室分合路干擾測試及解決方案綜述

一、LTE無源器件原理及產品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

一LTE無源器件原理及產品1、無源器件原理及產品一LTE無源器件原理及產品1、無源器件原理及產品

室內分布系統(tǒng)建設

分常規(guī)集采與高性能類型，滿足不同場景需求工程無源器件多系統(tǒng)接入平臺定制射頻模塊網絡干擾優(yōu)化特殊需求

OEM定制模塊

有源一體化模塊2G、3G、LTE多系統(tǒng)合路定制，有效，可靠系統(tǒng)合路器共天饋室分高效覆蓋

多頻、寬頻同步解決

多運營商“共建共享”1.1射頻器件原理_功分器功分器是將一路輸入信號能量分成兩路或多路輸出能量的器件；反過來將多路上行信號能量合成一路輸出；

室內分布系統(tǒng)必不可少的等功率分配原件。

腔體功分器通過阻抗逐級變換實現(xiàn)功率分配

微帶功分器通過微帶線路對稱性實現(xiàn)平均分配一LTE無源器件原理及產品一LTE無源器件原理及產品1.1射頻器件原理_功分器一LTE無源器件原理及產品1.1射頻器件原理_功分器功分器測試圖1.2射頻器件原理_耦合器耦合器平行耦合線與主線靠近程度，耦合端口獲得不同的電平輸出的器件；

5、6、7、10、15、20、25、30、40dB等不同耦合度；

室內分布系統(tǒng)必不可少的不等分功率原件。

IN耦合端OUT50

耦合線主線主通道

腔體耦合器通過調整耦合線與主線的靠近程度一LTE無源器件原理及產品1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無源器件原理及產品1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無源器件原理及產品耦合器測試圖1.3射頻器件原理_電橋電橋平行定向耦合器，耦合度為3dB四端口；

作為功率合成器使用時，兩路輸入信號接入互為隔離端口，而耦合輸出和直通輸出端口互易；

如作為兩路輸出，不考慮損耗，則輸入信號功率之和平分于兩輸出口。

腔體電橋特殊的四端口3dB耦合器一LTE無源器件原理及產品1.3射頻器件原理_電橋一LTE無源器件原理及產品1.3射頻器件原理_電橋一LTE無源器件原理及產品電橋測試圖同頻合路隔離23dB防止信號串擾；等幅等相信號疊加能量增大1倍，損耗=10*LOG1021.4射頻器件原理_濾波器濾波器能夠有效地對電磁信號進行頻率選擇通過的裝置；讓通頻帶內的電磁信號頻率選擇通過，阻止阻帶內的電磁信號通過。入射反射傳輸類似光波通過透鏡

腔體濾波器諧振子的選頻功能一LTE無源器件原理及產品1.4射頻器件原理_濾波器濾波器主要有低通、高通、帶通和帶阻四類。

一LTE無源器件原理及產品1.4射頻器件原理_濾波器濾波器電氣性能指標頻率范圍(MHz)1893-1910帶寬(MHz)17插入損耗(dB)常溫≤1.1極限溫度≤1.3回波損耗(dB)常溫≥20極限溫度≥18帶內波動(dB)≤0.5帶外抑制(dB)≥65@DC-1700MHz≥45@1800-1883MHz≥45@1920-2170MHz≥65@2200-3000MHz平均功率(W)200一LTE無源器件原理及產品1.5射頻器件原理_合路器合路器多個濾波器組成的多端口網絡單元；頻段合路器的電性能指標和濾波器指標基本相同；異頻合路，頻率間須有保護帶寬（防止同頻串擾沒有抑制比）；插損、波動跟體積、成本、頻率間隔有相應關系。濾波器1端口1端口n濾波器2公共端口濾波器n端口2

腔體合路器

多個系統(tǒng)通道濾波器組合一LTE無源器件原理及產品△=45MHz1830MHz1875MHz1.5射頻器件原理_合路器一LTE無源器件原理及產品并非所有的系統(tǒng)合路都能夠實現(xiàn)比較高的隔離;頻率間隔一定的情況下,隔離度的指標還取決于通帶帶寬;1.5射頻器件原理_合路器合路器電性能指標頻率范圍(MHz)885~9601920~2170工作帶寬(MHz)75250插入損耗(dB)≤0.3≤0.3帶內波動(dB)≤0.2≤0.2帶外抑制(dB)≥80@CH2≥80@CH1端口隔離(dB)≥80@CH2≥80@CH1回波損耗(dB)≥20阻抗(Ω)50三階互調(dBc)≤-140@+43dBm×2接口類型N-F功率容量(W)200一LTE無源器件原理及產品1.5射頻器件原理_合路器一LTE無源器件原理及產品CM-BDW2-OD1合路器DW口測試圖CM-BDW2-OD1合路器CG口測試圖1.6射頻器件原理_POI前級寬頻合路2級寬頻合路超寬頻合路及功率分配123合路器1輸出合路器2合路器3合路器4合路器n.POI

由多級合路器組合而成；實現(xiàn)移動、聯(lián)通、電信多系統(tǒng)接入共天饋系統(tǒng)覆蓋。一LTE無源器件原理及產品大型室內分布系統(tǒng)高鐵地鐵共纜覆蓋1.6射頻器件原理_POI一LTE無源器件原理及產品指標參考值關鍵性插入損耗5.5dB（兩路輸出）A2.0dB（一路輸出）帶內波動--B駐波比1.25A隔離度25dB（同系統(tǒng)）A90dB（異系統(tǒng)）三階互調-140dBcA混合互調-150dBcA功率容量200W/端口A注：頻率相隔較近（1MHz）以內合路隔離度需要特殊考慮。1.6射頻器件原理_POI一LTE無源器件原理及產品室分承載話務增多，數(shù)據(jù)業(yè)務增多，容量變大單系統(tǒng)變多系統(tǒng)，多網多系統(tǒng)合路網絡的重要組成部分室分系統(tǒng)發(fā)展迅速，是網絡的重要組成部分系統(tǒng)擴容，室分系統(tǒng)承載的功率變大在原有的室分系統(tǒng)中進行擴容，超出器件所能承受的界限大部分室分系統(tǒng)建設年限較長，較多設備已經老化，指標惡化嚴重，極大影響網絡KPI指標部分原有的室分系統(tǒng)設備無法滿足要求，部分設備已經老化設備性能系統(tǒng)擴容GSMDCSFDD-LTETD-LTEWCDMA…擴容升級網絡現(xiàn)狀一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用室分系統(tǒng)中無源器件主要包括3dB電橋、合路器、耦合器、功分器及負載等關鍵指標含義理論分析涉及器件網絡質量互調抑制互調產物的抑制能力，質量控制的綜合體現(xiàn)互調信號落入上行頻段導致上行干擾全部干擾功率容量所能承受的最大輸入功率局部微放電，造成頻譜擴張，寬帶干擾全部干擾隔離度任意端口有輸入時反應到對方端口的該信號輸出衰減程度隔離度偏低會使信號通過合路器串入其它系統(tǒng)電橋合路器耦合器干擾插損接入而產生的功率損耗插損過大使功率損耗增大，影響覆蓋電平除負載外覆蓋駐波比輸出端口反射信號電壓與輸入信號電壓的比駐波比偏高使反射功率增大，影響覆蓋電平強度全部覆蓋帶內波動最大和最小電平差值覆蓋區(qū)域內電平波動程度功分器電橋合路器覆蓋一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用無源器件材質工藝控制功率容量指標控制無源互調指標控制無源器件研究無源互調對網絡產生直接的干擾影響，對無源互調從三階、五階進行分別要求：

功率容量是網絡干擾的直接體現(xiàn)，對網絡的可靠性有直接影響，提出多載波測試要求；

材質工藝要求是器件的生產源頭把控標準，也是對器件可靠運行的重要參考標準要求。無源器件從互調、功率與材質工藝等三方面進行控制，用以提升網絡指標一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用無源互調對網絡指標的影響三階互調（dBc）干擾電平值（dBm）五階互調（dBc）干擾電平值（dBm）-120-77-135-92-140-97-155-112-150-107-165-122室分器件只要為反射互調干擾，干擾信號直接落入上行通帶，無法通過濾波器進行抑制，對網絡干擾產生直接的影響，干擾電平值隨輸入功率變化而變化載波數(shù)較多的場景中，將出現(xiàn)群互調干擾，連續(xù)多個頻點將受到干擾一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用功率容量表現(xiàn)為輸入信號超出器件承受值后，會產生上行寬頻的脈沖噪聲（飛弧噪聲），對系統(tǒng)產生寬帶的上行干擾，嚴重情況下器件直接打火燒壞輸入信號的平均功率超出器件平均功率容量，將提升網絡底噪，產生上行干擾輸入信號峰值功率超出器件峰值功率容量：嚴重情況易發(fā)生器件大火擊穿導致?lián)p壞長期高負荷運行易產生上行干擾平均功率容量峰值功率容量無源器件平均功率峰值功率輸入信號均值瞬時值峰均比功率

平均功率指信號持續(xù)不斷加到器件上的功率，它引起器件發(fā)熱，導致器件老化、變形等損壞

峰值功率指由于多載波工作時，產生極高的瞬間電磁場導致電壓飛弧現(xiàn)象，使器件損壞

平均功率容量和峰值功率容量指不產生上述損壞所容許通過的功率，對器件功率容量的要求分平均功率和峰值功率一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用功率容量對網絡指標的影響載波數(shù)量增多，峰值功率變大，器件燒壞的幾率上升：器件打火擊穿導致?lián)p壞網絡駐波告警，通信中斷多載波大功率輸入，導致上行頻段“飛弧干擾”現(xiàn)象產生：隨話務的增大，信源載頻發(fā)射增多，總功率變大，干擾越嚴重對上行頻段所有載頻產生直接影響重點解決基站發(fā)射載頻、制式越來越多，器件的功率容量要求嚴峻功率容量一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用無源器件功率容量指標控制現(xiàn)網信源BTS均是多載頻配置的，通過實驗模擬四個EDGE載頻50W總功率200W發(fā)射，更結合現(xiàn)網實際需求；

提高產品出廠多載波大功率容量測試實驗要求，從源頭提高出廠產品性能，通過多載波大功率容量測試，更能摸清到貨產品的性能優(yōu)異。合路器設計單端口功率容限需要200W甚至300w，器件承受功率容限,防止打火。一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用高性能無源器件材質工藝控制接頭：外導體材質要求黃銅，鍍三元合金，內導體錫青銅，鍍銀

內導體：材質黃銅，鍍銀（銅5銀3）

腔體：材質鋁材，鍍銀（銅5銀3）

氣密性及防泄漏要求研究質差器件的排查定位方法普通器件一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用普通無源器件接頭外導體多采用鋅合金，內導體采用黃銅材質；

鋅合金外導體價格低，易脆易變形，易受氧化；黃銅內導體膨脹性較低，多次連接易失效，互調性能較差。接頭是無源器件與饋線進行連接的部件，其優(yōu)劣對互調性能有直接影響高性能無源器件：外導體材質黃銅，鍍三元合金，內導體錫青銅，鍍銀；黃銅外導體材質較硬，可多次進行與饋線連接，不變形，指標不受影響；內導體錫青銅延展性優(yōu)，可靠性高，表面鍍銀互調指標更有保證。

鋅合金接頭表面暗淡，黃銅內導體延展性低易受氧化，可靠性低優(yōu)選較差一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用高性能無源器件內導體：高可靠性腔體結構設計方案；內導體材質選銅材，表面鍍銀處理；

普通器件多采用微帶方式內導體以降低實現(xiàn)成本，微帶內導體功率容量承受低，可靠性差內導體是無源器件內部信號傳輸?shù)慕橘|，是器件的重要組成部分

腔體方式普通器件內導體選材差（鋼），表面也不做鍍銀工藝處理較差一般優(yōu)選腔體內導體設計優(yōu)選微帶方案性能較差選材差，處理工藝水平低一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用

普通器件腔體加工粗糙，表面無任何電鍍處理，發(fā)黑，性能指標差；

削切鋼耦合器腔體成本低廉，可靠性更低。腔體是無源器件實現(xiàn)屏蔽外部信號入侵，內部信號外泄的部件

腔體光滑明亮，無間隙，信號傳輸損耗極低，互調性能指標優(yōu)秀，承受功率高。

高性能器件選用行業(yè)優(yōu)質鋁材精密加工，表面采用先鍍銅后鍍銀處理工藝。優(yōu)選較差一般加工精度低表面無電鍍，發(fā)黑削切鋼腔體，成本低廉性能差，可靠性低一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用高/普通性能無源器件成本對比分析電氣性能指標對比材質分析對比功率容量與三階互調問題為重要影響因素高性能器件普通器件功率容量500/300W200W三階互調-140dBc-120dBc高性能器件普通器件接頭外導體銅材/內導體錫磷青銅外導體鋅合金/內導體黃銅腔體鋁材/鍍銀鋁材/導電氧化內導體銅材/鍍銀鋁材/導電氧化整體結構氣密性高、屏蔽性好普通結構指標要求提高，產品報廢率高；材質工藝要求提升，對應實現(xiàn)成本提高；高性能器件相比對普通器件采購成本有一定幅度增加!結論優(yōu)選一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用“單系統(tǒng)總功率≥43dBm”應用DIN型高性能器件，主要用在靠近信源位置一級主干；“33dBm≤單系統(tǒng)總功率≤43dBm”應用N型高性能器件，用在靠近信源位置二級主干；“單系統(tǒng)總功率≤33dBm”節(jié)點靠近室分天線位置三級分支干線用普通集采器件。一LTE無源器件原理及產品2、高性能無源器件應用通信制式CCDF0.01%典型平均功率峰值功率GSM1.1620W23WEDGE3.3420W67WCDMA1X1載波9.720W194WCDMA1X6載波12.6680W1013WEVDO1載波9.720W194WEVDO3載波10.860W648WWCDMA1載波10.120W202WWCDMA3載波11.9460W716WLTE(8*8)920W180W以C+G+D+W為例Pmax超過1500W，現(xiàn)有測試儀器最大功率也為1500W

一、LTE無源器件原理及產品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

二

LTE室分合路方案運營商2G/3G頻段（MHz）LTE頻段（MHz）GSM900：909-915/954-960DCS：1735-1740/1830-1840WCDMA：1940-1980/2130-2170LTE1800：1745-1765/1840-1860LTE2300：2300-2320LTE2600：2555-2575CDMA800：825-835/870-880CDMA2000：1920-1940/2110-2130LTE1800：1765-1780/1860-1875LTE2300：2370-2390LTE2600：2635-2655運營商移動系統(tǒng)頻率規(guī)劃緊張，部分系統(tǒng)頻點重合；系統(tǒng)合路隔離度需滿足，系統(tǒng)互調需估算；T-CDMA和U-GSM端口分開；U-DCS和U-LTE1.8合并端口，后續(xù)采用雙模方式開通DCS及LTE；WCDMA頻寬加寬，方便聯(lián)通可能的多載波擴容。室分合路系統(tǒng)頻率分析電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式1_分級合路同時考慮電信LTE1.8、LTE2.1功率損耗二

LTE室分合路方案利用原有庫存產品，增加安裝套件，快速擴容布署LTE網絡，解決安裝、運維問題，操作性強;一路輸出C、G網功率不變；L、W因單路輸出功率損耗增加3dB；電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出；合路器損耗0.5dB，合路總損耗4.5dB；原網合路損耗，兩路輸出實際上功率損耗相當電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式2_單獨考慮電信LTE1.8、LTE2.1共建電信CDMA、LTE，聯(lián)通GSM、DCS、LTE、WCDMA多系統(tǒng)合路，常規(guī)合路器引來干擾難實現(xiàn)；需要退頻5M通過多級合路器進行多級合路實現(xiàn)；要求合路單元插入損耗低、隔離度高、接入無干擾。電信LTE2.1合路單元：二

LTE室分合路方案電信LTE1.8多系統(tǒng)合路擴容單元_原來POI基礎上擴容LTE1.8頻率損耗二

LTE室分合路方案利用原有POI輸出實現(xiàn)快速擴容，應用于機場、地鐵、會展中心等大型室分合路損耗1.5dB，兩路輸出損耗5dB項目指標插入損耗PORT1→ANT＜1.5dBLTE1800→ANT＜1.5dB帶外抑制LTE1800≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz隔離度（POI/LTE）≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz≥30dB@1755-1775MHz≥30dB@1850-1870MHz功率容量200W輸入駐波比＜1.3互調抑制(2×43dBm)≤-143dBc電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式3_各退2.5M同時考慮電信LTE1.8、LTE2.1頻率腔體犧牲2.5M頻率，插損小，影響容量陶瓷介質1M外大于30dB頻率資源不可再生退頻方案不可取損耗合路器損耗1.5dB，造價便宜陶瓷介質1.6dB，造價=2*POI價格二

LTE室分合路方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式4_POI同時考慮電信LTE1.8、LTE2.1造價POI實現(xiàn)原理跟合路器組合產品相當訂單定制產品數(shù)量級少，價格比合路器組合高50%損耗電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出合路器損耗0.8dB二

LTE室分合路方案4種擴容方案比較二

LTE室分合路方案擴容方案名稱輸出（路）頻率退頻插損成本優(yōu)缺點分級合路1路---4.5dB已有采購體系成本低功率浪費實施快捷通用性強2路---4.5dB已有采購體系成本低設計改造充分利用通用性強擴容任一系統(tǒng)1路資產方退5M或各退2.5M退2/3/5M插損2.8/2.4/1.5dB需重新采購訂單定制數(shù)量少價格中增加系統(tǒng)退頻5M影響容量六系統(tǒng)合路器1路資產方退5M或各退2.5M1.2dB需重新采購價格低抑制比30dBPOI1路或2路---5dB需重新采購訂單定制數(shù)量少價格高分級合路相當，加多外殼價格高推薦：分級合路2路輸出方案，能量充分利用；加多安裝套件，解決方案和運維問題；有現(xiàn)成采購庫存，啟動快捷，操作方便利用庫存合路器快速實現(xiàn)擴容，增加聯(lián)通1.8G、2.1G，電信2.1G,接入聯(lián)通GSM共6系統(tǒng)；更換雙頻合路器，雙路輸出覆蓋；兩路分別覆蓋28~35樓節(jié)點，最小改動原有覆蓋布線；不影響原系統(tǒng)CDMA覆蓋；原系統(tǒng)沒有聯(lián)通網絡不會造成影響；二路輸出改造案例2二

LTE室分合路方案二

LTE室分合路方案

一、LTE無源器件原理及產品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

三存在問題排查測試及解決方案室分施工系統(tǒng)擴容存在問題1合路器頻段不支持LTE，開通后駐波高，衰減LTE功率影響覆蓋電信LTE1.8G頻段1860-1875；電信LTE2.1G頻段2110-2125；2華為LTE設備駐波告警:華為LTE設備掃描中心頻率參數(shù)超過合路器工作帶寬3LTE擴容器件使用不規(guī)范，合路后信號衰減大,影響覆蓋效果合路器頻段不支持后臺調整掃描中心頻率修正參數(shù)施工擴容后器件使用不規(guī)范三存在問題排查測試及解決方案合路系統(tǒng)干擾分析1電信CDMA聯(lián)通GSM、DCS、LTE三系統(tǒng)合路產生的三階互調落入LTE2.1G頻段2二次諧波2f1/2f2:為有源設備產生，CDMA系統(tǒng)二次諧波頻率1740-1760MHz二階互調f1+f2:為無源器件產生，CDMA系統(tǒng)二階互調頻率1740-1760MHz3LTE高峰均比信號導致無源器件產生飛弧雜散干擾信號離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8、聯(lián)通WCDMA系統(tǒng)干擾較為突出三階互調干擾二次諧波/二階互調干擾無源器件功率飛弧雜散干擾4RRU帶通1875對1880帶外抑制13dB雜散阻塞干擾信號離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8系統(tǒng)受室外天線阻塞干擾較為突出RRU帶外雜散干擾多系統(tǒng)合路互調干擾分析下行頻段：電信CDMA：870-880MHz聯(lián)通GSM：954-960MHz聯(lián)通LTE：