指芯片（Die）和不同類型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封裝體。ICPackage種類很多，可以按以下標準分類：按封裝材料劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝按照和PCB板連接方式分為：

PTH封裝和SMT封裝按照封裝外型可分為：

SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；ICPackage（IC的封裝形式）

按封裝材料劃分為：

金屬封裝陶瓷封裝

塑料封裝金屬封裝主要用于軍工或航天技術，無商業(yè)化產品；陶瓷封裝優(yōu)于金屬封裝，也用于軍事產品，占少量商業(yè)化市場；塑料封裝用于消費電子，因為其成本低，工藝簡單，可靠性高而占有絕大部分的市場份額；ICPackage（IC的封裝形式）

按與PCB板的連接方式劃分為：

PTHSMTPTH-PinThroughHole,通孔式；SMT-SurfaceMountTechnology，表面貼裝式。目前市面上大部分IC均采為SMT式的SMTICPackage（IC的封裝形式）

按封裝外型可分為：

SOT、QFN

、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；決定封裝形式的兩個關鍵因素:

封裝效率。芯片面積/封裝面積，盡量接近1:1；引腳數(shù)。引腳數(shù)越多，越高級，但是工藝難度也相應增加；其中，CSP由于采用了FlipChip技術和裸片封裝，達到了

芯片面積/封裝面積=1:1，為目前最高級的技術；封裝形式和工藝逐步高級和復雜ICPackage（IC的封裝形式）QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方無引腳扁平封裝

SOIC—SmallOutlineIC小外形IC封裝

TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封裝

QFP—QuadFlatPackage四方引腳扁平式封裝

BGA—BallGridArrayPackage球柵陣列式封裝

CSP—ChipScalePackage芯片尺寸級封裝ICPackageStructure（IC結構圖）TOPVIEWSIDEVIEWLeadFrame

引線框架GoldWire

金線DiePad

芯片焊盤Epoxy

銀漿MoldCompound環(huán)氧樹脂RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【Wafer】晶圓……RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【LeadFrame】引線框架提供電路連接和Die的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、

NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp兩種；易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小于40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都會采用LeadFrame，

BGA采用的是Substrate；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【GoldWire】焊接金線實現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物

理連接；金線采用的是99.99%的高純度金；同時，出于成本考慮，目前有采用銅

線和鋁線工藝的。優(yōu)點是成本降低，

同時工藝難度加大，良率降低；線徑決定可傳導的電流；0.8mil，

1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【MoldCompoun