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文檔簡介
ICS31.180CCSL30
T/CSTM00986—2023高頻介質(zhì)基板的復(fù)介電常數(shù)測試平衡型圓盤諧振器法Testmethodforthecomplexpermittivityofhigh-frequencydielectricsubstrates-Balanced-typecirculardiskresonatormethod2023-04-07發(fā)布 2023-07-07實(shí)施中關(guān)村材料試驗(yàn)技術(shù)聯(lián)盟 發(fā)布T/CSTM00986—2023T/CSTM00986—2023PAGEPAGE10目 次前言 2引言 31范圍 42規(guī)性用件 43術(shù)和義 44符和略語 45原理 56環(huán)條件 57儀設(shè)備 68樣要求 69測步驟 69.1品處理 69.2器備 6品寸量 69.4品裝 69.5溫試 610意項(xiàng) 711驗(yàn)告 7附錄A(料)電數(shù)和質(zhì)耗正計(jì)算 8附錄B(料)試統(tǒng)連框圖 11附錄C(料)品備與裝 12附錄D(料)草位和要草人 13前 言本文件參照GB/T1.1—2020120001.4—20154請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中國材料與試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)電子材料領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FC51)提出。本文件由中國材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)電子材料領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FC51)歸口。引 言5GHz~170GHz5GHz~170GHz;高頻介質(zhì)基板的復(fù)介電常數(shù)測試平衡型圓盤諧振器法范圍本文件規(guī)定了介質(zhì)基板在微波和毫米波頻段的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的平衡型圓盤測試方法,包括原理、環(huán)境條件、儀器設(shè)備、樣品要求、測試步驟、注意事項(xiàng)和試驗(yàn)報(bào)告等內(nèi)容。本文件適用于測試片狀材料在微波和毫米波頻段的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切,電場垂直于平板表面。頻率測試范圍:??=5GHz~170GHz;介電常數(shù)測試范圍:????=2.0~10.0;損耗角正切值測試范圍:tanδ=1.0×10?4~1.0×10?2。下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2036印制板電路術(shù)語GB/T2036界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1dielectricconstant[來源:GB/T2036-1994,6.3.6]3.2介電損耗角正切dielectricdissipationfactor對(duì)電介質(zhì)施加正弦波電壓時(shí),通過介質(zhì)的電流相量超前于電壓相量間的相角的余角稱為損耗角,對(duì)該損耗角取正切函數(shù)值,即為介質(zhì)損耗角正切值。[來源:GB/T2036-1994,6.3.7,有修改]:真空介電常數(shù),約等于8.854187817×10-12F/m:,相對(duì)介電常數(shù)實(shí)部,簡稱介電常數(shù),同義詞:Dk:,介電損耗角正切,同義詞:Dft:金屬圓盤厚度,mmd單片樣品厚度,mmR:金屬圓盤半徑,mma耦合孔半徑,mmM耦合孔高度,mmf諧振頻率,HzQ:品質(zhì)因數(shù)原理R的薄型金屬圓盤夾在一對(duì)具有相同厚度t和介電特性εr'和tanδ的待測電介質(zhì)基板樣品之間,然后整個(gè)樣品夾在兩個(gè)平行的金屬板之間。諧振器由耦合探針通過半徑為a和長度為M的耦合孔f和品質(zhì)因數(shù)即可計(jì)算得到樣品的介電常數(shù)和損耗角正切。計(jì)算公式參見附錄A。在測量時(shí),采用TM0m0模式,因此只有與樣品平面垂直方向的電場分量。圖1諧振器結(jié)構(gòu)示意圖試驗(yàn)環(huán)境條件如下:a)溫度:23℃±2℃;b)濕度:50%±5%。所需儀器設(shè)備如下:80dB;B;?2高溫干燥箱,溫度能滿足105+5℃;?20.001mm;0.01mm。樣品要求如下:2塊/65mm×65mm定尺寸;樣品厚度t為0.1~2m(具體視 、 以及測試的頻率范圍而定,厚度公差≤0.01;若基板為表面覆金屬箔,應(yīng)當(dāng)用蝕刻方法去除掉所有的金屬箔并清洗干凈;處理。樣品按以下流程進(jìn)行處理:(特殊情況可根據(jù)基板制造商要求使用指定的清洗液10min;樣品清洗后,將試樣應(yīng)置于105+5℃高溫干燥箱中烘干處理2h+10min;?2 ?0烘干后,樣品應(yīng)放入干燥皿中冷卻至室溫(23℃2℃,冷卻后存儲(chǔ)時(shí)間不超過45in;操作前應(yīng)戴上手套或者用鑷子夾取樣品,請(qǐng)勿用手直接接觸樣品,請(qǐng)勿在樣品上寫字或貼標(biāo)簽等。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀應(yīng)在校準(zhǔn)周期內(nèi)進(jìn)行檢定,按照制造廠家給定的開機(jī)預(yù)熱時(shí)間進(jìn)行預(yù)熱或至少開機(jī)預(yù)熱30min,使儀器達(dá)到穩(wěn)定。使用千分尺測量樣品四邊中點(diǎn)厚度,共計(jì)4個(gè)點(diǎn),取平均值并記錄。操作前應(yīng)戴上手套,請(qǐng)勿用手直接接觸樣品,請(qǐng)勿在樣品上寫字或者貼標(biāo)簽,會(huì)影響測試結(jié)果。樣品安裝參見附錄C。常溫測試步驟如下:將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀兩個(gè)端口通過電纜連接,進(jìn)行直通校準(zhǔn)或響應(yīng)校準(zhǔn);接口與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的雙端口連接;通過調(diào)節(jié)上下兩塊金屬板之間的距離,對(duì)樣品施加適當(dāng)?shù)膲毫Γㄍ扑]施加壓力:①軟板:200kg;②硬板:250k;設(shè)置掃描頻率,觀察所要測試頻率范圍內(nèi)的諧振峰值;-40或設(shè)備要求值;fQ;使用自動(dòng)測量讀取數(shù)據(jù)軟件直接計(jì)算介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切,并記錄;9.5d~9.5g)。注意事項(xiàng)如下:測試過程中應(yīng)佩戴連接至設(shè)備的防靜電手環(huán);連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀電纜時(shí),應(yīng)使用制造供應(yīng)商提供的力矩扳手旋緊;定期清潔測試頭、標(biāo)準(zhǔn)物、夾具;定期對(duì)于壓力表進(jìn)行標(biāo)定;定期檢查上下金屬板是否變形,若已變形請(qǐng)及時(shí)更換;諧振器的諧振頻率降低量小于×5×10?4時(shí),可選擇該壓力為正常測試壓力;特性變化。若檢驗(yàn)結(jié)果超出誤差要求,則需要重新對(duì)金屬板的表面進(jìn)行處理,更換金屬圓盤。試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括但不限于以下內(nèi)容:測試環(huán)境(溫度、濕度;測試頻率;樣品厚度;測試頻率下的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測試值以及平均值;試樣預(yù)處理?xiàng)l件;試驗(yàn)中的異常情況或與規(guī)定程序的差異和偏差。附錄A(資料性)介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切計(jì)算利用模式匹配算法理論推導(dǎo)得到平衡型圓盤諧振器的待求解方程(A.1)和(A.2),通過代入金屬圓TM0m0模式的諧振頻率f0和空載Q值Qu板的εr'和tanδ,其中準(zhǔn)確考慮了耦合孔的影響:…………(A.1)……(A.2)其中,矩陣元素表達(dá)式如(A.3)和(A.4)……(A.3)………………(A.4)式中:H——是由模式匹配法推導(dǎo)出的N×N矩陣,矩陣元素為Hlq;N——是模式匹配分析的級(jí)數(shù)展開項(xiàng)數(shù);δlq——是Kroneckerδ函數(shù);????——是耦合孔區(qū)域的傳播常數(shù);????——是介質(zhì)區(qū)域的傳播常數(shù);??1(??)——是1階第一類貝塞爾函數(shù);vq——是1階第一類貝塞爾函數(shù)的第q個(gè)根;??0(??)——是0階第一類貝塞爾函數(shù);up——是0階第一類貝塞爾函數(shù)的第pQc——是由于導(dǎo)體損耗引起的Q值;W1和W2——分別是存儲(chǔ)在介質(zhì)材料區(qū)域和耦合間隙中的電能。W1和W2由模式匹配分析計(jì)算得出,Qc可以近似為公式(A.5):…………………(A.5)式中:——導(dǎo)體的趨膚深度;——導(dǎo)體的電導(dǎo)率,可以通過雙介質(zhì)諧振器法或圓柱腔法測量;——真空磁導(dǎo)率,約等于4π×10-7N·A-2。最高可測量頻率受以下三個(gè)截止頻率的限制:用于激勵(lì)諧振器的同軸線的截止頻率fcCoax;耦合孔的截止頻率fcHole;通過介質(zhì)樣品的徑向輻射的截止頻率fcRad。fcHole為半徑為a的圓形波導(dǎo)的TM01模式的截止頻率,由公式(A.6)給出:……(A.6)式中:χ01——是J0(x)=0的第一個(gè)根,其值約為2.4048;J0(x)——是0階第一類貝塞爾函數(shù)。fcRad由樣品厚度t和相對(duì)介電常數(shù)εr'確定,由公式(A.7)給出:…………………(A.7)式中:c——真空中的光速,2.99792458×1011mm/s。圖A.1顯示了在R15mma0.5mmM5mm時(shí)TM0m0模式f0和εr'A.1a)和b)分別對(duì)應(yīng)樣品厚度d=0.5mm和d=0.3mm。d=0.5mmd=0.3mm圖A.1諧振頻率與相對(duì)介電常數(shù)之間的關(guān)系εr'tanδfQ通過估計(jì)模式匹配分析誤差的影響來評(píng)估。附錄B(資料性)測試系統(tǒng)連接框圖圓盤諧振器法測試系統(tǒng)包含矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、平衡型圓盤諧振器等,測試系統(tǒng)連接框圖如圖B.1所示。圖B.1測試系統(tǒng)框圖T/CSTM00986—2023附錄CT/CSTM00986—2023附錄C(資料性)PAGEPAGE12樣品制備與安裝被測樣品為兩塊試樣片,尺寸要求如圖C.1所示。試樣片的長度、寬度和厚度偏差應(yīng)小于±0.01mm。試樣片按要求加工后,測試樣品的厚度尺寸,并作記錄,以便測試時(shí)輸入樣品尺寸數(shù)據(jù)。圖C.1樣品圖紙安裝前應(yīng)先測量好樣品厚度尺寸,并記錄數(shù)據(jù)。將被測樣品裝入夾具中,安裝過程如下:將固定有耦合探針的下金屬板平放在支撐平臺(tái)上;在下金屬板上放置一塊被測樣品,被測樣品的邊緣應(yīng)與金屬板的邊緣基本重合;保證金屬圓盤在樣品和金屬板的中心處,被測樣品和金屬板的邊緣基本重合;在金屬圓盤上方放置另一塊被測樣品;放置另一塊固定有耦合探針的金屬板;TM0m015dBc.2b)~c.2f)。T/CSTM00986—2023附錄DT/CSTM00986—2023附錄D(資料性)PAGEPAGE13起草單位和主要起草人本文件起草單位:電子科技大學(xué),工業(yè)和信息化電子第五研究所,中國測試技術(shù)研究院,成都恩馳微波科技有限公司,常州中英科技有限公司,浙江華正新材料股份有限公司。本文件主要起草人:余承勇,何驍,李恩,張?jiān)迄i,李興興,高沖,高勇,朱輝,賀光輝,陳澤堅(jiān),李燦平,俞丞,任英杰。T/CSTM00986—2023參考文獻(xiàn)T/CSTM00986—2023參考文獻(xiàn)PAGEPAGE14HHASUIKE,K.I.,YandMA,Z,"Multi-FrequencyMeasurementsofComplexPermittivityofDielectricPlatesusingHigher-OrderModesofaBalanced-TypeCircularDiskResonator,"EuropeanMicrowaveConference,Manchester,2006,pp.388-391.NAKATSUTSUMI,J,YandMA,Z."Discussionsonmeasurementaccuracyofcomple
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