器件制備基礎(chǔ)_第1頁
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文檔簡介

器件制備基礎(chǔ)第1頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一4.1制備過程

1、清洗2、氧化3、擴(kuò)散或離子注入4、光刻5、薄膜沉積第2頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一1、清洗

常用硅片清洗液Ⅰ號(hào)液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7

使用條件：805C，煮10分鐘作用：去油脂，去光刻膠殘膜，去金屬離子和金屬原子Ⅱ號(hào)液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8

使用條件：805C，煮10分鐘作用：去金屬離子和金屬原子Ⅲ號(hào)液：配方：H2SO4：H2O2=3：1

使用條件：12010C，煮15分鐘作用：去油脂，去臘，去金屬離子和金屬原子第3頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一2、氧化干氧：Si+O2=SiO2

膜層致密，理想的Si-SiO2界面，生長速度慢濕氧：Si+2H2O=SiO2+2H2

生長速度快，膜層致密性較差第4頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一2、氧化氧化系統(tǒng)的簡單說明圖第5頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一2、氧化（100）面和（111）面SiO2的氧化生長曲線第6頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一3、擴(kuò)散基本工藝流程第7頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一3、擴(kuò)散4.5磷的液態(tài)源擴(kuò)散示意圖第8頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一3、擴(kuò)散

擴(kuò)散溫度900-1200C。

P源：POCl3,B源：BN，BO3

一般分為預(yù)擴(kuò)散和再擴(kuò)散預(yù)擴(kuò)散后：再擴(kuò)散后第9頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一4、光刻（1）涂膠（2）堅(jiān)膜（3）掩膜板（4）瀑光（5）顯影負(fù)光刻膠：光照后發(fā)生聚合反應(yīng)，難以去除正光刻膠：光照后，感光劑發(fā)生分解，容易去除。第10頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一5薄膜沉積第11頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一二、pn結(jié)二極管的制備第12頁，共13頁，

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