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專用集成電路實驗報告反相器的特性 班級： 姓名： 學(xué)號： 指導(dǎo)教師：二○一六年五月二十日一、實驗?zāi)康?.了解反相器的電路結(jié)構(gòu)和版圖結(jié)構(gòu)。2.理解反相器的開關(guān)閾值。3.理解反相器延時與電源和器件尺寸的關(guān)系。4.理解反相器鏈的延時與器件尺寸的關(guān)系。實驗內(nèi)容和步驟畫出一個雙阱工藝反相器的版圖示意圖（不嚴格要求尺寸和比例關(guān)系，畫出阱、擴散區(qū)、多晶柵極、柵接觸孔、源極漏極接觸孔、金屬即可）。一個0.25um工藝的反相器，NMOS管的尺寸為L=0.250um，W=0.375um；PMOS管的尺寸為L=0.250um，W=1.125um。電源為2.5V，從0到2.5V掃描輸入電壓vin，觀察輸出電壓vout，找到開關(guān)閾值；由圖像可知開關(guān)閾值大約為：1.25V。僅修改PMOS管的W=2.750um，找到此時的開關(guān)閾值；由圖像可知開關(guān)閾值大約為：1.42V?；謴?fù)PMOS管尺寸W=1.125um，電源分別為2.5V、1.5V、1V，觀察和（50%到50%）；電源為2.5V：電源為1.5V：電源為1V：修改PMOS管的W=0.750um，電源為2.5V，觀察和（50%到50%）。四個反相器級聯(lián)，所有的NMOS管的尺寸為L=0.250um，W=0.375um；所有的PMOS管的L=0.250um；電源為2.5V。第一個反相器的PMOS管W=1.125um，第二個反相器的PMOS管W=1.875um，第三個反相器的PMOS管W=3.000um，第四個反相器的PMOS管W=5.250um；四個反相器的PMOS管均為W=1.125um；四個反相器的PMOS管均為W=1.875um；四個反相器的PMOS管均為W=3.000um；實驗結(jié)論隨著工藝尺寸的減小，反相器的延時也隨之變小。對比單個反相器和四個反相器級聯(lián)的情況我們可以發(fā)現(xiàn)，輸出電壓跳變變得陡峭，其和也比單個反相器要長。同時可以看出，隨著電壓的下降，其和也隨之增大。MOS晶體管的寬長比越大，延時越小，延時時間于電源電壓成反比，反相器本征延時與反相器的尺寸無

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