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課時(shí)跟蹤檢測(cè)(三十六)動(dòng)態(tài)圓、磁聚焦和磁發(fā)散問(wèn)題A級(jí)——全員必做1.(2023·延安模擬)如圖所示,直角坐標(biāo)系xOy中,y>0區(qū)域有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,很多質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的相同粒子在紙面內(nèi)從O點(diǎn)沿與豎直方向成60°角方向從第一象限以不同速率射入磁場(chǎng),關(guān)于這些粒子的運(yùn)動(dòng),下列說(shuō)法正確的是()A.所有粒子在整個(gè)磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡長(zhǎng)度都相同B.所有粒子在整個(gè)磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間都相同,均為eq\f(πm,3qB)C.所有粒子經(jīng)過(guò)y軸時(shí)速度的方向可能不同D.所有粒子從O點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到y(tǒng)軸所用時(shí)間都相同,均為eq\f(2πm,3qB)解析:選D速度不同,在整個(gè)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)半徑不同,軌跡長(zhǎng)度不同,故A錯(cuò)誤;由T=eq\f(2πm,qB)可知,所有粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)周期都相同,根據(jù)對(duì)稱性可知,所有從x軸離開(kāi)的粒子運(yùn)動(dòng)所對(duì)應(yīng)的圓心角為300°,故粒子運(yùn)動(dòng)時(shí)間t=eq\f(5,6)T=eq\f(5πm,3qB),故B錯(cuò)誤;根據(jù)單邊界磁場(chǎng)特點(diǎn),進(jìn)出邊界時(shí)粒子與邊界的夾角相同,可知粒子經(jīng)過(guò)y軸時(shí)速度方向相同,與y軸夾角均為60°,故C錯(cuò)誤;粒子從O點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到y(tǒng)軸所用時(shí)間相同,所對(duì)應(yīng)的圓心角為120°,則運(yùn)動(dòng)時(shí)間t′=eq\f(1,3)T=eq\f(2πm,3qB),故D正確。2.如圖所示,一束不計(jì)重力的帶電粒子沿水平方向向左飛入圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域后發(fā)生偏轉(zhuǎn),都恰好能從磁場(chǎng)區(qū)域的最下端P孔飛出磁場(chǎng),則這些粒子()A.運(yùn)動(dòng)速率相同B.運(yùn)動(dòng)半徑相同C.比荷相同D.從P孔射出時(shí)的速度方向相同解析:選B畫(huà)出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,如從A點(diǎn)射入的粒子,其圓心為O1,因初始速度方向水平,則AO1豎直,因AO1=PO1=r,可知平行四邊形OPO1A為菱形,可知r=R,則這些粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑都等于磁場(chǎng)區(qū)域圓的半徑R,根據(jù)r=R=eq\f(mv,qB)可知,粒子的速率、比荷不一定相同;由圖中所示運(yùn)動(dòng)軌跡知,粒子從P孔射出時(shí)的速度方向也不相同,故只有B正確。3.如圖所示,水平放置的平行板長(zhǎng)度為L(zhǎng)、兩板間距也為L(zhǎng),兩板之間存在垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在兩板正中央P點(diǎn)有一個(gè)不計(jì)重力的電子(質(zhì)量為m、電荷量為-e),現(xiàn)在給電子一水平向右的瞬時(shí)初速度v0,欲使電子不與平行板相碰撞,則()A.v0>eq\f(eBL,2m)或v0<eq\f(eBL,4m) B.eq\f(eBL,4m)<v0<eq\f(eBL,2m)C.v0>eq\f(eBL,2m) D.v0<eq\f(eBL,4m)解析:選A電子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),半徑為R=eq\f(mv0,eB),如圖所示。當(dāng)R1=eq\f(L,4)時(shí),電子恰好與下板相切;當(dāng)R2=eq\f(L,2)時(shí),電子恰好從下板邊緣飛出兩平行板(即飛出磁場(chǎng))。由R1=eq\f(mv1,eB),解得v1=eq\f(eBL,4m),由R2=eq\f(mv2,eB),解得v2=eq\f(eBL,2m),所以欲使電子不與平行板相碰撞,電子初速度v0應(yīng)滿足v0>eq\f(eBL,2m)或v0<eq\f(eBL,4m),故A正確。4.(多選)如圖所示,有一個(gè)正方形的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域abcd,e是ad的中點(diǎn),f是cd的中點(diǎn),如果在a點(diǎn)沿對(duì)角線方向以速度v射入一帶負(fù)電的粒子,恰好從e點(diǎn)射出,不計(jì)粒子重力,則()A.如果粒子的速度增大為原來(lái)的2倍,將從d點(diǎn)射出B.如果粒子的速度增大為原來(lái)的3倍,將從f點(diǎn)射出C.如果粒子的速度不變,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,將從d點(diǎn)射出D.只改變粒子的速度使其分別從e、d、f點(diǎn)射出,則從f點(diǎn)射出所用時(shí)間最短解析:選AD如果粒子的速度增大為原來(lái)的2倍,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度不變,由半徑公式r=eq\f(mv,qB)可知,半徑將變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,根據(jù)幾何知識(shí)可知,粒子將從d點(diǎn)射出,故A正確;設(shè)正方形的邊長(zhǎng)為2a,則粒子從e點(diǎn)射出時(shí),軌跡半徑為eq\f(\r(2),2)a,如果磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度不變,粒子的速度變?yōu)樵瓉?lái)的3倍,由半徑公式r=eq\f(mv,qB)可知,半徑將變?yōu)樵瓉?lái)的3倍,為eq\f(3\r(2),2)a,由幾何關(guān)系可知,粒子將從f、d之間射出磁場(chǎng),故B錯(cuò)誤;如果粒子的速度不變,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,由半徑公式r=eq\f(mv,qB)可知,半徑減小為原來(lái)的eq\f(1,2),因此粒子不可能從d點(diǎn)射出,故C錯(cuò)誤;只改變粒子的速度使其分別從e、d、f三點(diǎn)射出,從f點(diǎn)射出時(shí)軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角最小,運(yùn)動(dòng)時(shí)間最短,故D正確。5.如圖所示為一圓形區(qū)域的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在O點(diǎn)處有一放射源,沿半徑方向射出速率為v的不同帶電粒子,其中帶電粒子1從A點(diǎn)飛出磁場(chǎng),帶電粒子2從B點(diǎn)飛出磁場(chǎng),不考慮帶電粒子的重力,則()A.帶電粒子1的比荷與帶電粒子2的比荷的比為3∶1B.帶電粒子1的比荷與帶電粒子2的比荷的比為eq\r(3)∶1C.帶電粒子1與帶電粒子2在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的比為2∶1D.帶電粒子1與帶電粒子2在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的比為1∶2解析:選A設(shè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)圓形區(qū)域的半徑為R,由qBv=eq\f(mv2,R′),得R′=eq\f(mv,qB),可知帶電粒子1從A點(diǎn)飛出磁場(chǎng),帶電粒子2從B點(diǎn)飛出磁場(chǎng),半徑分別為R1′=Rtan30°,R2′=Rtan60°,所以R1′∶R2′=1∶3,則帶電粒子1的比荷與帶電粒子2的比荷的比為3∶1;由T=eq\f(2πm,qB)知,帶電粒子1和2的周期之比為1∶3,所以帶電粒子1與帶電粒子2在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的比為eq\f(t1,t2)=eq\f(2,3)。綜上本題選A。6.如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=0.15T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在半徑為R=0.10m的圓形區(qū)域內(nèi),圓的左端跟y軸相切于直角坐標(biāo)系原點(diǎn)O,右端跟很大的熒光屏MN相切于x軸上的A點(diǎn)。置于坐標(biāo)原點(diǎn)的粒子源可沿x軸正方向射出速度不同的帶正電的粒子流,粒子的重力不計(jì),比荷eq\f(q,m)=1.0×108C/kg。(1)請(qǐng)判斷當(dāng)粒子分別以v1=1.5eq\r(3)×106m/s和v2=0.5eq\r(3)×106m/s的速度射入磁場(chǎng)時(shí),能否打到熒光屏上;(2)要使粒子能打在熒光屏上,求粒子的速度v0的大小應(yīng)滿足的條件;(3)若粒子的速度v0=3.0×106m/s,且以過(guò)O點(diǎn)并垂直于紙面的直線為軸,將圓形磁場(chǎng)逆時(shí)針緩慢旋轉(zhuǎn)90°,求此過(guò)程中粒子打在熒光屏上離A點(diǎn)的最遠(yuǎn)距離。解析:(1)粒子以不同速度射入磁場(chǎng)的軌跡示例如圖甲所示,由幾何知識(shí)得當(dāng)粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r>R時(shí),粒子沿圖中①方向射出磁場(chǎng),能打到熒光屏上;當(dāng)粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r≤R時(shí),將沿圖中②、③方向射出磁場(chǎng),不能打到熒光屏上。當(dāng)粒子速度為v1時(shí),由洛倫茲力提供向心力,得qv1B=meq\f(v12,r1),解得r1=eq\r(3)R>R,故能打到熒光屏上;同理,當(dāng)粒子的速度為v2時(shí),解得r2=eq\f(\r(3),3)R<R,故不能打到熒光屏上。(2)設(shè)當(dāng)v0=v3時(shí),粒子恰好打不到熒光屏上,則這時(shí)粒子沿圖甲中②方向從磁場(chǎng)的最高點(diǎn)豎直向上射出磁場(chǎng)。由幾何關(guān)系可知,粒子在磁場(chǎng)中的軌跡半徑r3=R,由洛倫茲力提供向心力,得qv3B=meq\f(v32,r3),解得v3=1.5×106m/s。由分析可知,當(dāng)v0>1.5×106m/s時(shí),粒子能打到熒光屏上。(3)設(shè)速度v0=v4=3.0×106m/s時(shí),粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑為r4,由洛倫茲力提供向心力,得qv4B=meq\f(v42,r4),解得r4=2R,如圖乙所示,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡是以E點(diǎn)為圓心,以r4為半徑的一段圓弧。因圓形磁場(chǎng)以O(shè)為軸緩慢轉(zhuǎn)動(dòng),故磁場(chǎng)邊界變?yōu)橐設(shè)為圓心,以2R為半徑的圓弧ABE,粒子軌跡圓弧與其交點(diǎn)為B,當(dāng)A點(diǎn)恰轉(zhuǎn)至B點(diǎn),此時(shí)粒子的出射點(diǎn)為B,在磁場(chǎng)中的偏角α最大為60°,射到熒光屏上P點(diǎn)離A點(diǎn)最遠(yuǎn),由幾何知識(shí)得AP=CAtanα=(2R-r4tan30°)tan60°=eq\f(\r(3)-1,5)m≈0.15m。答案:(1)速度為v1時(shí),能打到熒光屏上;速度為v2時(shí),不能打到熒光屏上(2)v0>1.5×106m/s(3)0.15mB級(jí)——重點(diǎn)選做7.如圖所示,在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)充滿磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),MN是一豎直放置的感光板。從圓形磁場(chǎng)最高點(diǎn)P以速度v垂直磁場(chǎng)射入大量帶正電的粒子,且粒子所帶電荷量為q、質(zhì)量為m。不考慮粒子間的相互作用及粒子的重力,關(guān)于這些粒子的運(yùn)動(dòng),以下說(shuō)法正確的是()A.射出磁場(chǎng)的粒子一定能垂直打在MN上B.粒子在磁場(chǎng)中通過(guò)的弧長(zhǎng)越長(zhǎng),運(yùn)動(dòng)時(shí)間也越長(zhǎng)C.射出磁場(chǎng)的粒子其出射方向的反向延長(zhǎng)線不可能過(guò)圓心OD.當(dāng)入射速度v=eq\f(qBR,m)時(shí),粒子射出磁場(chǎng)后一定垂直打在MN上解析:選D對(duì)著圓心入射的粒子,出射后不一定垂直打在MN上,與粒子的速度有關(guān),故A錯(cuò)誤;對(duì)著圓心入射的粒子,速度越大在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡半徑越大,弧長(zhǎng)越長(zhǎng),軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角越小,由t=eq\f(θ,2π)T知,運(yùn)動(dòng)時(shí)間t越小,故B錯(cuò)誤;帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡是圓弧,根據(jù)幾何知識(shí)可知,對(duì)著圓心入射的粒子,其出射方向的反向延長(zhǎng)線也一定過(guò)圓心O,故C錯(cuò)誤;當(dāng)入射速度v=eq\f(qBR,m)時(shí),由洛倫茲力充當(dāng)向心力有Bqv=meq\f(v2,r),解得r=R,運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,射出磁場(chǎng)時(shí)的速度方向與MN垂直,故粒子一定垂直打在MN上,故D正確。8.(多選)如圖所示,垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在正方形abcd區(qū)域內(nèi),O點(diǎn)是cd邊的中點(diǎn)。一個(gè)帶正電的粒子從O點(diǎn)沿紙面以垂直于cd邊的速度射入正方形內(nèi),僅在磁場(chǎng)力的作用下,經(jīng)過(guò)時(shí)間t0后剛好從c點(diǎn)射出磁場(chǎng)?,F(xiàn)設(shè)法使該帶電粒子從O點(diǎn)沿紙面以與Od成30°角的方向,以大小不同的速率射入正方形內(nèi),下列說(shuō)法中正確的是()A.若該帶電粒子在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間是eq\f(5,3)t0,則它一定從cd邊射出磁場(chǎng)B.若該帶電粒子在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間是eq\f(2,3)t0,則它一定從ad邊射出磁場(chǎng)C.若該帶電粒子在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間是eq\f(5,4)t0,則它一定從bc邊射出磁場(chǎng)D.若該帶電粒子在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間是t0,則它一定從ab邊射出磁場(chǎng)解析:選AC如圖所示,作出帶電粒子以與Od成30°角的方向的速度射入正方形內(nèi)時(shí),剛好從ab邊射出的軌跡①、剛好從bc邊射出的軌跡②、從cd邊射出的軌跡③和剛好從ad邊射出的軌跡④。由從O點(diǎn)沿紙面以垂直于cd邊的速度射入正方形內(nèi),經(jīng)過(guò)時(shí)間t0后剛好從c點(diǎn)射出磁場(chǎng)可知,帶電粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期是2t0。由圖中幾何關(guān)系可知,從ad邊射出磁場(chǎng)經(jīng)歷的時(shí)間一定小于eq\f(1,3)t0;從ab邊射出磁場(chǎng)經(jīng)歷的時(shí)間一定大于eq\f(1,3)t0,小于eq\f(5,6)t0;從bc邊射出磁場(chǎng)經(jīng)歷的時(shí)間一定大于eq\f(5,6)t0,小于eq\f(4,3)t0;從cd邊射出磁場(chǎng)經(jīng)歷的時(shí)間一定是eq\f(5,3)t0。綜上所述,A、C正確。9.(2021·湖南高考)帶電粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。帶電粒子流(每個(gè)粒子的質(zhì)量為m、電荷量為+q)以初速度v垂直進(jìn)入磁場(chǎng),不計(jì)重力及帶電粒子之間的相互作用。對(duì)處在xOy平面內(nèi)的粒子,求解以下問(wèn)題。(1)如圖(a),寬度為2r1的帶電粒子流沿x軸正方向射入圓心為A(0,r1)、半徑為r1的圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,若帶電粒子流經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)后都匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O。求該磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B1的大小。(2)如圖(a),虛線框?yàn)檫呴L(zhǎng)等于2r2的正方形,其幾何中心位于C(0,-r2)。在虛線框內(nèi)設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使匯聚到O點(diǎn)的帶電粒子流經(jīng)過(guò)該區(qū)域后寬度變?yōu)?r2,并沿x軸正方向射出。求該磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B2的大小和方向,以及該磁場(chǎng)區(qū)域的面積(無(wú)需寫(xiě)出面積最小的證明過(guò)程)。(3)如圖(b),虛線框Ⅰ和Ⅱ均為邊長(zhǎng)等于r3的正方形,虛線框Ⅲ和Ⅳ均為邊長(zhǎng)等于r4的正方形。在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分別設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使寬度為2r3的帶電粒子流沿x軸正方向射入Ⅰ和Ⅱ后匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,再經(jīng)過(guò)Ⅲ和Ⅳ后寬度變?yōu)?r4,并沿x軸正方向射出,從而實(shí)現(xiàn)帶電粒子流的同軸控束。求Ⅰ和Ⅲ中磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,以及Ⅱ和Ⅳ中勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的面積(無(wú)需寫(xiě)出面積最小的證明過(guò)程)。解析:(1)粒子垂直磁場(chǎng)方向進(jìn)入圓形磁場(chǎng),在坐標(biāo)原點(diǎn)O匯聚,滿足磁聚焦的條件,即粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑等于圓形磁場(chǎng)的半徑r1,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力qvB1=meq\f(v2,r1),解得B1=eq\f(mv,qr1)。(2)粒子從O點(diǎn)進(jìn)入下方虛線區(qū)域,若要從聚焦的O點(diǎn)飛入然后都沿x軸正方向飛出,為磁發(fā)散的過(guò)程,即粒子在下方圓形磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑等于磁場(chǎng)半徑,粒子軌跡最大的邊界如圖甲所示,圖中圓形磁場(chǎng)即為最小的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域。磁場(chǎng)半徑為r2,根據(jù)qvB2=meq\f(v2,r2),可知磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=eq\f(mv,qr2),根據(jù)左手定則可知磁場(chǎng)的方向?yàn)榇怪奔埫嫦蚶铮?/p>
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