電子行業(yè)深度研究：第三方測(cè)試快速增長(zhǎng)測(cè)試服務(wù)及測(cè)試設(shè)備迎來(lái)發(fā)展良機(jī)

敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明1客觀公正，避免權(quán)責(zé)糾紛。此時(shí)推薦第三方測(cè)試公司我們判斷主要有三大邏輯：1)高端芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈有望回體行業(yè)發(fā)展必然結(jié)果，測(cè)試有望從封測(cè)一體廠商中分離。3)國(guó)內(nèi)晶圓廠資本開(kāi)支維持高位，擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)進(jìn)行，與oC趨勢(shì)下，下游國(guó)產(chǎn)封測(cè)廠商密集啟動(dòng)募投，帶動(dòng)測(cè)試機(jī)的需求浪潮，驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)測(cè)試機(jī)市場(chǎng)快速擴(kuò)容。我們認(rèn)為：國(guó)產(chǎn)測(cè)試機(jī)公司將深度受益。半導(dǎo)體行業(yè)周期下行、中美貿(mào)易摩擦和美國(guó)收緊技術(shù)出口管制、競(jìng)爭(zhēng)格局惡化的風(fēng)險(xiǎn)。敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明2 5 敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明3 敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明41、測(cè)試環(huán)節(jié)貫穿半導(dǎo)體生產(chǎn)制造，是芯片質(zhì)量的把關(guān)者晶體管密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。新應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)了制程微縮和三維結(jié)構(gòu)的升級(jí)，使得工藝步驟大幅提升，成熟制程(以45nm為例)工藝步驟數(shù)大約需要430道，到了先進(jìn)制程(以5nm為例)將會(huì)提升至1250道，工藝步驟將近提升了3倍；結(jié)構(gòu)上來(lái)看包括GAAFET、MRAM等新一代的半導(dǎo)體工藝都是越來(lái)越復(fù)雜，在數(shù)千道制程中，每一道制程的檢測(cè)對(duì)芯片的良率起到至關(guān)重要的作用。半導(dǎo)體檢測(cè)根據(jù)使用的環(huán)節(jié)以及檢測(cè)項(xiàng)目的不同，可分為前道檢測(cè)和后道檢測(cè)。其中，前道量測(cè)包括量測(cè)類和缺陷檢測(cè)類，主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，屬于物理性檢測(cè)；后道測(cè)試根據(jù)功能的不同包括分選機(jī)、測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)，主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能檢測(cè)。院，國(guó)金證券研究所晶圓制造環(huán)節(jié)檢測(cè)主要進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，封測(cè)環(huán)節(jié)主要進(jìn)行電性能檢測(cè)。半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)是避圓測(cè)試和成品測(cè)試。晶圓測(cè)試主要是針對(duì)加工完的晶圓，進(jìn)行電性測(cè)試，識(shí)別出能夠正常工作的芯片，需要使用的設(shè)備主要為測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)。成品測(cè)試主要是指晶圓切割變成芯片后，針對(duì)芯片的性能進(jìn)行最終測(cè)試，需要使用的設(shè)備主要為測(cè)試機(jī)和分選機(jī)。敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明5上的裸芯片(grossdie)進(jìn)行功能和電學(xué)性能參數(shù)的測(cè)試。測(cè)試過(guò)程主要為：探針臺(tái)將指導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)和晶圓制造的工藝改進(jìn)。來(lái)源：偉測(cè)科技招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)金證券研究所來(lái)源：偉測(cè)科技招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)金證券研究所芯片成品測(cè)試(FinalTest)，簡(jiǎn)稱FT，F(xiàn)T測(cè)試是在芯片封裝后按照測(cè)試規(guī)范對(duì)電路成品敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明9l晶圓測(cè)試(CP)芯片成品測(cè)試(FT)晶圓制造的工藝改進(jìn)顆芯片成品向客戶交付前能招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)金證券研究所l0M模式是集成電路產(chǎn)業(yè)最早采用的經(jīng)營(yíng)模式，即覆蓋集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝、為然而隨著測(cè)試的地位愈加重要，高端測(cè)試機(jī)臺(tái)的巨大投入，專注于測(cè)試的第三方測(cè)試廠敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明7進(jìn)封裝，與制造廠商聯(lián)合開(kāi)發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)；此時(shí)推薦第三方測(cè)試公司我們判斷主要有三大邏輯：1)高端芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈有望回流。CPU/GPU/FPGA等大芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈有望遷移回國(guó)內(nèi)，進(jìn)而帶動(dòng)國(guó)內(nèi)測(cè)試產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2)精研究所第三方測(cè)試廠商受行業(yè)景氣度波動(dòng)影響小。相較于封測(cè)廠商，第三方測(cè)試服務(wù)廠商敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明8三方測(cè)試廠商營(yíng)收波動(dòng)小 (億元)(億元)封測(cè)廠營(yíng)收受半導(dǎo)體行業(yè)周期影響大，波動(dòng)大(億元)0(億元)00行業(yè)內(nèi)實(shí)力更強(qiáng)，具備更強(qiáng)的專業(yè)性。04000測(cè)試專利數(shù)量利揚(yáng)芯片偉測(cè)科技華嶺股份通富微電華天科技長(zhǎng)電科技00004002000測(cè)試專利數(shù)量封裝專利數(shù)量利揚(yáng)芯片偉測(cè)科技華嶺股份通富微電華天科技長(zhǎng)電科技來(lái)源：天眼查，國(guó)金證券研究所來(lái)源：天眼查，國(guó)金證券研究所PGAIC敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明6服務(wù)的需求方。封裝是“封測(cè)一體廠商”最核心的業(yè)務(wù)，測(cè)試是第二大業(yè)務(wù)，隨著先進(jìn)封裝IDM、封裝、測(cè)試全流程，IDM公司的電子最科業(yè)務(wù)規(guī)模的迅速成長(zhǎng)帶動(dòng)了京元電子的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明10元)020182019202020212022科技芯片股份子化高效率的服務(wù)優(yōu)勢(shì)和“自主可控”的股東背景優(yōu)勢(shì)，獲得大陸優(yōu)質(zhì)客戶的認(rèn)可，贏得了更多的發(fā)展空間和發(fā)展機(jī)會(huì)。3、Chiplet新技術(shù)及自主可控大趨勢(shì)共同驅(qū)動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)快速成長(zhǎng) A于2026年突破萬(wàn)億元的市場(chǎng)規(guī)模，2022-2026年期間年均復(fù)合增速達(dá)20.78%。服C0400000 5%935841752687892978201820192020202120222023E2025E0400000 13%546452374300258210201820192020202120222023E2025EChiplet(芯粒)的加速發(fā)展拉動(dòng)測(cè)試服務(wù)需求，自主可控趨勢(shì)推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加的巨大市場(chǎng)空間。plet敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明11Chiplet的優(yōu)勢(shì)原因t和制造風(fēng)險(xiǎn)，提高了良率Chiplet設(shè)計(jì)靈活，且可以重復(fù)使用Chiplet將已有合格裸片進(jìn)行集成設(shè)計(jì)，縮短了芯片的研發(fā)和設(shè)計(jì)周期，且不同模塊可以分別迭代，加塊芯片迭代速度研究所敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明12圖表17：Chiplet提升芯片良率國(guó)金證券研究所t需求起量。芯片類型子模塊封裝成本測(cè)試情況測(cè)試機(jī)需求測(cè)試情況測(cè)試機(jī)需求要求高的低目高目高數(shù)字等目高擬高研究所張。敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明1322654122265412各企業(yè)額外擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃完成后的產(chǎn)能(約當(dāng)8寸)將達(dá)4545k/m，合計(jì)擴(kuò)產(chǎn)至原有產(chǎn)能2.8長(zhǎng)。987654321031111中國(guó)大陸中國(guó)臺(tái)灣美洲歐洲和中日本韓國(guó)東0400000已有產(chǎn)能(k/m)規(guī)劃產(chǎn)能(k/m)12敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明14450400250000中芯國(guó)際(億元，左軸)聞泰科技(億元，左軸)中芯國(guó)際(億元，左軸)聞泰科技(億元，左軸)華虹半導(dǎo)體YoY(%，右軸)士蘭微YoY(%，右軸)格科微YoY(%，右軸)士蘭微(億元，左軸)格科微(億元，左軸)中芯國(guó)際YoY(%，右軸) 聞泰科技YoY(%，右軸)201720182019202020212022%測(cè)試機(jī)為后道測(cè)試設(shè)備中最大的細(xì)分領(lǐng)域。從結(jié)構(gòu)來(lái)看，測(cè)試設(shè)備中，測(cè)試機(jī)在CP、FT節(jié)C敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明15化能力、穩(wěn)固的客戶資源和較高的行業(yè)協(xié)同壁壘。研究所合度一定程度上縮短了制造周期。2)已規(guī)模化，具備成熟軟件算法，在定制化產(chǎn)品時(shí)可隨著產(chǎn)品收入規(guī)模提升，算法復(fù)用帶來(lái)的成本降低效應(yīng)更為顯著。3)材料、元器件國(guó)產(chǎn)敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明16研究所長(zhǎng)川科技(測(cè)試機(jī)部分) 愛(ài)德萬(wàn) 荊科技40%0%Wind股公司均使用財(cái)年數(shù)據(jù))2、模擬及功率測(cè)試機(jī)已實(shí)現(xiàn)初步國(guó)產(chǎn)替代，SoC/存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)逐步突破敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明175050市場(chǎng)規(guī)模(億美元)愛(ài)德萬(wàn)泰瑞達(dá)科休長(zhǎng)川科技華峰測(cè)控20%2%38%2%27%在測(cè)試機(jī)的細(xì)分品類中，SoC/存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間領(lǐng)先于模擬、射頻等其他品類測(cè)試機(jī)。SEMI估計(jì)2022測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)空間約為76.3億美元，據(jù)SoC/存儲(chǔ)/數(shù)模混合分別占測(cè)試機(jī)總市場(chǎng)份額的60%/21%/15%來(lái)進(jìn)行測(cè)算，2022年全球SoC測(cè)試機(jī)、存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間合計(jì)達(dá)38.94億美元，共占測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間的81%。模擬/數(shù)?；旌弦约捌渌麥y(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間合計(jì)約9.13億美元，SoC/存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間是模擬類及其他測(cè)試機(jī)市場(chǎng)的4.27倍，市場(chǎng)空間遙遙領(lǐng)先，對(duì)國(guó)產(chǎn)廠商而言市場(chǎng)拓展?jié)摿Υ?。SoC：SoC/存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)市場(chǎng)份額合計(jì)占81%5050市場(chǎng)規(guī)模(億美元)SoC測(cè)試機(jī)存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)模擬/數(shù)?；鞙y(cè)試機(jī)SoC5050市場(chǎng)規(guī)模(億美元)SoC測(cè)試機(jī)存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)模擬/數(shù)模混測(cè)試機(jī)21%60%CC敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明18測(cè)試機(jī)分類測(cè)試對(duì)象單芯片引腳數(shù)主要參數(shù)技術(shù)特點(diǎn)和難點(diǎn)技術(shù)難度價(jià)格區(qū)間化率擬機(jī)機(jī)件極管、三極普通分立器件測(cè)算法和工具幾乎沒(méi)有擬測(cè)擬電路電，對(duì)測(cè)試軟件、算機(jī)模擬電路/的量測(cè)較多，幾乎不需，只需要最基本的速度、向量高理器/射片PUASIC、DSP、IS試板卡速度、精度、向量深度、種類、件等要求高并測(cè)，因此統(tǒng)的復(fù)雜度和要持續(xù)研發(fā)以適應(yīng)及新的技術(shù)標(biāo)高AND深度256-512MV、個(gè)引腳貴高射頻(RF)測(cè)個(gè)引腳高、帶寬寬、量測(cè)精頻射板卡研發(fā)難度非業(yè)觀察，國(guó)金證券研究所敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明19測(cè)試類型公司典型設(shè)備電流電壓通道數(shù)時(shí)鐘頻率數(shù)字速率適用領(lǐng)域psAD電源管理、霍爾器件、運(yùn)放、功放、PMIC及數(shù)字功能要求較強(qiáng)的產(chǎn)品STS83002000V,最大道頻/頻壓轉(zhuǎn)換器、采樣保持器等QT0/QT-8100HP電源管理類、數(shù)碼消費(fèi)類、音頻類、休z信號(hào)Model40MHzps0MHz儲(chǔ)芯片測(cè)試，測(cè)試器件SGHzsnumVsV000上aFlexs以模擬為主導(dǎo)的器件del網(wǎng)，國(guó)金證券研究所3、需求側(cè)：下游需求穩(wěn)定及國(guó)產(chǎn)替代共驅(qū)我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)容25.3敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明20))0導(dǎo)體測(cè)試為其他地區(qū)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(左軸，億美元)全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模YoY(右軸，%)中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(左軸，億美元)中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模YoY(右軸，%)80.070.060.050.040.030.020.028%30%34%36%3434%2020202120222023E2024E40%0%10%ICC數(shù)量(左軸，家)YoY(右軸，%2017201820192020202120225%0%%銷售額(左軸，億元人民幣)YoY(右軸，%)20172018201920202021202235%30%20%15%5%0%來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)金證券研究所來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)金證券研究所建敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明21公司名稱募投項(xiàng)目計(jì)劃投資額說(shuō)明項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期程中2023年(可能延期)批量驗(yàn)證生產(chǎn)2023年(可能延期)擴(kuò)大規(guī)模項(xiàng)目仍在建設(shè)過(guò)程中，建成后將形成年產(chǎn)MCM(MCP)系路封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目目強(qiáng)有限公司集成電產(chǎn)能建設(shè)項(xiàng)目司集成電路心建設(shè)項(xiàng)目程中晶封裝與薄膜覆晶封裝產(chǎn)能幅提升1、探針卡是晶圓測(cè)試的核心耗材，MEMS探針卡已逐漸成為主流敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明22訊，并將被測(cè)器件中的反饋信號(hào)傳輸回測(cè)試機(jī)，從而完成測(cè)試機(jī)對(duì)芯片的參數(shù)測(cè)試。所不敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明23懸臂式探針卡垂直式探針卡EMS紹以懸臂針為主要材料，絕大部分工序需要復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以應(yīng)用于所有的IC結(jié)構(gòu)及少量SITE同測(cè)定的彈性，以解決陣列PAD結(jié)構(gòu)為主；探針和探針之間的間距可以非常小，可多太小以MEMS探針為主要材料，主要目的是解TD微機(jī)電制程探針/陶瓷針環(huán)/PCB，不使用MLC(多層陶瓷空間轉(zhuǎn)換基體)探頭(陶瓷外殼+垂直引腳)/空間轉(zhuǎn)換基體(MLCorMLO)/PCB/補(bǔ)強(qiáng)板/空間轉(zhuǎn)換基體(MLC)/PCB/補(bǔ)強(qiáng)板與微米級(jí)制造設(shè)備板上景芯片程高頻量低中高底低高DD片的測(cè)試，功能性更強(qiáng)，靈活性更高，更能有效匹配先進(jìn)制程芯片的測(cè)試需求。敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明24其他探針卡市場(chǎng)規(guī)模(百萬(wàn)美元)MEMS其他探針卡市場(chǎng)規(guī)模(百萬(wàn)美元)MEMS探針卡市場(chǎng)規(guī)模(百萬(wàn)美元)DMEMS探針卡2.5D/3DMEMS探針卡不同針型，因此探針出現(xiàn)了不在一個(gè)平面上的度的視覺(jué)，集中一個(gè)焊點(diǎn)上個(gè)形狀/尺寸方桿(10x10>20um)截錐(6x6-25x25um)5umumPA-IIPA-II否是長(zhǎng)替換是供準(zhǔn)確的測(cè)量et針帶來(lái)的增量需求，共同驅(qū)動(dòng)探針卡市場(chǎng)不斷擴(kuò)展，052%57%59%62%69%74%部分PCB敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明25電路，國(guó)金證券研究所卡產(chǎn)業(yè)鏈招股書(shū)，國(guó)金證券研究所產(chǎn)品、射頻芯片測(cè)試一體化探針、高頻高速50GHz測(cè)試探針以及組件及引腳0.15pitch公司官網(wǎng)，國(guó)金證券研究所敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明26romFactor%%32%%%32%25%MicronicsJapan25%MPI序號(hào)企業(yè)名稱公司簡(jiǎn)介2年?duì)I收1torch2obe3子(嘉興)有限公司45旺矽科技(MPI)67ecSVTCL89emsogyd網(wǎng)，國(guó)金證券研究所敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明27建議積極關(guān)注第三方測(cè)試廠商(偉測(cè)科技、利揚(yáng)芯片)，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備廠商(長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控、華興源創(chuàng)、金海通、聯(lián)動(dòng)科技、矽電股份(未上市)、深科達(dá)、悅芯科技(未上市))，半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)所需核心耗材廠商(和林微納、強(qiáng)一半導(dǎo)體(未上市)、道格特 光展銳、中穎、北京君正、卓勝微、中芯國(guó)際等頭部廠商。公司業(yè)績(jī)?cè)鏊傩袠I(yè)領(lǐng)先，22比成消。收占比為62.08%。公司目前客戶包括匯頂科技、全志科技、國(guó)民技術(shù)、東軟載波、博通導(dǎo)檢測(cè)設(shè)備。1)測(cè)試機(jī)：公司模擬測(cè)試機(jī)已達(dá)領(lǐng)先水平，具備市占率提升、持續(xù)擴(kuò)張的條，華峰測(cè)控：公司是國(guó)內(nèi)模擬測(cè)試機(jī)龍頭公司，在模擬、數(shù)?；旌蠝y(cè)試機(jī)領(lǐng)域已基本實(shí)現(xiàn)CHZ敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明敬請(qǐng)參閱最后一頁(yè)特別聲明28(激光雷達(dá)、傳感器、攝像頭等)的生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備。司已與通富微電、長(zhǎng)電科技、安靠、博通、瑞薩科技等一線客戶。2)三溫分選機(jī)方面，公司已實(shí)現(xiàn)溫控技術(shù)的突破，三溫分選機(jī)有望迎來(lái)批量出貨。工業(yè)&車規(guī)級(jí)芯片常用于惡溫測(cè)試分選機(jī)有望成主流。公司三溫分選機(jī)，核心溫控模塊系自研，突破了高低溫測(cè)試、FT公等美