標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 42974-2023 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲器(FLASH)》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范快閃存儲器的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制等方面。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的快閃存儲器產(chǎn)品，包括但不限于NAND FLASH和NOR FLASH。

在設(shè)計(jì)要求部分，明確了快閃存儲器應(yīng)當(dāng)滿足的基本電氣特性、物理尺寸以及環(huán)境適應(yīng)性等技術(shù)指標(biāo)。例如，對于不同工作溫度范圍下的性能表現(xiàn)給出了具體規(guī)定，確保了設(shè)備在極端條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行。

針對測試方法，《GB/T 42974-2023》詳細(xì)列出了從原材料檢驗(yàn)到成品出廠前需進(jìn)行的各項(xiàng)檢測流程，涵蓋了電性能測試、可靠性試驗(yàn)等多個方面。通過這些嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)測試程序，可以有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。

此外，該標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了安全性和環(huán)保要求。在安全性方面，提出了關(guān)于靜電防護(hù)、過電壓保護(hù)等措施的具體建議；而在環(huán)境保護(hù)方面，則是圍繞有害物質(zhì)限制使用等內(nèi)容進(jìn)行了規(guī)范，鼓勵采用更加綠色健康的材料和技術(shù)。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-09-07 頒布
  • 2024-01-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42974—2023

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲器FLASH

()

Semiconductorintegratedcircuits—

FlashmemorFLASH

y()

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T42974—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司合肥美菱物聯(lián)科

:、、

技有限公司存心科技北京有限公司芯天下技術(shù)股份有限公司三旗惠州電子科技有限公司

、()、、()。

本文件主要起草人羅曉羽何衛(wèi)辛鈞胡洪蘇志強(qiáng)李東琦韓旭龍冬慶張靜李柏泉王如松

:、、、、、、、、、、、

李敬李海龍

、。

Ⅰ

GB/T42974—2023

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲器FLASH

()

1范圍

本文件規(guī)定了快閃存儲器的分類技術(shù)要求電測試方法和檢驗(yàn)規(guī)則

(FLASH)、、。

本文件適用于的設(shè)計(jì)制造采購驗(yàn)收

FLASH、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.44:(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.1313:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

GB/T4937.1414:()

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.1515:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測試人

GB/T4937.2626:(ESD)

體模型

(HBM)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測試機(jī)

GB/T4937.2727:(ESD)

器模型

(MM)

集成電路術(shù)語

GB/T9178

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)方法

GB/T35003

半導(dǎo)體集成電路快閃存儲器測試方法

GB/T36477—2018

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分密封

IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分標(biāo)志耐久性

IEC60749-99:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速

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