精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述分析

精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述分析

精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述工業(yè)清洗指工業(yè)產(chǎn)品或零部件在工業(yè)生產(chǎn)中表面受到物理、化學(xué)或生物的作用而形成污染物或覆蓋層，去除這些污染物或覆蓋層而使其恢復(fù)原表面狀態(tài)的過程。隨著生產(chǎn)的發(fā)展和科學(xué)的進(jìn)步，在工業(yè)清洗領(lǐng)域不斷有專門化的新洗凈技術(shù)出現(xiàn)，精密洗凈服務(wù)隨之逐步發(fā)展起來。精密洗凈意味著按照非常嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行清洗，對剩余顆?；蚱渌廴疚锏娜萑潭确浅５停w粒尺寸小于0．3微米），通常在環(huán)境嚴(yán)格控制的潔凈室進(jìn)行清潔。在半導(dǎo)體、顯示面板、航空航天和醫(yī)療等高科技行業(yè)的許多重要應(yīng)用中，精密洗凈服務(wù)是新制造部件組裝前的先決條件，也是制程設(shè)備的日常保養(yǎng)和維護(hù)的先決條件。以芯片制造為例，如果在制造過程中有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能，因而提高生產(chǎn)設(shè)備部件的潔凈度是保障芯片生產(chǎn)良率的重要一環(huán)。在芯片刻蝕、化學(xué)氣相沉積、擴(kuò)散等制程，設(shè)備部件上會附著金屬雜質(zhì)、有機(jī)物、顆粒、氧化物等各種沾污雜質(zhì)層，經(jīng)過一段時間后會有剝落現(xiàn)象；對于芯片制造企業(yè)，沾污雜質(zhì)導(dǎo)致芯片電學(xué)失效，導(dǎo)致芯片報廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率與質(zhì)量。通常影響精密洗凈服務(wù)價格的關(guān)鍵因素包括洗凈部件的市場價值、厚度、材質(zhì)、幾何形狀和該部件工藝研發(fā)成本，以及沾污雜質(zhì)的類型、潔凈度要求等。專業(yè)精密洗凈服務(wù)廠商根據(jù)制程、機(jī)臺設(shè)備品牌、部件材質(zhì)與鍍層要求等進(jìn)行分類并提供精密清洗與衍生處理服務(wù)，以配合客戶提升產(chǎn)品良率及提高制造設(shè)備的稼動率。1、半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)對象半導(dǎo)體專用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體專用設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過來推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度最高、附加值最大、工藝最為復(fù)雜的集成電路為例，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通常可分為前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測試，暫時非洗凈服務(wù)對象）兩大類。其中，在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散（ThermalProcess）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（IonImplant）、薄膜生長（DielectricandMetalDeposition）、清洗與拋光（Clean&CMP）、金屬化（Metalization），所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80%，其中，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜生長設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。2、顯示面板專用設(shè)備洗凈服務(wù)對象TFT顯示面板專用設(shè)備泛指基于TFT薄膜晶體管作為驅(qū)動單元發(fā)展起來的用于生產(chǎn)各類顯示面板類產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，主流產(chǎn)品有LCD和OLED兩種類型，屬于集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中：LCD顯示技術(shù)是20世紀(jì)八十年代之后逐步發(fā)展興盛起來的采用液晶作為顯示單元的顯示面板技術(shù)。LCD顯示面板器的主體結(jié)構(gòu)包含透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等，經(jīng)過三十多年的高速發(fā)展，整個生產(chǎn)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成熟穩(wěn)定，但面板制造、封裝測試工藝制程中的專用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。OLED顯示技術(shù)是21世紀(jì)之后逐步發(fā)展起來的一種新型的顯示技術(shù)，其主體結(jié)構(gòu)包含透明基板（可柔性）、空穴/電子注入層、空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等，經(jīng)過近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，具有功耗低、視角寬、響應(yīng)速度快等更優(yōu)的顯示性能，為國際社會中顯示技術(shù)角逐的重點(diǎn)。以LCD和OLED為主流的顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工序可以分為三大步驟：TFT陣列、cell成盒、后端組裝。其中，TFT陣列生產(chǎn)包含基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、刻蝕剝離等工藝制程，cell成盒包含TFT清洗、CF基板加工（LCD）、拼合（LCD）、灌晶（LCD）、蒸鍍（OLED）、封裝（OLED）、檢測等工藝制程，后端組裝包含cell清洗、偏光片貼附、IC綁定、FPC/PCB、TP貼合等工藝制程。所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括蒸鍍設(shè)備（OLED）、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。沾污雜質(zhì)是指泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中引入的任何危害芯片成品率及電學(xué)性能的物質(zhì)。據(jù)估計，大部分的芯片電學(xué)失效都是由沾污帶來的缺陷引起的。一般精密洗凈的沾污雜質(zhì)分為以下幾類：1）顆粒。顆粒能引起電路開路或短路。從尺寸上來說，半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個尺寸的顆粒會引起致命缺陷。從數(shù)量上來說，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)的顆粒數(shù)，顆粒數(shù)越多，產(chǎn)生致命缺陷的可能性也越大。一道工序引入到硅片中超過某一關(guān)鍵尺寸的顆粒數(shù)，術(shù)語表征為每步每片上的顆粒數(shù)（PWP），隨著先進(jìn)制程的進(jìn)步，PWP指標(biāo)要求越來越高。2）金屬雜質(zhì)。危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，如鈉、鉀、鋰等；重金屬也會導(dǎo)致金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來自化學(xué)溶液或者半導(dǎo)體制造中的各種工序，如離子注入等，也可能來自化學(xué)品與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要指包含碳的物質(zhì)，它們可能來自于細(xì)菌、潤滑劑、蒸汽、清潔劑、溶劑和潮氣等。4）自然氧化層。自然氧化層一方面妨礙其他工藝步驟，如單晶薄膜的生長；另一方面增加接觸電阻，減少甚至阻止電流流過。顆粒環(huán)境，其他工藝工程中產(chǎn)生影響后續(xù)光刻、干法刻蝕工藝，造成器件短路自然氧化層環(huán)境影響后續(xù)氧化、沉積工藝，造成器件電性失效金屬污染環(huán)境，其他工藝工程中產(chǎn)生影響后續(xù)氧化工藝，造成器件電性失效有機(jī)物干法刻蝕副產(chǎn)物，環(huán)境影響后續(xù)沉積工藝，造成器件電性失效。精密清洗服務(wù)行業(yè)市場利潤規(guī)模精密清洗服務(wù)業(yè)概述:工業(yè)清洗是指工業(yè)產(chǎn)品或零件的表面受到物理、化學(xué)或生物作用，形成污染物或涂層，并將這些污染物或涂層去除，恢復(fù)其原有表面狀態(tài)的過程。隨著生產(chǎn)的發(fā)展和科學(xué)的進(jìn)步，工業(yè)清洗領(lǐng)域出現(xiàn)了專業(yè)化的新型清洗技術(shù)，精密清洗服務(wù)也逐漸發(fā)展起來。精密清潔是指根據(jù)非常嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行清潔，對殘留顆粒或其他污染物的容忍度非常低，通常在環(huán)境受到嚴(yán)格控制的潔凈室中進(jìn)行。在許多高科技行業(yè)的重要應(yīng)用中，如半導(dǎo)體、顯示面板、航空空航天和醫(yī)療，精密清洗服務(wù)是新制造零件裝配前的先決條件，也是工藝設(shè)備日常維護(hù)的先決條件。以芯片制造為例，如果制造過程中有污染，就會影響芯片上器件的正常功能。因此，提高生產(chǎn)設(shè)備部件的清潔度是保證芯片生產(chǎn)良率的重要環(huán)節(jié)。在芯片蝕刻、化學(xué)氣相沉積、擴(kuò)散等過程中。各種污染雜質(zhì)層，例如金屬雜質(zhì)、有機(jī)物、顆粒、氧化物等。會附著在設(shè)備部件上，一段時間后會剝落；對于芯片制造企業(yè)來說，雜質(zhì)的污染導(dǎo)致芯片的電氣故障，導(dǎo)致芯片報廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率和質(zhì)量。通常，影響精密清洗服務(wù)價格的關(guān)鍵因素包括清洗零件的市場價值、厚度、材料、幾何形狀、零件的研發(fā)成本、污染雜質(zhì)的種類、清潔度要求等。專業(yè)的精密清洗服務(wù)商根據(jù)工藝、機(jī)器設(shè)備品牌、零部件材質(zhì)、涂層要求等分類提供精密清洗及衍生處理服務(wù)。，從而配合客戶提高產(chǎn)品良率和制造設(shè)備的生產(chǎn)率。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)從最初研發(fā)儲備到終端產(chǎn)品應(yīng)用并量產(chǎn)的周期大約在10年左右，驅(qū)動信息市場的引擎（下游應(yīng)用市場主要產(chǎn)品）也大概10年左右產(chǎn)生一次新變化。中期維度上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由企業(yè)設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)張驅(qū)動周期波動，稱為產(chǎn)能周期（也稱資本支出周期、朱格拉周期、設(shè)備投資周期等）。投資端觀測：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出從1983年的43億美元增長到2021年的1531億美元，年均復(fù)合增速約為10%。以同比增速的極大值點(diǎn)劃分，全球半導(dǎo)體資本開支周期平均約3~4年。銷售端觀察：產(chǎn)能周期在半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售端上也有所體現(xiàn)，以全球半導(dǎo)體月度銷售額為例，1976年3月至今，半導(dǎo)體月銷售額同比增速（3個月移動平均值）呈現(xiàn)出周期波動特征，每個周期間隔大約在3-4年，平均數(shù)值為2．95年。短期維度上，由銷售端（市場）短期供需驅(qū)動庫存周期，也稱基欽周期，約3~6個季度。由于下游需求端向上傳導(dǎo)存在時滯，導(dǎo)致了庫存周期的產(chǎn)生。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存周期可以分為4個階段：主動補(bǔ)庫存：在新一輪庫存周期的起點(diǎn)，由于短期需求端指標(biāo)上升，企業(yè)提升產(chǎn)線稼動率，主動補(bǔ)充庫存水平，產(chǎn)成品存貨環(huán)比上升，行業(yè)處于短期繁榮階段。被動補(bǔ)庫存：這一階段需求端指標(biāo)已經(jīng)見頂，但企業(yè)稼動率無法立即下降，存貨水平仍然保持上升，導(dǎo)致利潤率水平到達(dá)頂部后開始下降，行業(yè)開始進(jìn)入短期衰退階段。主動去庫存：需求端指標(biāo)持續(xù)下降，企業(yè)稼動率開始下降，但已經(jīng)出現(xiàn)庫存過剩，企業(yè)主動降價去庫存，減少存貨壓力，行業(yè)處于蕭條階段。被動去庫存：需求端指標(biāo)企跌回升，企業(yè)稼動率降至低點(diǎn)，庫存水平持續(xù)降低至低點(diǎn)，庫存壓力得到緩解，隨著需求回溫，行業(yè)開始進(jìn)入下一輪庫存周期起點(diǎn)。常見的精密清潔方法化學(xué)溶劑清洗:化學(xué)溶劑清洗是指硝酸、氫氧化鉀、雙氧水、氨水等。根據(jù)技術(shù)要求配制成相應(yīng)濃度的溶液，然后將零件浸泡在清洗槽中，去除表面的金屬膜。噴涂:噴涂是指利用熱源熔化金屬或非金屬材料，以一定的速度噴涂在基體表面形成涂層的方法。如果在操作過程中需要，在零件表面噴鋁以增加表面粗糙度。電解清洗:將待清洗的設(shè)備掛在陰極或陽極上，放入電解液中。施加直流電時，金屬與電解質(zhì)溶液之間的界面張力因極化而降低，溶液滲透到工件表面的污垢下，在界面上起氧化或還原作用，產(chǎn)生大量氣泡。當(dāng)氣泡聚集形成氣流從污垢與金屬之間的縫隙溢出時，起到攪動、攪拌的作用，使污垢從工件表面脫落，從而達(dá)到清除污垢、清潔表面的目的。根據(jù)設(shè)備和裝置掛在陽極和陰極上的位置不同，可分為陰極電解和陽極電解。電解清洗用途廣泛。可去除金屬或非金屬附著物，如氧化膜、舊涂膜、漆膜等。清洗效果好，清洗效率高，徹底性好。蒸汽清洗:蒸汽清洗可分為蒸汽清洗和溶劑蒸汽清洗。水蒸汽清洗是一種常見而簡單的清洗工藝，主要是利用蒸汽的熱氣流蒸發(fā)到設(shè)備和裝置的表面，與設(shè)備和裝置的表面充分接觸。由于水蒸氣溫度高，有一定的壓力和沖擊力，所以有一定的清潔作用。溶劑清洗是一種用有機(jī)溶劑蒸發(fā)蒸汽進(jìn)行清洗的方法。由于溶劑的高溫和蒸發(fā)過程中形成的氣流，污漬被溶解并帶走。純水清洗和高壓水洗:純水清洗是指將零件浸泡在純水清洗槽中，去除產(chǎn)品中可能殘留的藥液成分；高壓水洗是指高壓水洗槍對零件表面進(jìn)行清掃，去除顆粒、熔灰、灰塵等。對零件表面有一定的附著力。超聲波清洗:超聲波清洗是指在浸泡在工件中的液體中發(fā)射超聲波，使液體產(chǎn)生超聲波振蕩。液體內(nèi)部的壓力在某一瞬間突然增大或減小，這樣不斷重復(fù)。當(dāng)壓力突然降低時，溶液中會產(chǎn)生許多小空孔，溶解在溶液中的氣體被吸入空孔中形成氣泡。小氣泡形成后，被突然增大的壓力擊碎，產(chǎn)生沖擊波，能在界面處剝離金屬表面的污垢和水垢，與工件表面分離，從而達(dá)到比一般去污方法更快的清洗效果。超聲波清洗可以與化學(xué)去污、電化學(xué)去污、去除金屬涂層的酸清洗等相結(jié)合。，以提高去污效果和清潔質(zhì)量。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征19世紀(jì)60年代后期開始的第二次工業(yè)革命，使人類進(jìn)入了電氣時代。電氣時代以電子設(shè)備為載體，電路則是電子設(shè)備的核心。2022年12月29，臺積電3nm正式量產(chǎn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國起源后，伴隨地緣、地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策、制造模式變革等多種因素，經(jīng)歷了三次制造重心的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次：1976年3月，日本政府以富士通、日立、三菱、NEC和東芝五家公司為核心，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究員、電子綜合研究所和計算機(jī)綜合研究所共同實(shí)施超大規(guī)模集成電路研究計劃（VLSI），該計劃取得了巨大成功，日本超越美國、一躍成為世界第一的DRAM大國。第二次：1983年，韓國政府對外發(fā)布進(jìn)軍LSI領(lǐng)域（DRAM）的計劃，通過四年時間掌握了256KDRAM技術(shù)，并通過向日本大量進(jìn)口高性能制造設(shè)備，快速壯大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。第三次：2001年后中國正式加入世貿(mào)組織，逐漸深度參與到全球電子制造產(chǎn)業(yè)鏈中。第四次：從人口紅利過度到工程師紅利（人口結(jié)構(gòu)上，勞動力素質(zhì)提升；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)上，技術(shù)要素比重增大），制造業(yè)低端產(chǎn)能或?qū)⒊掷m(xù)外遷。2021年全球47個主要經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模為38．1萬億美元，占全球GDP比重為45%，較2020年提升1個百分點(diǎn)。2021年全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)在第一產(chǎn)業(yè)滲透率為8．6%，在第二產(chǎn)業(yè)滲透率為24．3%，在第三產(chǎn)業(yè)滲透率為46．3%。增速：2021年全球47個經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)同比名義增長15．6%，高于同期GDP名義增速2．5個百分點(diǎn)。數(shù)字經(jīng)濟(jì)包括數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化和數(shù)字化治理三大部分：2021年全球數(shù)字產(chǎn)業(yè)化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為15%，占GDP比重為6．8%，2021年全球產(chǎn)業(yè)數(shù)字化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為85%，占GDP比重約為38．2%。美國信息科技產(chǎn)業(yè)增加值在GDP中占比接近中國2倍。美國經(jīng)濟(jì)分析局將信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)在傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)劃分框架外單列，2021年增加值占其GDP比重約為7．6%。中國國家統(tǒng)計局將信息傳輸、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)列示在第三產(chǎn)業(yè)下面，2021年占GDP比重約為3．9%。2021年科技行業(yè)在GDP的百分比，美國約為中國的1．95倍。中美兩國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重整體上均呈現(xiàn)上升趨勢。1987年美國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重約為3．4%，在科網(wǎng)泡沫前4年，迅速從1996年的3．9%提升至2000年的6．2%，此后略有下降，至2010年才回升至6．2%，此后緩慢提升至2021年的7．6%。中國信息科技產(chǎn)業(yè)起步較晚，信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重數(shù)據(jù)最早可追溯至2004年的2．6%，2022年約為4．0%。根據(jù)Wind二級行業(yè)分類標(biāo)準(zhǔn)，分別測算中國和美國2021年半導(dǎo)體和其他二級行業(yè)的收入與凈利潤在總量中的比重。2021年，美國半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．9%，凈利潤占比約為3．9%；中國半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．2%，凈利潤整體虧損約7億元。將半導(dǎo)體與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，以及電信服務(wù)、技術(shù)硬件與設(shè)備、媒體和軟件與服務(wù)等泛TMT行業(yè)作為信息科技產(chǎn)業(yè)：美國上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比19．1%，凈利潤占比約為26．9%，凈利率約為16．1%；中國上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比約為11．0%，凈利潤占比約為3．3%，凈利率約為1．1%。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈概況設(shè)計，設(shè)備屬于技術(shù)（研發(fā)）密集型，需要參與廠商不斷投入研發(fā)支出用于開發(fā)新技術(shù)，推出新產(chǎn)品，從而保持自身競爭力。材料和晶圓制造屬于資本（CapEx）密集型，通過成長性的資本開支將企業(yè)產(chǎn)能提升一個臺階，進(jìn)而帶動未來收入和利潤的增長，對于晶圓材料和晶圓制造企業(yè)至關(guān)重要；對于以臺積電為首的晶圓代工龍頭，維持成長性資本開支的能力，本身也是企業(yè)的護(hù)城河之一。封測屬于資本+勞動力密集型，封測環(huán)節(jié)通常技術(shù)含量較低，而對勞動力需求較高，經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，逐漸形成了以中國大陸的長電科技、通富微電和華天科技等OSAT廠商主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)格局。價值量：設(shè)計占60%，其中邏輯IC占30%、存儲IC占9%、DAO占17%；設(shè)備占12%；材料占5%；晶圓制造占19%，封裝與測試占6%。區(qū)域分布：歐美在設(shè)計、設(shè)備絕對主導(dǎo)；美國在EDA&IP核一家獨(dú)大；韓國主導(dǎo)存儲IC設(shè)計；日本在DAO、設(shè)備優(yōu)勢顯著；中國在封測代工環(huán)節(jié)占比最高。全球IC產(chǎn)業(yè)鏈分工實(shí)例（以某款智能手機(jī)AP為例）：歐洲和美國主要負(fù)責(zé)提供EDA工具、IP授權(quán)和芯片設(shè)計環(huán)節(jié)；OEM廠商通過選型確定供應(yīng)商和型號，芯片供應(yīng)商將圖紙交付給位于中國臺灣的代工廠量產(chǎn)；晶圓廠產(chǎn)線設(shè)備主要由美國、日本和歐洲的供應(yīng)商提供；晶圓片則先由一家美國公司提煉出冶金硅，然后交由日本多晶硅制造商加工廠電子級多晶硅，再由韓國廠商將單晶硅錠切割成硅片，最終送到中國臺灣晶圓廠的產(chǎn)線上；中國臺灣晶圓廠加工好的芯片送往馬來西亞完成封裝，最后在中國大陸的工廠被組裝到智能手機(jī)中，然后智能手機(jī)OEM廠商將產(chǎn)品銷往全球。顯示面板專用設(shè)備清洗服務(wù)對象TFT顯示面板專用設(shè)備一般指基于TFT薄膜晶體管為驅(qū)動單元開發(fā)的，用于生產(chǎn)各類顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。主流產(chǎn)品為LCD和有機(jī)發(fā)光二極管，是集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中，LCD顯示技術(shù)是80年代以后逐漸發(fā)展并繁榮起來的一種顯示面板技術(shù)，使用液晶作為顯示單元。液晶面板的主要結(jié)構(gòu)包括透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等。經(jīng)過30多年的快速發(fā)展，整個生產(chǎn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于成熟和穩(wěn)定，但面板制造、封裝和測試過程中的專用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)是21世紀(jì)后逐漸發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。其主要結(jié)構(gòu)包括透明襯底、空空穴/電子注入層、空空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等。經(jīng)過近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，它具有功耗低、視角廣、響應(yīng)速度快等更好的顯示性能。以LCD和有機(jī)發(fā)光二極管為主流顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工藝可分為TFT陣列、電池盒成型、后端組裝三個步驟。其中，TFT陣列生產(chǎn)包括基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、蝕刻和剝離等。電池盒化成包括TFT清洗、CF基板加工、組裝、充晶、蒸發(fā)、封裝和測試，后端組裝包括電池清洗、偏光片貼合、IC鍵合、FPC/PCB、TP鍵合等。相應(yīng)的專用設(shè)備主要包括蒸發(fā)設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。上述TFT面板制造過程中的鍍膜、曝光、顯影、蝕刻、CF基板處理、蒸鍍等設(shè)備為公司的清潔服務(wù)對象。污染引入:污染雜質(zhì)是指在泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中引入的任何危害芯片良率和電性能的物質(zhì)。據(jù)估計，大多數(shù)芯片電氣故障是由污染引起的缺陷引起的。通常，精密清洗的污染雜質(zhì)分為以下幾類:1）粒子。顆粒會導(dǎo)致開路或短路。從尺寸上來說，在半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個尺寸的顆粒會造成致命缺陷。從數(shù)量上來說，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)顆粒的數(shù)量。顆粒越多，致命缺陷的可能性越大。在一個過程中引入到硅晶片中的超過某一臨界尺寸的顆粒數(shù)量由每個步驟中每個晶片的顆粒數(shù)量來表征。隨著先進(jìn)工藝的進(jìn)步，對PWP指標(biāo)的要求越來越高。2）金屬雜質(zhì)。對半導(dǎo)體技術(shù)有害的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，例如鈉、鉀和鋰。重金屬也會造成金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來自化學(xué)溶液或半導(dǎo)體制造中的各種工藝，如離子注入，或化學(xué)物質(zhì)與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要是指含碳的物質(zhì)，可能來自細(xì)菌、潤滑劑、蒸汽、洗滌劑、溶劑和水分。4）自然氧化層。一方面，自然氧化層阻礙了其他工藝步驟，例如單晶膜的生長；另一方面，增加接觸電阻，降低甚至阻止電流流動。主要清洗方式:根據(jù)清洗方式的不同，精密清洗可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)原理，依靠機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等外部能量的作用，清除物體表面污垢的方法?；瘜W(xué)清洗是指利用化學(xué)溶劑，依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，去除物體表面污垢的方法。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將兩種方法結(jié)合使用，以獲得更好的清洗效果。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀特征中國集成電路產(chǎn)業(yè)在GDP比重不斷提升。根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會和國家統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)，2002年中國集成電路銷售額在GDP占比約為0．22%，2021年時已經(jīng)提升至0．91%，按照2021年集成電路銷售額占半導(dǎo)體市場87%計算，2021年中國半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額占GDP的比重超過1%，約為1．05%。作為對比，美國2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增加值對國內(nèi)GDP的貢獻(xiàn)約為2769億美元，其中：直接貢獻(xiàn)約961億美元，間接貢獻(xiàn)約856億美元，其他相關(guān)貢獻(xiàn)約953億美元。2021年美國GDP現(xiàn)價約為23．32萬億美元，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)占比約為1．19%。根據(jù)SIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2021年中國大陸市場半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額約為1877億美元，同比增長24．5%，與全球市場增速保持一致；2022年中國大陸半導(dǎo)體市場略微下降1．1%，約為1857億美元。市場份額上，2016年中國大陸市場占全球約31．5%，然后逐年提升至2019年的34．8%，近兩年略有下降，但整體較為穩(wěn)定，2022年中國大陸銷售占全球比重約為31．8%。集成電路（IC）產(chǎn)品在半導(dǎo)體市場占據(jù)主要份額。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2004年中國IC產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模約為545億元人民幣，2010年成長為1440億元規(guī)模，2021年則同。比增長21．3%至10458億元（約合1641億美元，占中國半導(dǎo)體市場約87%），首次突破萬億規(guī)模。近10年中國IC產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增速約為18．4%，高于全球IC市場6．5%的增速水平。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中，設(shè)計環(huán)節(jié)銷售額占比最高。2021年中國IC產(chǎn)業(yè)設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)分別占43%、30%和26%。從三大環(huán)節(jié)銷售額占比變化來看，IC設(shè)計環(huán)節(jié)銷售額占比自2004年以來不斷提升，制造環(huán)節(jié)銷售份額在2011年前后時間出現(xiàn)局部下降，此后回升至30%，份額占比趨于穩(wěn)定，而產(chǎn)業(yè)鏈價值較低的封測環(huán)節(jié)，則呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢。2020年，新冠病毒全球大流行加速了在線辦公滲透率提升，電腦、平板、手機(jī)等各類電子設(shè)備銷量大幅提升，旺盛需求推動多數(shù)晶圓廠產(chǎn)能利用率超過85%（正常水平約為80%左右），部分代工廠接近或超過100%。2021年，企業(yè)紛紛擴(kuò)大資本開支、提升產(chǎn)能，全球資本開支增速達(dá)到近幾年極大值。2022年后，地緣、通貨膨脹等因素致使全球經(jīng)濟(jì)放緩，H1資本開支仍在增加，但產(chǎn)能緊張局面已得到緩解，且晶圓廠的產(chǎn)能利用率21Q4已出現(xiàn)下滑，制造商開始削減未來資本支出預(yù)算。另一方面，存儲器市場的疲軟和美國對中國半導(dǎo)體生產(chǎn)商的限制（限制購買美國公司設(shè)備）也將對23年全球資本開支造成一定負(fù)面影響。ICInsights于11月22日下修預(yù)測，預(yù)計22年全球資本支出約為1817億美元，同比增速約18．7%，而23年預(yù)計全球半導(dǎo)體資本支出將下滑約19．3%至1466億美元。半導(dǎo)體設(shè)備清洗服務(wù)對象專用半導(dǎo)體設(shè)備一般指生產(chǎn)各種半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的配套環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體專用設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)龍頭，芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等都需要在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計制造。設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步反過來促進(jìn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度最高、附加值最大、工藝最復(fù)雜的集成電路為例，集成電路領(lǐng)域使用的設(shè)備通常可以分為前工藝設(shè)備和后工藝設(shè)備兩大類。其中，在之前的晶圓制造中，有七大工藝步驟，即氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗拋光、金屬化。相應(yīng)的專用設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占集成電路設(shè)備總市場規(guī)模的80%以上。其中，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備和薄膜生長設(shè)備是集成電路前期生產(chǎn)過程中最重要的三類設(shè)備。上述集成電路制造過程中的氧化/擴(kuò)散、光刻、刻