模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)～章課件

謝志遠(yuǎn)主編黃怡然主講模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

目前最基本的電子器件主要有三大類:

電子管也稱為真空管(Vacuumtube),它是在一個(gè)抽成真空的玻璃泡中封有一些電極而制成的。圖1是各種真空管的照片，真空管是第一代電子器件。Specialforyou

半導(dǎo)體器件是二十世紀(jì)五十年代發(fā)展起來的，特別是1948年晶體管（

“Transistor”isshortfor“TransferResistor”）的發(fā)明，對(duì)電子技術(shù)的發(fā)展起到了決定性的作用。圖2和圖3是各種半導(dǎo)體二極管和三極管的照片。圖2各種半導(dǎo)體二極管的照片圖3各種半導(dǎo)體三極管的照片Specialforyou

隨后在半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的集成電路，使電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)新的里程碑。集成電路的不斷發(fā)展，從小規(guī)模集成電路到中規(guī)模、大規(guī)模集成電路，以及發(fā)展到超大規(guī)模集成電路?？梢园堰^去一臺(tái)儀器所包括的電子電路集成到一塊芯片之中。圖4是各種集成電路的照片。圖4各種集成電路的照片SpecialforyouApplicationsMobile

InternetNetworkServicesHomei.LINKMemoryStick這是一個(gè)和電子有關(guān)的科技時(shí)代，每天都有很多激動(dòng)人心的故事在上演！很多公司在倒閉，也有很多新產(chǎn)品在誕生！在這個(gè)紛繁喧囂的社會(huì)里，你不是別人，你是你自己！第1章緒論課程目的

掌握電子技術(shù)領(lǐng)域中的基本理論、基本電路、基本分析方法和基本實(shí)驗(yàn)技能；具有能夠繼續(xù)深入學(xué)習(xí)和接收電子技術(shù)新發(fā)展的能力，為下一步的學(xué)習(xí)以及今后從事的專業(yè)工作打下必要的基礎(chǔ)。

下一頁返回上一頁ututututut接收回路變頻電路中頻放大檢波低放功放下一頁返回上一頁1.1.1信號(hào)：

信息的載體微音器輸出的某一段信號(hào)的波形

1.1信號(hào)及分類播音員播音時(shí)，微音器（話筒）將聲轉(zhuǎn)換為電信號(hào)（如圖），然后經(jīng)過電子系統(tǒng)中的放大、濾波等電路，去驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器，從而復(fù)制播音員的聲音，聽眾收聽。電信號(hào)都是時(shí)間的函數(shù)，稱為模擬信號(hào).第1章緒論1.1.2模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)模擬信號(hào)：在時(shí)間和數(shù)值上均具有連續(xù)性。數(shù)字信號(hào)：指在時(shí)間上和幅值上均離散的信號(hào)。模擬信號(hào)波形數(shù)字信號(hào)波形下一頁返回上一頁第1章緒論1.2.1模擬電路

1.2模擬電路與數(shù)字電路處理模擬信號(hào)的電子電路稱為模擬電路。常見的模擬電路包括：

放大電路、濾波電路、運(yùn)算電路、信號(hào)變換電路、信號(hào)發(fā)生電路、直流電源電路等。1.2.2數(shù)字電路處理數(shù)字信號(hào)的電子電路稱為模擬電路。常見的數(shù)字電路包括：門電路、組合邏輯電路、觸發(fā)器、時(shí)序邏輯電路、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、可編程邏輯器件、模數(shù)與數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。第1章緒論下一頁返回上一頁1.3.1課程的特點(diǎn)一、工程性

1.3如何學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)二、實(shí)踐性1.3.2如何學(xué)好該課程一、重點(diǎn)掌握“基本概念、基本電路和基本分析方法”。二、靈活運(yùn)用電路理論的基本定理、定律。三、學(xué)會(huì)用全面、辯證的觀點(diǎn)分析模擬電子電路。五、至少學(xué)會(huì)一種電子電路仿真與設(shè)計(jì)軟件。四、勤于實(shí)踐并善于實(shí)踐。第1章緒論下一頁返回上一頁學(xué)習(xí)方法以聽課為線索建立工程的概念，能夠合理近似特別注意電路原理在電子電路分析中的應(yīng)用考試方法及要求平時(shí)成績(jī)（30％）＋筆試閉卷（70％）。會(huì)看：定性分析會(huì)算：定量計(jì)算會(huì)選：電路形式、器件、參數(shù)會(huì)調(diào)：測(cè)試方法、儀器選用下一頁返回上一頁第1章緒論第2章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?.3半導(dǎo)體二極管2.4

穩(wěn)壓二極管2.5其他類型的二極管下一頁返回上一頁2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

2.1.1半導(dǎo)體材料及其導(dǎo)電特性1從導(dǎo)電性能上看，通?？蓪⑽镔|(zhì)分為3類：2半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受外界影響形成各種應(yīng)用：熱敏電阻（溫度影響）光敏電阻（光影響）二極管、三極管（雜質(zhì)影響）下一頁返回上一頁3根據(jù)半導(dǎo)體中是否摻入雜質(zhì)元素可分為雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體2.1.2本征半導(dǎo)體1概念：

完全純凈的，具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體.（用的最多的是鍺和硅）2原子結(jié)構(gòu)圖SiGe

Si(14)和Ge(32)的最外層軌道上都有4個(gè)電子，由于外層電子受原子核的束縛力最弱，稱為價(jià)電子。價(jià)電子慣性核下一頁返回上一頁2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

3晶體結(jié)構(gòu)（共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)）共價(jià)鍵每相鄰兩個(gè)原子都共用一對(duì)價(jià)電子。形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。下一頁返回上一頁晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)絕對(duì)溫度（-273℃）T=0K時(shí)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中，這時(shí)半導(dǎo)體不能導(dǎo)電，相當(dāng)于絕緣體。

＋4＋4

＋4

＋42.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

＋4＋4＋4＋44本征激發(fā)當(dāng)溫度升高T>0K或受到光的照射時(shí)

束縛電子能量增高，便有一些價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，成為自由電子。自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱為空穴。自由電子空穴這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象——復(fù)合

在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。自由電子數(shù)=空穴數(shù)注意：①由于自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，整個(gè)半導(dǎo)體對(duì)外仍處于中性。

②溫度越高，載流子數(shù)目越多，導(dǎo)電性能越好。所以溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。下一頁返回上一頁2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

5導(dǎo)電過程在外電場(chǎng)的作用下半導(dǎo)體是靠自由電子和空穴的移動(dòng)來導(dǎo)電的。（1）自由電子定向移動(dòng)形成電流（2）空穴定向移動(dòng)形成電流E+_電子流空穴流自由電子載流子：帶單位負(fù)電空穴載流子：帶單位正電下一頁返回上一頁2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

2.1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體

本征半導(dǎo)體中載流子的數(shù)量很少，導(dǎo)電能力很低，如果在其中摻入微量雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力將大大增強(qiáng)。根據(jù)摻入雜質(zhì)種類的不同，可以分為兩大類：

N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體下一頁返回上一頁2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1N型半導(dǎo)體(電子型)

在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷），形成N型半導(dǎo)體。因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。N型半導(dǎo)體因?yàn)樽杂呻娮訑?shù)目的大量增加而提高導(dǎo)電性能N型半導(dǎo)體中自由電子：多數(shù)載流子（多子）空穴：少數(shù)載流子（少子）載流子下一頁返回上一頁＋4＋4＋4＋4＋5多余電子磷原子2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

2P型半導(dǎo)體(空穴型)在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼），形成P型半導(dǎo)體。硼有3個(gè)價(jià)電子，故在形成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí)，因少一個(gè)電子而產(chǎn)生一個(gè)空穴。

P型半導(dǎo)體以空穴導(dǎo)電作為主要導(dǎo)電方式，又稱空穴型半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體中自由電子：少數(shù)載流子（少子）空穴：多數(shù)載流子（多子）載流子注意：無論P(yáng)型、N型半導(dǎo)體，整個(gè)晶體仍然是不帶電的下一頁返回上一頁

＋4＋4＋4

＋4＋3硼原子空穴2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體++++++++++++－－－－－－－－－－－－雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖多子—電子少子—空穴多子—空穴少子—電子少子濃度——與溫度有關(guān)，與摻雜無關(guān)多子濃度——與溫度無關(guān)，與摻雜有關(guān)在半導(dǎo)體中摻雜是提高半導(dǎo)體導(dǎo)電能力的最有效方法2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

NP++++++++++++++++----------------2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?.2.1PN結(jié)的形成在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面形成一個(gè)特殊的薄層，稱為PN結(jié)。NP++++++++++++++++----------------PN結(jié)是晶體二極管及其它半導(dǎo)體的基本結(jié)構(gòu)，在集成電路中極其重要。PN結(jié)下一頁返回上一頁

1PN結(jié)形成的物理過程交界面兩側(cè)載流子存在濃度差空穴和電子在交界面產(chǎn)生復(fù)合多子濃度驟然下降不移動(dòng)帶電離子形成空間電荷區(qū)耗盡層、PN結(jié)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)N區(qū)的電子（多子）向P區(qū)擴(kuò)散P區(qū)的空穴（多子）

N區(qū)PN結(jié)內(nèi)：N區(qū)失去電子→顯正電性P區(qū)得到電子→顯負(fù)電性在空間電荷區(qū)內(nèi)形成了N區(qū)

P區(qū)的電場(chǎng)，稱為內(nèi)電場(chǎng)下一頁返回上一頁空間電荷區(qū)（PN結(jié)）PN內(nèi)電場(chǎng)耗盡層V0電位V電子勢(shì)能-qV02.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?PN結(jié)內(nèi)存在兩種載流子的運(yùn)動(dòng)空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)促進(jìn)少子漂移運(yùn)動(dòng)阻止多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成PN結(jié)寬度相對(duì)穩(wěn)定②少子的漂移運(yùn)動(dòng)：N區(qū)的空穴

P區(qū)P區(qū)的電子

N區(qū)空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)加寬①多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：N區(qū)的電子

P區(qū)P區(qū)的空穴

N區(qū)擴(kuò)散和漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡PN結(jié)的形成過程動(dòng)畫演示下一頁返回上一頁NP++++++++++++++++----------------E多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)濃度差少子的漂移運(yùn)動(dòng)

內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦訰VNP++++++++++++++++----------------ViD++__2.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

1PN結(jié)加正向電壓（正偏）：

P區(qū)接正電源，N區(qū)接負(fù)

外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變窄破壞PN結(jié)動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)多子擴(kuò)散形成較大的正向電流PN結(jié)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通狀態(tài)下一頁返回上一頁2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦訬P++++++++++++++++----------------RVViRNP++++++++++++++++----------------++__

2PN結(jié)加反向電壓（反偏）：

P區(qū)接負(fù)電源，N區(qū)接正

外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相同外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變寬破壞PN結(jié)動(dòng)態(tài)平衡漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)少子漂移形成極小的電流PN結(jié)呈現(xiàn)高阻截止?fàn)顟B(tài)下一頁返回上一頁2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。單向?qū)щ娦詣?dòng)畫演示下一頁返回上一頁2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦韵乱豁摲祷厣弦豁?.2.3PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)的伏安特性是指在PN結(jié)兩端外加電壓時(shí)，通過PN結(jié)的電流大小與外加電壓之間關(guān)系的特性。0uDiD反向擊穿（雪崩擊穿和齊納擊穿）正偏反偏反向飽和電流IS反向擊穿電壓UBRIR（少子漂移）IF（多子擴(kuò)散）電擊穿熱擊穿雪崩擊穿齊納擊穿反向擊穿PN結(jié)的伏安特性曲線可用下式表示:其中IS——反向飽和電流UT

——溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（T=300K）2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦韵乱豁摲祷厣弦豁?.2.4PN結(jié)的電容效應(yīng)1勢(shì)壘電容Cb當(dāng)外加電壓發(fā)生變化時(shí)，耗盡層的寬度要相應(yīng)地隨之改變。勢(shì)壘區(qū)的變化，意味著PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。此時(shí)PN結(jié)呈現(xiàn)出的電容效應(yīng)稱為勢(shì)壘電容。2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦韵乱豁摲祷厣弦豁?擴(kuò)散電容Cd當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子(稱非平衡少數(shù)載流子)的數(shù)量及濃度梯度也不同，這也相當(dāng)電容的充放電過程，稱為擴(kuò)散電容。電容效應(yīng)在高頻交流信號(hào)作用下才會(huì)明顯表現(xiàn)出來！極間電容（結(jié)電容）CdCj＝Cb＋Cd2.2PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?.3半導(dǎo)體二極管將PN結(jié)上加入相應(yīng)的電極引線和管殼，就成為二極管2.3.1二極管的基本結(jié)構(gòu)①點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。1常見的三種基本結(jié)構(gòu)下一頁返回上一頁②

面接觸型二極管PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。下一頁返回上一頁2.3半導(dǎo)體二極管③

硅平面型二極管用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。下一頁返回上一頁2.3半導(dǎo)體二極管2二極管的表示符號(hào)：PN曾用符號(hào)：3二極管常見外形圖下一頁返回上一頁D陽極陰極2.3半導(dǎo)體二極管硅管0.5V,鍺管0.1V。反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴Ｕ蛱匦苑聪蛱匦蕴攸c(diǎn)：非線性VI死區(qū)電壓PN+–PN–+反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)Is

。硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3V2.3.2二極管的伏安特性伏安特性：描繪二極管兩端電流與端電壓之間的關(guān)系或曲線。下一頁返回上一頁鍺2.3半導(dǎo)體二極管說明：1.二極管與PN結(jié)伏安特性的區(qū)別二者均具有單向?qū)щ娦?，但由于二極管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻，正向偏置在電流相同的情況下，二極管端電壓大于PN結(jié)的端電壓，或者說在相同正向偏置下，二極管電流小于PN結(jié)電流；另外，二極管表面存在漏電流，其反相電流增大。2.溫度對(duì)二極管伏安特性的影響二極管的特性對(duì)溫度很敏感，環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管正向特性曲線左移，反向特性曲線下移。下一頁返回上一頁2.3半導(dǎo)體二極管2.3.3二極管的主要參數(shù)1最大整流電流IF二極管允許通過的最大正向平均電流。2最大反向工作電壓URM二極管安全工作時(shí)所能承受的最大反向電壓，為反向擊穿電壓

U(BR)的1/2。3反向電流IR

(越小單向?qū)щ娦栽胶?下一頁返回上一頁二極管未擊穿時(shí)的反向電流。4

最高工作頻率fM二極管工作的上限頻率。2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁

2.3.4二極管的等效電路1理想模型將指數(shù)模型分段線性化，得到二極管特性的等效模型。適用于電源電壓遠(yuǎn)大于二極管的管壓降時(shí)

（a）V-I特性（b）代表符號(hào)（c）正向偏置時(shí)的電路模型（d）反向偏置時(shí)的電路模型2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁2恒壓降模型（a）V-I特性（b）電路模型

3折線模型（a）V-I特性（b）電路模型

說明：理想模型誤差最大；分段線性模型誤差最??；一般情況下多采用恒壓降模型。2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁4小信號(hào)模型us=0時(shí),Q點(diǎn)稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，反映直流時(shí)的工作狀態(tài)。us=Umsint

時(shí)（Um<<UDD）,將Q點(diǎn)附近小范圍內(nèi)的V-I特性線性化，得到小信號(hào)模型，即以Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線。2.3半導(dǎo)體二極管（a）V-I特性（b）電路模型下一頁返回上一頁過Q點(diǎn)的切線可以等效成一個(gè)微變電阻即根據(jù)得Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)則常溫下（T=300K）特別注意：小信號(hào)模型中的微變電阻rd與靜態(tài)工作點(diǎn)Q有關(guān)。該模型用于二極管處于正向偏置條件下，且uD>>UT

。2.3半導(dǎo)體二極管根據(jù)二極管的小信號(hào)模型畫出電路的交流通路，并求出電阻R兩端的電壓和電流的表達(dá)式。電路的交流通路下一頁返回上一頁2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁1二極管整流電路2.3.5二極管基本應(yīng)用電路及分析方法（a）半波整流電路（b）輸入、輸出波形2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁2限幅電路ui>8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8Vui18V參考點(diǎn)二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––2.3半導(dǎo)體二極管下一頁返回上一頁例：電路如圖所示，求AO的電壓值解：先斷開D，以O(shè)為基準(zhǔn)電位，即O點(diǎn)為0V。則接D陽極的電位為-6V，接陰極的電位為-12V。陽極電位高于陰極電位，D接入時(shí)正向?qū)?。?dǎo)通后，D的壓降等于零，即A點(diǎn)的電位就是D陽極的電位。所以，AO的電壓值為-6V。2.3半導(dǎo)體二極管3二極管開關(guān)電路【例2.4】二極管開關(guān)電路如圖所示，采用二極管理想模型，當(dāng)UA

和UB分別為0V或3V時(shí)，求解UA

和UB不同組合時(shí)，輸出電壓的值。UAUB二極管工作狀態(tài)UOD1D20V0V導(dǎo)通導(dǎo)通0V0V3V導(dǎo)通截止0V3V0V截止導(dǎo)通0V3V3V導(dǎo)通導(dǎo)通3V“與邏輯”下一頁返回上一頁2.3半導(dǎo)體二極管4小信號(hào)工作情況分析圖示電路中，VDD=5V，R=5k，恒壓降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinwtV。（1）求輸出電壓vO的交流量和總量；（2）繪出vO的波形。

直流通路、交流通路、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)等概念，在放大電路的分析中非常重要。微變電阻：靜態(tài)工作點(diǎn)：Vo的直流分量：Vo＝VDD－VD＝4.3VVo的交流分量：2.3半導(dǎo)體二極管2.4穩(wěn)壓二極管2.4.1穩(wěn)壓二極管的伏安特性穩(wěn)壓二極管是工作在反向擊穿區(qū)的一種特殊二極管。1表示符號(hào)2伏安特性+

VZ_正向同二極管穩(wěn)定電壓當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下，工作電流IZ在Izmax和Izmin之間變化時(shí)，其兩端電壓近似為常數(shù)。（穩(wěn)壓）由于穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，故二極管一般反向接入電路。注意：反偏電壓≥UZ；反向擊穿。下一頁返回上一頁

反向擊穿時(shí)的模型2.4.2穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)1穩(wěn)定電壓UZ4動(dòng)態(tài)電阻rZ在規(guī)定的工作電流IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。rZ=UZ/IZ3額定功耗

PZmax2穩(wěn)定電流

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