第七節(jié)電子能譜學(xué)演示文稿

第七節(jié)電子能譜學(xué)演示文稿目前一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)優(yōu)選第七節(jié)電子能譜學(xué)目前二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的定義電子能譜學(xué)可以定義為利用具有一定能量的粒子（光子，電子，離子，中性粒子）轟擊特定的樣品，研究從樣品中釋放出來(lái)的電子或離子的能量分布和空間分布，從而了解樣品的物理化學(xué)基本特征的方法。入射粒子與樣品中的原子發(fā)生相互作用，經(jīng)歷各種能量轉(zhuǎn)遞的物理效應(yīng)，最后釋放出的電子和粒子具有樣品中原子的特征信息。通過(guò)對(duì)這些信息的解析，可以獲得樣品中原子的各種信息如元素的含量，物質(zhì)的電子結(jié)構(gòu)，元素化學(xué)價(jià)態(tài)等。目前三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的物理基礎(chǔ)

電子能譜學(xué)的發(fā)展基礎(chǔ)是物理學(xué)，是物理的概念和技術(shù)為其它學(xué)科所用。電子能譜學(xué)的基本原理均來(lái)源于物理學(xué)的重大發(fā)現(xiàn)和重要的物理效應(yīng)。如：光電子能譜的建立的基礎(chǔ)是Einstein的光電效應(yīng)，俄歇電子能譜的基礎(chǔ)是俄歇電子的發(fā)現(xiàn)。物理學(xué)是電子能譜學(xué)的發(fā)展基礎(chǔ)，但電子能譜學(xué)的應(yīng)用不僅僅局限于物理學(xué)，在化學(xué)，材料以及電子等學(xué)科方面具有重要的應(yīng)用前景。目前四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)與其它學(xué)科的關(guān)系

現(xiàn)代電子能譜學(xué)已經(jīng)發(fā)展為一門(mén)獨(dú)立的，完整的學(xué)科。但電子能譜學(xué)也同樣是與多種學(xué)科交叉和融合的?？偟膩?lái)說(shuō)，電子能譜學(xué)融合了物理學(xué)，電子學(xué)，計(jì)算機(jī)以及化學(xué)等學(xué)科。它是這些學(xué)科發(fā)展的交叉點(diǎn)，涉及到固體物理，真空電子學(xué)，物理化學(xué)，計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)等領(lǐng)域。目前五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的發(fā)展基礎(chǔ)（1）

電子能譜學(xué)發(fā)展的最重要的基礎(chǔ)是物理學(xué)。物理學(xué)理論和效應(yīng)的發(fā)展和建立是電子能譜學(xué)的理論基礎(chǔ)。如愛(ài)因斯坦的光電效應(yīng)理論，實(shí)際上就是光電子能譜的最基本的理論。在該理論中指明了光電子能量與發(fā)射電子能量的關(guān)系。此外，由于由樣品表面發(fā)射的電子或離子的信號(hào)非常微弱，一般在10－11A的量級(jí)，因此，沒(méi)有前置放大技術(shù)，根本不可能獲得譜圖。此外，分析器的能量分辨率，直接關(guān)系到電子能譜的應(yīng)用，必須具有足夠的分辨率，才能在表面分析上應(yīng)用。微電子技術(shù)是電子能譜學(xué)發(fā)展的技術(shù)基礎(chǔ)計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，大大促進(jìn)了電子能譜學(xué)的深層次的發(fā)展，如界面化學(xué)結(jié)構(gòu)信息等。目前六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的發(fā)展基礎(chǔ)（2）真空技術(shù)的發(fā)展是電子能譜學(xué)發(fā)展的重要前提。由于粒子可以和氣體分子發(fā)生碰撞，從而損失能量。沒(méi)有超高真空技術(shù)的發(fā)展，各種粒子很難到達(dá)固體樣品表面，從固體表面發(fā)射出的電子或離子也不能到達(dá)檢測(cè)器，從而難以獲得電子能譜的信息。此外，電子能譜的信息主要來(lái)源于樣品表面，沒(méi)有超高真空技術(shù)，獲得穩(wěn)定的清潔表面是非常困難的。一個(gè)清潔表面暴露在1.33×10－4Pa的真空中1秒，就可以在樣品表面吸附一個(gè)原子層。沒(méi)有超高真空，就沒(méi)有清潔表面，也就不能發(fā)展電子能譜技術(shù)。目前七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的研究?jī)?nèi)容（1）

電子能譜學(xué)的內(nèi)容非常廣泛，凡是涉及到利用電子，離子能量進(jìn)行分析的技術(shù)，均可歸屬為電子能譜學(xué)的范圍。根據(jù)激發(fā)粒子以及出射粒子的性質(zhì)，可以分為以下幾種技術(shù)。紫外光電子能譜（UltravioletPhotoelectronSpectroscopy，UPS），X射線光電子能譜（X－rayPhotoelectronSpectroscopy，XPS）,俄歇電子能譜（AugerElectronSpectroscopy,AES），離子散射譜（IonScatteringSpectroscopy，ISS），電子能量損失譜（ElectronEnergyLossSpectroscopy，EELS）等。各種類型的電子能譜以及產(chǎn)生機(jī)理圖可見(jiàn)表一和圖1。目前八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的研究?jī)?nèi)容（2）目前九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)與表面分析的關(guān)系電子能譜學(xué)與表面分析有著不可分割的關(guān)系。電子能譜學(xué)中的主要技術(shù)均具有非常靈敏的表面性，是表面分析的主要工具。而表面分析在微電子器件，催化劑，材料保護(hù)，表面改性以及功能薄膜材料等方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值。這些領(lǐng)域的發(fā)展促進(jìn)了表面分析技術(shù)的發(fā)展，同樣也就促進(jìn)了電子能譜學(xué)的發(fā)展。電子能譜學(xué)的特點(diǎn)是其表面性以及價(jià)態(tài)關(guān)系，這決定了電子能譜在表面分析中的地位。表2是不同表面分析技術(shù)的特點(diǎn)，從中可以認(rèn)識(shí)到，電子能譜在表面分析中所占據(jù)的決定地位。目前十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)與表面分析的關(guān)系目前十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)與表面分析的關(guān)系目前十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)的應(yīng)用

電子能譜學(xué)的應(yīng)用主要在表面分析和價(jià)態(tài)分析方面。可以給出表面的化學(xué)組成，原子排列，電子狀態(tài)等信息。對(duì)于XPS和AES還可以對(duì)表面元素做出一次全部定性和定量分析，還可以利用其化學(xué)位移效應(yīng)進(jìn)行元素價(jià)態(tài)分析；利用離子束的濺射效應(yīng)可以獲得元素沿深度的化學(xué)成份分布信息。此外，利用其高空間分別率，還可以進(jìn)行微區(qū)選點(diǎn)分析，線分布掃描分析以及元素的面分布分析。這些技術(shù)使得電子能譜學(xué)在材料科學(xué)，物理學(xué)，化學(xué)，半導(dǎo)體以及環(huán)境等方面具有廣泛的應(yīng)用。目前十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜的發(fā)展趨勢(shì)

電子能譜的總體發(fā)展趨勢(shì)是向高空間分辨，高能量分辨，圖像分析方面發(fā)展。目前，最先進(jìn)的XPS其空間分辨率可達(dá)到10微米，最先進(jìn)的俄歇電子能譜其空間分辨率可達(dá)到6nm。此外，隨著納米技術(shù)與薄膜技術(shù)的發(fā)展，對(duì)其深度分辨能率也越來(lái)越高。目前十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)本課程的主要內(nèi)容X射線光電子能譜（XPS） 基本原理 儀器裝置 實(shí)驗(yàn)技術(shù)與分析方法 在典型領(lǐng)域的研究應(yīng)用紫外光電子能譜（UPS）俄歇電子能譜（AES）離子散射譜（ISS)電子能量損失譜（EELS)目前十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子能譜學(xué)

X射線光電子能譜基本原理目前十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)光電子能譜發(fā)展歷史

光電效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)Einstein關(guān)系式光電子能譜的建立光電子能譜的應(yīng)用光電子能譜的發(fā)展趨勢(shì)目前十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)發(fā)展歷史1905Einstein建立光電理論解釋了堿金屬經(jīng)光線輻照產(chǎn)生光電流的光電效應(yīng)；hv=Ik+Ek40-50年代發(fā)現(xiàn)用X射線照射固體材料并測(cè)量由此引起的電子動(dòng)能的分布，但當(dāng)時(shí)可達(dá)到的分辯率還不足以觀測(cè)到光電子能譜上的光電子峰。1958年，K.Siegbahn首次觀測(cè)到光電子峰現(xiàn)象，并發(fā)現(xiàn)此方法可以用來(lái)研究元素的種類及其化學(xué)狀態(tài)?！盎瘜W(xué)分析光電子能譜（EletronSpectroscopyforChemicalAnalysis-ESCA）60年代以來(lái)，隨著微電子，超高真空以及計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，以及新材料對(duì)表面分析的需求，逐漸形成了X射線光電子能譜。60年代開(kāi)始研究?jī)x器，70年代，商用儀器多功能，小面積，圖像化，微區(qū)分析，自動(dòng)化目前十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線光電子能譜儀發(fā)展歷史50年代，K.Siegbahn(西格巴恩,瑞典科學(xué)家)研制成功XPS譜儀60年代，發(fā)展成為商用儀器主要：PHI公司，VG公司，Karatos公司發(fā)展方向：?jiǎn)紊?，小面積，成像XPS目前二十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS能譜儀的構(gòu)成主要部件：真空系統(tǒng)；X射線源；離子源‘能量分析系統(tǒng)電子控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)X射線光電子能譜儀結(jié)構(gòu)框圖

目前二十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前二十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前二十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)真空系統(tǒng)為什么需要超高真空？電子的平均自由程；（10－5Torr，50m）清潔表面（10－6torr，1s，原子單層）場(chǎng)發(fā)射離子槍要求（10-8torr）

XPS要求：10-8torr以上

目前二十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)真空系統(tǒng)的構(gòu)成機(jī)械泵：有油污染，噪音，10－3torr吸附泵：干凈，需要液氮，容量小，10－3torr油擴(kuò)泵：價(jià)格低，油污染，10－6－

10－10torr

渦輪分子泵：體積小，半無(wú)油，抽速大，價(jià)高噪音大，10－8torr濺射離子泵：高真空，無(wú)油，需要前級(jí)真空無(wú)噪音，10－11torr升華泵：抽速高，需要前級(jí)真空，消耗性目前二十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)濺射離子泵陰陽(yáng)極之間高壓（5KV）放電產(chǎn)生電子，和氣體分子碰撞，產(chǎn)生離子。高速離子撞擊鈦板，射入Ti板中被吸收，達(dá)到抽氣目的，獲得超高真空磁場(chǎng)使電子產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，碰撞產(chǎn)生更多的離子；對(duì)水氣，H2比較困難，H離子不容易吸收。目前二十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線源X射線的產(chǎn)生；光電子能譜用X射線特點(diǎn)X射線源的結(jié)構(gòu)X射線的單色化X射線的聚焦和掃描目前二十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線的產(chǎn)生X射線是特征射線，不是連續(xù)波，能量具有單色性；X射線的能量與材料有關(guān)；X射線不是一根線，具有一系列線；XPS需要單色的，一定能量的X射線目前二十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線源結(jié)構(gòu)由燈絲，陽(yáng)極靶及慮窗組成一般采用雙陽(yáng)極靶常用Mg/Al雙陽(yáng)極靶（1253.6，1486.6eV）加鋁窗或Be窗，阻隔電子進(jìn)入分析室，也阻隔X射線輻射損傷樣品。燈絲不面對(duì)陽(yáng)極靶，避免陽(yáng)極的污染目前二十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)Mg/Al雙陽(yáng)極X射線源能量范圍適中（1253.7和1486.7eV）X射線的能量范圍窄（0.7和0.85eV）能激發(fā)幾乎所有的元素產(chǎn)生光電子；靶材穩(wěn)定，容易保存以及具有較高的壽命目前三十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前三十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)不同射線源的能量和線寬目前三十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線源的選擇對(duì)于一些元素，其結(jié)合能較高，選擇高能量靶，可以提高信號(hào)強(qiáng)度；對(duì)于一些元素，需要高的能量分辨率以及低結(jié)合能端的信息，就可以采用低能靶；對(duì)于研究XAES線，一般需要采用高能靶。低能靶的能量分辨率高，對(duì)價(jià)帶峰和低動(dòng)能峰有利；高能靶激發(fā)能量強(qiáng)，能量分別率差。目前三十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)不同X射線源激發(fā)的XPS譜目前三十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)同步輻射源能量范圍可調(diào)；單色性好；峰寬窄；射線強(qiáng)度大聚焦束斑小裝置復(fù)雜固定場(chǎng)所價(jià)格貴目前三十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前三十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)X射線的單色化X射線均具有很寬的自然寬度，能量分辨率受到限制；必須進(jìn)行單色化；X射線難以聚焦，單色化很困難；一般采用Rowland圓晶體進(jìn)行單色化（衍射方式）。強(qiáng)度為原來(lái)的1%。目前三十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)使用石英晶體單色化AlK射線（ScientaESCA300譜儀示意圖借助于石英晶體單色器，有可能將AlK射線單色化，其結(jié)果是消除了韌致輻射、伴峰和寄生線，并使特征X射線線寬降低到低于0.3eV。目前三十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前三十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前四十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS特點(diǎn)XPS的主要特點(diǎn)是它能在不太高的真空度下進(jìn)行表面分析研究，這是其它方法都做不到的。當(dāng)用電子束激發(fā)時(shí)，如用AES法，必須使用超高真空，以防止樣品上形成碳的沉積物而掩蓋被測(cè)表面。X射線比較柔和的特性使我們有可能在中等真空程度下對(duì)表面觀察若干小時(shí)而不會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。此外，化學(xué)位移效應(yīng)也是XPS法不同于其它方法的另一特點(diǎn)，即采用直觀的化學(xué)認(rèn)識(shí)即可解釋XPS中的化學(xué)位移，相比之下，在AES中解釋起來(lái)就困難的多。目前四十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)光電子譜線的特點(diǎn)及表示光電子譜線與原子結(jié)構(gòu)有關(guān)其特點(diǎn)是量子化的標(biāo)記可用激發(fā)躍遷的能級(jí)來(lái)標(biāo)記目前四十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)表面靈敏度XPS探測(cè)的是從固體表面層發(fā)射出來(lái)的，攜帶有大量表面信息（表面結(jié)構(gòu)，元素組成，化學(xué)鍵及其表面電子結(jié)構(gòu)等信息）的光電子；XPS攜帶信息的深度與多種因素有關(guān)；一般可以用電子的非彈性散射平均自由程來(lái)描述；對(duì)于XPS，其探測(cè)深度為1-5nm；目前四十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)結(jié)合能原理光電子能譜的結(jié)合能原理氣體分子的結(jié)合能固體物質(zhì)的結(jié)合能凈電荷的計(jì)算弛豫過(guò)程目前四十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)結(jié)合能的概念結(jié)合能是指在某一元素的原子結(jié)構(gòu)中某一軌道電子和和原子核結(jié)合的能量。結(jié)合能與元素種類以及所處的原子軌道有關(guān)，能量是量子化的。結(jié)合能反映了原子結(jié)構(gòu)中軌道電子的信息。對(duì)于氣態(tài)分子，結(jié)合能就等于某個(gè)軌道的電離能，而對(duì)于固態(tài)中的元素，結(jié)合能還需要進(jìn)行儀器功函的修正。目前四十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)結(jié)合能的理想解釋

原子的軌道能級(jí)光子和原子碰撞產(chǎn)生相互作用原子軌道上的電子被激發(fā)出來(lái)激發(fā)出的電子克服儀器功函進(jìn)入真空，變成自由電子每個(gè)原子有很多原子軌道，每個(gè)軌道上的結(jié)合能是不同的；結(jié)合能只與能級(jí)軌道有關(guān)，是量子化的；內(nèi)層軌道的結(jié)合能高于外層軌道的結(jié)合能；目前四十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)氣體分子的結(jié)合能結(jié)合能與電離能的關(guān)系Koopmass近似：認(rèn)為在光電子激發(fā)過(guò)程，原子核是被凍結(jié)的，對(duì)電子沒(méi)有影響?？梢哉J(rèn)為原子的結(jié)合能就是原子的軌道電離能；Eb=I分子弛豫能：由于電離過(guò)程對(duì)分子產(chǎn)生的微擾作用，使得軌道電子的能量產(chǎn)生微小變化，分子弛豫能ER；Eb＝I－ER目前四十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電子相關(guān)作用電子相關(guān)效應(yīng)：原子核中多電子的相互作用使電離能增加的效應(yīng)；含N個(gè)電子的中性分子的電子相關(guān)能要比含（N－1）個(gè)電子的離子的電子相關(guān)能要高；Eb＝I－ER－Ecorr目前四十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)氣體分子結(jié)合能與分子軌道的關(guān)系目前四十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)結(jié)合能的表述

固體樣品在光電離過(guò)程中，固體物質(zhì)的結(jié)合能可以用下面的方程表示：Ek=h

-Eb-s

式中Ek

出射的光電子的動(dòng)能,eV;h

X射線源光子的能量,eV；

Eb

特定原子軌道上的結(jié)合能,eV；

s

譜儀的功函,eV。譜儀的功函主要由譜儀材料和狀態(tài)決定，對(duì)同一臺(tái)譜儀基本是一個(gè)常數(shù)，與樣品無(wú)關(guān)，其平均值為3～4eV。目前五十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)導(dǎo)電樣品的能級(jí)圖導(dǎo)電樣品與譜儀的導(dǎo)電性能好，兩者的費(fèi)米能級(jí)相同Ek=h

-Eb-s目前五十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)非導(dǎo)電樣品的能級(jí)圖非導(dǎo)體樣品存在帶間，費(fèi)米能級(jí)為帶間隙的一半處，但大多數(shù)情況帶間隙是不清晰的，因此，費(fèi)米能級(jí)是不確定的；功函的校準(zhǔn)就存在不確定性；Ek=h

-Eb-s目前五十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS結(jié)合能在XPS分析中，由于采用的X射線激發(fā)源的能量較高，不僅可以激發(fā)出原子價(jià)軌道中的價(jià)電子，還可以激發(fā)出芯能級(jí)上的內(nèi)層軌道電子，其出射光電子的能量?jī)H與入射光子的能量及原子軌道結(jié)合能有關(guān)。因此，對(duì)于特定的單色激發(fā)源和特定的原子軌道，其光電子的能量是特征的。當(dāng)固定激發(fā)源能量時(shí)，其光電子的能量?jī)H與元素的種類和所電離激發(fā)的原子軌道有關(guān)。因此，我們可以根據(jù)光電子的結(jié)合能定性分析物質(zhì)的元素種類。目前五十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)化學(xué)位移

化學(xué)位移概念

雖然出射的光電子的結(jié)合能主要由元素的種類和激發(fā)軌道所決定，但由于原子內(nèi)部外層電子的屏蔽效應(yīng)，芯能級(jí)軌道上的電子的結(jié)合能在不同的化學(xué)環(huán)境中是不一樣的，有一些微小的差異。這種結(jié)合能上的微小差異就是元素的化學(xué)位移，它取決于元素在樣品中所處的化學(xué)環(huán)境。一般，元素獲得額外電子時(shí)，化學(xué)價(jià)態(tài)為負(fù)，該元素的結(jié)合能降低。反之，當(dāng)該元素失去電子時(shí)，化學(xué)價(jià)為正，XPS的結(jié)合能增加。利用這種化學(xué)位移我們可以分析元素在該物種中的化學(xué)價(jià)態(tài)和存在形式。元素的化學(xué)價(jià)態(tài)分析是XPS分析的最重要的應(yīng)用之一。目前五十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)典型化合物的化學(xué)位移C－FC＝OC-OC-C目前五十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)化學(xué)位移的理論計(jì)算

一般取自由原子的結(jié)合能作為比較的基點(diǎn)，因此化學(xué)位移可以通過(guò)分子中原子的結(jié)合能與自由原子的結(jié)合能差值進(jìn)行計(jì)算。

ΔE＝E（M）－E（A）

ΔE為化學(xué)位移，E（M）和E（A）分別為原子在分子中以及自由原子中的結(jié)合能。理論上，可以通過(guò)量子化學(xué)計(jì)算出以上的結(jié)合能和化學(xué)位移，實(shí)際上難度很大，一般采用近似模型進(jìn)行理論計(jì)算。常采用的模型有電荷勢(shì)能模型和弛豫勢(shì)能模型。理論模型有利于對(duì)化學(xué)位移的理解，實(shí)際上采用實(shí)驗(yàn)測(cè)定值。目前五十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電荷勢(shì)模型假設(shè)原子內(nèi)層原子實(shí)內(nèi)的電子位于原子核的周?chē)?，距離外層原子很遠(yuǎn)，芯電子好似處于空心靜電球的球心位置，它感受到外層價(jià)電子對(duì)它的勢(shì)場(chǎng)作用，如下圖所示。假設(shè)價(jià)殼層的電荷和半徑分別為q和r，則根據(jù)物理學(xué)原子，芯電子感受到外層價(jià)電子的勢(shì)能為qe2/r。因此其化學(xué)位移可用下式表示。化學(xué)位移表達(dá)式目前五十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電荷勢(shì)模型在一個(gè)分子中，當(dāng)X,Y兩個(gè)原子之間的距離為無(wú)限遠(yuǎn)時(shí)，也即為各自單獨(dú)原子時(shí)，兩原子間沒(méi)有相互作用，其化學(xué)位移為零。但當(dāng)兩者相互靠近時(shí)，當(dāng)存在一個(gè)價(jià)電子從X原子向Y原子轉(zhuǎn)移時(shí)，將引起X原子芯能級(jí)電子結(jié)合能的變化，其值為1/rx,同時(shí)Y原子芯能級(jí)電子的結(jié)合能也將發(fā)生變化，其值為－1/ry。當(dāng)最終兩個(gè)原子形成X＋Y－離子對(duì)時(shí)，原子X(jué)全部變?yōu)閄＋離子，其芯能級(jí)電子所感受到的化學(xué)位移ΔEX可以用下式表示：目前五十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)電荷勢(shì)模型對(duì)原Y原子芯能級(jí)所感受到的化學(xué)位移可用下式表達(dá)。由此可見(jiàn)，化學(xué)位移主要來(lái)自價(jià)電子轉(zhuǎn)移所引起的勢(shì)能變化。在一般的多原子體系中，原子i上的電荷為qi，原子i與其周?chē)脑觠相結(jié)合，其化學(xué)位移ΔEi可用下式描述。其中k為原子i的一個(gè)芯能級(jí)電子與其上的一個(gè)價(jià)電子間的平均排坼能（即單中心積分）。上式表面元素的化學(xué)位移與qi間有線性關(guān)系。目前五十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)弛豫勢(shì)能模型在靜電勢(shì)能模型中忽略了弛豫效應(yīng)，因此在很多場(chǎng)合不能合理解釋化學(xué)位移效應(yīng)。弛豫效應(yīng)是由光電離后的空穴所引起的，可分為原子內(nèi)弛豫（原子i）和原子外弛豫（原子j）兩個(gè)部分。在大部分場(chǎng)合，可以假定化學(xué)位移不受弛豫能的影響，但對(duì)于一些場(chǎng)合必須考慮原子弛豫能的影響。考慮弛豫能對(duì)結(jié)合能的影響，1s軌道的結(jié)合能可用下式表示：其中，ε（1s）為基態(tài)中1s軌道的能量；ε（1s）*為1s軌道空穴態(tài)中1s軌道的能量。目前六十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)弛豫勢(shì)能模型其化學(xué)位移可用下式表示：通過(guò)勢(shì)能位近似代表軌道能量位移，可用下式表示：等效原子芯近似，把帶有一個(gè)芯空穴的離子的價(jià)殼層電勢(shì)能看做與多一個(gè)正電荷的芯電子相同，化學(xué)位移可用下式表達(dá)：目前六十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)弛豫勢(shì)能模型目前六十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)化學(xué)位移的影響因素從化學(xué)位移的理論表達(dá)式可見(jiàn)，首先化學(xué)位移和原子所處的形式電荷有關(guān)。當(dāng)原子所在環(huán)境中，失去的形式電荷越高，具有正電荷呈氧化態(tài)，其結(jié)合能高于自由原子的結(jié)合能，化學(xué)位移為正，反之，得到電荷，化學(xué)位移為負(fù)，見(jiàn)表1。對(duì)于具有相同形式電荷的原子，由于與其結(jié)合的相鄰原子的電負(fù)性不同，同樣也可以產(chǎn)生化學(xué)位移。一般可用凈電荷來(lái)評(píng)價(jià)，一般與電負(fù)性強(qiáng)的元素相鄰的原子，其化學(xué)位移也為正。對(duì)于一些固體物質(zhì)，還必須考慮弛豫效應(yīng)的影響。目前六十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)化學(xué)位移的影響因素目前六十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)表面化學(xué)位移

由于表面效應(yīng)，表面上原子的價(jià)電子組態(tài)，晶相結(jié)構(gòu)均可能與體相有差異，同樣可以導(dǎo)致結(jié)合能的位移。這樣結(jié)合能的位移稱為表面化學(xué)位移。表面化學(xué)位移的存在主要和表面的懸空鍵有關(guān)。圖為稀土元素表面能級(jí)相對(duì)于體相的表面位移。表面結(jié)合能位移對(duì)電荷的再分布以及化學(xué)吸附非常敏感，可以提供很多信息。

目前六十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)表面化學(xué)位移目前六十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)原子簇芯層位移

隨著納米材料研究的增加，發(fā)現(xiàn)納米材料具有一些與體相不同的性能。一般原子簇介于自由原子和體相材料之間，其行為狀態(tài)也與自由原子和體相材料不同。右圖給出了原子簇的能級(jí)圖。隨著原子簇尺寸的增加，原子的電離能降低。目前六十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS樣品的制備和前處理XPS實(shí)驗(yàn)方法的種類和重要性XPS分析方法的種類和重要性XPS的信息來(lái)源及適用范圍樣品的測(cè)試目前六十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)樣品的制備X射線光電子能譜儀對(duì)待分析的樣品有特殊的要求，在通常情況下只能對(duì)固體樣品進(jìn)行分析。由于涉及到樣品在超高真空中的傳遞和分析，待分析的樣品一般都需要經(jīng)過(guò)一定的預(yù)處理。主要包括樣品的大小，粉體樣品的處理,揮發(fā)性樣品的處理，表面污染樣品及帶有微弱磁性的樣品的處理。目前六十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中樣品必須通過(guò)傳遞桿，穿過(guò)超高真空隔離閥，送進(jìn)樣品分析室。因此，樣品的尺寸必須符合一定的大小規(guī)范。對(duì)于塊體樣品和薄膜樣品，其長(zhǎng)寬最好小于10mm,高度小于5mm。對(duì)于體積較大的樣品則必須通過(guò)適當(dāng)方法制備成合適大小的樣品。但在制備過(guò)程中，必須考慮到處理過(guò)程可能會(huì)對(duì)表面成分和狀態(tài)的影響。樣品的大小目前七十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)粉體樣品粉體樣品有兩種制樣方法，一種是用雙面膠帶直接把粉體固定在樣品臺(tái)上，另一種是把粉體樣品壓成薄片，然后再固定在樣品臺(tái)上。前者的優(yōu)點(diǎn)是制樣方便，樣品用量少，預(yù)抽到高真空的時(shí)間較短，缺點(diǎn)是可能會(huì)引進(jìn)膠帶的成分。在普通的實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，一般采用膠帶法制樣。后者的優(yōu)點(diǎn)是可在真空中對(duì)樣品進(jìn)行處理，如原位和反應(yīng)等，其信號(hào)強(qiáng)度也要比膠帶法高得多。缺點(diǎn)是樣品用量太大，抽到超高真空的時(shí)間太長(zhǎng)。目前七十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)揮發(fā)性材料對(duì)于含有揮發(fā)性物質(zhì)的樣品，在樣品進(jìn)入真空系統(tǒng)前必須清除掉揮發(fā)性物質(zhì)。一般可以通過(guò)對(duì)樣品加熱或用溶劑清洗等方法。在處理樣品時(shí)，應(yīng)該保證樣品中的成份不發(fā)生、化學(xué)變化。目前七十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)污染樣品對(duì)于表面有油等有機(jī)物污染的樣品，在進(jìn)入真空系統(tǒng)前必須用油溶性溶劑如環(huán)己烷，丙酮等清洗掉樣品表面的油污。最后再用乙醇清洗掉有機(jī)溶劑，對(duì)于無(wú)機(jī)污染物，可以采用表面打磨以及離子束濺射的方法來(lái)清潔樣品。為了保證樣品表面不被氧化，一般采用自然干燥。目前七十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)帶有磁性的材料由于光電子帶有負(fù)電荷，在微弱的磁場(chǎng)作用下，也可以發(fā)生偏轉(zhuǎn)。當(dāng)樣品具有磁性時(shí)，由樣品表面出射的光電子就會(huì)在磁場(chǎng)的作用下偏離接收角，最后不能到達(dá)分析器，因此，得不到正確的XPS譜。此外，當(dāng)樣品的磁性很強(qiáng)時(shí)，還有可能使分析器頭及樣品架磁化的危險(xiǎn)，因此，絕對(duì)禁止帶有磁性的樣品進(jìn)入分析室。一般對(duì)于具有弱磁性的樣品，可以通過(guò)退磁的方法去掉樣品的微弱磁性，然后就可以象正常樣品一樣分析。目前七十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)離子束濺射樣品表面的清潔；樣品表面層的剝離；Ar離子，氧離子，銫離子，鎵離子等固定濺射和掃描濺射方式濺射的均勻性目前七十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)氣源燈絲電離室電磁透鏡掃描系統(tǒng)目前七十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)濺射因素作為深度分析的離子槍，一般采用0.5～5KeV的Ar離子源。掃描離子束的束斑直徑一般在1～10mm范圍，濺射速率范圍為0.1～50nm/min。為了提高深度分辯率，一般應(yīng)采用間斷濺射的方式。為了減少離子束的坑邊效應(yīng)，應(yīng)增加離子束的直徑。為了降低離子束的擇優(yōu)濺射效應(yīng)及基底效應(yīng)，應(yīng)提高濺射速率和降低每次濺射的時(shí)間。離子束的濺射還原作用可以改變?cè)氐拇嬖跔顟B(tài)，許多氧化物可以被還原成較低價(jià)態(tài)的氧化物，如Ti,Mo,Ta等目前七十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)濺射因素：離子束的濺射速率不僅與離子束的能量和束流密度有關(guān)；還與濺射材料的性質(zhì)有關(guān)。離子束能量低，濺射速率慢，其它效應(yīng)大；離子束能量過(guò)高，注入效應(yīng)大，樣品損傷大，但濺射速率可能降低；一般3-10KeV適合濺射。一般的深度分析所給出的深度值均是相對(duì)與某種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的相對(duì)濺射速率。目前七十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)離子束濺射技術(shù)

在X射線光電子能譜分析中，為了清潔被污染的固體表面，常常利用離子槍發(fā)出的離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行濺射剝離，清潔表面。離子束更重要的應(yīng)用則是樣品表面組分的深度分析。利用離子束可定量地剝離一定厚度的表面層，然后再用XPS分析表面成分，這樣就可以獲得元素成分沿深度方向的分布圖，即深度剖析。。目前七十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)樣品的荷電及消除

荷電的產(chǎn)生對(duì)于絕緣體樣品或?qū)щ娦阅懿缓玫臉悠?，?jīng)X射線輻照后，其表面會(huì)產(chǎn)生一定的電荷積累，主要是荷正電荷。荷正電的主要原因是光電子出射后，在樣品表面積累的正電荷不能得到電子的補(bǔ)充所引起的。樣品表面荷電相當(dāng)于給從表面出射的自由的光電子增加了一定的額外電場(chǎng),使得測(cè)得的結(jié)合能比正常的要高。目前八十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)荷電的消除

樣品荷電問(wèn)題非常復(fù)雜，一般難以用某一種方法徹底消除。表面蒸鍍導(dǎo)電物質(zhì)如金，碳等；蒸鍍厚度對(duì)結(jié)合能的測(cè)定的影響；蒸鍍物質(zhì)與樣品的相互作用的影響；利用低能電子中和槍，輻照大量的低能電子到樣品表面，中和正電荷。如何控制電子流密度合適，不產(chǎn)生過(guò)中和現(xiàn)象。目前八十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)荷電的校準(zhǔn)

在實(shí)際的XPS分析中，一般采用內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行校準(zhǔn)。通常有金內(nèi)標(biāo)法和碳內(nèi)標(biāo)法；最常用的方法是用真空系統(tǒng)中最常見(jiàn)的有機(jī)污染碳的C1s的結(jié)合能為284.6eV，進(jìn)行校準(zhǔn)。也可以利用檢測(cè)材料中已知狀態(tài)元素的結(jié)合能進(jìn)行校準(zhǔn)。目前八十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS的定性分析

XPS定性分析依據(jù)XPS產(chǎn)生的光電子的結(jié)合能僅與元素種類以及所激發(fā)的原子軌道有關(guān)。特定元素的特定軌道產(chǎn)生的光電子能量是固定的，依據(jù)其結(jié)合能就可以標(biāo)定元素；從理論上，可以分析除H，He以外的所有元素，并且是一次全分析，范圍非常廣。目前八十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定性分析方法最常用的分析方法，一般利用XPS譜儀的寬掃描程序。為了提高定性分析的靈敏度，一般應(yīng)加大通能，提高信噪比通常XPS譜圖的橫坐標(biāo)為結(jié)合能，縱坐標(biāo)為光電子的計(jì)數(shù)率。在分析譜圖時(shí)，首先必須考慮的是消除荷電位移。對(duì)于金屬和半導(dǎo)體樣品幾乎不會(huì)荷電，因此不用校準(zhǔn)。但對(duì)于絕緣樣品，則必須進(jìn)行校準(zhǔn)。因?yàn)椋?dāng)荷電較大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致結(jié)合能位置有較大的偏移，導(dǎo)致錯(cuò)誤判斷。目前八十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定性分析方法在使用計(jì)算機(jī)自動(dòng)標(biāo)峰時(shí)，同樣會(huì)產(chǎn)生這種情況。一般來(lái)說(shuō)，只要該元素存在，其所有的強(qiáng)峰都應(yīng)存在，否則應(yīng)考慮是否為其他元素的干擾峰。一般激發(fā)出來(lái)的光電子依據(jù)激發(fā)軌道的名稱進(jìn)行標(biāo)記如C1s，Cu2p等。目前八十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定性分析由于X射線激發(fā)源的光子能量較高，可以同時(shí)激發(fā)出多個(gè)原子軌道的光電子，因此在XPS譜圖上會(huì)出現(xiàn)多組譜峰。由于大部分元素都可以激發(fā)出多組光電子峰，因此可以利用這些峰排除能量相近峰的干擾，非常有利于元素的定性標(biāo)定。此外，由于相近原子序數(shù)的元素激發(fā)出的光電子的結(jié)合能有較大的差異，因此相鄰元素間的干擾作用很小。目前八十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定性分析由于光電子激發(fā)過(guò)程的復(fù)雜性，在XPS譜圖上不僅存在各原子軌道的光電子峰，同時(shí)還存在部分軌道的自旋裂分峰，K1,2產(chǎn)生的衛(wèi)星峰，以及X射線激發(fā)的俄歇峰等。因此，在定性分析時(shí)必須注意。現(xiàn)在，定性標(biāo)記的工作可由計(jì)算機(jī)進(jìn)行，但經(jīng)常會(huì)發(fā)生標(biāo)記錯(cuò)誤，應(yīng)加以注意。此外，對(duì)于不導(dǎo)電樣品，由于荷電效應(yīng)，經(jīng)常會(huì)使結(jié)合能發(fā)生變化，導(dǎo)致定性分析得出不正確的結(jié)果。目前八十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定性分析高純Al基片上沉積的Ti(CN)x薄膜的XPS譜圖，激發(fā)源為MgK。譜圖解析標(biāo)志介紹元素鑒別目前八十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定量分析影響譜峰強(qiáng)度的因素

儀器因素；光電離過(guò)程的影響光電離截面；樣品影響光電子非彈性散射平均自由程

平均自由程；采樣深度XPS的定量計(jì)算本底扣除；理論模型法；靈敏度因子法

目前八十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前九十頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS的定量計(jì)算

本底扣除由于在光電子的非彈性碰撞過(guò)程中，有一部分電子的能量會(huì)產(chǎn)生連續(xù)的損失，因此，在XPS譜圖上會(huì)產(chǎn)生大量的二次背景電子。在低動(dòng)能端會(huì)產(chǎn)生很高的背景，在進(jìn)行準(zhǔn)確的定量分析時(shí)，必須扣去背景的影響。一般經(jīng)常采樣的方法有直線扣背景法，主要適合低動(dòng)能端的背景扣除；目前九十一頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)目前九十二頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)XPS定量計(jì)算方法理論模型法基于光電子的激發(fā)，光電子在固體中的運(yùn)動(dòng)以及光電子的檢測(cè)等方面的模型，進(jìn)行理論計(jì)算的方法，誤差在10%。與譜儀結(jié)構(gòu)，操作條件，樣品的污染等密切相關(guān)，限制了其應(yīng)用。目前九十三頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)元素靈敏度因子法元素靈敏度因子法是一種半經(jīng)驗(yàn)的相對(duì)定量方法，使用非常廣泛，可以去除儀器的因素。是目前常用的定量分析方法。目前九十四頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)化學(xué)價(jià)態(tài)分析表面元素化學(xué)價(jià)態(tài)分析是XPS的最重要的一種分析功能，也是XPS譜圖解析最難，比較容易發(fā)生錯(cuò)誤的部分。在進(jìn)行元素化學(xué)價(jià)態(tài)分析前，首先必須對(duì)結(jié)合能進(jìn)行正確的校準(zhǔn)。因?yàn)榻Y(jié)合能隨化學(xué)環(huán)境的變化較小，而當(dāng)荷電校準(zhǔn)誤差較大時(shí)，很容易標(biāo)錯(cuò)元素的化學(xué)價(jià)態(tài)。此外，有一些化合物的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)依據(jù)不同的作者和儀器狀態(tài)存在很大的差異，在這種情況下這些標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)僅能作為參考，最好是自己制備標(biāo)準(zhǔn)樣，這樣才能獲得正確的結(jié)果。有一些化合物的元素不存在標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，要判斷其價(jià)態(tài)，必須用自制的標(biāo)樣進(jìn)行對(duì)比。目前九十五頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)深度剖析方法變角XPS分析法離子束濺射深度剖析法目前九十六頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)變角XPS法變角XPS深度分析是一種非破壞性的深度分析技術(shù)，但只能適用于表面層非常?。?～5nm）的體系。其原理是利用XPS的采樣深度與樣品表面出射的光電子的接收角的正玄關(guān)系，可以獲得元素濃度與深度的關(guān)系。取樣深度（d）與掠射角()的關(guān)系如下：d=3sin().當(dāng)為90時(shí)，XPS的采樣深度最深，當(dāng)為5時(shí)，可以使表面靈敏度提高10倍。在運(yùn)用變角深度分析技術(shù)時(shí)，必須注意下面因素的影響。（1）單晶表面的點(diǎn)陣衍射效應(yīng)；（2）表面粗糙度的影響；（3）表面層厚度應(yīng)小于10nm.目前九十七頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)Analyzere-X-raysdqq=90°q=10°dAnalyzere-X-raysqAngleDependentESCA(ADXPS)d=3lsinqd=analysisdepth,l=electronmeanfreepath(escapedepth)目前九十八頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)

圖18.4變角XPS示意圖 圖18.5Si3N4表面SiO2污染層的變角XPS譜d=3sin().目前九十九頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)ADXPSProfileofNativeOxideOnSi

00.20.40.60.81050100sineqAtomicConcentration(%)O1sC1sSi2pNativeoxideonSiwafer(±4°acceptanceangle)目前一百頁(yè)\總數(shù)一百零八頁(yè)\編于二十二點(diǎn)ChemicalState

ADXPSProfile

00.20.40.60.81050100sineqAtomicConcentration(%)C1sO1sSi2p(sub-oxide)Si2p(metal)Si2p(oxide)Createdfromcurve-fitresults(±4