材料現(xiàn)代研究方法樣本

資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請聯(lián)系改正或者刪除。第一章一、選擇題1.用來進行晶體結(jié)構(gòu)分析的X射線學(xué)分支是(

B

)A.X射線透射學(xué);B.X射線衍射學(xué);C.X射線光譜學(xué);D.其它2.M層電子回遷到K層后,多余的能量放出的特征X射線稱(B)Kα;B.Kβ;C.Kγ;D.Lα。3.當(dāng)X射線發(fā)生裝置是Cu靶,濾波片應(yīng)選(C)Cu;B.Fe;C.Ni;D.Mo。4.當(dāng)電子把所有能量都轉(zhuǎn)換為X射線時,該X射線波長稱()短波限λ0;B.激發(fā)限λk;C.吸收限;D.特征X射線5.當(dāng)X射線將某物質(zhì)原子的K層電子打出去后,L層電子回遷K層,多余能量將另一個L層電子打出核外,這整個過程將產(chǎn)生()(多選題)光電子;B.二次熒光;C.俄歇電子;D.(A+C)二、正誤題1.隨X射線管的電壓升高,λ0和λk都隨之減小。(X)2.激發(fā)限與吸收限是一回事,只是從不同角度看問題。()3.經(jīng)濾波后的X射線是相正確單色光。()4.產(chǎn)生特征X射線的前提是原子內(nèi)層電子被打出核外,原子處于激發(fā)狀態(tài)。()5.選擇濾波片只要根據(jù)吸收曲線選擇材料,而不需要考慮厚度。()三、填空題1.當(dāng)X射線管電壓超過臨界電壓就能夠產(chǎn)生X射線和X射線。2.X射線與物質(zhì)相互作用能夠產(chǎn)生、、、、、、、。3.經(jīng)過厚度為H的物質(zhì)后,X射線的強度為。4.X射線的本質(zhì)既是波長極短的電磁波也是,具有波粒二象性性。5.短波長的X射線稱軟X射線,常見于;長波長的X射線稱硬X射線,常見于。X射線的本質(zhì)是什么?它與可見光、紫外線等電磁波的主要區(qū)別何在?用哪些物理量描述它?Ⅹ射線與物質(zhì)有哪些相互作用?規(guī)律如何?對x射線分析有何影響?反沖電子、光電子和俄歇電子有何不同?如果用1mm厚的鉛作防護屏,試求CrKα和MoKα的穿透系數(shù)。試計算Cu的K系激發(fā)電壓。(答案:8980Ⅴ)試計算Cu的Kαl射線的波長。(答案:0.1541nm).第二章選擇題1.有一倒易矢量為,與它對應(yīng)的正空間晶面是()。A.(210);B.(220);C.(221);D.(110);。2.有一體心立方晶體的晶格常數(shù)是0.286nm,用鐵靶Kα(λKα=0.194nm)照射該晶體能產(chǎn)生()衍射線。A.三條;B.四條;C.五條;D.六條。3.一束X射線照射到晶體上能否產(chǎn)生衍射取決于()。A．是否滿足布拉格條件;B．是否衍射強度I≠0;C．A+B;D．晶體形狀。4.面心立方晶體(111)晶面族的多重性因素是()。A．4;B．8;C．6;D．12。正誤題1.倒易矢量能唯一地代表對應(yīng)的正空間晶面。()2.X射線衍射與光的反射一樣,只要滿足入射角等于反射角就行。()3.干涉晶面與實際晶面的區(qū)別在于:干涉晶面是虛擬的,指數(shù)間存在公約數(shù)n。()4.布拉格方程只涉及X射線衍射方向,不能反映衍射強度。()5.結(jié)構(gòu)因子F與形狀因子G都是晶體結(jié)構(gòu)對衍射強度的影響因素。()填空題倒易矢量的方向是對應(yīng)正空間晶面的;倒易矢量的長度等于對應(yīng)。只要倒易陣點落在厄瓦爾德球面上,就表示該滿足條件,能產(chǎn)生。影響衍射強度的因素除結(jié)構(gòu)因素、晶體形狀外還有,,,。考慮所有因素后的衍射強度公式為,對于粉末多晶的相對強度為。結(jié)構(gòu)振幅用表示,結(jié)構(gòu)因素用表示,結(jié)構(gòu)因素=0時沒有衍射我們稱或。對于有序固溶體,原本消光的地方會出現(xiàn)。名詞解釋倒易點陣——系統(tǒng)消光——衍射矢量——形狀因子——相對強度——1、試畫出下列晶向及晶面(均屬立方晶系):[111]。[121],[21],(00)(110),(123)(21)。2、下面是某立方晶系物質(zhì)的幾個晶面間距,試將它們從大到小按次序重新排列。(12)(100)(200)(11)(121)(111)(10)(220)(030)(21)(110)3、當(dāng)波長為的X射到晶體并出現(xiàn)衍射線時,相鄰兩個(hkl)反射線的程差是多少?相鄰兩個(HKL)反射線的程差又是多少?4、畫出Fe2B在平行于(010)上的部分倒易點。Fe2B屬正方晶系,點陣參數(shù)a=b=0.510nm,c=0.424nm。5、判別下列哪些晶面屬于[11]晶帶:(0),(13),(12),(2),(01),(212)。6、試計算(11)及(2)的共同晶帶軸。8、畫出六方點陣(001)*倒易點,并標(biāo)出a*,b*,若一單色X射線垂直于b軸入射,試用厄爾德作圖法求出(120)面衍射線的方向。13、計算鈉原子在頂角和面心,氯原子在棱邊中心和體心的立方點陣的結(jié)構(gòu)因數(shù),并討論。第三章選擇題1.最常見的X射線衍射方法是()。A.勞厄法;B.粉末多法;C.周轉(zhuǎn)晶體法;D.德拜法。2.德拜法中有利于提高測量精度的底片安裝方法是()。A.正裝法;B.反裝法;C.偏裝法;D.A+B。3.德拜法中對試樣的要求除了無應(yīng)力外,粉末粒度應(yīng)為()。A.<325目;B.>250目;C.在250-325目之間;D.任意大小。4.測角儀中,探測器的轉(zhuǎn)速與試樣的轉(zhuǎn)速關(guān)系是()。A.保持同步1﹕1;B.2﹕1;C.1﹕2;D.1﹕0。5.衍射儀法中的試樣形狀是()。A.絲狀粉末多晶;B.塊狀粉末多晶;C.塊狀單晶;D.任意形狀。正誤題1.大直徑德拜相機能夠提高衍射線接受分辨率,縮短暴光時間。()2.在衍射儀法中,衍射幾何包括二個圓。一個是測角儀圓,另一個是輻射源、探測器與試樣三者還必須位于同一聚焦圓。()3.選擇小的接受光欄狹縫寬度,能夠提高接受分辨率,但會降低接受強度。()4.德拜法比衍射儀法測量衍射強度更精確。()5.衍射儀法和德拜法一樣,對試樣粉末的要求是粒度均勻、大小適中,沒有應(yīng)力。()填空題在粉末多晶衍射的照相法中包括、和。德拜相機有兩種,直徑分別是和Φmm。測量θ角時,底片上每毫米對應(yīng)o和o。衍射儀的核心是測角儀圓,它由、和共同組成。能夠用作X射線探測器的有、和等。影響衍射儀實驗結(jié)果的參數(shù)有、和等。名詞解釋偏裝法——光欄——測角儀——聚焦圓——正比計數(shù)器——光電倍增管——習(xí)題:從一張簡單立方點陣物的德拜相上,已求出四根高角度線條的θ角(系由CuKα所產(chǎn)生)及對應(yīng)的干涉指數(shù),試用”a-cos2θ”的圖解外推法求出四位有效數(shù)字的點陣參數(shù)。HKL532620443541611540621θ.角72.0877.9381.1187.44根據(jù)上題所給數(shù)據(jù)用柯亨法計算點陣參數(shù)至四位有效數(shù)字。用背射平板相機測定某種鎢粉的點陣參數(shù)。從底片上量得鎢的400衍射環(huán)直徑2Lw＝51.20毫米,用氮化鈉為標(biāo)準(zhǔn)樣,其640衍射環(huán)直徑2LNaCl＝36.40毫米。若此二衍射環(huán)均系由CuKαl輻射引起,試求精確到四位數(shù)字的鎢粉的點陣參數(shù)值。試用厄瓦爾德圖解來說明德拜衍射花樣的形成。還是較小?既然多晶粉末的晶體取向是混亂的,為何有此必然的規(guī)律衍射儀測量在人射光束、試樣形狀、試樣吸收以及衍射線記錄等方面與德拜法有何不同?CuKα輻射(λ＝0.154nm)照射Ag(f.c.c)樣品,測得第一衍射峰位置2θ=38°,試求Ag的點陣常數(shù)。試總結(jié)德拜法衍射花樣的背底來源,并提出一些防止和減少背底的措施。粉未樣品顆粒過大或過小對德拜花樣影響如何?為什么?板狀多晶體樣品晶粒過大或過小對衍射峰形影響又如何?試從入射光束、樣品形狀、成相原理(厄瓦爾德圖解)、衍射線記錄、衍射花樣、樣品吸收與衍射強度(公式)、衍射裝備及應(yīng)用等方面比較衍射儀法與德拜法的異同點。衍射儀與聚焦相機相比,聚焦幾何有何異同?第四章選擇題1.測定鋼中的奧氏體含量,若采用定量X射線物相分析,常見方法是()。A.外標(biāo)法;B.內(nèi)標(biāo)法;C.直接比較法;D.K值法。2.X射線物相定性分析時,若已知材料的物相能夠查()進行核對。A.Hanawalt索引;B.Fenk索引;C.Davey索引;D.A或B。3.德拜法中精確測定點陣常數(shù)其系統(tǒng)誤差來源于()。A.相機尺寸誤差;B.底片伸縮;C.試樣偏心;D.A+B+C。4.材料的內(nèi)應(yīng)力分為三類,X射線衍射方法能夠測定()。A.第一類應(yīng)力(宏觀應(yīng)力);B.第二類應(yīng)力(微觀應(yīng)力);C.第三類應(yīng)力;D.A+B+C。5.Sin2Ψ測量應(yīng)力,一般取Ψ為()進行測量。A.確定的Ψ角;B.0-45o之間任意四點;C.0o、45o兩點;D.0o、15o、30o、45o四點。正誤題1.要精確測量點陣常數(shù)。必須首先盡量減少系統(tǒng)誤差,其次選高角度θ角,最后還要用直線外推法或柯亨法進行數(shù)據(jù)處理。()2.X射線衍射之因此能夠進行物相定性分析,是因為沒有兩種物相的衍射花樣是完全相同的。()3.理論上X射線物相定性分析能夠告訴我們被測材料中有哪些物相,而定量分析能夠告訴我們這些物相的含量有多少。()4.只要材料中有應(yīng)力就能夠用X射線來檢測。()5.衍射儀和應(yīng)力儀是相同的,結(jié)構(gòu)上沒有區(qū)別。()填空題在Δθ一定的情況下,θ→o,Δsinθ→;因此精確測定點陣常數(shù)應(yīng)選擇θ。X射線物相分析包括和,而更常見更廣泛。第一類應(yīng)力導(dǎo)致X射線衍射線;第二類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線;第三類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線。X射線測定應(yīng)力常見儀器有和,常見方法有和。X射線物相定量分析方法有、、等。名詞解釋柯亨法——Hanawalt索引——直接比較法——Sin2Ψ法——習(xí)題一個承受上下方向純拉伸的多晶試樣,若以X射線垂直于拉伸軸照射,問在其背射照片上衍射環(huán)的形狀是什么樣的?為什么?不必用無應(yīng)力標(biāo)準(zhǔn)試樣對比,就能夠測定材料的宏觀應(yīng)力,這是根據(jù)什么原理?假定測角儀為臥式,今要測定一個圓柱形零件的軸向及切向應(yīng)力,問試樣應(yīng)該如何放置?總結(jié)出一條思路,說明平面應(yīng)力的測定過程。一無殘余應(yīng)力的絲狀試樣,在受到軸向拉伸載荷的情況下,從垂直絲軸的方向用單色Ⅹ射線照射,其透射針孔相上的衍射環(huán)有何特點?用側(cè)傾法測量試樣的殘余應(yīng)力,當(dāng)Ψ＝0o和Ψ＝45o時,其x射線的穿透深度有何變化?A-TiO2％(銳鈦礦)與R-TiO2(金紅石)混合物衍射花樣中兩相最強線強度比IA-TiO2／IR-TiO2＝1·5·試用參比強度法計算兩相各自的質(zhì)量分數(shù)。某淬火后低溫回火的碳鋼樣品,不含碳化物(經(jīng)金相檢驗)。A(奧氏體〕中含碳1％,M(馬氏體)中含碳量極低。經(jīng)過衍射測得A220峰積分強度為2.33(任意單位〕〕M211峰積分強度為16.32。試計算該鋼中殘留奧氏體的體積分數(shù)(實驗條件:FeKα輻射,濾波,室溫20℃。α

第五章選擇題1.若H-800電鏡的最高分辨率是0.5nm,那么這臺電鏡的有效放大倍數(shù)是()。A.1000;B.10000;C.40000;D.600000。2.能夠消除的像差是()。A.球差;B.像散;C.色差;D.A+B。3.能夠提高TEM的襯度的光欄是()。A.第二聚光鏡光欄;B.物鏡光欄;C.選區(qū)光欄;D.其它光欄。4.電子衍射成像時是將()。A.中間鏡的物平面與與物鏡的背焦面重合;B.中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合;C.關(guān)閉中間鏡;D.關(guān)閉物鏡。5.選區(qū)光欄在TEM鏡筒中的位置是()。A.物鏡的物平面;B.物鏡的像平面C.物鏡的背焦面;D.物鏡的前焦面。正誤題1.TEM的分辨率既受衍射效應(yīng)影響,也受透鏡的像差影響。()2.孔徑半角α是影響分辨率的重要因素,TEM中的α角越小越好。()3.有效放大倍數(shù)與儀器能夠達到的放大倍數(shù)不同,前者取決于儀器分辨率和人眼分辨率,后者僅僅是儀器的制造水平。()4.TEM中主要是電磁透鏡,由于電磁透鏡不存在凹透鏡,因此不能象光學(xué)顯微鏡那樣經(jīng)過凹凸鏡的組合設(shè)計來減小或消除像差,故TEM中的像差都是不可消除的。()5.TEM的景深和焦長隨分辨率Δr0的數(shù)值減小而減小;隨孔徑半角α的減小而增加;隨放大倍數(shù)的提高而減小。()填空題TEM中的透鏡有兩種,分別是和。TEM中的三個可動光欄分別是位于,位于,位于。TEM成像系統(tǒng)由、和組成。TEM的主要組成部分是、和觀;輔助部分由、和組成。電磁透鏡的像差包括、和。名詞解釋景深與焦長——電子槍——點分辨與晶格分辨率——消像散器——選區(qū)衍射——分析型電鏡——極靴——有效放大倍數(shù)——Ariy斑——孔徑半角——思考題比較靜電透鏡和磁透鏡的聚焦原理。球差、色差和像散是怎樣造成的?用什么方法能夠減小這些像差?說明透鏡分辨率的物理意義,用什么方法提高透鏡的分辨率?電磁透鏡的景深和焦長是受哪些因素控制的?說明透射電鏡中物鏡和中間鏡在成像時的作用。物鏡光闌和選區(qū)光闌各具有怎樣的功能電子波有何特征?與可見光有何異同?分析電磁透鏡對電子波的聚焦原理,說明電磁透鏡結(jié)構(gòu)對聚焦能力的影響。說明影響光學(xué)顯微鏡和電磁透鏡分辨率的關(guān)鍵因素是什么?如何提高電磁透分辨率?電磁透鏡景深和焦長主要受哪些因素影響?說明電磁透鏡的景深大、焦長長,是什么因素影響的結(jié)果?假設(shè)電磁透鏡沒有像差,也沒有衍射Airy斑,即分辨率極高,此時景深和焦長如何?透射電鏡主要由幾大系統(tǒng)構(gòu)成?各系統(tǒng)之間關(guān)系如何?樣品臺的結(jié)構(gòu)與功能如何?它應(yīng)滿足哪些要求?透射電鏡中有哪些主要光闌,在什么位置?其作用如何?如何測定透射電鏡的分辨卒與放大倍數(shù)。電鏡的哪些主要參數(shù)控制著分辨率與放大倍數(shù)?

第六章選擇題1.單晶體電子衍射花樣是()。A.規(guī)則的平行四邊形斑點;B.同心圓環(huán);C.暈環(huán);D.不規(guī)則斑點。2.薄片狀晶體的倒易點形狀是()。A.尺寸很小的倒易點;B.尺寸很大的球;C.有一定長度的倒易桿;D.倒易圓盤。3.當(dāng)偏離矢量S<0時,倒易點是在厄瓦爾德球的()。A.球面外;B.球面上;C.球面內(nèi);D.B+C。4.能幫助消除180o不唯一性的復(fù)雜衍射花樣是()。A.高階勞厄斑;B.超結(jié)構(gòu)斑點;C.二次衍射斑;D.孿晶斑點。5.菊池線能夠幫助()。A.估計樣品的厚度;B.確定180o不唯一性;C.鑒別有序固溶體;D.精確測定晶體取向。6.如果單晶體衍射花樣是正六邊形,那么晶體結(jié)構(gòu)是()。A.六方結(jié)構(gòu);B.立方結(jié)構(gòu);C.四方結(jié)構(gòu);D.A或B。判斷題1.多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣一樣,隨著環(huán)直徑增大,衍射晶面指數(shù)也由低到高。()2.單晶衍射花樣中的所有斑點同屬于一個晶帶。()3.因為孿晶是同樣的晶體沿孿晶面兩則對稱分布,因此孿晶衍射花樣也是衍射斑點沿兩則對稱分布。()4.偏離矢量S=0時,衍射斑點最亮。這是因為S=0時是精確滿足布拉格方程,因此衍射強度最大。()5.對于未知晶體結(jié)構(gòu),僅憑一張衍射花樣是不能確定其晶體結(jié)構(gòu)的。還要從不同位向拍攝多幅衍射花樣,并根據(jù)材料成分、加工歷史等或結(jié)合其它方法綜合判斷晶體結(jié)構(gòu)。()6.電子衍射和X射線衍射一樣必須嚴(yán)格符合布拉格方程。()填空題電子衍射和X射線衍射的不同之處在于不同、不同,以及不同。電子衍射產(chǎn)生的復(fù)雜衍射花樣是、、、和。偏離矢量S的最大值對應(yīng)倒易桿的長度,它反映的是θ角布拉格方程的程度。單晶體衍射花樣標(biāo)定中最重要的一步是。二次衍射能夠使密排六方、金剛石結(jié)構(gòu)的花樣中在產(chǎn)生衍射花樣,但體心立方和面心立方結(jié)構(gòu)的花樣中。名詞解釋偏離矢量S180o不唯一性菊池線高階勞厄斑第七章選擇題1.將某一衍射斑點移到熒光屏中心并用物鏡光欄套住該衍射斑點成像,這是()。A.明場像;B.暗場像;C.中心暗場像;D.弱束暗場像。2.當(dāng)t=5s/2時,衍射強度為()。A.Ig=0;B.Ig<0;C.Ig>0;D.Ig=Imax。3.已知一位錯線在選擇操作反射g1=(110)和g2=(111)時,位錯不可見,那么它的布氏矢量是()。A.b=(0-10);B.b=(1-10);C.b=(0-11);D.b=(010)。4.當(dāng)?shù)诙嗔Ｗ优c基體呈共格關(guān)系時,此時的成像襯度是()。A.質(zhì)厚襯度;B.衍襯襯度;C.應(yīng)變場襯度;D.相位襯度。5.當(dāng)?shù)诙嗔Ｗ优c基體呈共格關(guān)系時,此時所看到的粒子大小()。A.小于真實粒子大小;B.是應(yīng)變場大小;C.與真實粒子一樣大小;D.遠遠大于真實粒子。判斷題1.實際電鏡樣品的厚度很小時,能近似滿足衍襯運動學(xué)理論的條件,這時運動學(xué)理論能很好地解釋襯度像。()2.厚樣品中存在消光距離ξg,薄樣品中則不存在消光距離ξg。()3.明場像是質(zhì)厚襯度,暗場像是衍襯襯度。()4.晶體中只要有缺陷,用透射電鏡就能夠觀察到這個缺陷。()5.等厚消光條紋和等傾消光條紋一般是形貌觀察中的干擾,應(yīng)該經(jīng)過更好的制樣來避免它們的出現(xiàn)。()填空題運動學(xué)理論的兩個基本假設(shè)是和。對于理想晶體,當(dāng)或連續(xù)改變時襯度像中會出現(xiàn)或。對于缺陷晶體,缺陷襯度是由缺陷引起的導(dǎo)致衍射波振幅增加了一個,可是若=2π的整數(shù)倍時,缺陷也不產(chǎn)生襯度。一般情況下,孿晶與層錯的襯度像都是平行,但孿晶的平行線,而層錯的平行線是的。實際的位錯線在位錯線像的,其寬度也大大小于位錯線像的寬度,這是因為位錯線像的寬度是寬度。名詞解釋中心暗場像消光距離ξg等厚消光條紋和等傾消光條紋不可見性判據(jù)應(yīng)變場襯度7-10．用什么辦法、根據(jù)什么特征才能判斷出fcc晶體中的層錯是抽出型的還是插入型的?7-11．怎樣確定球型沉淀是空位型還是間隙型的?7-12．當(dāng)下述像相似時,寫出區(qū)別它們的實驗方法及區(qū)別根據(jù)。球形共格沉淀與位錯線垂直于試樣表面的位錯。垂直于試樣表面的晶界和交叉位錯像。片狀半共格沉淀和位錯環(huán)。不全位