GB/T 36477-2018半導(dǎo)體集成電路快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36477—2018

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法

Semiconductorintegratedcircuit—

Measuringmethodsforflashmemory

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36477—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

設(shè)備和條件

4.1…………………………1

電參數(shù)測(cè)試向量

4.2……………………1

詳細(xì)要求

5…………………2

輸出高電平電壓和輸出低電平電壓

5.1………………2

輸入高電平電壓和輸入低電平電壓

5.2………………3

輸入高電平電流和輸入低電平電流

5.3………………5

輸出高電平電流和輸出低電平電流

5.4………………5

輸出高電阻狀態(tài)電流

5.5………………6

電源電流和漏電流

5.6…………………6

傳輸時(shí)間

5.7……………7

建立時(shí)間和保持時(shí)間

5.8………………9

延遲時(shí)間

5.9……………11

有效時(shí)間適用時(shí)

5.10()………………11

存儲(chǔ)器的特定時(shí)間

5.11………………11

存儲(chǔ)單元變功能

5.1201……………11

存儲(chǔ)單元變功能

5.1310……………12

特殊數(shù)據(jù)圖形功能

5.14………………13

附錄資料性附錄快閃存儲(chǔ)器測(cè)試流程

A()……………14

GB/T36477—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中芯國(guó)際集成電路制造上海有限公司上海復(fù)旦

:、()、

微電子集團(tuán)股份有限公司深圳市中興微電子技術(shù)有限公司北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司復(fù)旦大

、、、

學(xué)中興通訊股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人菅端端陳大為鐘明琛羅曉羽馮光濤倪昊趙子鑒董藝田萬(wàn)廷高碩

:、、、、、、、、、、

閔昊劉剛

、。

Ⅰ

GB/T36477—2018

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路快閃存儲(chǔ)器電參數(shù)時(shí)間參數(shù)和存儲(chǔ)單元功能測(cè)試的基本方法

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中快閃存儲(chǔ)器電參數(shù)時(shí)間參數(shù)和存儲(chǔ)單元功能的測(cè)試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

快閃存儲(chǔ)器flashmemory

一種非易失存儲(chǔ)器具有電可擦除可編程的特性主要特點(diǎn)是可以對(duì)大區(qū)塊進(jìn)行快速的讀寫(xiě)

,,。

32

.

最壞情況條件worstcasecondition

把電源電壓輸入信號(hào)負(fù)載在標(biāo)稱范圍內(nèi)的最不利條件同時(shí)加到被測(cè)快閃存儲(chǔ)器上構(gòu)成的

、、。

4一般要求

41設(shè)備和條件

.

快閃存儲(chǔ)器的電特性測(cè)試不限定具體方式和設(shè)備宜在自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)上進(jìn)行具體包括但不限于測(cè)

,,

試機(jī)探針臺(tái)高低溫沖擊設(shè)備和示波器

、、。

在電參數(shù)測(cè)試時(shí)應(yīng)制定測(cè)試向量使快閃存儲(chǔ)器處于所需的工作狀態(tài)后才能開(kāi)始測(cè)試關(guān)于測(cè)試

,,,

向量的一般性要求應(yīng)符合的規(guī)定測(cè)試流程參見(jiàn)附錄

4.2,A。

除另有規(guī)定外快閃存儲(chǔ)器測(cè)試應(yīng)在環(huán)境氣壓為相對(duì)濕度為的范圍

,