實(shí)驗(yàn)室X射線吸收譜儀系統(tǒng)應(yīng)達(dá)到如下技術(shù)指標(biāo)

實(shí)驗(yàn)室X射線吸收譜儀系統(tǒng)應(yīng)達(dá)到如下技術(shù)指標(biāo)：一、系統(tǒng)規(guī)格1. 功能：X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)（XANES）和擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)EXAFS;2. 工作模式：透射模式和熒光模式3. 工作能量范圍：4.5-25keV4. X射線通量：近邊XANES>106光子/s，擴(kuò)展邊EXAFS>107光子/s；5. 能量分辨率：XANES模式下0.7-2eV；EXAFS模式下5~15eV6. 空間分辨率100μm；二、多靶材寬譜X射線光源1. 采用封閉式高真空、高亮度、微聚焦、微米結(jié)構(gòu)陽極靶X射線源技術(shù)。i. X射線靶材：W、Mo；可根據(jù)分析要求自動切換。ii. W靶用于4.5-7.2keV；14-20keV，20-25keViii. Mo靶用于7.2-14keV2. 微結(jié)構(gòu)陽極靶材鑲嵌在金剛石基體中，散熱能力提高5倍以上3. X射線有效束斑：最大350μm×50μm4. X射線能量范圍2.4~25keV5. 高壓范圍：20~50kV6. 功率：最大300W三、雙光學(xué)色散模塊1. EXAFS擴(kuò)展邊：Mosaic布局晶體2. HAPG/HOPG(002)分析晶體，適合EXAFS測試的高速度要求，能量分辨率5-15eV3. XANES分析能量分辨率0.7~2eV4. XANES分析晶體采用Johansson布局：配備Si（111），Ge(311)晶體，Si(311)晶體，Ge(311)晶體(不同曲率)5. 20-25KeV，配備Ge(620)晶體6. 分析器羅蘭圓：半徑≤18cm7. 色散分析范圍：布拉格角15~75°四、系統(tǒng)反應(yīng)腔體1. 定制不銹鋼真空腔體，實(shí)現(xiàn)X射線光路保護(hù)。2. 樣品高精度馬達(dá)臺：三軸馬達(dá)臺，行程X=30mm，Y=30mm，Z=50mm，控制精度1um。3. 多樣品臺，最多一次可安放16個(gè)樣品4. 樣品區(qū)空間>20mm,可方便安裝原位實(shí)驗(yàn)腔。五、光子計(jì)數(shù)探測器1. 高計(jì)數(shù)率像素化光子計(jì)數(shù)探測器2. 具備能量閾值自動設(shè)置功能，自動去除X射線高次諧波污染3. Reverse-biasedsilicondiodearray反向偏置硅二極管陣列4. 探測器厚度≥450μmSi，5. 像素尺寸≥75×75μm；6. 像素：1030*5147. 有效探測面積：77.25mmx38.6mm8. 動態(tài)范圍：32位9. 計(jì)數(shù)率：2x106photons/s/pixel10. 采集速度：最快40Hz六、X射線熒光探測器1. 線性陣列Si漂移探測器2. 能量分辨率<130eV（FWHM@5.9keV）3. 探測器面積30mm2，Si厚度1μm4. Be窗厚度12.5μm5. 信號極性：1.5mV/keV6. 信號持續(xù)峰值時(shí)間：100ns～1μs7. 0.1μs峰值時(shí)間內(nèi)，實(shí)現(xiàn)900kcps的輸出計(jì)數(shù)率七、控制軟件模塊1. 可實(shí)現(xiàn)多靶材X射線光源控制，多聚焦鏡控制，樣品臺控制，X射線譜儀控制2. 自動數(shù)據(jù)采集，自動多點(diǎn)采集和多樣品數(shù)據(jù)采集3. 基礎(chǔ)圖像及譜學(xué)分析，圖像及吸收譜算法4. 多制式數(shù)據(jù)存儲5. 高通量數(shù)據(jù)處理、相圖繪制等功能八、防輻射及電氣控制模塊1. X射線屏蔽機(jī)箱和X射線工作指示燈，X射線泄漏率≤0.5Sv/hr2. 系統(tǒng)控制器(Dell3431,Inteli7-8770CPU,16GB內(nèi)存，1TB固態(tài)硬盤，Linux系統(tǒng))和27英寸顯示器3. 全數(shù)字化控制計(jì)算機(jī)工作站(Dell5820,IntelW-2102CPU,16GB內(nèi)存，1TB固態(tài)硬盤，Windows